JPS5895875A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
−１赤外光線ｅＸｍｔｒ線勢を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　　）が高く、照射する電磁波のス
ペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有
すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有するこ
と、使用時において人体に対して無公害であること、更
には固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易
に処理することができること等の特性が要求される。殊
に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内
に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の
使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以ｆｆ１ａ−８ｔと表記す）が
ちシ、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同＠
　２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材とし
て、独国公開第２９３ｉ１１号公報には充電変換読取装
置への応用が記載されている。

両生ら、従来の＆−８ｉで構成され九九導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性勢の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、為光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続ける
と、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が生ず
る所謂ゴースト現象を発する様になる等の不都合な点が
少なくなかっ九。

又は飼えば、本発明者等の多くの実験によれば、電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ−
ｓｉは、従来のＳｅ　、　ＣｄＳ　、　８ｎＯ等の無機
光導電材料或いはＰＶＣｚ　’Ｆ’　ＴＮＦ等の有機光
導電材料に較べて、数多くの利点を有するが、従来の太
陽電池用として使用するための特性が１ 付与されたａ−ｇｉから成る単層構成の光導電層を有す
る電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電像形成の
ための帯電処理を施しても暗減衰（ｄａｒｋ　ｄｅｃａ
ｙ　）が著しく速く、通常の電子写真法が仲々適用され
難いこと、及び多湿雰囲気中においては、上記傾＾が著
しく、場合によ−ては現像時間まで帯電々荷を殆んど保
持し得ないことがある勢、解決され得る可き点が存在し
ていることが判明している。

更に、ａ−８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を計る丸めに、水素原子
或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気
伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或い社その
他の特性改頁のために他の原子が、各々構成原子として
光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含有の
仕方如何によっては、形成した層の電気的、光学的或い
は光導電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、的えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において、支持体側よシの電荷の注入の
阻止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

従りて、ａ−８ｉ材料そのもの、の特性改良が計られる
一方で光導電部材を設計する際に、上記した様な所望の
電気的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工夫さ
れる必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８１に
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続は九結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子
（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含−有するアモルフ
ァス材料、所鎮水索化アモルファスシリコン、ハロゲン
化アモルファスシリコン、或イはハロゲン含有水素化ア
モルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記としてｒ
ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成される光導
電層を有する光導電部材の層構成を特定化する様に設計
されて作成された光導電部材は実用上著しく優れた特性
を示すばかシでなく、従来の光導電部材と較べてみても
あらゆる点において凌駕していること、殊に電子写真用
の光導電部材として著しく優れた特性を有していること
を見出した点に基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が殆んど使用環
境に制御を受けず常時安定している全環境型であり、耐
光疲労に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現象を
起さず耐久性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観測さ
れない光導電部材を提供することを主たる目的とする。

本発明の他の目的は、電子写真用像形成部材として適用
させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電荷保
持能が充分あり、通常の電子写真法が極めて有効に適用
され得る優れた電子写真特性を有する光導電部材を提供
することである。

本発明の更に他の目的は、績度が高く、Ｉ・−フトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ること
が容易にできる電子写真用の光導電部材を提供すること
である。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することで４ある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、構成原子として水素原子（Ｈ）又
はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有
する非晶質材料［ａ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）　）で構成され
丸、光導電性を有する非晶質層とを有する光導電部材に
おいて、前記非晶質層が構成原子として、層厚方向に不
均一で連続的な分布状態で炭素原子が含有され原子が含
有さ′れている第二０層領域とを有し、前記第一の層領
域が前記非晶質層の表面下に内在している事を特徴とす
る。

上記し九様な層構成を取る様にして設計され九本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的。

光導電的特性及び使用環境特性を示す６゜殊に、電子写
真用像形成部材として適用させ死場合には帯電処理の際
の電荷保持能に長け、画像形成へ゛の残留電位の影畳が
全くなく、その電気的特性が安定しており高感度で、高
８Ｎ比を有するものであって耐光疲労、繰返し使用特性
、殊に多湿雰囲気中での繰返し使用特性に長け、鎖度が
高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、
高品質の可視画像を得ることかできる。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明する丸めに模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
支持体１０１の上に、ａ−８ｔ　（Ｈ，Ｘ）から成る光
導電性を有する非晶質層１０２を有する。

非晶質層１０２は、構成素子として炭素原子を含有する
第一〇層領域１０３２周期律表＠凹族に属する原子（第
■族原子）を含有する第二０層領域１０４、及び第二の
層領域１０４上に、炭素原子及び第■族原子が含有され
てない表面層領域１０６とから成る層構造を有する。

第一の層領域１０３と表面層領域１０６との間に設けら
れてる層領域１０５には第■族原子は含有されているが
炭素原子は含有されてない。

第一０層領域１０３に含有される炭素原子は、咳層領域
１０３に於いて層厚方向には連続的に分布し、その分布
状態は不均一とされるが、支持体１０１０表面に実質的
に平行な方向には連続的に且つ実質的に均一に分布され
るのが好ましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、第１図に示す様に、非
晶質層１０２０表面部分には、炭素原子が含有されない
層領域（第１図に示す表面層領域１０６に相当）を有す
ることを必要とするが、＃Ｉｌ族原子は含有されている
が、炭素原子は含有されない層領域（第１図に示す層領
域１０５）は必ずしも設けられることを要しない。

即ち、例えば第１図に於いて、第一の層領域１０３と第
二の層領域１０４とが同じ層領域であっても良いし、又
、第一の層領域１０３の中に第二の層領域１０４が設け
られても１ｊＬいものである。

第二の層領域１０４中に含有される第■族原子は、除屑
領域１０４に於いて層厚方向には連続的に分布し、その
分布状態は不均一であっても実質的に均一であっても良
いものであるが、支持体１０１の表両に実質的に平行な
方向には連続的に且つ実質的に均一に分布されるのが好
ましいものである。。

第１図に示す光導電部材１００に於いては、表面層領域
１０６には第■族原子が含有されてないが、本発明に於
いては該表面層領域１０６にも第臘族原子を含有しても
良いものである。

本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域には、炭
素原子の含有によって、高暗抵抗化と、非晶質層が直接
設けられる支持体との間の密着性の向上が重点的に計ら
れ、表面層領域には炭素原子を含有させずに耐多湿性、
耐コロナイオン性の向上と高感度化が重点的に計られて
いる。

殊に、第１図に示す光導電部材１００の様に、非晶質層
１０２が、炭素原子を含有する第一の層領域１０３　、
第■族原子を含有する第二０層領域１０４、炭素原子の
含有されていない層領域１０５゜及び炭素原子及び第■
族原子の含有されていない表面層領域１０６とを有し、
第一の層領域１０３と第二の層領域１０４とが共有する
層領域を有する層構造の場合によシ良好な結果が得られ
る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第一の層領域に含
有される炭素原子の該層領域に於ける層厚方向の分布状
態は、第１には該第−０層領域の設けられる支持体又は
他の層との管層性及び接触性を良くする為に支持体又は
他の層との接合面側の方゛に分布濃度が高くなる様にさ
れる。第２には、上記第一の層領域中に含有される炭素
原子は、第一の層領域上に設けられる。

炭素原子の含有されない層領域との接合界面での電気的
接触性を滑らかにする為に炭素原子の含有されていない
層領域側に於いて分布濃度が次第に減少され、接合面に
於いては、分布濃度が実質的に零となる様に第一の層領
域中に含有されるのが好ましいものである。

この点は、第二の層領域中に含有される第■族原子に就
いても同様であって、非晶質層の表面層領域に該第１族
原子・が含有されない飼の場合には該表面層領域側に於
いて、第二の層領域中の第曹族原子の分布濃度は表面層
領域との接合面方向に次第に減少され、該接合面に於い
て実質的に零となる様に第■族原子の分布状態が形成さ
れるのが好ましいものである。

本−明において、非晶質層を構成する第二０層領域中に
含有される周期律表第■族に属する原子とじと使用され
るのは、Ｂ（硼素）１人！（アルミニウム）　、　Ｇａ
　（ガリウム）　　、　Ｉｎ　（インジウム）　、　Ｔ
ｆ　（メリウム）等であり、殊に好適に用いられるのは
Ｂ、Ｇａである。

本発明において、第二の層領域中に含有される第厘族原
子の含有量としては、本発明の目的が効果的に達成され
る様に所望に従って適宜法められるが、非晶質層を構成
するシリコン原子の量に対して、通常は１〜１００　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、好ましくは２〜５０　ａｔｏｔ
ｎｉｃ　ｐｐｍ　、　Ｈ１適には３〜２０ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍとされるのが望ましい４のである。

