JPS5912097B2 - 環状化合物の製造法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は医薬として有用な一般式 〔式中、ｎは１または２の整数を、Ａはカルボキシル基
、低級アルコキシカルボニル基または置換基として低級
アルキルまたはハロゲン原子を有していてもよいベンゾ
イル基を示す。

〕で表わされる新規環状化合物の製造法に関する。さら
に詳しくは、本発明は、 （１） 一般式 〔式中、ｎおよびＡは前記と同意義。

〕で表わされる化合物を水または低級脂肪族アルコール
の存在下に加溶媒分解することを特徴とする前記一般式
〔１〕で表わされる化合物の製造法（２） 一般式 〔式中、ｎおよびＡぱ前記と同意義。

〕で表わされる化合物と１・３−ジチアンを塩基の存在
下で反応させ、生成する一般式〔式中、ｎおよびＡは前
記と同意義。

〕で表わされる化合物を脱水し、生成する前記一般式〔
〕で表わされる化合物を水または低級脂肪族アルコール
の存在下に加溶媒分解することを特徴とする前記一般式
〔１〕で表わされる化合物の製造法である。前記一般式
〔１〕、〔〕、〔〕、〔〕中、Ａで表わされるベンゾイ
ル基は、炭素数１〜４程度の直鎖または分枝した低級ア
ルキル基（例、メチル、エチル、プロピル、イソプロピ
ル、ブチル、イソブチル、Ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル
基）、ハロゲン原子（例、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素
原子）を置換基として有していてもよく、これらの置換
基は１または２個、同一または異なつて、ベンゾイル基
の任意の位置に置換していてもよい。

また、前記一般式〔１〕、〔〕、〔〕、〔〕においてＲ
で示される低級アルコキシカルボニル基としては、たと
えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポ
キシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシ
カルボニル、イソブトキシカルボニル、Ｓｅｃ−ブトキ
シカルボニル、ｔ−プトキシカルボニルなどがあげられ
る。

また、前記一般式〔１〕においてＲで示されるアルキル
基としては、たとえばメチル、エチル、プロピル、イソ
プロピル、ブチル、イソブチル，、Ｓｅｃ−ブチル、ｔ
−ブチルエステルなどがあげられる。前記一般式〔〕で
表わされる化合物は、下記〔ａ〕、〔ｂ〕の２種の構造
をとり得るものであり、そのいずれも本発明の加溶媒分
解に供することができるが、とりわけ〔ａ〕の構造のも
のが好都合に用いられる。

〔式中、ｎおよびＡは前記と同意義。

〕本発明においては一般式〔〕の化合物を加溶媒分解（
ＳＯｌｖＯｌｙｓｉｓ）して一般式〔１〕の化合物ノを
得る。

加溶媒分解としては、水を溶触として用いる加水分解、
低級脂肪族アルコール類（例、メタノール、エタノール
、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソ
ブタノール、Ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノールなど
）を溶媒として用いる加アルコール分解などが一般的で
ある。加溶媒分解は一般式に触媒の存在下に行なわれ、
触媒としてはたとえばハロゲン化水素（例、塩化水素、
臭化水素、ヨウ化水素など）、硫酸、リン酸、ポリリン
酸などの鉱酸；ギ酸、酢酸、パラトルエンスルホン酸、
β−ナフタリンスルホン酸などの有機酸，重金属の塩（
例、塩化水銀、臭化水銀、弗化水銀、硫酸水銀、塩化銅
、臭化銅など）などが用いられる。これらの触媒は単独
で用いる場合もあるし、二つ以上を同時に用いる場合も
ある。反応温度は使用溶媒、触媒などの反応条件により
異なるが一般に冷却下、室温、加熱下のいずれでもよい
。反応時間に特に限定はない。生成物〔１〕におけるＢ
は加溶媒分解の条件により多少異なり、反応条件を選定
することにより意図するＢを有する目的化合物を得るこ
とができる。たとえば化合物〔〕を加水分解した場合に
は生成物〔〕としてＲが水素原子である化合物が得られ
る。また、化合物〔〕を加アルコール分解した場合には
生成物〔１〕としてＢが使用した低級脂肪族アルコール
に対応する低級アルキル基である化合物が得られる。ま
た上記加溶媒分解の工程の反応条件を選定することによ
り化合物〔〕のＡで示される基がエステル化もしくは脱
エステル化された形の目的化合物〔１〕を得ることもで
きる。前記した化合物〔〕は、たとえば前記一般式〔〕
の化合物から有利に製造される。

