JPS5910524B2 - 撮像管タ−ゲット構体の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は撮像管ターゲット構体の製造方法に関する。

一般にカラーテレビジョン放送の送信側では撮像管を使
用するが、最近、複数管式に代って単管式が採用されつ
つあり、この場合、ターゲットにはいわゆる色分解用ス
トライプフィルタが設けられている。

このような単管式撮像管には周波数分離方式又は位相分
離方式など種々の方式があるが、従来から用いられてい
る周波数分離方式の単管式撮像管におけるターゲット構
体は第１図に示すように構成されている。

即ち、撮像管のフェースプレートである基板１の一面（
内面）にはシアン２ａとイエロー２ｂからなるストライ
プフィルタ２が規則正しく一定の幅に形成されている。

この場合、ストライプフィルタ２附近を拡大して示すと
第２図のようになっている。

このようなストライプフィルタ２を覆うように基板１上
に接着層３が被着され、この接着層３に薄いガラス板４
が固着されている。

そしてこのガラス板４上に透明導電膜５が形成され、こ
の透明導電層５上に光導電体層６が形成されている。

尚、前記ストライプフィルタ２は耐熱性の低い有機質材
料又は耐熱性の高い無機質材料を選択することができる
。

ところで上記のような従来のターゲット構体において、
ストライプフィルタ２を有機染料及び有機基材で構成す
る場合は、撮像管の動作時に染料が蒸発し、撮像管中の
不純物ガスとなる恐れがある。

従ってこの有機染料の蒸発を防ぐために、ストライプフ
ィルタ２と透明導電層５との間に、既述のように遮断層
として例えばガラス板４を挿入する必要がある。

しかしながら、このガラス板４の厚さは撮像管の色分解
解像度に大きな影響を与える。

即ち、ストライプフィルタ２によって色分解されたカラ
ー映像は、ストライプフィルタ２と透明導電層５との間
に設けられた接着層３及びガラス板４を介して光導電体
層６に投映されるので、接着層３及びガラス板４が厚い
と、光導電体層６に投影されるストライプフィルタ２の
映像がボケたり色が重なってしまう。

この現像は、撮像情景が暗く、テーキングレンズのＦ値
を小さくする場合はど著しい。

従って接着層３とガラス板４とは可能な限り薄くするこ
とが望ましい。

そこで従来、２０〜５０μｍ程度のガラス板４とする製
造方法としては、片側表面を光学研磨した０、５〜２．
０酩程度の厚さのガラス板を、同じく片側表面を光学型
層したガラス台に張り合せて研磨して得る方法がよく知
られているが、２０μｍ以下のガラス板を得ることは非
常に困難である。

その理由は、研磨で薄くしていく過程で厚さが５０μｍ
以下となると、研磨時の応力でクラックが生じ易くなり
、３０μｍ以下とするには極端に歩留りが悪くなること
である。

更にガラス台平面に平行に研磨することは困難であり、
ガラス板の厚さムラが光学干渉となってカラー映像にそ
のまま再現されてしまうことである。

因みにガラス板の厚さのバラツキが１μｍ程度である・
と３本捏度の光学干渉が発生し、ガラス板が薄いほど強
い干渉となることは周知であり、２０μｍ以下のガラス
板に上記の光学干渉があることは実用上杵されない。

この発明は、上記従来の欠点を除去した撮像管ターゲッ
ト構体の製造方法を提供することを目的とする。

以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に説明
する。

この発明の製造方法により得られる撮像管ターゲット構
体は第３図に示すように構成され、撮像管のフェースプ
レートとなる基板７の一面（内面）には、複数例えば２
種のストライプフィルタ８ａ、８ｂからなるストライプ
フィルタ構体８が規則正しく一定の幅に形成されている
。

この場合、ストライプフィルタ構体８附近を拡大して示
すと第４図のようになっている。

そしてこのストライプフィルタ構体８の材質は有機材か
らなっている。

このようなストライプフィルタ構体８を覆うよ・うに前
記基板Ｔ上には、接着層９が形成されている。

この接着層９上には非自己保持性薄膜１０が形成されて
いる。

この非自己保持性薄膜１０としては、透明蒸着層、透明
スパック層、透明ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｕｒ Ｄｅｐｏｓ ｉ ｔ ｉｏｎ ）法により被着さ
れたガラス又は酸化シリコンの約１５μｍ以下の厚さの
層である。