第一の層領域中に含有される炭素原子の量に就ても形成
される光導電部材に被水される特性に応じて所望に従っ
て適宜法められるが、通常の場合、０．０１〜２０　ａ
ｔｏｒｎｉｅ　Ｘ　、好ましくは、０．０２〜１０　ａ
ｔｏｒｎｉｅＸ、最適には０．０３〜５　ａｔｏｍｉｃ
　Ｘとされるのが望ましいものである。

第２図乃至第１０図の夫々には、本発明における光導電
部材の非晶質層中に含有される炭素原子及び第■族原子
の層厚方向の分布状製の典型的例が示される。

第２図乃至第１θ図において、横軸は災素原子又は第膳
族原子の含有濃度Ｃを、縦軸は、光導電性を示す非晶質
層の層厚方向を示し、ｔｎは支持体側の表面の位置を、
ｔｓは支持体側と紘反対側の表面の位置を示す。詰９、
炭素原子及び第厘族原子の含有される非晶質層は、ｔｎ
ｉｌｌよシを５側に向って層の成長がなされる。

尚、縦軸のスケールは、炭素原子と第■族鳳子とでは異
なつている。又、Ａ２〜ム１０は、炭素素子ＯＢ２〜引
Ｏは第■族原子の分布濃度線を夫々表わす。

第２図には、非晶質層中に含有される炭素原子及び第１
族原子の層厚方向の分布状態の第１の典ｍｆ４が示され
る。

第２図に示す例では、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成シ光導
電性を示す非晶質層（ｔａ　ｔｎ　）　（ｔｓからｔｎ
までの全層領域）は、支持体側よシ、炭素原子亙 が分布濃度Ｃ勧で、第魯族原子が分布濃度Ｃ−で、層厚
方向に実質的に均一に分布している層領域（ｔｌｔＢ）
（ｔｌとｔＢとの間の層領域）と、炭素原子の分布濃度
が分布濃度Ｃ（Ｑから実質的に零になるまで線型的に次
第に減少し且つ第■族原子の公布濃度が分布濃度Ｃ（Ｗ
）から実質的に零になるまで線型的に次第に減少してい
る層領域（ｔｌｔｘ）と、炭素原子及び第■族原子のい
ずれも実質的に含有されてない層領域（ｔｉｌｔｉ　）
とを有している。

第２図にボす飼の様に非晶質層（ｔＢ　ｔｎ　）が支持
体側に設けられ、支持体又は他の層との接触面（ｔｎに
相轟）を有し、炭素原子及び第１１１族原子の分布が均
一である層領域（ｔ、ｔｎ）を有する場合には、分布濃
度Ｃ（訪及びＣＣｃ）、は、支持体或いは他の層との関
係に於いて所望に従って適宜法められるものであるが、
Ｃ１）１の場合のシリコン原子に対して通常の場合０．
１〜１０００　ａｔｏｍｉｃｐｐ”　を好適には１〜４
００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、　ｊｉ適には２〜２０
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ、℃（ｐ＞亀Ｏ場合、
シリコン原子に対して通常は０．０１〜３０　ａｔｏｍ
ｉｃ　Ｘ　。

好適には０．０２〜２０　ａｔｏｍｉｃ　Ｎ　、最適に
は０．０３〜ｌＱａｔｏｍｉｃＸとされるのが望ましい
ものである。

層領域（１，１冨）は、主に属領ｔＩＲ（を畠１１　）
と属領（ｔｌ　ｔｓ　）との間の電気的接触を清らかに
する為に設けられるものであるので、該層領域（１１１
ｍ）Ｏ層厚は、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）＋及び第■
族原子の分布濃度Ｃ■１、殊に分布濃度Ｃす、との関係
に於いて適宜所望に従って決められる必要がある。

必要に応じて第■族原子を含有しても良いが炭素原子は
含有されない層領域（ｔｓ　ｔｌ）の層厚としては繰返
し使用に対する耐久性も含めて炭素原子の含有される層
領域（ｔ、ｔＢ）が、大気からの保護を充分受けられる
様に、又、該層領域（ｔｉ　ｔｔ　）に於いて光照射に
よるフォトキャリアを発生させるのであれば、照射する
光が該層領域（Ｌｅｔｓ）Ｋ於いて充分吸収される様に
、所望に従りて適宜法められる。

本発明に於いて、非晶質層の表面層領域に設けられる炭
素原子の含有されない層領域の層厚としては、通常１０
０λ〜ｌＯμ、好適には２００Ａ〜５μ、最適には５０
０ム〜３μとされるのが望ましいものである。

第２図に示される様な炭素原子及び第逼族原子の分布状
態を有する光導電部材に於いては高光感度化及び高暗抗
抵化を計シ乍ら支持体又は他の層との間の密着性と支持
体側よシの非晶質層中への電荷の阻止性をより向上させ
るには、第２図に於ｉて一点鎖線ａで示す様に非晶質層
更に高くし九層領域（ｔ、　ｔｎ　）を設けるのが嵐い
ものである。

炭素原子が高濃度で分布している要領−城（ｔｍｔｎ）
に於ける炭素原子の分布濃ｆ：　Ｃ（Ｃ）１としては、
シリコン原子に対して通常は、７０　ａｔｏｍｉｃＸ以
下、好適には５　Ｑ　ａｔｏｎｎｉｃ　％以下、最適に
は３０ａｔｏｍｉｅ　Ｘ以下とされるのが望ましいもの
である。

炭素原子の高洟度で分布される層領域に於ける炭素原子
の分布状態は、第２図に一点鎖線ａで示す様に層厚方向
に一定（均一）とされても良いし、直接接合される隣接
層領域との間の電気的接触を良好にする為に一点鎖Ｍｂ
で示す様に、支持体側より、ある厚さまで一定値Ｃ（Ｏ
ｔで、七Ｏｗｋは、Ｃ（Ａｈになるまで連続的に次第に
減少する様にされても喪い。

第二の層領域に含有される第■族原子の該層領域に於け
る分布状態は、支持体側に於いて、分布′ＩＩｋ度Ｃ（
１０１で一定値を維持した層領域（層領域（ｔ、ｔｎ）
に相当）を有する様にされるのが通常であるが、支持体
側よシ非晶質層への電荷の注入をよシ効率良く阻止する
為には支持体側に第２図に一点鎖線Ｃで示す様に第■族
原子が高濃度で分布する層領域（ｔ４ｔｎ　）を設ける
のが望ましいものである。

本発明に於いては、一層領域（ｔ、ｔＢ）は位置ｔｎよ
）５μ以内に設けられるのが好ましい。層領域（ｔ４ｔ
ｎ）は、位置ｔＢよシ５μ厚までの全層領域Ｌｘとされ
ても良いし、又、層領域り丁の一部として設置られても
良い。

層領域（ｔ４ｔＢ）を層領域ＬＴの一部とするか又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される特性に
従つて適宜法められる。

層領域（ｔ４Ｌｎ）はその中に含有される第■族原子の
層厚方向の分布状態としてａｍ族原子の含有量分布値（
分布濃度値）の最大ＣｍａｌＣがシリコン原子に対して
通常は５　Ｑ　ａｔｏｒｎｌｃ　ｐｐｍ以上、好適には
８０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１０１００
ａｉｏ＠ＰＰｍ以上とされる様な分布状態とな９得る様
に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、第■族原子の含有される第二
の層領域は、支持体−からの層厚で５μ以内（ｔｍかも
５μ厚の層領域）に含有１分布の最大値Ｃｍａｘが存在
する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて炭素原子が高漉度に分布している、層領
域（ｔｎ　ｔｎ　）の層厚及び第■族原子が一高濃度に
分布している層領域（ｔ４Ｌｍ　）の層厚は、これ等の
層領域に含有される炭素原子或いは第■族原子の含有量
及び含有分布状態に応じて所望に従うて適宜法定され、
通常の場合、５０Ｘ〜５μ、好適には１００１〜２＃、
最適には２００　Ｘ〜５ｏｏｏ　Ｘとされるのが望まし
いものである。

ａＩ３図に示される例は、基本的には、第２図に示し九
例と同様であるが、異なる点は、第２因のガの場合には
Ｎ　　ｔ、の位置よシ、炭素原子の分布酸度も第■族原
子の分布濃度も共に減少が始まシ、位置１．に到って実
質的に零にな−ているのに対して、第３図のｆｐｌｌの
場合には、実線Ａ３で示す様に炭素原子の分布濃度はｔ
、の位置よシ、実線Ｂ３で示す様に第ｍ族原予め分布濃
度は１．の位置より、夫々減少が始ま９、ｔｌの位置に
於いて、両者共に実質的に零になつていることである。

