JPS5914662A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5914662A JPS5914662A JP57123340A JP12334082A JPS5914662A JP S5914662 A JPS5914662 A JP S5914662A JP 57123340 A JP57123340 A JP 57123340A JP 12334082 A JP12334082 A JP 12334082A JP S5914662 A JPS5914662 A JP S5914662A
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- Japan
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- semiconductor device
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ＳＺ基板上にスイッチング用トランジスタ回路をマトリ
クス状に形成し、該基板上尾液晶を載置して成る半導体
表示装置において、該基板形成にあたシ動作するスイッ
チング用トランジスタ以外の領域に４０ポリシリコン層
を形成することを特徴としている。
クス状に形成し、該基板上尾液晶を載置して成る半導体
表示装置において、該基板形成にあたシ動作するスイッ
チング用トランジスタ以外の領域に４０ポリシリコン層
を形成することを特徴としている。
上記半導体装置において、表面よ）光が大黒した場合、
半導体中に多量の自由電子が発生し、トランジスタの接
合部まで拡散し接合のリーク電流とな、：工、。・この
リーク電流は容量デバイスとしての上記半導体装置には
致命的なものである、表示コントラストを減少させる原
因となっていた。従来このリーク電流を減少させる方法
として１、先入黒部にボロン、リン等のストッパーを高
濃度（Ｉｌｌ”・Ａｏｏｍｓ／ｃｍ” ）で拡散する。
半導体中に多量の自由電子が発生し、トランジスタの接
合部まで拡散し接合のリーク電流とな、：工、。・この
リーク電流は容量デバイスとしての上記半導体装置には
致命的なものである、表示コントラストを減少させる原
因となっていた。従来このリーク電流を減少させる方法
として１、先入黒部にボロン、リン等のストッパーを高
濃度（Ｉｌｌ”・Ａｏｏｍｓ／ｃｍ” ）で拡散する。
２、半導体基板の表面１０〜１５μｍ以下に結晶欠陥層
を形成する（イントリンシックゲタリング） があった。しかしながら第１図に示す様に、この方法で
も接合リーク電流を減少させるに充分ではなかったー。
を形成する（イントリンシックゲタリング） があった。しかしながら第１図に示す様に、この方法で
も接合リーク電流を減少させるに充分ではなかったー。
本発明による半導体装置の単位回路を第２図に示す。通
常の半導体装置はパッケージに封入されるため光が半導
体基板に到達することはなく、光電流は問題にならない
。しかし本発明にかかる半導体装置は液晶表示を行なう
ため、必ず半導体基板に光が照射される。したがって半
導体基板を用いて液晶を駆動するとき、光電流は本質的
に不可避である。第２図のＭＯＳ）ランジスタのドレイ
ンに光電流が生じると、コンデンサに蓄積された電荷が
基板忙流れ込むため、コンデンサは規定の電圧を維持で
きなくなシミ圧が低下する。
常の半導体装置はパッケージに封入されるため光が半導
体基板に到達することはなく、光電流は問題にならない
。しかし本発明にかかる半導体装置は液晶表示を行なう
ため、必ず半導体基板に光が照射される。したがって半
導体基板を用いて液晶を駆動するとき、光電流は本質的
に不可避である。第２図のＭＯＳ）ランジスタのドレイ
ンに光電流が生じると、コンデンサに蓄積された電荷が
基板忙流れ込むため、コンデンサは規定の電圧を維持で
きなくなシミ圧が低下する。
この結果、液晶の駆動が不充分となシ、ついには画像が
消えてしまう。このよう紀元電流は画像表示の品質に重
大な影響を及はす。本発明では、この光電流を一層減少
させる方法に関するものである。
消えてしまう。このよう紀元電流は画像表示の品質に重
大な影響を及はす。本発明では、この光電流を一層減少
させる方法に関するものである。
本発明による素子の構造の一例を第３図に示す。
まず、Ｎ型ＳＺ単結晶基板に既存の方法によシ、インド
リシックゲッタリング処理を行なう。次忙、既存の熱拡
散によりｐ層（ストッパ）を形成する。
リシックゲッタリング処理を行なう。次忙、既存の熱拡
散によりｐ層（ストッパ）を形成する。
次に、上記Ｐ層と一致してポリシリコン層を形成する。
さらにゲート金属を形成し、熱拡散によシ＋
Ｎ層（ソース、ドレイン）を形成し最後に遮光板を載置
して表示素子は形成される。
して表示素子は形成される。
本発明によるポリシリコン膜厚と光電流の関係を第４図
に示す。ポリシリコン膜厚が増加すると光電流は減少す
るが、０．５μで所期の目的をほぼ達成する。
に示す。ポリシリコン膜厚が増加すると光電流は減少す
るが、０．５μで所期の目的をほぼ達成する。
第１図は光電流量と各処理の相関図。第２図は表示素子
の単位回路図。第３図は表示素子の断面図。第４図は光
電流量と４０ ｐｏｌｙ−８ｉ膜Ｊ７との相関図。 α：ストツパ拡散品 ｂ：ストッパ拡に’ｌ 、 イツ
トリンシックゲッタリング品 Ｃ：ストッパ拡散、イン
トリンシックゲッタリン・グボリシリコン形成品 ｄ：
Ｍｏ２）ランジスタ ｅ：抵′抗 ｆ：容量 σ：ｉ晶
ｈ：遮光板 ｉ：ストッパ拡散層 ｊ：ポリシリコン
層 ｋ：トランジスタのドレイン ｉ：イントリンシッ
クゲッタリングによシ形成された無欠陥層 Ｗ：イント
リンシックゲッタリングにより形成された欠陥層 ｎ：
トランジスタのゲート。 以 −り 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 第１図 ｇ２図 第３図 二 、ｏｒ、５Ｉｑｋｌ 第４図
の単位回路図。第３図は表示素子の断面図。第４図は光
電流量と４０ ｐｏｌｙ−８ｉ膜Ｊ７との相関図。 α：ストツパ拡散品 ｂ：ストッパ拡に’ｌ 、 イツ
トリンシックゲッタリング品 Ｃ：ストッパ拡散、イン
トリンシックゲッタリン・グボリシリコン形成品 ｄ：
Ｍｏ２）ランジスタ ｅ：抵′抗 ｆ：容量 σ：ｉ晶
ｈ：遮光板 ｉ：ストッパ拡散層 ｊ：ポリシリコン
層 ｋ：トランジスタのドレイン ｉ：イントリンシッ
クゲッタリングによシ形成された無欠陥層 Ｗ：イント
リンシックゲッタリングにより形成された欠陥層 ｎ：
トランジスタのゲート。 以 −り 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士最 上 務 第１図 ｇ２図 第３図 二 、ｏｒ、５Ｉｑｋｌ 第４図
Claims (1)
- 半導体基板上に表示素子または受光素子を形成するにあ
たシ、該素子の非動作領域にポリシリコン層を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123340A JPS5914662A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57123340A JPS5914662A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5914662A true JPS5914662A (ja) | 1984-01-25 |
Family
ID=14858138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57123340A Pending JPS5914662A (ja) | 1982-07-15 | 1982-07-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5914662A (ja) |
-
1982
- 1982-07-15 JP JP57123340A patent/JPS5914662A/ja active Pending
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