すなわち、本発明は、化合物〔〕から目的化合物〔１〕
を工業的に有利に製造する方法をも提供するものでもあ
る。本方法においては、まず化合物〔〕と１・３−ジチ
アンとが塩基の存在下に反応させられる。塩基としては
、たとえばアルカリ金属の水酸化物（例、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムなど）、アルカリ金属の水素化物
（例、水素化ナトリウム、水素化リチウムなど）、アル
カリ金属のアルコラード（例、ナトリウムメチラート、
ナトリウムエチラート、ナトリウムｔ−ブチラート、カ
リウムｔ−ブチラート、ナトリウムｔ−アミラートなど
）、アルカリ金属のアミド（例、ナトリウムアミド、カ
リウムアミド、リチウムアミド、ナトリウムピペリジド
、カリウムピペリジド、リチウムピペリジド、ナトリウ
ムジエチルアミド、カリウムジエチルアミド、リチウム
ジエチルアミド、ナトリウムジイソプロピルアミド、カ
リウムジイソプロピルアミド、リチウムジイソプロピル
アミド、リチウムビストリメチルシリルアミド、リチウ
ムジシクロヘキシルアミドなど）、ｎ−ブチルリチウム
、トリトン−Ｂなどがあげられる。本反応は一般に溶媒
の存在下に行なわれ、溶媒としては、反応に不活性なも
のであれば特に限定されないが、たとえばエーテル類（
例、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
′／， １・２−ジメトキシエタン、１・２−ジエトキ
シエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテルなど
）ベンゼン、トルエン、キシレン、水などが好都合に用
いられる。反応に用いられる１・３−ジチアンおよび塩
基の量に特に限定はないが、化合物〔〕１モル当りそれ
ぞれ約１〜２．０モル程度が好ましい。また反応温度は
約−３０℃〜溶媒の沸点程度、反応時間は約５〜２５時
間程度が好ましい〜 かくして生成する一般式〔〕の化合物を脱水することに
より前記一般式〔〕の化合物を得ることができる。

本反応に用いる化合物〔〕は常法によつて単離精製した
ものを用いることもできるが、前工程の反応液から単離
精製することなく本反応に供することもできる。本反応
に用いる脱水剤としては、たとえば鉱酸（例、硫酸、燐
酸、亜燐酸、塩酸など）、オキシ塩化燐、塩化チオニル
、アリールスルホン酸（例、ベンゼンスルホン酸、パラ
トルエンスルホン酸、β−ナフタリンスルホン酸など）
、酢酸およびその誘導体（例、トリフルオロ酢酸、トリ
クロロ酢酸など）、低級アルキルスルホン酸（例、メタ
ンスルホン酸、エタンスルホン酸、プロパンスルホン酸
など）などが好都合に用いられる。またこの時用いる液
媒は反応に支障のない限り特に限定はない。反応温度は
冷却下〜約１５０℃程度であり、反応時間等に限定はな
い。かくして生成する化合物〔〕を前記した加溶媒分解
反応に付すことにより目的化合物〔〕が得られる。

本反応の場合も、化合物〔〕は常法によつて単離したも
のを用いることもできるが、前程の反応液から単離精製
することなく本反応に供することもできる。なお前記し
た化合物〔］と１・３−ジチアンとを反応させて化合物
〔〕を得る工程において、化合物〔〕が脱水されて一挙
に化合物〔〕が得られることもあり、また化合物〔〕を
脱水して化合物〔〕を得る工程において、生成する化合
物〔〕が加溶媒分解されて一挙に目的化合物〔１〕が得
られることもある。

