JPS5895271A - 半導体集積回路試験装置 - Google Patents
半導体集積回路試験装置Info
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- JPS5895271A JPS5895271A JP56193087A JP19308781A JPS5895271A JP S5895271 A JPS5895271 A JP S5895271A JP 56193087 A JP56193087 A JP 56193087A JP 19308781 A JP19308781 A JP 19308781A JP S5895271 A JPS5895271 A JP S5895271A
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- JP
- Japan
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- test
- circuit
- wafer
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Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/316—Testing of analog circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
杢元明はウェファ−上に複数個存在する被試験素子全同
時に2ヶ以上試験する半導体集積1cIl略試験装置に
関するもりである。
時に2ヶ以上試験する半導体集積1cIl略試験装置に
関するもりである。
半導体集積回路が大規模化し、試験所要時間が増大する
につn、高価な試験装置を効率よく菱用する必要から複
数の被歳験素子を同時に試験する。
につn、高価な試験装置を効率よく菱用する必要から複
数の被歳験素子を同時に試験する。
いわゆる並列測定の方式がと9い扛ら扛てきている。半
導体集積回路の試験における並列測定は、被試験素子の
状聾、試験の目的等によって撞々の形1弗が考えらnる
。
導体集積回路の試験における並列測定は、被試験素子の
状聾、試験の目的等によって撞々の形1弗が考えらnる
。
第1図は従来の半導体集積回路試験装置の一例を示す図
でIVi1Gテスター、2はウェファ−プローバー、3
Fi被試験ウェファ−である。測定回路11は同時に4
数(この場合は2個)の試料を試験1判定する憬能全も
ち、第1の被、<映素子31(以下第1のLIUTと称
する)及び第2の被試験素子32(以下第2のLIUT
と称する)全試験する。テスター市1」#全行なうもの
で、ウェファーフ′ローバー2の市II#を担当するウ
ェファツブローパー制御回路21(以下10−バー制御
回路と称する)からの試験開始信号全受け、試験を実行
させ、第1の1JUT31及び第2のL)Ui’32に
対するl(1足帖米と8tWI!!!終了1g号を10
−バー制御回路21に送出する。第1のマーカー22.
第2のマーカー23は前記−1’t1足結果全プローバ
ー制御回路21を斤して受取り、そnが不良を意味する
ものであ6硼合にのみ、第1のマーカー22は第1のl
J[Ji’ 31に、第2のマーカー23は第2のLI
Ll’l’32VCマーキングする。
でIVi1Gテスター、2はウェファ−プローバー、3
Fi被試験ウェファ−である。測定回路11は同時に4
数(この場合は2個)の試料を試験1判定する憬能全も
ち、第1の被、<映素子31(以下第1のLIUTと称
する)及び第2の被試験素子32(以下第2のLIUT
と称する)全試験する。テスター市1」#全行なうもの
で、ウェファーフ′ローバー2の市II#を担当するウ
ェファツブローパー制御回路21(以下10−バー制御
回路と称する)からの試験開始信号全受け、試験を実行
させ、第1の1JUT31及び第2のL)Ui’32に
対するl(1足帖米と8tWI!!!終了1g号を10
−バー制御回路21に送出する。第1のマーカー22.
