JPS59112485A - 磁気バブルメモリ作成法 - Google Patents
磁気バブルメモリ作成法Info
- Publication number
- JPS59112485A JPS59112485A JP57222069A JP22206982A JPS59112485A JP S59112485 A JPS59112485 A JP S59112485A JP 57222069 A JP57222069 A JP 57222069A JP 22206982 A JP22206982 A JP 22206982A JP S59112485 A JPS59112485 A JP S59112485A
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- JP
- Japan
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- pattern
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- permalloy
- film
- magnetic bubble
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は電子計算装置又はその端末機等の記憶装置とし
て用いられる磁気バブルメモリ装置に関するものである
。
て用いられる磁気バブルメモリ装置に関するものである
。
（２）技術の背景
磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等を行なう
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度及び低消
費電力、小型軽量であり、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから高い信頼性を有するなど
の特徴をもっているため、大容量メモリとしての将来が
期待されている。
磁気バブル利用装置は、不揮発性、高記憶密度及び低消
費電力、小型軽量であり、さらには機械的要素を全く含
まない固体素子であることから高い信頼性を有するなど
の特徴をもっているため、大容量メモリとしての将来が
期待されている。
この磁気バブルメモリ装置に用いられるメモリ素子は、
例えばガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶基板
の上に液相エピタキシャル成長法により磁気バブル結晶
として磁性ガーネットの薄膜を形成し、その上にパーマ
ロイ薄膜によりティー バー 又１ｄ バー ７デイス
ク等のパターンを行列させてバブル伝播路を形成してお
き、バブルのあるところを′１”ないところをＮ Ｏ１
１として情報を記録するようになっている。
例えばガドリニウム・ガリウム・ガーネット単結晶基板
の上に液相エピタキシャル成長法により磁気バブル結晶
として磁性ガーネットの薄膜を形成し、その上にパーマ
ロイ薄膜によりティー バー 又１ｄ バー ７デイス
ク等のパターンを行列させてバブル伝播路を形成してお
き、バブルのあるところを′１”ないところをＮ Ｏ１
１として情報を記録するようになっている。
このような磁気バブルメモリにおいて、バブル発生器、
トランスファーゲート等のファンクションケートハ導体
パターントハーマロイパターンが組合わされて構成され
ている。
トランスファーゲート等のファンクションケートハ導体
パターントハーマロイパターンが組合わされて構成され
ている。
（３）従来技術と問題点
第１図は従来の磁気バブルメモリのファンクションゲー
トの１例を示す図であり、ａは平面図、ｂはａ図のｂ
−ｂ線における断面図をそれぞれ示す。同図において、
１は磁気バブル結晶、２はスペーサ、３はコンダクタパ
ターン、４はスペーサ、５はパーマロイパターンをそれ
ぞれ示している。
トの１例を示す図であり、ａは平面図、ｂはａ図のｂ
−ｂ線における断面図をそれぞれ示す。同図において、
１は磁気バブル結晶、２はスペーサ、３はコンダクタパ
ターン、４はスペーサ、５はパーマロイパターンをそれ
ぞれ示している。
このファンクションゲートにおいて、パーマロイパター
ン５は、コンダクタパターン３及びスペーサ４を形成し
た後に形成されるため、コンダクタパターン３により矢
印ａ部に段差が生じ動作特性を悪化する。このためパー
マロイパターンを平坦化する必要があり、現在リフトオ
フ法とスペーサに樹脂を用いる方法が採用されている。
ン５は、コンダクタパターン３及びスペーサ４を形成し
た後に形成されるため、コンダクタパターン３により矢
印ａ部に段差が生じ動作特性を悪化する。このためパー