かくしで生成する一般式〔１〕の化合物が遊離のカルボ
ン酸として得られる場合には、必要により、自体公知の
処理方法（例、中和等による塩の形成、酸の存在下にア
ルコールを用いるエステル化、アミンと反応させるアミ
ド化、酸ハライドに導いたのちアミンと反応させるアミ
ド化など）により、これをそのカルボキシル基における
誘導体に導いてもよく、逆にカルボキシル基における誘
導体を自体公知の処理方法（例、アルカリまたは酸の存
在下での加水分解）により、遊離のカルボン酸に導くこ
ともできる。

また、カルボキシル基における誘導体を自体公知の手段
（例、エステルにアミンを反応させるアミド化など）に
より、他の誘導体に導くこともできる。これらのカルボ
キシル基における誘導体の例としては、前記エステルの
ほかに、無置換アミド、置換アミド、塩などがあげられ
る。置換アミドとしては、ヒドロキサム酸（−ＣＯＮＨ
ＯＨ）、ヒドラジド（−ＣＯＮＩＩＮＨ２）、あるいは
アルキル部分が水酸基で置換されていてもよい炭素数１
〜３程度のモノまたはジ低級アルキルアミン（例、エタ
ノールアミン、ジエタノールアミン、メチルアミン、ジ
メチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、プロピ
ルアミンなど）、アリールアミン（例、アニリン、メチ
ルアニリンなど）、１〜２個の窒素原子を有する５〜６
員環の環状アミン（例、モルホリン、ピロリジン、ピペ
リジン、ピペラジン、Ｎ一置換ピペラジンなど）、Ｎ−
アラルキル置換アミン（例、ベンジルアミン、α−メチ
ルベンジルアミン、フエネチルアミンなど）、アルキル
置換またはアリール置換ヒドラジン（例、メチルヒドラ
ジン、ジメチルヒドラジン、フエニルヒドラジンなど）
などの有機アミン類に対応するＮ−モノまたは置換アミ
ドなどがあげられる。

塩としては、たとえばアリカリ金属（例、ナトリウム、
力リウム、リチウムなど）、アルカリ土類金属（例、カ
ルシウム、マグネシウムなど）、アルミニウムなどの金
属との塩、アンモニウム塩、前記の有機アミンとの塩な
どがあげられる。かくして得られた目的化合物は自体公
知の方法、たとえば蒸留、再結晶、カラムクロマトグラ
フイ一などで分離、精製することができる。以上述べて
きた方法により得られる一般式〔１〕の化合物は、分子
内の１位に不斉炭素を有するので、自体公知の方法によ
りそれぞれｄ体、ｌ体の光学異性体に分割することがで
きる。

すなわち、そのラセミ遊離酸を適当な不活性溶媒たとえ
ばクロロ１ホルム、アセトン、ベンゼン、ヘキサン、エ
ーテルなどに溶かし、光学的に活性な塩基と反応させ、
得られた塩あるいはアミドを、その溶解度の差によりジ
アステレオアイソマ一に分離し、つぎに酸で処理し遊離
のカルボン酸誘導体の光学活性体を単離することができ
る。またラセミの遊離酸と適当な光学活性アルコールか
ら、エステルを作り、このエステルをたとえば再結晶、
蒸留、クロマトグラフイ一などの自体公知の方法でジア
ステレオアイソマ一に分離し、つぎにエステルを酸また
は塩基の存在下加水分解しても、光学活性な遊離のカル
ボン酸誘導体を単離することができる。ここで用いる光
学活性な塩基としては、たとえばキニン、ブルシン、シ
ンコニジン、シンコニン、デヒドロアビチチルアミン、
ヒドロキシヒドリンダミン、タンチルアミン、モルピン
、α−フエニルヱチルアミン、フエニルオキシナフチル
メチルアミン、キニデン、ストイキニンなどのアミン、
リジン、アルギニンなどの塩基性アミノ酸、アミノ酸の
エステルなどがある。また光学活性なアルコールとして
は、たとえばボルネオール、メントール、２−オクタノ
ールなどがあげられる。以上述べたような光学分割で得
られた一般式〔１〕の化合物は、前述したような自体公
知の方法により、そのカルボキシル基における光学活性
な誘導体に導くことができる。本発明の方法によつて製
造される一般式〔〕の化合物およびそのカルボキシル基
における誘導体、とりわけＡが置換基と・して低級アル
キル、ハロゲン原子を有していてもよいベンゾイル基で
あるものは顕著な消炎、鎮痛、解熱作用などを有し、た
とえば消炎剤、鎮痛剤、解熱剤などの医薬として有用で
ある。