即ち、炭ｘｉ子の含有されている第一の層領域（ｔｔ　
！Ｂ　）は分布濃度Ｃｃｃ＞で実質的に均一に分布され
ている層領域（ｔｓ　ｔｎ　）と、４位置上、よシ分布
濃度℃す、から実質的に零に到るまで線型的に次第に減
少している層領域（ｔｔｔｓ）とで構成されている。

第門族原子の含有される第二の層領域（ｔｓｂ’）は、
分布濃度ｃ（１！ｉｔで実質的に均一に分布されている
層領域（ｔｘｔｎ）と、位置ｔ、よシ分布漉度Ｃｇ６＊
から実質的に零に到るまで線型的に次第に減少している
層領域（１１１ｍ）とで構成されている。層′領域（ｔ
ａ　ｔｓ　）には、ｆＩｇ２図に示す層領域＜　ｔｓ　
ｔｔ　＞と同様に炭素原子も第■族原子も含有されてい
な−。

第４図に示す例は、第３図に示す例の変形鉤であ−て、
炭素原子が分布濃度Ｃ（７ｔで均一分布で含有されてい
る層領域（ｔｍｊｎ）中に、第曹族原子が分布濃度Ｃ（
至）、で均一分布で含有されている層領域（ｔｓｔｎ）
が設けである点を除けば、第３図に示す場合と同様であ
る。

第５図に示す飼は、第臘族原子が一定の分布濃度で均一
分布で含有されている層領域を２つ有する場合である。

第５図に示す飼の非晶質層は、支持体側より、炭素原子
と第■族原子との両方が含有されている層領域（ｔｓ　
ｔｎ　）と、該層領域（ｔａｔＢ）上に第１［族原子は
含有□されているが、炭素原子は含有されてない層領域
（ｔｍｊｎ）と、第■族原子も炭素原子もいずれも含有
されていない層領域（ｔｓｔ、）とで構成されている。

そして、炭素原子の含有されている層領域（ｉｓｔｎ）
は、分布濃度Ｃ（ロ）１で層厚方向に実質的に均一に分
布されている層領域（Ｌｓｊｎ）と、分布濃度Ｃに）ｌ
より次第に線型的に減少されて実質的に零に到つている
層領域（ｔｕｔｓ）とで構成されている。

層領域（ｔｔｔｎ）は、支持体側から、第■族原子が、
分布濃度Ｃ（２）１で実質的に均一分布している層領域
（ｔ４ｔｎ）、分布濃度Ｃ（７）１妙も分布濃度Ｃ（呻
、ｔで線型的に連続減少して分布している層領域（ｔｓ
ｔａ）、分布濃度Ｃ（ｉＱｓで実質的に均一分布してい
る層領域（ｔｌｔｓ）、及び分布濃度Ｃ（２）３から線
型的に連続減少して分布している層領域（１１１１）と
が積層された層構成を有している。

第６図には、第５図に示す例の変形例が示される。

第６図に示す例の場合には、炭素原子と第■族原子とが
夫々、分布濃度Ｃ（ｏ）ｓ　豐Ｃ（１）ｔで均一分布し
ている層領域（ｔａｔｓ）と、炭素原子が分布濃度Ｃ似
）、から線型的に次第に減少されて実質的に零に到って
いる層領域（ｔｓｔｓ）中に、ｉｌ！型的に減少する分
布状態で第■族原子が含有されている層領域（ｔ４Ｌｓ
）と分布濃度Ｃ（ｌＩ）、で実質的に均一分布状態で第
■族原子が含有されている層領域（ｔｓ　ｔｉ　）とが
設けられている。

層領域（ｔ、ｔｎ）の上には、炭素原子が実質的に含有
されてない層領域（ｔｉｔｓ）が設けられ、層領域（ｔ
ｉ５ｔａ）は、第■族原子が含有されている層領域（ｔ
ｌｔｓ）と、炭素原子１．第■族原子のいずれも含有さ
れてない層領域（ｔＢ　ｔｓ　）とで構成されている。

第７図には、非晶質層〔層領域（ｔｓｔｌｌ））の全層
領域に第■族原子が含有され、表面層領域（ｊｓ　ｔｓ
　）には、炭素原子が含有されていない飼が示される。

炭素原子の含有される層領域（ｔｌｔＢ）は、実線Ａ７
で示す様に、分布濃度Ｃ＠１で均一分布状態で炭素原子
が含有されている層領域（ｔｍｔｎ）と、分−濃度ＣＱ
１から次第に減少されて零に到る分布状態で炭素原子が
含有されている層領域（ｔｚｔｍ）とを有する。

非晶質層中に於ける第■族原子の分布は、実線Ｂ７で示
される。即ち第■族原子の含有される層領域（ｔａ　ｔ
ｎ　）は、分布濃度（Ｊｌ）ｔで均一に第１族原子が分
布されている層領域（ｔｗｔｎ）と、分布一度ｑ１で均
一に第■族原子が分布されている層領域（ｔａ　ｔｓ　
）との間に分布濃度Ｃ（１）、と分布濃度Ｃ（１）ｍ（
支）間の第■族原子の分布変化を連続させる為に、これ
等の分布濃度間で線型的に連続的に変化している分布状
態で第■族原子が含有されている層領域（ｔｒｔｔ）と
を有する。

！８図には、第７図に示す例の変形例が示される。

非晶質層の全層領域には、実線Ｂ８で示す様に、第門族
原子が含有されてお）、層領域（ｊｓｉｎ）には、炭素
原子が含有されている。層領域（ｔ、ｉｎ）に於いては
、炭素原子が分布濃度Ｃ−ハで、第■族原子が分布濃度
Ｃ（Ｉｌｌで夫々、均一な分布状態で含有されており、
層領域（ｔａｔｓ）に於いては、第■族原子が、分布濃
度Ｃ（ｌの均一な分布状態で含有されている。

炭素原子は実ＭＡ８で示される様に、層領域（ｔｔｔｍ
）Ｋ於いて、支持体側より分布濃度Ｃ−１から線蓋的に
次第に減少されて位置ｔ、に於いて実質的に零になる様
に含有されている。

層領域（ｔｔｔｌ）では、第■族原子が、分布濃度Ｃ（
２）、から分布濃度Ｃ（１）、に到るまで徐々に減少す
る分布状態で含有されている。

第９図には、炭素原子は、層厚方向に不均一な分布状態
で含有されるが、第■族原子は、連続的に含有される層
領域に於いて、層厚方向に実質的に鳥−な分布状態で含
有されている例が示されている。

第９図に示される例に於いては、炭素原子の含有される
第一の層領域と第■族原子の含有される第二０層領域と
は、実質的に同一層領域であって、炭素原子及び第ｍ族
原子のいずれも含有されていない表面領域を有している
。。

炭素原子は、層領域（を雪ｔＢ）に於いては、分布磯度
Ｃに）、で実質的に均一な分布状態で含有されておシ、
層領域（１＋１１）に於いて、分布濃度Ｃ−）１よシ分
布績度Ｃ＃）、に到るまで連続して減少的に変化する分
布状態で含有されている。

第１０図に示す例に於いては、炭素原子、第膳族原子の
いずれもが、連続的に分布する層領域に於いて不均一な
分布状態で含有され、炭素原子の含有されている層領域
中に第■族原子が含有されている層領域が設けられてい
る。

そして、層領域（ｔ、ｔｎ　）に於いては、炭素原子が
分布濃度Ｃ（ｐ）ｔで、第■族原子が分布濃度Ｃ＠息で
、夫々一定の分布濃度で実質的に均一に含有されておシ
、層領域（ｔｔｔｓ）では、炭素原子及び第膳族鳳子が
夫々層の成長に併せて次第に分布濃度を減少する様に含
有され、第■族原子の場合には、ｔ！に於いて分布濃度
が実質上塔とされている。

脚車原子は、第■族原子の含有されてない層領域（１＊
１鵞）に於いても線型的な減少分布状態を形成する様に
含有され、ｔ、に於いてその分布状態が実質的に零とさ
れている。

層領域（ｔ５Ｌ）には、炭素原子も第■族原子も含有さ
れていない。

以上、第２図乃至第１０図によシ、非晶質層中に含有さ
れる炭素原子及び第■族原子の層厚方向の分布状態の典
型的の幾つかを説明したが、第３図乃至第１０図の場合
においても、第２図の場合に説明したのと同様に支持体
側に、炭素原子又は第■族原子の含有濃度Ｃの高い部分
を、表面ｔｎ側には、含有濃度Ｃが支持体側に較べて可
成り低くされた部分を有する分布状態が形成された層領
域を設けても良いものである。