そしてこのような非自己保持性薄膜１０上に透明導電層
１１が形成されている。

この透明導電層の一例としては後述する実施例１におけ
る透明連続導電層があり、他の例としては後述する実施
例２におけるストライプフィルタ構体に対応するストラ
イプ状透明導電層体とこのストライプ状透明導電層構体
の端末を結線する電極用導電層構体とがある。

このような透明導電層を介して所定域上に、光導電層１
２が形成されている。

次にこの発明の撮像管ターゲット構体の製造方法につい
て説明する。

尚、第３図と同一箇所は同一符号を付す。

実施例 １ この実施例１の工程は第５図ａ −ｈに示すように構成
され、先ず同図ａに示すようにフェースプレートである
基板Ｔ上にストライプフィルタ構体８を形成する。

一方、同図すに示すように、前記基板７とは異なる補助
基板２１例えば直径が１００〜２００ｉ−厚さが５朋の
ガラス板の一面に第１の補助層２２として銅のような金
属層を真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等により１〜
５μｍの厚さに形成する。

次に同図Ｃに示すように第１の補助層２２上に金属酸化
物層からなる剥離層２３を形成する。

この場合、補助層２２を酸化してもよいし、又、別の材
料を蒸着してもよい。

つまり、２種の層を組み合せるとき接触面に酸化層を介
在させると接着強度が弱くなるので後に容易に剥離しや
すいことを利用している。

次に同図ｄに示すように剥離層２３の上に第２の補助層
２４例えば金属層を形成する。

この場合、第１の補助層２２と第２の補助層２４とは別
種の金属層が望ましい。

次に同図ｅに示すように第２の補助層２４の上に透明な
非自己支持性薄膜１１として例えばガラス層を真空蒸着
、スパッタリング、ＣＶＤ等により１〜１５μｍの厚さ
に形成する。

次に同図ｆに示すように例えはエポキシ系の接着層９を
介して複数の前記基板７のストライプフィルタ構体８面
と前記補助基板２１の非自己保持性薄膜１０面を対向し
て接着する。

接着層９が完全に固化した後、基板７の周囲をヤスリ、
ダイヤモンドヤスリ等で破壊し、力を加えることにより
、基板７を剥離層２３から剥離しこれらを除去すること
により同図ｇに示す状態となる。

次に第２の補助層２４を強酸例えばＨＮＯ３で除去する
と、同図りの状態となる。

こうして露出した非自己保持性薄膜１０上に周知の方法
により透明連続導電層構体１１及び光導電層１２を順次
形成すれば、第３図および第４図に示した撮像管ターゲ
ット構体が完成する。

なお、第１、第２補助層の材料としては銅に限らず、酸
、アルカリによって溶解できる金属、合金を使用できる
。

また非自己保持性薄膜の材料としては、ガラスのほか光
透過性のよい酸化シリコン（Ｓ ｉ０２ ）の薄膜であ
ってもよい。

さらにまた接着層の材料としてはエポキシ系のほか、レ
ンズボンド、スーパーセグメント、紫外線硬化性のもの
などでもよい。

上記実施例１によれば、非自己保持性薄膜１０の良好な
部分を選択できるので、高歩留りという効果がある。

又、非自己保持性薄膜１０は厚い補助基板２１で支持さ
れているので均一に加圧できるし、およそ１５μｍ以下
という極めて薄い層厚に形成することができる。

更に剥離層２３を設けているが、非常に簡単に高歩留り
で剥離することができる。

実施例 ２ この実施例２の工程は第６図ａ−ｉに示すように構成さ
れ、図示していないが上記実施例１と同様に先ずフェー
スプレートである基板上にストライプフィルタ構体を形
成する。

一方、同図ａに示すように、前記基板とは異なる補助基
板２５例えば短、長辺の長さが１００ｒｎｘ、 ２００
ｍｍ、厚さが５順のガラス板の一面に第１の補助層２６
として金属層を真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等に
より形成する。