マロイパターンを平坦化する必要があり、現在リフトオ
フ法とスペーサに樹脂を用いる方法が採用されている。
リフトオフ法は第２図に示す如く、先ずａ図のようにコ
ンダクタパターン３を形成するときにその上のホトレジ
スト６を残しておき、その上にｂ図の如＜ＳＩＯのスペ
ーサ４をコンダクタパターン３と同程度の厚さに蒸着し
た後、０図の如くホトレジスト６とその上のスペーサ４
を除去し、次いでｄ図の如く、さらにスペーサ４′を蒸
着し、その上にパーマロイパターン５を形成するのであ
る。
ンダクタパターン３を形成するときにその上のホトレジ
スト６を残しておき、その上にｂ図の如＜ＳＩＯのスペ
ーサ４をコンダクタパターン３と同程度の厚さに蒸着し
た後、０図の如くホトレジスト６とその上のスペーサ４
を除去し、次いでｄ図の如く、さらにスペーサ４′を蒸
着し、その上にパーマロイパターン５を形成するのであ
る。
ところがこの場合、コンダクタパターン３とＳｌＯのス
ペーサ４との間・にすき捷７が生じ易く、このためパー
マロイパターンに歪が入り動作特性を害するという欠点
がある。
ペーサ４との間・にすき捷７が生じ易く、このためパー
マロイパターンに歪が入り動作特性を害するという欠点
がある。
また樹脂スペーサを用いる方法は第３図に示す如く、樹
脂層８によりパーマロイパターン５の平坦化がなされる
が、樹脂がポリイミド系の場合には密着性に問題があシ
パーマロイ層の剥離などを生じ、信頼性に欠ける欠点が
ある。
脂層８によりパーマロイパターン５の平坦化がなされる
が、樹脂がポリイミド系の場合には密着性に問題があシ
パーマロイ層の剥離などを生じ、信頼性に欠ける欠点が
ある。
（４） 発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、動作特性を害するこ
となく、且つ信頼性の高い方法でコンダクタパターンに
よる段差を平坦化したパーマロイパターンを形成する磁
気バブルメモリ作成法を提供することを目的とするもの
である。
となく、且つ信頼性の高い方法でコンダクタパターンに
よる段差を平坦化したパーマロイパターンを形成する磁
気バブルメモリ作成法を提供することを目的とするもの
である。
（５）発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、導体パターンとパー
マロイパターンとを糾合わせて構成されたファンクショ
ンゲートを具備した磁気バブルメモリの作成法において
、そのファンクションゲートは磁気バブル結晶上に第１
のスペーサを介して膜厚ｈＡなる導体層を形成し、これ
をホトリソグラフィ法により導体パターンに形成し、次
いでスパッタリング、蒸着、ＣＶＤ法等により無機絶縁
膜を第２のスペーサとしてｈＡ以上の膜厚に形成し、次
いでホトレジストを用いて導体パターンと交差するパー
マロイパターン部の下部でその下に導体パターンがない
第２のスペーサ部の上にのみレジストを残すようにパタ
ーニングし、しかる後、スパッタエツチング、イオンミ
リング等のドライプロセスによりこの第２のスペーサ層
をｈＡと同程度の深さだけエツチングし、レジストを剥
離し、その上にパーマロイ膜を形成し、次いでとのパー
マロイ膜を所望の駆動パターンに形成することを特徴と
する磁気バブルメモリの作成法を提供することによって
達成される。
マロイパターンとを糾合わせて構成されたファンクショ
ンゲートを具備した磁気バブルメモリの作成法において
、そのファンクションゲートは磁気バブル結晶上に第１
のスペーサを介して膜厚ｈＡなる導体層を形成し、これ
をホトリソグラフィ法により導体パターンに形成し、次
いでスパッタリング、蒸着、ＣＶＤ法等により無機絶縁
膜を第２のスペーサとしてｈＡ以上の膜厚に形成し、次
いでホトレジストを用いて導体パターンと交差するパー
マロイパターン部の下部でその下に導体パターンがない
第２のスペーサ部の上にのみレジストを残すようにパタ
ーニングし、しかる後、スパッタエツチング、イオンミ
リング等のドライプロセスによりこの第２のスペーサ層
をｈＡと同程度の深さだけエツチングし、レジストを剥
離し、その上にパーマロイ膜を形成し、次いでとのパー
マロイ膜を所望の駆動パターンに形成することを特徴と
する磁気バブルメモリの作成法を提供することによって
達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明実施例を図面によって詳述する。
第４図Ｂｘｇは本発明による磁気バブルメモリ作成法を
説明するだめの図である。同図において、１０け磁気バ
ブル結晶、１１はＳｉＯ２等を用いた第１のスペーサ、
１２はＡｌ−Ｃｕ等を用いた導体層、１３はホトレジス