又、炭素原子、第■族原子の分布線度の夫々＋２ は線型的だけで、なく曲線的に減少させても良い。

本発明に於いて、必要に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、＾体的にはフッ素、塩素
、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適な
ものとして挙げることができる。

本発明に於いて、ａ−８１（Ｈ，Ｘ）で構成される非晶
質層を形成するには、飼えば、グロー放電法、スパッタ
リング法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象
を利用する真空堆積法によって成される。鉤えば、グロ
ー放電法によ。

てａ−Ｓ　ｉ（Ｈｅ　Ｘ　）で構成される非晶質層を形
成するｋは、基本的にはシリコン原子（Ｓｚ）を供給し
得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、水素原子０導入用の
又は／及びハロゲン原子囚導入用の原料ガスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の
支持体表面上にａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成さ
せれば良い。

又、スパッタ゛））フグ法で形成する場合には、例えば
Ａｒ　、　Ｈ・等の不活性ガス又はこれ等のガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中でｓｌで構成され九ターゲ
ットをスパッタリングする際、水１ｇＩＩＫ子０又ｔｉ
／及びハロゲン原子■導入用ノカスをスパッタリング用
の堆積室に導入してやれば良い。

本発明に於いて使用されるＳｉ供給用の原料ガスとして
は、５ｉＨａ　ｅ　Ｓｊ＊Ｈｓ　＊　Ｓｋｓ　Ｈ＠　ｐ
　５ｉ４Ｈｔｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものきして挙げら
れ、殊に１層作成作業の扱い易さ、Ｓｔ供給効率の良さ
等の点で８ｉＨａ　、　Ｓｉｍ＆が好ましいものとして
挙げられる。

本発明に於いて使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む硅素化合物も有効なものとして本発明に於にては挙げ
ることができる。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、真体的には、フッ素、塩素、臭合物を挙げる仁とが
出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所請、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば、
５ｔＦ４ｐ　５ｉｔＦａ　＊　ＳｉＣム、　５ｔａｒ４
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
できる。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合にａ、Ｓｔを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にＩｋ−８
ｉ：Ｘから成る非晶質層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む非晶質層を
製造する場合、基本的には、Ｓｉ供給用の原料ガスであ
るハロゲン化水素ガスとＡｒ。

Ｈｔ　−Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量にう なら様にして非晶質層を形成する堆積室に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成
することによって、所定の支持体上に非晶質層を形成し
得るものであるが、水素原子の導入を計る為にこれ等の
ガスに更に水素原子を含む硅素化合物のガスも所定量混
合して層形成しても良い。

又、各ガス線単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依ってａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層を形成する
には、ガえばスパッタリング法の場合にはＳｔから成る
ターゲットを使用して、これを所定のガスプラズマ雰囲
気中でスパッタリングし、イオンブレーティング法の場
合には、多結晶シリコン又は単結晶シリコンを蒸発源と
して蒸着ボートに収容し、このシリコン化合物を抵抗加
熱法、或いはエレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によっ
て加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所定のガスプラズマ雰囲気
中を通過させる事で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、飼えば、山、或いは前記したシラン［８のガス
をスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　ＨＣＩ。

Ｈｌｒ　、　ＨＩ等のハロゲン化水素、Ｓｔ迅Ｆｔ　ｇ
　ａｔ迅１１ｔ８１ＨａＣｊｉ’ｌ　、　Ｂホ１．、５
ｉＬＢｒ、　、　８ｉＨＢｒｓ　等のハロゲン置換水素
化硅素、等々のガス状態の或いはガス化し得る、水素原
子を構成！！素の１つとする）・ロゲン化物も有効な非
晶質層形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これらの水嵩原子を含むノ・ロゲン化物は、非晶質層形
成の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或い
祉光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導入され
るので、本発明においては好適なハロゲン導入用の原料
として使用される。

水素原子を非晶質層中に構造的に導入するには、上記の
他Ｋ　Ｈ，、或いはＳｉル＋Ｓｈ山ｔ　Ｓｔｓ山。

Ｓ　ｊａ＆。等の水素化硅素のガスをＳｉを供給する為
のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放電を生起さ
せる事でも行う事が出来る。

飼えば、反応スパッタリング法の場合には、Ｓｉターゲ
ットを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及びＨｔガス
を必要に応じてＨｅ　、　Ａｒ尋の不活性ガスも含めて
堆積室内に導入してプラズマ雰囲気を形成し、前記Ｓｉ
ターゲットをスパッタリングする事によって、基板上に
ｈ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層が形成される。

更には、不純物のドーピングも兼ねてＢｔＨａ郷のガス
を導入してやることも出来る。

本発明において、形成される光導電部材の非晶質層中に
含有される水素原子０の量又はハロゲン原子■の量又は
水Ｘ原子とノ・ロゲン原子の量の和は通常の場合１〜４
０　ａｔｏｍｉｃ％、好適に祉５〜３０　ａｔｏｍｉｅ
％とされるのが望ましい。

非晶質層中に含有される水素原子０又は／及びハロゲン
原子■の量を制御するには、例えば支持体温度又は／及
び水素原子０、或いはノ・ロゲン原子■を含有させる為
に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力勢を制御してやれば良い。

本発明に於て、非晶質層をグロー放電法又はスパッター
リング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、
所謂稀ガス、飼えばＨｅ　、　Ｎｅ　。

ムｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

非晶質層中に炭素原子及び周期律表第■族原子を導入し
て、第一の層領域及び第二の層領域を形成するには、グ
ロー放電法や反゛応スパッタリング法等による層形成の
際に、第■族原子導入用の出発物質又は炭素原子導入用
の出発物質、或いは両出発物質を前記した非晶質層形成
用の出発物質と共に使用して、形成される層中にその量
を制御し乍ら含有してやる事によって成される。

ろ 非晶質層を構成すれ第一０層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、第１の層領域形成用の原料ガ
スとなる出発物質としては、前記し九非晶質層形成用の
出発物質の中から所望に従って選択されたものに炭素原
子導入用の出発物質が加えられる。その様な炭素原子導
入用の出発物質としては、少なくとも炭素原子を構成原
子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化し
たものの中の大概あものが使用され得る。

飼えばシリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガス
と、炭素原子０を構成原子とする原料ガスと、必要に応
じて水素原子Ｉ又は及びハロゲン原子■を構成原子とす
る原料ガスとを所望の混合比で混合して使用するか、又
は、シリコン原子（Ｓｉ）を構成原子とする原料ガスと
、縦素原子０及び水素原子０を構成原子とする原料ガス
とを、これも又所望の混合比で混合するか、或いは、シ
リコン原子（Ｓｔ）を構成原子とする原料ガスと、シリ
コン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）及び水素原子０の３
つを構成原子とする原料ガスとを混合して使用すること
ができる。

又、別には、シリコン原子（Ｓ’ｉ）と水素原子Ｑ力と
を構成原子とする原料ガスに炭素原子Ｃ）を構成原子と
する原料ガスを混合して使用しても良い。

炭素原子導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に
使用される出発物質としては、ＣとＨとを構成原子とす
る、例えば炭素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５
のエチレン系炭イヒ水素、炭素数２〜４のアセチレン系
炭化水素等２り監挙げられる。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）　
、エタン（ＣｔＨａ）−プロノ（ン（ＣｓＨｓ）−ｎ−
ブタン（ｎ　−Ｃ＜Ｋｏ　）　、ペンタ７　（ＣｉＨｔ
ｔ　）＋　エチレン系炭化水素としては、エチレン（ｃ
ｔｉ（４）、プロビレ／（Ｃ晶）。

ブテン−１（Ｃ４Ｈａ）−ブテン−２（Ｃ４Ｈａ　）、
イソブチレン（ｃｉｉ）、ペンテン（ＣｓＨ＋ｏ）ｓア
セチレン系炭化水素としては、アセチレン（ｃｔＨｊ）
、メチルアセチレン（Ｃ１Ｍ４）、ブチン（Ｃ，Ｈ６）
等が挙げられる。