次に同図すに示すように第１の補助層２６上に剥離層２
７を形成する。

この場合、実施例１と同様に補助層２６を酸化して剥離
層２７としてもよいし、又、別の材料を蒸着してもよい
。

次に同図Ｃに示すように、剥離層２７の上に第２の補助
層２８として金属層を形成する。

この場合も実施例１と同様に第１の補助層２６と第２の
補助層２８とは別種の金属層が望ましい。

次に同図ｄに示すように第２の補助層２８上に金属層２
９を蒸着する。

次に同図ｅに示すように前記金属層２９を写真蝕刻技術
によってパターニングしてパスパー３０を形成する。

次に同図ｆに示すようにパスパー３０の部分に絶縁層３
１を被着する。

この場合、絶縁層を全面に蒸着して写真蝕刻技術によっ
てパスパー３０部分を残すことも可能である。

次に同図ｇに示すように絶縁層３１にスルーホール３２
を設ける。

次に同図りに示すようにスルーホール３２を覆って透明
導電層３３を蒸着し、図示していないがこの透明導電層
３３をストライプ状に切る。

次に同図ｉに示すように全面にわたって非自己支持性薄
膜１０を形成する。

次に予めストライプフィルタ構体を形成した基板を接着
層を介して前記非自己保持性薄膜１０に接着する。

この工程以降は上記実施例１の第５図ｆ工程以降と同様
に、剥離層２７を剥離し補助基板２５、第１補助層２６
及びこの剥離層２７を除去し、さらに第２補助層２８を
酸で溶解して除去し、ストライプ状透明導電層３３及び
非自己保持性薄膜１０の一部を露出する。

そしてストライプ状の透明導電層３３および薄膜１０上
に光導電層（図示せず）を被着形成する。

この発明の製造方法によれば、上記いずれの実施例の場
合も、真空蒸着１．又はスパッタリング、或いはＣＶＤ
によって非自己保持性薄膜１０の厚さを例えば１５μｍ
以下というきわめて薄く形成できる。

そして非自己保持性薄膜１０はいずれの実施例の場合も
平面方向の距離約３０關で厚さムラは２係以下に抑える
ことも可能であり、この結果、解像度がすぐれ、且つ厚
さムラに基く光学干渉を皆無にすることが可能である。

従来の研磨方法では１間以下の平行度を得ることは至難
であり、洗浄方法、取扱いも非常に注意を要するが、こ
れらの問題点もこの発明によれば一挙に解決することが
できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の撮像管ターゲット構体を示す断面図、第
２図は第１図の一部を拡大して示す断面図、第３図はこ
の発明の製造方法により得られた撮像管ターゲット構体
を示す断面図、第４図は第３図の一部を拡大して示す断
面図、第５図はこの発明の一実施例に係る撮像管ターゲ
ット構体の製造方法を示す工程説明図、第６図はこの発
明の製造方法の他の実施例を示す工程説明図である。 ７・・・・・・フェースプレート基板、８・・・・・・
ストライプフィルタ構体、９・・・・・・接着層、１０
・・・・・・非自己保持性薄膜、ＩＬ３３・・・・・・
透明導電層、１２・・・・・・光導電層、２１，２５・
・・・・・補助基板、２２゜２６・・・・・・第１補助
層、２３ 、２７・・・・・・剥離層、２４．２８・・
・・・・第２補助層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ フェースプレート基板上にスライプフィルタ構体を
   形成する工程と、 上記基板とは異なる補助基板上に金属層からなる第１の
   補助層を形成し、この第１補助層上に金属酸化物層から
   なる剥離層を形成し、この剥離層上に金属層からなる第
   ２補助層を形成するとともに、この第２補助層上に透明
   なガラス又は酸化シリコンからなる非自己保持性薄膜を
   被着形成する工程と、 これらの工程の後において上記フェースプレート基板の
   ストライプフィルタ構体面と上記補助基板の非自己保持
   性薄膜面とを対向して接着層を介し接着する工程と、 この工程の後において上記補助基板の剥離層を剥離し、
   補助基板、第１補助層及び該剥離層を除去する工程と、 この工程の後において上記第２補助層を除去して前記非
   自己保持性薄膜を露出させる工程と、この工程の後にお
   いて前記非自己保持性薄膜上に透明導電層を介して光導
   電層を形成する工程とを備えることを特徴とする撮像管
   ターゲット構体の製造方法。