なおＡがカルボキシル基あるいはそれから誘導される基
である場合は、フリーデルクラフト反応に付して、Ａを
置換基として低級アルキル、ハロゲン原子を有していて
もよいベンゾイル基にかえることができる。本発明の目
的化合物をこれらの医薬として用いる場合の投与量は、
投与ルート、投与の目的などにより適宜選択されるが、
たとえば慢性関節リウマチ、変形性関節症、変形性を椎
症、関節痛、腰痛などを治療する目的で投与する場合は
、常用量として成人１日につき、約１０〜１０００１９
を錠剤、カプセル剤、散剤の適宜の剤型で経口的に投与
するか、あるいは成人１回量約５〜５００！！１９を注
射剤、坐剤などとして非経口的に投与するのがよい。

以下に本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが
、本発明がこれら実施例により限定されるものでないこ
とはいうまでもない。

実施例 １ （ａ） １・３−ジチアン３．６７を無水テトラヒドロ
フラン１００ｍ１に溶かし、窒素ガス気流中３０℃に冷
却し、かき混ぜながらｎ−ブチルリチウムの２０％ヘキ
サン溶液１０ｍ１を約１５分かけて滴下する。

滴下終了後同温度で２時間、続いて−５℃で３０分かき
混ぜる。この溶液を再び−２０゜Ｃに冷却しかき混ぜな
がら、７．１７の４−ベンゾイルインダン一１−オンを
７５ｍ１の無水テトラヒドロフランに溶かした溶液を滴
下する。滴下終了後同温度で１時間かき混ぜたのち、Ｏ
℃で一夜放置する。次に減圧下溶媒を留去する。残留物
に希塩酸１５ｍ１を加えて工ーテルで抽出する。抽出層
は水、食塩水で洗い乾燥する。減圧下溶媒を留去して得
られた残留物はシリカゲルのカラムクロマトグラフイ一
（シルカゲル５００７、ベンゼン一酢酸エチル２０：１
の混合溶媒で溶出）で精製する。油状物として２−（４
−ベンゾイル一１−ヒドロキシ−１−インダニル）−１
・３−ジチアンが得られる。このものの赤外線吸収スペ
クトル（ニート）は１６６０ｃ！ｎ−１にケトンの吸収
、３４５０ＣＴｒＬ−１に水酸基による吸収を示し、構
造とよく一致する。（ｂ） ２−（４−ベンゾイル−１
−ヒドロキシ−１ィンダニル）−１・３−ジチアン１．
４７を３００ｍ１のベンゼンにとかし、６００ηのパラ
トルエンスルホン酸を加える。

脱水還流装置を使つて、脱水しながら、３時間還流する
。冷却後、水、炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗い乾
燥する。減圧下溶媒を留去すると、油状物として、２−
（４−ベンゾイル−１−インダニリデン）−１・３−ジ
チアンが得られる。このものは精製することなく次反応
に使用する。（ｃ） ０．８ｆの２−（４−ベンゾイル
−１−インダニリデン）−１・３−ジチアンに１５０ｍ
１の氷酢酸、５０１１ｔの濃塩酸を加え、３時間還流す
る。