ＳｉとＣとＨとを構成原子とする原料ガスとしては、Ｓ
ｉ　（ＣＨｓ）ｉｔ　Ｓｉ　（ＣｔＨｓ）４等のケイ化
アルキルを挙げることが出来る０ スパッターリング法によって、炭素原子を含有する第一
の層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウエ
ーノ１−又はＣウエーノ・−１又はＳｔとＣが混合され
て含有されているウエーノ・−をターゲットとして、こ
れ等を種々のガス雰囲気中でスノ（ツタ−りングするこ
とによって行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーノ１−をターゲットとして使用すれ
ば、炭素原子と必要に応じて水素原子父は／及び）・ロ
ゲン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈
ガスで稀釈して、スノくツタ−用の堆積室中に導入し、
これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェー
ノー−をスノ（ツタ−リングすれば良い０ 父、別には、ＳｔとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｔとＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、スノ（ツタ−用のガスとしての稀釈ガスの雰
囲気中で又は少なくとも水素原子■又は／及び〕・ロゲ
ン原子閃を構成原子として含有するガス雰囲気中でスノ
（ツタ−１ノングすることによって成されるＯ炭素原子
導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で
示した原料ガスの中の炭素原子導入用の原料ガスが、ス
パッターリングの場合にも有効なガスとして使用され得
る０ 本発明に於いて、非晶質層を構成する第一ので炭素原子
と同様の含有手法に従って酸素原子又け♀素原子の少な
くとも１つを含有させても良−０ 酸素原子或いは窒素原子導入用の原料ガスｔこ成り得る
ものとして有効に使用される出発物質として具体的には
、例えば、酸素（ＯＸ）、オゾン（ｏｎ）、−酸化炭素
（ＣＯ）、二酸化炭素＜Ｃ０２）−一酸化窒＊　（Ｎｏ
）、二酸化窒素（ＮＯｘ　）、−二ば化輩素（Ｎｔｏ）
、三二酸化窒素（Ｎｔｏｍ）、四二酸化望素（Ｎ２０４
）。

ＥＪ化窒素（ＮｔＯｓ）＊三酸化窒素（ＮＯｘ　）＋　
８１とＯとＨとを構成原子とする、例えばジシロキサン
ＨｓＳｉ（ＥｉＫ　、　）す’／　ロキサ７　ＨｓＳｉ
Ｏ８ｉｔ（ａｓｉＨｓ％　（Ｄ低級シロキサン、Ｎを構
成原子とする例えばｇ＊（ｓｔ）。

或いはＮとＨとを構成原子とするアンモニア（ＮＨｓ　
）−ヒドラジ；’　（）ＬｔＮＮ）Ｉｔ）、アジ化水素
Ｃｌｍ５）。

アジ化アンモニウム（ＮＨ４ＮＳ　）等のガス状の又は
ガス化し得る窒素、窒化金物及びアジ化物等の窒素化合
物等を挙げることが出来る。

父、非晶質層を構成する第一の層領域をスパッターリン
グ法で形成する場合には、５ｘＯｔ。

Ｓｉδ４のいずれか又はこれ等の混合されたものをター
ゲットとして使用するか、又はＳｉと５ｉＯｔ又はＳｉ
晶の混合されたもの、或いはＳｉ　（！：ＳｉＯ，とＳ
ｉ、Ｎとが混合されたものをターゲットとして使用する
ことによって、第二の領域層中に酸素原子。

窒素原、子のいずれか一方を少なくとも含有させりこと
が出来る０ 更に、ターゲットとしては、Ｃと５ｉ（ｈ又は非晶質層
を構成する第二の層領域を形成するには、前述した非晶
質層の形成の際に前記した非晶質層形成用となる原料ガ
スと共に、第■族原子導入用となるガス状態の又はガス
化し得る堆積室中に導入してやれば良いものである０第
二の層領域に導入される第１族原子の含有曖は、堆積室
中に流入される第■族原子導入用の出発物質のガス流量
、ガスＲ量比、放電バナ等を制御することによって任意
に制御され得る。

第ｍ族原子導入用の出発物質として、本発明に於いて有
効に使用されるのは、−素原子導入用としては、Ｂ宜Ｈ
ｓ、Ｂ４ＨＩＯ，ＢｓＨｅ−ＢｓＨｎ−Ｂ＊Ｈ＋ｏ。

ＢｓＨｅ宜、　Ｂ＠Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦｓ、Ｂ
Ｃｌｓ−ＢＢｒｓ等のハロゲン化硼素等が挙げられる０
この他、ＡＪＪＣ６ｓ　＊　ＧａＣＪｓ　ｌ　Ｇａ（Ｃ
Ｈｓ）ｓ　Ｉ　　ＩｎＱ！ａ　、　ＴｌＣｌ５等も挙げ
ることか出来る。

本発明に於いて遷移層領域（炭素原子又は第■族原子の
いずれかの分布濃度Ｃが１−厚方向に変化している層領
域）の形成は分布濃度Ｃを変化させるべき成分を含有す
るガスの流量を適宜変化させることにより達成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流路系の途中に設化させ
る操作を行えば良い０このとき、流量の変化率は線型で
ある必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじ
め設計された変化率曲線に従って流量を制御し、所望の
含有率曲線を得ることもできる。

非晶質層作成の際遷移層領域と他の層領域との境界にお
いて、プラズマ状態は維持されても、中ｗｒされても膜
の特性上には何ら影響を及ぼさないが連続的に行うのが
管理上も好ましい。

非晶質層の層厚は、非晶質層中で発生されるフォトキャ
リアが効率良く輸送される様に所望に従って適宜法めら
れ、通常は、３〜１００μ、好適にＦｉ、５〜５０μと
される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良いＯ導電性支持体としては、例
えば、Ｎ’ｔＣｒ＋　ステンレス。

ｕ、　Ｃｒ、　Ｍｏｗ　Ａｕｗ　Ｎｂ、　Ｔａｎ　ｖ、
　Ｔｌｌ　Ｐｔ＋　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙
げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましいＯ例えば、ガラスであれば、その表面に
、ＮｉＣｒ。

Ａ４　Ｃｒｅ　Ｍｏ、　Ａｕ＋　Ｉｒ、　ｈ＋　Ｔａ、
　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ＊Ｉｎｇｏｔ　、　　５
ｎＯｔ　、ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｑｓ　＋　５ｎＯｔ　）等か
ら成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或
いはポリスチレン“イルム等の合成樹脂フィルムであれ
ば、ＮｉＣｒ、　Ａｌｔ　ＡｇｔＰｂｔ　Ｚｎｔ　ＮＬ
　Ａｕｗ　Ｃｒ＋Ｍｏ＋Ｉｒ、　Ｎｂｓ　−ＴＬ　Ｖ＋
　Ｔｌｌ　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸着、スノくツタリング等でその表面に設け、又は前記
金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性が付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベル
ト状。

板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子
写真用像形成部材として使用するのであれば連続高速複
写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ま
しい０支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成さ
れる様ＫＡ宜決定されるが、光導電部材として可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限り薄くされる。両生ら、こ
の様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等
の点から、通常ケま、１０μ以上とされる。

本発明の光導電部材においては、非晶質Ｉ−上に、該非
晶質層中への自由表面側からの電荷の注入を阻止する働
きのある、新開障壁層と云われる表面層を設けるのが好
ましい。非晶質層上に設けられる表面層は、シリコン原
子を母体とし、炭素原子（Ｃ）、窒素原子軸の中から選
択される原子の少なくとも一種と、必要に応じて水素原
子又はハロゲン原子の少なくともいずれか一方とを含む
非晶質材料〈これ等を総称してａ−（Ｓｉｚ（Ｃ，Ｎ）
ｔ−ｃ〕ｙ（Ｌ　Ｘ）ｘ−ｖ　　ト表ｄｒ２　ｔ　ル（
（７１シ。

ｏ（ｚ＜１　、ｏ＜ｙ＜１　）＞又は、電気絶縁性の金
属酸化物或いは電気絶縁性の有機化合物で構成される。

本発明において、表面層中に含有されるハロゲン原子閃
とじて好適なのはＦ、Ｃ１，Ｂｒ、Ｉであり、殊にＦ、
Ｃ１が望ましいものである。

上記表面層を構成する非晶質材料として有効に使用され
るものとして具体的には、例えば炭素系の非晶質材料゛
としてａ−８ｉｌＣ＋　−＠　＊　ａ−（Ｓｔ　ｂＣｌ
−、）ｃ）１．−ａ　Ｉａ−（ＳＳ、ＩＣ＋−４）、Ｘ
＋−６ｅ　ＩＬ−（ｌ１３１ｆｃｓ−４）ｇ（Ｈ十Ｘ　
）＋　−ｇ　＋　　窒素系の非晶質材料どしてａ−８ｉ
７侍、　ａ−（ＳｉＩＮ＋−４）４”−ｊ　Ｉａ−（５
ｉｋＮｔ−ｋ）Ｉ！Ｘ＋−４１＆−（ＳｉｌｔＩＮ＋−
、、）、（Ｈ＋Ｘ　）＋−，ｖ等、更には、上記の非晶
質材料において、Ｃ及びＮの２種の原子を構成原子とし
て含む非晶質材料を挙げることが出来る（但し０（ａ、
ｂ＋　ｅｌ　ｄ＋ｅｅ　ｆｅ　ｇ＊　ｈｅ　Ｉｓ　ｊ、
に＋　！１ｍｅ　ｎ＜１）。