第2のマーカー23は前記−1’t1足結果全プローバ
ー制御回路21を斤して受取り、そnが不良を意味する
ものであ6硼合にのみ、第1のマーカー22は第1のl
J[Ji’ 31に、第2のマーカー23は第2のLI
Ll’l’32VCマーキングする。
ウェファ−泣+を制御回路24はフローバー制御回路2
1からの移動指示11号にょジ試暎及びマーキングの終
了全知り、ウェファ−3の位置を移動させ新らしい第1
のυU i’ 31 、第2のIJ U T32を測定
回路11と接続する。このような半導体集積回路試験装
置で1110一バー制御回路21と第1及び第2のマー
カー22.23間の接続ならびに、j141及び第2)
lJLl’l’ 31 !32 ト第1及び第2のマー
カー22.23間の対応関係(通常機械的位置関係)F
i被試験ウェファ−3の品種切替毎に人手により設定し
なけnば々らkいたぬ、この設定に誤りがあると試験に
合格したLI U ’rにマーキングしく通常このuu
q“は破壊さnる)、不合格のJJ [J ’l’にマ
ーキングしないという状!塵が発生する。しかもこの設
定の誤りは試験さlrしたυUTがi、+it’ケース
等に組ヴてら扛た後再試s、?行なわnるまで発見さ扛
ず、その間多縦の不良品を発生することになる。
1からの移動指示11号にょジ試暎及びマーキングの終
了全知り、ウェファ−3の位置を移動させ新らしい第1
のυU i’ 31 、第2のIJ U T32を測定
回路11と接続する。このような半導体集積回路試験装
置で1110一バー制御回路21と第1及び第2のマー
カー22.23間の接続ならびに、j141及び第2)
lJLl’l’ 31 !32 ト第1及び第2のマー
カー22.23間の対応関係(通常機械的位置関係)F
i被試験ウェファ−3の品種切替毎に人手により設定し
なけnば々らkいたぬ、この設定に誤りがあると試験に
合格したLI U ’rにマーキングしく通常このuu
q“は破壊さnる)、不合格のJJ [J ’l’にマ
ーキングしないという状!塵が発生する。しかもこの設
定の誤りは試験さlrしたυUTがi、+it’ケース
等に組ヴてら扛た後再試s、?行なわnるまで発見さ扛
ず、その間多縦の不良品を発生することになる。
本発明の目的は、このような従来の欠点全解決した半導
体集積回路試験装置t全提供することにある。すなわち
、本発明は同一ウェファ−上に存在する多数の被試w!
累子のうちの複数個を同時に選択、試験し、不合格であ
った被試験素子にマーキング?行なうことを目的とする
半導体集積回路試雇装置に関するものである。
体集積回路試験装置t全提供することにある。すなわち
、本発明は同一ウェファ−上に存在する多数の被試w!
累子のうちの複数個を同時に選択、試験し、不合格であ
った被試験素子にマーキング?行なうことを目的とする
半導体集積回路試雇装置に関するものである。
このような試験のためには、試験機能を受持つlCテス
ターと被試験ウェファ−をハンドリングするウェファ−
10−バー及び被試験素子のうち。
ターと被試験ウェファ−をハンドリングするウェファ−
10−バー及び被試験素子のうち。
試験で不合格になったものにマーキングするためのマー
カーとを組合せた半導体集積回路試験装置が使用さnる
が、ウェファ−プローバーとマーカーとの電気的接続及
び機械的位#tA整は1通常。
カーとを組合せた半導体集積回路試験装置が使用さnる
が、ウェファ−プローバーとマーカーとの電気的接続及
び機械的位#tA整は1通常。
被試暎ウェファ−の品種が切替わる毎に人手にょ9行な
わtt6ため人為的なミスが発生しやすいうえ、従来の
半導体集積回路試験では上記ミスの検出ができないため
、万一ミスが発生した場合多数の被試験素子全破壊して
しまううえ、そ扛ら被試砿嬌子を再試験(こnは通常、
JJI)’ケース等にマウントしてから行なわnる)す
る捷でミスの発生そのものを知ることができないため多
大な損失?萱ね〈結果となる。
わtt6ため人為的なミスが発生しやすいうえ、従来の
半導体集積回路試験では上記ミスの検出ができないため
、万一ミスが発生した場合多数の被試験素子全破壊して
しまううえ、そ扛ら被試砿嬌子を再試験(こnは通常、
JJI)’ケース等にマウントしてから行なわnる)す
る捷でミスの発生そのものを知ることができないため多
大な損失?萱ね〈結果となる。
本発明の′4徴は、同一のウェファ−上に複数個存在す
る沙試験素子を同時に2個以上試験可能なICテスター
と、このICテスターによる試験の結果により不合格と
なった被試験系子にマーキングする複数のマーカーと、
この試験の結果が合格と不合格の混在状態であった場合
にこの試験結果ゲ一時記憶するとともに1(、:テスタ
ーに再試験全行なわせ、この再試験結果と一時記順さf
た結果が不−歓の場合にICテスターの動作を停止せし
める手段と分有する半導体集積回路試験装置にある。