ト、１４は導体パターン、１５′は５１０２，８１０，
５ｉａＮ４．Ａｌ２Ｏ３等の無機絶縁膜を用いた第２の
スペーサ、１６はホトレジスト、１７はパーマロイパタ
ーン、１８はＳｉＯ２を用いた保護膜をそれぞれ示す。
説明するだめの図である。同図において、１０け磁気バ
ブル結晶、１１はＳｉＯ２等を用いた第１のスペーサ、
１２はＡｌ−Ｃｕ等を用いた導体層、１３はホトレジス
ト、１４は導体パターン、１５′は５１０２，８１０，
５ｉａＮ４．Ａｌ２Ｏ３等の無機絶縁膜を用いた第２の
スペーサ、１６はホトレジスト、１７はパーマロイパタ
ーン、１８はＳｉＯ２を用いた保護膜をそれぞれ示す。
図により本発明法を説明すると、先ずａ図の如く磁気バ
ブル結晶１０の上に第１のスペーサ１１として８１０２
を１０００＾スパツタし、続いて導体層１２としてＡｌ
−Ｃｕを４０００．Ａ蒸着により形成する。次いでｂ図
の如くホトレジストを塗布し７露光・現像してパターン
１３を作る。次いで０図の如くイオンミリングにより導
体層をエツチングしレジストを剥離１〜で導体パターン
１４を形成する。
ブル結晶１０の上に第１のスペーサ１１として８１０２
を１０００＾スパツタし、続いて導体層１２としてＡｌ
−Ｃｕを４０００．Ａ蒸着により形成する。次いでｂ図
の如くホトレジストを塗布し７露光・現像してパターン
１３を作る。次いで０図の如くイオンミリングにより導
体層をエツチングしレジストを剥離１〜で導体パターン
１４を形成する。
次にｄ図の如り５Ｉ０２膜１５を４００ＯＡ （ｊ７
１、体パターン１４の膜厚）以上スパッタする。次いで
ｅ図の如くホトレジスト１６を塗布しゲート部の導体パ
ターン上にくるパーマロイパターンの下の部分で、その
下に導体パターンがない部分のみレジストを残すように
露光現像する。
１、体パターン１４の膜厚）以上スパッタする。次いで
ｅ図の如くホトレジスト１６を塗布しゲート部の導体パ
ターン上にくるパーマロイパターンの下の部分で、その
下に導体パターンがない部分のみレジストを残すように
露光現像する。
この部分を第５図を用いてさらにくわしく説明する。第
５図ａのようなゲート部パターンを形成する場合、第５
図すのようにレジストパターン１６を形成する。このと
きレジストが導体パターン１４上にかからないようにギ
ャップＧはＯ〜０．２μｍ程度になるように位置合わせ
する。導体パターン１４と接しないパーマロイパターン
１７の外周部は１μｍ程明大きくレジストパターン１６
を形成する。すなわちホトマスクをそのように予め作成
しておく。
５図ａのようなゲート部パターンを形成する場合、第５
図すのようにレジストパターン１６を形成する。このと
きレジストが導体パターン１４上にかからないようにギ
ャップＧはＯ〜０．２μｍ程度になるように位置合わせ
する。導体パターン１４と接しないパーマロイパターン
１７の外周部は１μｍ程明大きくレジストパターン１６
を形成する。すなわちホトマスクをそのように予め作成
しておく。
次いで第４図のｆ図の如く、イオンミリングによって８
１０２膜１５を導体パターン１４の厚さと同程団の４０
０ＯＡ程度をエツチングし、レジストを剥離して第２の
スペーサ１５′ヲ形成する。この場合第５図すに示すよ
うにギャップは大きくても０．２μｍであるので、この
部分は殆んど削られることがなく平坦化に支障はない。
１０２膜１５を導体パターン１４の厚さと同程団の４０
０ＯＡ程度をエツチングし、レジストを剥離して第２の
スペーサ１５′ヲ形成する。この場合第５図すに示すよ
うにギャップは大きくても０．２μｍであるので、この
部分は殆んど削られることがなく平坦化に支障はない。
最後にｇ図の如くパーマロイを４００ＯＡ蒸青し、駆動
パターン１７を形成し、更に保護膜１８としてＳｉＯ２
を１μｍスパッタする。
パターン１７を形成し、更に保護膜１８としてＳｉＯ２
を１μｍスパッタする。
このようにして作成・された磁気バブルメモリデバイス
は第４図のｇ図に示す如くゲート部のパーマロイパター
ン１７には段差がなく平坦化される。
は第４図のｇ図に示す如くゲート部のパーマロイパター
ン１７には段差がなく平坦化される。
壕だ第２のスペーサ１５′に無機絶縁物を用いるので上
層と下層との密着性も良好である。さらにマイナールー
ズのパーマロイパターンが結晶基板に近くなるので、パ
ターンが小さくなり高密度化をはかる場合に駆動磁界が
小さくても良いという効果も生ずる。
層と下層との密着性も良好である。さらにマイナールー
ズのパーマロイパターンが結晶基板に近くなるので、パ
ターンが小さくなり高密度化をはかる場合に駆動磁界が
小さくても良いという効果も生ずる。
（７）発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の磁気バブルメモ