減圧下溶媒を留去し、残留物をエーテルで抽出する。エ
ーテル層は水洗したのち、５％の炭酸ナトリウム水溶液
で抽出する。抽出層はエーテルで洗つたのち、塩酸で酸
性にする。析出した油状物はエーテルで抽出する。抽出
層は水、食塩水で洗つたのち乾燥する。減圧下溶媒を留
去して得られた残留物はベンゼン−シクロヘキサン（７
：２０）から結晶化する。融点１００−１０２℃の結晶
として４−ベンゾイルインダン一１−カルボン酸が得ら
れる。元素分析値（Ｃｌ７Ｈｌ４Ｏ８） 計算値 Ｃ７６．６７；Ｈ５．３Ｏ 実験値 Ｃ７６．３７；Ｈ５．２ｌ 上記で得られた４−ベンゾイルインダン一１−カルボン
酸３，２ｔとシンコニジン１．７０ｒとをアセトン６０
ｍ１に加え、振り混ぜて溶かす。

一夜室温に放置したのち析出結晶を▲取し、アセトンか
ら２回再結晶すると、（１）−４−ベンゾイルインダン
一１−カルボン酸のシンコニジン塩が融点１８９−１９
２℃、〔α〕−１３２．２８（Ｃ＝１、ＣＨＣｌ３）の
無色結晶として得られる。

元素分析値 Ｃ３６Ｈ３６Ｏ４Ｎ２ 計算値 Ｃ７７．ｌ２；Ｈ６．４７：Ｎ５．ＯＯ実験値
Ｃ７７．ｌ８：Ｈ６．２８；Ｎ４．９ｌ本品をクロロ
ホルムに溶かし、希塩酸で２回振り混ぜてシンコニジン
を除く。

クロロホルム層を水洗後硫酸マグネシウムで乾燥する。
減圧下溶媒を留去すると（１）−４−ベンゾィルィンダ
ン一１−カルボン酸が〔α〕２式−６６．４ィ（Ｃ＝１
、ＭｅＯＨ）の無色油状物として得られる。元素分析値
Ｃ，７Ｈｌ４Ｏ３計算値 Ｃ７６．６７；Ｈ５．３Ｏ 実験値 Ｃ７６．２５；Ｈ５．３７ 最初の結晶を沢取した母液を減圧下濃縮し、残留物にシ
ンコニジン１．７ｔとアセトニトリル１２０ｍ１とを加
えて加温下振り混ぜたのち一夜室温に放置する。

析出結晶を沢取し、アセトニトリルから３回再結晶する
と（ｄ）−４−ベンゾイルインダン一１−カルボン酸の
シンコニジン塩が融点１８０−１８３℃、〔α〕２ｄ１
１．２（Ｃ＝１ＣＨＣ１３）の無色結晶として得られる
。元素分析値 Ｃ３６Ｃ３６Ｏ４Ｎ２ 計算値 Ｃ７７．ｌ２；Ｈ６．４７；Ｎ５．ＯＯ実験値
Ｃ７７．ｌ５；Ｈ６．４２；Ｎ４．７２本品をクロロ
ホルムに溶かし、希塩酸で２回振り混ぜてシンコニジン
を除く。

クロロホルム層を水洗後硫酸マグネシウムで乾燥する。
減圧下溶媒を留去すると（ｄ）−４−ベンゾイルインダ
ン一１−カルボン酸が〔α〕２ｄ６６．４ル（Ｃ＝１、
ＭｅＯＨ）の無色油状物として得られる。元素分析値
Ｃｌ７Ｈｌ４Ｏ３計算値 Ｃ７６．６７；Ｈ５．３Ｏ 実験値 Ｃ７６．５３；Ｈ５．３Ｏ （ｄ） ６．６ｙの４−ベンゾイルインダン一１−カル
ボン酸に２５ｍ１の塩化チオニルを加え、一夜放置した
のち減圧下過量の塩化チオニルを留去する。