これ等の非晶質材料は層構成の最適化設計に依る表面層
に要求される特性及び該表面層と接触して設けられる非
晶質層との連続的作成の容易さ等によって適宜最適な本
のが選択される。殊に特性面からすれば、炭素系の非晶
質材料を選択するのがより好ましいものである。

表面層を上記の非晶質材料で構成する場合の層形成法と
してはグロー放電法、スパッターリング法、イオンイン
プランテーション法、イオンブレーティング法、エレク
トロンビーム法等によって構成される。

表面層を前記の非晶質材料で構成する場合には、その要
求される特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成
される。

即ち、Ｓｉと、Ｃ，Ｎの中゛の少なくとも１つ及び必要
に応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする物質はその作
成条件によって構造的には結晶からアモルファス壕での
形態を取り、電気物性的には導電性から半導電性、絶縁
性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性
質までの間の性質を、各々示すので、本発明においては
、少なくとも可視光領域において非光導電性であって暗
低抗の高いところの非晶質材料が形成される様に、その
作成条件の選択が厳密に成される。

表面層に含有される炭素原子、窒素原子及び水素原子、
ハロゲン原子の量は、表面層の作成条件と同様、所望の
特性が得られる上部層が形成される重要な因子である。

表面層ａ−８ｉ、Ｃ，１で構成する場合には炭素原子の
含有量は、シリコン原子に対して通常は６０〜９Ｑａｔ
ｏｒｎｉｃ　％　、好適には６５〜８０　ａｔｏｍｉｃ
％ｌ最適には７０〜７５　ａｔｏｍｉｃ％、ａの表示で
は０．１−０．４．好適には０２〜０．３５．最適には
０．２５〜０．３とされ、ａ−（Ｓｉ１．Ｃ＋−１））
ｅＨｔ−（で構成する場合には、炭素原子の含有ｔは、
通常３０〜９０　ａｔｏｍｉｃ　％　、好適には４０〜
９０ａｔｏｍｌｃ％１Ｍｋ適には５０〜５Ｑａｔｏｒｎ
ｌｃ係、尿素原子の含有蓋としてａ１通通常１〜２０ａ
ｔｏｌｅ％、好適には２〜３５　ａｔｏｍｉｃ％、最適
には５〜３９ａｔｏ重量Ｃ％＊ｂ＋Ｃの表示で示せば、
ｂが通常は０．１〜０．５．好適には０．１〜０．３５
．最適には０．１５〜０．３゜Ｃが通常は０６６０〜０
．９９．好適には０６５〜０．９８．最適には０．７〜
０．９５とされ、ａ−（Ｓｉ、ＩＣ＋−（１）＠Ｘ＋−
０又ｉ、ａ−（Ｓｌ（Ｃ＋−１）ｇ（Ｈ＋　Ｘ　）＋−
ｇで構成される場合には、炭素原子の含有蓋は通常は４
０〜９Ｑａｔｏｒｎｉｃ％　、好適には５０〜９０ａｔ
ｏｍｌｃ％、ｍ適には６０−６０−８０ａｔｏ％　、　
／％ロゲ／原子はハロゲン原子と水素原子とを併せた含
有蓋は通常は１〜２Ｑ７ｉｔｏｍｉｃ　％を好適には１
〜１８ａｔｏｍｉｃ　％　、最適には２〜１５ａｔｏｍ
ｌｃ％とされ、ハロゲン原子と水素原子の両名が含有さ
れる場合の水素原子の含有量は通常は１９　ａｔｏｍｉ
ｃチ以下、好適には１３ａｔｏｍｉｅ％以下とされ、ｄ
、ｅ＋　Ｌ　ｇの表示では、ｄ。

ｆが通常は０．１〜０．４７．好適には０．１〜０３５
．最適にｔよ０．１５〜０．３．　ｌｅ＋　ｇが通常は
０．８〜０．９９．好適には０．８５〜０．９９．最適
には０．８５〜０．９８とされる。

表面層を窒素系の非晶質材料で構成する場合、先ずａ−
８ｉｈＨ，−ｈの場合には、窒素原子の含有量は゛シリ
コン原子に対して通常は４３〜６０ａｔｏｍｉｅ％、好
適には４３〜５０ａｔｏｍｉｅ％　、　ｈの表示では通
常は０．４３〜０．６０　、好適には０．４３〜０．５
０　ｉされる。

ａ−（ＳｉＩＮ＋−，１）ｊＨ＋ｇで構成する場合には
、窒素原５ 子宮有量としては、通常は′＃ｒ〜５５ａｔｏｍｉｃ％
、好適には３５〜５５　ａｔｏｍｉｃ％、水素原子の含
有量としては、通常２〜３’５ａｔｏｍｉｅ％、好適に
は５〜３０ａｔｏｍｉｅ　％とされ、ｉ＋ｊで表示すれ
ば、ｉとしては通常０．４３〜０．６゜好適には０．４
３〜０．５．　　ｊとしては通常０６５〜０．９８゜好
適には０．７〜０．９５とされ、ａ−（ＳｉｋＮ＋−ｋ
）４Ｘ＋−／又はａ−（Ｓｔ、１１Ｎ＋−ｒＩｌ）Ｈ（
Ｈ＋Ｘ　）＋−Ｂで構成する場合には窒素原子の含有量
は、通常３０〜６０ａｔｏｍｌｃ％、好適には４０〜６
０　ａｔｏｍｌｃ　％　、ハロゲン原子又は、ハロゲン
原子と水素原子とを併せた含有量は、通常１〜２０ａｔ
ｏｍｉｃチ、好適には２〜１５龜ｔｏｍｌｃチとされ、
ハロゲン原子と水素原子の両者が含有される場合の水素
原子の含有蓋は通常は１９　ａｔｏｍｉｃ　％以下、好
適には１３　ａｔｏｍｉｃ　％以下とされ、ｋ＋　４　
ｍ、ｎ＋の表示では、ｋ。

ｌが通常は０．４３〜０．６０．　　好適には０．４３
〜０．４９．ｍ。

ｎが通常は０．８〜０．９９．好適には０．８５〜０．
９８とされるＯ 表面層を構成する電気絶縁性の金属酸化物としては、Ｔ
ｔＯｔ　＋　Ｃｃ）０３　＋　’；！ｒα、　ＨＦ０ｔ
　、　Ｇｅ０ｔ　、　ＣａＯ。

ＢｅＱ　ＹｓＯｓ　＋　ＣｒｋＯｉ　ｖ　ＡｅｔＯｓ　
＋　ＭｇＯ＋　ＭｇＯ”ＡｅｘＯｓ　＋　５１０ｔ　”
鳩の１等が好ましいものとして挙げることが出来る。こ
れ等は２種以上を併用して表面層を形成しても良いもの
である。

電気絶縁性の金属酸化物で構成される表面層の形成は、
真空蒸着法、ＣＶＤ　（ｃｈｅｍｃａｌ　　ｖａｐｏｕ
ｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、グロー放電分解法、スパ
ッターリング法、イオンインプランテーショーン法、イ
オンブレーティング法、エレクトロンビーム法等によっ
て成される。

表面層の層厚の数値範囲は、その目的を効果的に達成す
る為の重要な因子の１つである。

表面層の層厚が充分過ぎる程に薄いと、表面層の表面の
側からの非晶質層中の電荷の流入を阻止する働きが充分
果し得なくなり、又、充分過ぎる程以上に厚いと、光照
射によって非晶質層中において生ずるフォトキャリアと
表面層表面にある電荷との結合の確率が極めて小さくな
９、従って、いずれの場合も、表面層を設ける目的を効
果的に達成りれ得なくなる。

上記の点に鑑みて表面層を設ける目的を効果的に達成す
る為の表面層の層厚としては、通常の場合、３０Ｘ〜５
μ、好適には５０λ〜１μとされるのが望ましいもので
あるａ 次にグロー放電分解法によって生成される光導電部材の
製造方法について説明する。