リ作成法は、密着性の良い無機膜を導体上のスペーサ層
として用い、最近の投影型露光器の位置合わせ精度の良
さく±０．１μｍ）を利用して導体パターンによって生
じる段差を平坦化するようにしたものであって、動作特
性の良好な磁気バブルメモリが得られるといった効果大
なるものである。
リ作成法は、密着性の良い無機膜を導体上のスペーサ層
として用い、最近の投影型露光器の位置合わせ精度の良
さく±０．１μｍ）を利用して導体パターンによって生
じる段差を平坦化するようにしたものであって、動作特
性の良好な磁気バブルメモリが得られるといった効果大
なるものである。
第１図は従来の磁気バブルメモリのファンクションゲー
ト部を説明するだめの図、第２図はレジスト・リフト・
オフ法を説明するだめの図、第３図は樹脂による平坦化
法を説明するだめの図、第４図及び第５図は本発明によ
る磁気バブルメモリ作成法を説明するだめの図である。 図面において、１０は磁気バブル用結晶、１１は第１の
スペーサ、１２は導体層、１３はホトレジスト、１４は
導体パターン、１５は８１０２層、１５′は第２のスペ
ーサ、１６はホトレジスト、１７はパーマロイパターン
、１８は保護層をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士山口昭之 第５し くＧ） （ｂ）
ト部を説明するだめの図、第２図はレジスト・リフト・
オフ法を説明するだめの図、第３図は樹脂による平坦化
法を説明するだめの図、第４図及び第５図は本発明によ
る磁気バブルメモリ作成法を説明するだめの図である。 図面において、１０は磁気バブル用結晶、１１は第１の
スペーサ、１２は導体層、１３はホトレジスト、１４は
導体パターン、１５は８１０２層、１５′は第２のスペ
ーサ、１６はホトレジスト、１７はパーマロイパターン
、１８は保護層をそれぞれ示す。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士 青 木 朗 弁理士西舘和之 弁理士内田幸男 弁理士山口昭之 第５し くＧ） （ｂ）
Claims (1)
- １、導体ハターンとパーマロイパターンとを組合わせて
構成されたファンクションゲートを具備した磁気バブル
メモリの作成法において、そのファンクションゲートは
磁気バブル結晶上に第１のスペーサを介して膜厚ｈＡな
る導体層を形成し、これをホトリングラフィ法により導
体パターンに形成し、次いでスパッタリング、蒸着、Ｃ
ＶＤ法等により無機絶縁膜を第２のスペーサとしてｈＸ
以上の膜厚に形成し、次いでホトレジストを用いて導体
パターンと交差するパーマロイパターン部の下部でその
下に導体パターンがない第２のスペーサ部の上にのみレ
ジストヲ残すようにパターニングし、しかる後、スパッ
タエツチング、イオンミリング等のドライプロセスによ
りこの第２のスペーサ層をｈＡと同程度の深さだけエツ
チングし、レジストを剥離し、その上にパーマロイ膜を
形成し、次いでこのパーマロイ膜を所望の駆動パターン
に形成することを特徴とする磁気バブルメモリの作成法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222069A JPS59112485A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 磁気バブルメモリ作成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57222069A JPS59112485A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 磁気バブルメモリ作成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59112485A true JPS59112485A (ja) | 1984-06-28 |
Family
ID=16776621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57222069A Pending JPS59112485A (ja) | 1982-12-20 | 1982-12-20 | 磁気バブルメモリ作成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59112485A (ja) |
-
1982
- 1982-12-20 JP JP57222069A patent/JPS59112485A/ja active Pending
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