残留物にエーテルを加えアンモニアガスを導入する。析
出した結晶を沢取し、水洗、乾燥したのちベンゼンから
再結晶する。４−ベンゾイルインダン一１−カルボン酸
アミドが融点１６４−１６６℃の結晶として得られる。

元素分析値 Ｃｌ７Ｈｌ５Ｏ２Ｎ 計算値 Ｃ７６．９６；Ｈ５．７Ｏ；Ｎ５．２８実験値
Ｃ７６．７８；Ｈ５．６ｌ；Ｎ５．４ｌ実施例 ２実
施例１−ｂの方法によつて得た２−（４−ベンゾイル−
１−インダニリデン）−１・３−ジチアン２．０ｒをエ
タノール２００ｍ１に溶かし氷冷する。

この溶液に塩化水素ガスを１５分間通じ、氷冷で２時間
つづいて、室温で一夜放置する。減圧下で過量の塩化水
素、溶媒を留去したのち水を加え、エーテルで抽出する
。抽出層は水洗後乾燥する。減圧下溶媒を留去して得ら
れた残留物をシリカゲルのカラムクロマトグラフイ一（
シリカゲル２００Ｐ１溶出溶媒は２．５％の酢酸エチル
を含むベンゼン溶液）で精製する。４−ベンゾイルイン
ダン一１−カルボン酸エチルエステルが油状物として得
られる。

元素分析値 ＣｌＯＨｌ８Ｏ３ 計算値 Ｃ７７．５３：Ｈ６．ｌ６ 実験値 Ｃ７７．４ｌ；Ｈ５．９７ 赤外線吸収スペクトル（ニート） １７２０ＣＴｒＬ−１ （エステルのカルボニル）１６
５０ＣｆＬ−１ （ケトンのカルボニル）実施例 ３１
・３−ジチアン３，６７を無水テトラヒドロフラン１０
０ｍ１に溶かし、窒素ガス気流中−３０℃に冷却し、か
き混ぜながらｎ−ブチルリチウムの２０％ヘキサン溶液
１０ｍ１を約２０分間かけて滴下する。

滴下終了後同温度で２時間、続いて−５℃で３０分かき
混ぜる。この溶液を再び−２０℃に冷却しかき混ぜなが
ら、８．１７の４−（ｐ−クロルベンゾイル）インダン
一１−オンを７５ｍ１の無水テトラヒドロフランに溶か
した溶液を滴下する。滴下終了後同温度で１時間かき混
ぜたのち、０℃で一夜放置する。次に減圧下で溶媒を留
去する。残留物に希塩酸を加えエーテルで抽出する。抽
出層は水、食塩水で洗つたのち乾燥する。減圧下溶媒を
留去して得られた残留物は精製することなく脱水反応を
付す。すなわち残留物を３５０ｍ１のベンゼンに溶かし
、６００ηのパラトルエンスルホン酸を加える。脱水還
流装置を使つて、脱水しながら３時間還流する。冷却後
、水、炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗う。減圧下溶
媒を留去して得た残留物は、精製することなく加水分解
する。残留物に１５０ｍ１の氷酢酸、５０ｍ１の濃塩酸
を加え、３時間還流する。減圧下溶媒を留去し、残留物
に水を加え、エーテルで抽出する。エーテル層は水洗し
たのち、＼％の炭酸ナトリウム水溶液で抽出する。抽出
層はエーテルで洗つたのち、塩酸で酸性にする。析出物
をクロロホルムで抽出し、抽出層は水洗したのち乾燥す
る。減圧下溶媒を留去して得られた残留物をベンゼン−
シクロヘキサン（３：１０）から結晶化すると、融点１
３７−１３９℃の結晶として、４−（ｐ−クロルベンゾ
イル）インダン一１−カルボン酸が得られる。元素分析
値 Ｃｌ７Ｈｌ３Ｏ３Ｃｌ計算値 Ｃ６７．８９；Ｈ４
．３６；Ｃｌｌｌ．７９実験値 Ｃ６７．６ｌ；Ｈ４．
２ｌ；Ｃｌｌｌ．９ｌノ上記で得られた４−（ｐ−クロ
ルベンゾイノ（へ）インダン一１−カルボン酸３．１ｔ
とシンコニン１．５７とをアセトン１００ｍ１に加え、
加温して溶かしたのち少量の活性炭を加えて沢過する。