第１１図にグロー放電分解法による光導電部材の襄造装
置を示す。

図中の１１０２．１１０３．１１０４のガスボンベには
、本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密封さ
れておシ、その１１ｐＨとしてたとえば１１０２　ａ　
％　Ｈｅ　テｆ’ｉｉ　釈すｔＬ　ｌｔ−Ｓ　ｉＬ　ｊ
ｊ　ス（ＮＦｉｔ　９９．９９９Ｘ／以下Ｓｉｎ／Ｈｅ
と略す。）ボンベ、１１０３はＨ・で稀釈されたＢ高ガ
ス（純度９９．９９９Ｎ、以下ｎｔ′ＨａＡトｉｓと略
す。）ボンベ、１１０４．１１０５は（＝ワト［ａガス
（純度９９．９９Ｎ）ボンベ、１１０６は山で稀釈され
九５ｉｌＦ４ガス（純度９９．９９９　Ｎ　、以下５ｉ
Ｆａ／）Ｉｅと略す。）ボンベである。

これらのガスを反応！　１１０１に流入させるにはガス
ボンベ１１０２−′−１１０６のパルプ１１２２〜１１
２６、リークパルプ１１３５が夫々閉じられていること
を確認し、又、流入パルプ１１１２〜１１１６゜流出パ
ルプ１１１７〜１１２１　、補助パルプ１１３２゜１１
３３が開からていることを雉認して、先づメインパルプ
１１３４を開いて反応室１１０１　、及びガス配管内を
排気する。次に真空計１１３６の読みが約５Ｘ　１０−
’ｔｏｒｒになった時点で補助パルプ１１３２゜１１３
３、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

基体シリンダー１１３７上に非晶質層を形成する場合の
１岡をあげると、ガスボンベ１１０２より５ｉＦａ／’
Ｈｅガスを、ガスボンベ１１０３よ’）　Ｂ＊Ｈｓ／１
１ｅガスをガスボンベ１１０５よ！Ｄ　ＣＨ４ガスを、
夫々パルプ１１２２，１１２３，１１２５を開いて出口
圧ゲージ１１２７、１１２８．１１３０の圧をＩ　Ｋｔ
／−に調整し、流入パルプ１１１２，１１１３，１１１
５を徐々に開けて、！スフローコントローラ１１０７　
、１１０８　、１１１０内に流入させる。引き続いて流
出パルプ１１１７　。

１１１８．１１２０　、補助パルプ１１３２を徐々に開
いて夫々のガスを反応室１１０１　Ｋ流入させる。この
ときの５ｉＦａ／’Ｈｅガス流量とＢ、几」ｅガス流量
とＣ比ガス流量との比が所望の値になるように流出パル
プ１１１７，１１１８，１１２０を調整し、又、反応室
内の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読み
を見ながらメインパルプ１１３４の開口をが加熱ヒータ
ー１１３８によシ５０〜４００℃の温度に設定されてい
ることを確認された後、電源１１４０を所望の電力に設
定して反応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時
にあらかじめ設計された変化率曲線に従ってＢｔＨａ　
／Ｈｅガスの流量及びＣＨ４ガスの流量を夫々手動ある
いは外部駆動モータ等の方法によってパルプ１１１８及
び素原子の含有濃度を制御する。

夫々の層を形成す−る際に必要なガス以外の流出パルプ
は全て閉じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形
成する際、前層の形成に使用′し九ガスが反応室１１０
１内、流出パルプ１１１７〜１１２１から反応室１１０
１内に至る配管内に残留するととを避けるために、流出
パルプ１１１７〜１１２１を閉じ補助パルプ１１３２．
１１３３を開いてメインパルプ１１３４を全開して系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体シリンダー１１３７はモータ１１３９により一定速
度で回転させる。

以下実施的について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置を用い硼素Ｑ３）及び縦索０
の層中の含有量をパラメータとして、Ａフシリンダ上に
第２図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行って電
子写真用像形成部材を作製した。このときの共通の作製
条件は、第１表素の含有量Ｃ（ｃ）ｓとを、夫々示し、
得られた各試料の評価結果を示す。

作製した電子写真用像形成部材は駕帯電−像塵光−現像
一転写までの一連の電子写真プロセスを経て転写紙上に
顕偉化された画偉の〔濃１〔解偉力〕〔階調再現性〕等
の優劣をもって綜合的に評価した。

第　　１　　表 実施例２ Ｊ１１１１１図に示した製造装置を用い、硼素（Ｂ）及
び炭素（Ｃ）の層中の含有量をパラメータとして、ムｌ
シリンダ上に第３図に示す層構成を有する非晶質層の形
成を行って、電子写真用像形成部材を得た。この際の非
１質層を構成する各層領域の作成条件を、下記１１３表
に示し友。

得られた電子写真用像形成部材を用いて、実施ｆｉｌと
同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナーｍ
像を繰返し形成したところ、安定して高品質のトナー転
写画像を得ることが出来た。

第　　３　　表 実施例３ ＪＩ１１１図に示し丸製造装置会用い、硼素（Ｂ）及び
炭素（Ｃ）の層中の含有量をパラメータとして、Ｍシリ
ンダ上に８１４図に示す層構成を有する非晶質層の形成
を行って、電子写真用像形成部材を得た。この際の非晶
質層を構成する各層領域の作成傘件を、下記Ｊ１４表に
示し丸。

得られた電子写真用像形成部材を用いて、実施例１と同
様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー画像
を繰返し形成し九ところ、安定して高品質のトナー転写
画像を得ることが出来た。

第　　４ｔｌ 実施例４ ＪＩ１１１図に示した製造装置を用し、硼素（均及び炭
素（６０層中の含有量をパラメータとして、ムｊシリン
ダ上に第５図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形成部材を得た。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第５表に示し九〇 得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて実施例１
と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー
画像を繰返し形成し九ところ、１ｓ６表に示す様な評価
を得ることが出来た。

但し、第５表中のＸ（４）は次の通シである０８４−１
・・・・・・ｌＸｌ０　　８４−２・・・・・・５Ｘ１
０−’−！ ８４−３・・・・・・ＩＸＩＧ　　　８４−４・・・・
・・５　Ｘ　１０−＠一 第５表 第６表 実施例５ 第１１図に示し友製造装置を用い、硼素（四及び炭素（
Ｃ）の層中の含有量をパラメータとして、ム１シリンダ
上にｊｌＧ図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形ａｍ材１得た。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第７表に示した。

得られ良電子写真用像形成部材の夫々を用いて実施ｆｉ
ｌと同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー−像を繰返し形成したところＪＩ６表に示す様な評価
を得ることが出来た。

但し、＃Ｉ７表中のＸ　（＠は次の遡９である。

−マ ８５−１・・・・・・ｌＸｌ０　　８５−２・・・・・
・５Ｘ１０−’５５−３・・・・・・ｌＸｌ０　　８５
−４・・・・・・５　Ｘ　１０−’− ＋１ Ｓ５−５・・・・・・ｌＸｌ０　　５５−６・・・・・
・２　Ｘ　１０−’５５−７・・・・・・４Ｘ１０　　
　Ｓ、５−８・・・・・・８Ｘ１０−’５５−９・・・
・・・Ｉ　Ｘ　Ｉ　Ｑ−’第　　７　　表 放電周錬＠　：　１３．５６ＭＦｂ 実施例６ 第１１図に示した製造装ｆＩｔを用い、硼素（均及び炭
素（６０層中の含有量をパラメータとして、Ａｎシリン
ダ上に第７図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形成部材を得え。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第８表に示した。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施４
ｓ１と同様に電子４真プロセスを適用して転写紙上にト
ナー−ｇｌを繰返し形成したところ第６表に示す評価を
得ることが出米九〇但し、３３８表中のｘ（７）は次の
通９で弗る。

８６−１・・・・・・ｌＸｌ０″″’　　　８６−２・
・・・・・５ＸｌＯ−’８６−３・−・・−ＩＸＩＯ５
６−４・・−・５Ｘ１０’−＠＋−６ ８６−５・＝−ＩＸｌｏｌ　　８６−６・・・・−，２
Ｘ１０−”第　　８　　表 款電周歓歇：　ｔｔａｓｖ）１１ 実施例７ ４１１図に示した製造装置を用い、硼素（Ｂ）及び縦索
（Ｃ）　Ｏ層中の含有量をパラメータとして、ムｌシリ
ンダ上に第８図に示す層構成を有する非晶質層の形成を
行って、電子写真用像形成部材を得た。

こＯ嶽の非晶質層をＪｌｌ成する各層領域の作成条件を
下記第９表に示し丸。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを通用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ１１ｉ６表に示す様な評
価を祷ることが出来丸。