る沙試験素子を同時に2個以上試験可能なICテスター
と、このICテスターによる試験の結果により不合格と
なった被試験系子にマーキングする複数のマーカーと、
この試験の結果が合格と不合格の混在状態であった場合
にこの試験結果ゲ一時記憶するとともに1(、:テスタ
ーに再試験全行なわせ、この再試験結果と一時記順さf
た結果が不−歓の場合にICテスターの動作を停止せし
める手段と分有する半導体集積回路試験装置にある。
以下、本発明Q〕一実施例について1図面を用いて説明
する。
する。
第2図は本発明の一天@り11をしめすもので、第2図
において1〜3 + 11+ 12T21〜24,31
ν32は第1図と同じ構成要素である。第2図にしめし
た例の基本的な動作関係は第1図の従来例と同じでプロ
ーバー制御回路21からの試験開始信号によりICテス
ターlは第1及び第2のt、+ u ’i’31+32
の試験を行ない、各々に対す6刊定結果と試験終了信号
を10−バー制御回路21を介して第1及び第2のマー
カー22.23に〕未出し。
において1〜3 + 11+ 12T21〜24,31
ν32は第1図と同じ構成要素である。第2図にしめし
た例の基本的な動作関係は第1図の従来例と同じでプロ
ーバー制御回路21からの試験開始信号によりICテス
ターlは第1及び第2のt、+ u ’i’31+32
の試験を行ない、各々に対す6刊定結果と試験終了信号
を10−バー制御回路21を介して第1及び第2のマー
カー22.23に〕未出し。
不合格のIJ U ’1’にマーキングを行なう。記1
意判定回路25はテスター市1]御回路の送出する第1
及び第2の”U’L’31.32に対する判定結果金堂
け、十nら判定結果が合名のみ又は不合格のみである場
合はプローバー1lffI制御回路21から禁止lI2
1路26を介してウェファ−泣I!Iit制御回路24
へ供給さnる移動指示信号ケ禁止しないよう禁止回路2
6に指示する。もし判定結果が合格と不合格の混在状態
であるときは禁IE回路26に禁止を指示することによ
りウェファ−3の移@全行なわせず、かつこの判定結果
を一時的に記憶しておく。この場合もマーキングは通常
通り行なわn、プローバー制御回路21は試験開始信号
全発生するためIcテスターlは前回と同じ第1及び第
2のLILJ’l’31゜32について試験を行ない判
定結果を送出するので記憶判定回路25にこの判定結果
と、先に一時記燻した前回の判定結果を比較する。この
結果が一致している場合は禁止回路26の禁止t−解除
し。
意判定回路25はテスター市1]御回路の送出する第1
及び第2の”U’L’31.32に対する判定結果金堂
け、十nら判定結果が合名のみ又は不合格のみである場
合はプローバー1lffI制御回路21から禁止lI2
1路26を介してウェファ−泣I!Iit制御回路24
へ供給さnる移動指示信号ケ禁止しないよう禁止回路2
6に指示する。もし判定結果が合格と不合格の混在状態
であるときは禁IE回路26に禁止を指示することによ
りウェファ−3の移@全行なわせず、かつこの判定結果
を一時的に記憶しておく。この場合もマーキングは通常
通り行なわn、プローバー制御回路21は試験開始信号
全発生するためIcテスターlは前回と同じ第1及び第
2のLILJ’l’31゜32について試験を行ない判
定結果を送出するので記憶判定回路25にこの判定結果
と、先に一時記燻した前回の判定結果を比較する。この
結果が一致している場合は禁止回路26の禁止t−解除
し。
移動指示信号の通過を許すことによりウェファ−3を4
1させ1次の’JUT31+32の試験を実行可能とす
るが、一致していない場合(例えば良品のLlUTにマ
ーキングした場合は不一致となる:Fi移動全須正した
まま警報等を発生させる。
1させ1次の’JUT31+32の試験を実行可能とす
るが、一致していない場合(例えば良品のLlUTにマ
ーキングした場合は不一致となる:Fi移動全須正した
まま警報等を発生させる。
このように本発明にxnげ多大な損害分与えかねないマ
ーカーの設定ミスを自動的かつ確実に検出することが可
能となる。
ーカーの設定ミスを自動的かつ確実に検出することが可
能となる。
なお、上記記憶判定回1825の動作は常時性なう必要
8龜なく、あらかじめ設定さnた条件(例えば品種切替
の直後)に応じて行なメ−ばよい。又。
8龜なく、あらかじめ設定さnた条件(例えば品種切替
の直後)に応じて行なメ−ばよい。又。
上記の説明では同時に試験さnる11 U ’l’が2
個。
個。
マーカーも2個の場合について説明したが、′こnが3
個以上の場合も同様でめる。又、テスター。
個以上の場合も同様でめる。又、テスター。
プローバーで測定結果のカウント、を行なう機能を有す
る場合、記憶判定回路の指示による再測定の場合は、こ
のカウント機能全イン上ビットする必要があることは言