▲液を一夜放冷し、さらに一夜０〜５℃に放置する。析
出結晶を沢取しアセトニトリルから再結晶すると（１）
−４−（ｐ−クロルベンゾイル）インダン一１−カルボ
ン酸のシリコニン塩が融点１９３−１９６℃、〔α〕曾
３３．６が（Ｃ＝１、ＣＨＣｌ３）の無色結晶として得
られる。元素分析値 Ｃ３６Ｈ３４Ｏ４Ｎ２Ｃｌ 計算値 Ｃ７２．７８；Ｈ５．７７；Ｎ４．７２実験値
Ｃ７２．５ｌ；Ｈ５．９２；Ｎ４．７２本品をクロロ
ホルムに溶かし、希塩酸で２回振り混ぜてシンコニンを
除く。

クロロホルム層を水洗後硫酸マグネシウムで乾燥する。
減圧下溶媒を留去し残留物にシクロヘキサンを加えて生
じた結晶を沢取する。ベンゼンとシクロヘキサンとの混
液（１：４）から再結晶すると（１）−４−（ｐ−クロ
ルベンゾイル）インダン一１−カルボン酸が融点１２１
−１２２℃、〔α〕Ｍ−６６．９酸（Ｃ＝１、ＭｅＯＨ
）の無色結晶として得られる。元素分析値 Ｃｌ７Ｈｌ
８Ｏ３Ｃｌ計算値 Ｃ６７，８９；Ｈ４．３６ 実験値 Ｃ６７．７２；Ｈ４．３３ 実施例 ４ 実施例３と同様の操作により、３．６１の１・３−ジチ
アン、１０ｍ１ｆ）ｎ−ブチルリチウムの２０％ヘキサ
ン溶液、７．５７の４−（Ｐ−メチルベンゾイル）イン
ダン一１−オンから、４−（ｐ−メチルベンゾイル）イ
ンダン一１−カルボン酸が得られる。

融点１２９．５−１３１．０℃（再結晶溶媒：ベンゼン
ーシクロヘキサン８：２５）元素分析値 Ｃ，８Ｃｌ６
Ｏ３ 計算値 Ｃ７７．ｌ２；Ｈ５．７５ 実験値 Ｃ７６．９４；Ｈ５．６ｌ 実施例 ５ 実施例３と同様の操作により、３．６Ｖの１・３ジチア
ン、１０ｍ１のｎ−ブチリルリチウムの２０％ヘキサン
溶液、８．５７の４−（ｐ−クロルｍ−メチルベンゾイ
ル）インダン一１−オンから、４−（ｐ−クロル−ｍ−
メチルベンゾイル）インダン一１−カルボン酸が得られ
る。

融点１１５．０−１１６．５℃（再結晶溶媒：ベンゼン
−シクロヘキサン３：２０）元素分析値 Ｃｌ８Ｃｌ５
Ｏ３Ｃｌ 計算値 Ｃ６８．６８；Ｈ４．８Ｏ；Ｃｌｌｌ．２７実
験値 Ｃ６８．５ｌ；Ｈ４．５９；Ｃｌｌｌ．５４実施
例 ６ 実施例３と同様の操作により、３．６７の１・３−ジチ
アン、１０ｍ１ｆ）ｎ−ブチルリチウムの２０％ヘキサ
ン溶液、７，５ｒの５−ベンゾリル一１−テトラロンか
ら、５−ベンゾイル−１・２・３・４−テトラヒトロー
１−ナフトエ酸が得られる。