但し、７１１９表中のＸ（７）は次の通りである。

８７−１−・・−ＩＸＩＯ８７−２・−・−・５Ｘ１０
−’−！ ８７−３・・−・・−ＩＸｌｏ−＠　　８７−４−・・
・・・５ＸｌＯ−＠８７−５・・・・−・ｌＸｌ０−”
　　　８７−６・・・−・・２Ｘ１Ｇ−”８７−７−・
−・−４Ｘ１０＝　　　８７−８・−・−・・８Ｘ１０
”Ｓ　７−９・・−・・・ｌ　Ｘ　１０−’第９表 放電周波数：　１３．５６馳 ５１１１図に示し丸製造装置を用い、硼＊（ＢＪ及び炭
素（Ｑの層中の含有量をパラメータとして、ＡＩシ替ン
ダ上に第９図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形成部材を得九。この際の非晶質層
を構成する各層領域の作成条件を、下記第１θ表に示し
九〇得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実
施例１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上に
トナーＩＩｉ像を繰返し形成したところ、第１１表に示
す評価を得ることが出来丸。

但し、７１１０表中のＸ（至））は次の通シである０８
Ｂ−１・・−・・・１．ｌＸ１０””　　８Ｂ−２・・
・・・・４．４ＸＩＧ’−’８８−３・・・・・・１．
ｌＸ１Ｇ”−”　　８ｇ−４・曲・２．２Ｘ１０″″１
Ｓ８−５・・・・・・４．４Ｘ１０−”　　８８−６・
・・・・・７．７ＸＩＯ″″″１１１０表 第１１表 （評価基準は第２表化同じ） 実施例９ 第１１図に示し友製造装置を用い、Ａ！クシリンダ上第
１０図に示す層構成を有する非晶質層の形成を層領域（
ｔ、ｉρ１層領域（１，１，）の夫々の層厚ｔパラメー
タとして行って、°−電子写真用像形成部材得た。この
際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を、下記第
１２弐に示し友Ｏ 得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、５ＡＩ
ＩＩＡ例１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙
上にトナー１ｉＩｉ像を繰返し形成したところ、嬉［３
表に示す評価を得ることが出来た０第　　１２　　表 第　　１３　　表 夾−例１Ｏ Ｊｌｉｌ１図に示し友製造装置を用い、硼素（Ｂ）及び
縦索ｔＣ）の層中の含有量をパラメータとして、ＡＩフ
シリンダ上第２図に示す層構成を有する非晶質層の形成
を行って、電子写真用像形成部材ｔ−得九。この際の非
晶質層を構成する各層領域の作成条件を、下記ｇｔｔ表
に示し丸。

得られ圧電子写真用像形成部材を用いて、実施ｆ１１と
同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー画
像を繰返し形成したところ、安定して１品質のトナー転
写画像を得ることが出来友〇 第　　１４　　表 簾電周波款：　１１．５４ＭＩｈ 実施例１１ 実施例２と同様の条件と作製手順に従って、Ａフシリン
ダ上に第３図に示す層構成を有する非晶質層を形成し友
後に、該非晶質層上に以下の条件に従って、炭化シリコ
ン系の表向障壁層ｆ：層形成た。この様にして得られた
試料に就て実施例１と同様に繰返し電子写真プロセスを
適用し、トナー１ｉＩＩｉ像を得たところ１００万枚目
のトナー転写画像も極めて高品質であって、一枚目の転
写ｌｌｊ像と較べても同等遜色ないものであった。

使用ガス・・・咀 ８１Ｈ４／Ｍ・＝１０　：　２５０ 流　　量−ａｉＨ４Ｆ１．ｏ、ＳＣＣＭ流量比・・■へ
／８１Ｈ，＝３０ 層形成速度・・・０．８４ム／ｓｅｅ 放電電力、−０，１８Ｗ／（ｍ 基板温度・・・２５０℃ 反応時圧・・・θ、５　ｔｏｒｒ 実施例１２ 第１１図に示した製造装置を用い、硼素（Ｂ）及び炭素
（Ｃ１の層中の含有量を）＜２メータとして、Ａフシリ
ンダ上に＃Ｉ３図に示す層構成を有する非晶質層の形成
管行って、電子写真用像形成部材を得九〇この際の非晶
質層を構成する各層領域の作成条件を、下記Ｊ１１５表
に示し九〇得られた電子写真用像形成部材を用いて、実
施例１と同様に電子写真プロセス禦適用して転写紙上に
トナー１ｉＩＩｉ像を繰返し形成し九ところ、安定して
高品質のトナー転写画像を得ることが出来丸。

第１５表 放電周波数：　１３．５６Ｍル

【図面の簡単な説明】

ｊｌｌＩ１図は、本発明の光導電部材の構成の好適な例
の１″）を説明する為の模式的説明図、第２図乃至１１
１１０図は夫々、本発明の光導電部材を構成する非晶質
層の層構成を説明する模式的説明図、第１１図は、本発
明の光導電部材を作製する為に使用され九装置の模式的
説明図である０１００・・・光導電部材　　１０１・・
・支持体１０２・・・非晶質層　　　ｉｏａ・・・第一
の層領域１Ｇ４・・・第二０層領域　１０５・・・層領
域１０６・・・上部層領域　　１０７・・・自由表面出
願人　キャノン株式会社 第３図 一一−Ｃ □Ｃ □Ｃ −−−Ｃ −＋Ｃ θ　　　こ（１）３　　　（（！Ｉ）ｆ　　　　　　　
　乙’ｔｃ）ｆ□Ｃ □Ｑ 手　　続　　補　　正　　書（自り 特許庁長官　若松　和　夫　殿 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１９４２９２号 ２、発明の名称 光導電部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（ｒｏｏ
）キャノン株式会社 代表者　賀　　来　　龍　三　部 ４、代理人 居所　〒１４１１１東京都大田区下丸子３−３Ｏ−２（
１）明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２）明細書の
「図面の簡単な説明」の欄（３）図面 ６補正の内容 （１）■明細書の第１１頁第１１行目の１に分布し、」
の後から同第１１頁第１２行目の「・・・ものであるが
、」までの文章を削除する。 ■同第１４頁第７行目に「・・・、通常は、・・・、好
」とあるのを１・・・、通常は、ｏ、ｏｉ〜５　Ｘ　１
．０’ａｔｏｍｉｅ　ｐｐｍ５好ましくは、ｉ　〜ｉ［
ｌ［）　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ。 より好」と補正する。 ■同第１４頁第１３行目に１場合、・・・・好ましくは
、０．０２　Ｊとあるのを１場合、ｏ、ｏｏｉ〜６０ａ
ｔｏｍｉｃ％、好ましくは、Ｑ、Ｑｌ　〜２　Ｑ　ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好ましくは、０．０２　Ｊと補正する
。 ■同第１６頁第１４行に「・・・通常の場合・・・・・
ａｔｏｍｉｃ　ｊとあるのを［・・・通常の場合、０．
１〜８Ｘ　１０’　ａｔＯｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましくは
、０．１〜１００１０００ａｔｏ　Ｊと補正する。 と補正する。 ■同第２６頁第１０行目乃至同第１４行目の文章を「第
９図には、炭素原子及び第■族原子が層厚方向に均一な
分布状態で含有されている層領域上に、これ等の原子が
不均一に、連続的に含有されている層領域が形成されて
いる例が示される。」と補正する。 ■同第２６頁第１９行に「・・・表面領域・・・」とあ
るのを１・・・表面層領域・・・」と補正する０ ■同第７６頁の第１０表の「流量比」の項目の第２段中
にｒ　Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４〜４　Ｘ　１θ−４」とある
のをｒ　Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４＝　４　Ｘ　１０−’〜２
Ｘ１０−５Ｊと補正する。 （２）明細書第８２頁第１１行目に「１０６・・・上部
層領域」とあるのを「１０６・・・表面層領域−」と補
正する。 （３）別紙の通り Ｚ添付書類の目録 第９図を記載した図面　　　　　−葉

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
   体とし、構成原子として水素原子又はハロゲン原子のい
   ずれか一方を少なくとも含有する非晶質材料で構成され
   、光導電性を示す非晶質層とを有する光導電部材におい
   て、前記非晶質層が、構成原子として、層厚方向に不均
   一て連続的な分布状態で炭素原子が含有されている第一
   の層領域と、構成原子として、城とを有し、前記第一０
   層領域が前記非晶質層の表面下に内在している事を特徴
   とする光導電部材。 ＠　周期律表第■族に属する原子の分布状態が均一であ
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （３）周期律表ｔｓＩＩ族に属する原子の分布状態が不
   均一である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （４）　　Ｊｉｇ−の層領域と第二０層領域とは、少な
   くともその一部を共有している特許請求の範囲＠１項に
   記載の光導電部材。 （５）第一０層領域と第二０層領域とが実質的に同一層
   領域である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （６）第一０層領域が第二０層領域の一部を構成してい
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （７）第二０層領域が第一の層領域の一部を構成して−
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。