うまでもない。
る場合、記憶判定回路の指示による再測定の場合は、こ
のカウント機能全イン上ビットする必要があることは言
うまでもない。
第1図は従来の半導体集積回路試験装置のブロック回路
図、I!2図は本発明による一実施例のブロック回路図
である。 なお図において、1・・・・・・ICテスタ、2・・・
・・・ウヱファーブローパー、3・・・・・・被試験ウ
ェファ−111・・・・・・測定回路、12・・・・・
・テスタ制御回路、 21・・・・・・ウェファ−プロ
ーバー制御回路、22・・・・・・第1のマーカー、2
3・・・・・・第2のマーカー124・・・・・・ウェ
ファ−位置制御回路、25・・・・・・記憶判定回路、
2・6・・・・・・禁止回路、31・・・・・・第1の
被測定置 1図 t Z図
図、I!2図は本発明による一実施例のブロック回路図
である。 なお図において、1・・・・・・ICテスタ、2・・・
・・・ウヱファーブローパー、3・・・・・・被試験ウ
ェファ−111・・・・・・測定回路、12・・・・・
・テスタ制御回路、 21・・・・・・ウェファ−プロ
ーバー制御回路、22・・・・・・第1のマーカー、2
3・・・・・・第2のマーカー124・・・・・・ウェ
ファ−位置制御回路、25・・・・・・記憶判定回路、
2・6・・・・・・禁止回路、31・・・・・・第1の
被測定置 1図 t Z図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 同一のウェファ−上に榎数詞存在する被試験素子を同時
に2個以北試験可A’QなICテスターと。 該1cテスターに゛よる試4の結果により不合格となっ
7′i:前記被試験の結束が合名と不合名の混在状態で
あった場合に・1訂記試験帖釆を一時記憶するとともに
前dピIUテスターに再試験全行なわせ、該丹試験店来
と前記一時記1重さnた結果が不一致の場合に前記IC
テスターの動作を停止せしめろ手段とをMすることヲ!
#徴とする半導体集積回路試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56193087A JPS5895271A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | 半導体集積回路試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56193087A JPS5895271A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | 半導体集積回路試験装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5895271A true JPS5895271A (ja) | 1983-06-06 |
Family
ID=16302006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56193087A Pending JPS5895271A (ja) | 1981-12-01 | 1981-12-01 | 半導体集積回路試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5895271A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4965515A (en) * | 1986-10-15 | 1990-10-23 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of testing a semiconductor wafer |
| CN102116831A (zh) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 上海允科自动化有限公司 | 一种ic检测装置 |
-
1981
- 1981-12-01 JP JP56193087A patent/JPS5895271A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4965515A (en) * | 1986-10-15 | 1990-10-23 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of testing a semiconductor wafer |
| CN102116831A (zh) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 上海允科自动化有限公司 | 一种ic检测装置 |
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