融点１６４−１６５℃（再結晶溶媒：ベンゼン）元素分
析値 Ｃｌ８Ｈｌ６Ｏ３ 計算値 Ｃ７７．ｌ３；Ｈ５．７５ 実験値 Ｃ７７．ｌ５；Ｈ５．７Ｏ 実施例 ７ 実施例３と同様の操作により、３、６ｆ７の１・３一ジ
チアン、１０ｍ１ｆ）ｎ−ブチルリチウムの２０％ヘキ
サン溶液、７．９１の５−（ｐ−メチルベンゾイル）−
１−テトラロンから、５−（ｐ−メチルベンゾイル）−
１・２・３・４−テトラヒトロー１−ナフトエ酸が得ら
れる。

融点１０２−１０３℃（再結晶溶媒：シクロヘキサン）
元素分析値 Ｃｌ９Ｈｌ８Ｏ３ 計算値 Ｃ７７．５３；Ｈ６．ｌ６ 実験値 Ｃ７７．４ｌ；Ｈ５．９７ 実施例 ８ 実施例３と同様の操作により、３．６Ｖの１・３一ジチ
アン、１０ｍｅ（ｌ）ｎ−ブチルリチウムの２０％ヘキ
サン溶液、８．５ｆ７の５−（ｐ−クロルベンゾイル）
−１−テトラロンから、５−（ｐ−クロルベンゾイル）
−１・２・３・４−テトラヒトロー１−ナフトエ酸が得
られる。

融点１５２．５−１５３．５℃（再結晶溶媒：ベンゼン
ーヘキサン）元素分析値 Ｃｌ８Ｈｌ５Ｏ３Ｃｌ 計算値 Ｃ６８．６８；Ｈ４．８Ｏ：Ｃｌｌｌ．２７実
験値 Ｃ６８．７５；Ｈ４．８３；Ｃｌｌｌ。

２５実施例 ９ 実施例３と同様の操作により、３．６ｙの１・３−ジチ
アン、１０ｍ１のｎ−ブチルリチウムの２０％ヘキサン
溶液、５．３Ｖの１−オキソインダン一４−カルボン酸
メチルエステルから、インダン一１・４−ジカルボン酸
が得られる。

融点２４５．５一２４８℃（再結晶溶媒：アセトン）元
素分析値 ＣｌｌＨｌＯＯ４ 計算値 Ｃ６４．Ｏ７；Ｈ４．８９ 実験値 Ｃ６４、０５；Ｈ４．７３

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、ｎは１または２の整数を、Ａはカルボキシル基
   、低級アルコキシカルボニル基または置換基として低級
   アルキルまたはハロゲン原子を有していてもよいベンゾ
   イル基を示す。 〕で表わされる化合物を水または低級脂肪族アルコール
   の存在下に加溶媒分解することを特徴とする一般式▲数
   式、化学式、表等があります▼〔式中、ｎおよびＡは前
   記と同意義であり、Ｒは水素原子または低級アルキル基
   を示す。 〕で表わされる化合物の製造法。２ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、ｎは１または２の整数を、Ａはカルボキシル基
   、低級アルコキシカルボニル基または置換基として低級
   アルキルまたはハロゲン原子を有していてもよいベンゾ
   イル基を示す。 〕で表わされる化合物と１・３−ジチアンとを塩基の存
   在下で反応させ、生成する一般式▲数式、化学式、表等
   があります▼ 〔式中、ｎおよびＡは前記と同意義。 〕で表わされる化合物を脱水し、生成する一般式▲数式
   、化学式、表等があります▼ 〔式中、ｎおよびＡは前記と同意義。 〕で表わされる化合物を水または低級脂肪族アルコール
   の存在下に加溶媒分解することを特徴とする一般式▲数
   式、化学式、表等があります▼〔式中、ｎおよびＡは前
   記と同意義であり、Ｒは水素原子または低級アルキル基
   を示す。 〕で表わされる化合物の製造法。