JPS59150434A - 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS59150434A JPS59150434A JP58017391A JP1739183A JPS59150434A JP S59150434 A JPS59150434 A JP S59150434A JP 58017391 A JP58017391 A JP 58017391A JP 1739183 A JP1739183 A JP 1739183A JP S59150434 A JPS59150434 A JP S59150434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- wire bonding
- mounting
- porous
- ambient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体チップのマウントあるいはワイヤボンデ
ィングに於いて使用される、ガス雰囲気を改良した半導
体装置の製造方法及び半導体製造装置に関する。１ 〔発明の技術的背景とその問題点〕 半導体チップをリードフレームに半田により固着する場
合は、半田を溶解させるためそのマウント部を２５０〜
４００ ’Ｏ程度まで加熱することが必要いてマウント
部を非酸化性あるいは還元性の雰囲気中に保つことが多
い。また半導体チップとリードフレームのリードとを金
細線を熱圧着させて接続する場合にも、そのワイヤボン
ディング部を２００〜３５０ ’Ｏに加熱する必要があ
り、同様にワイヤボンディング部を非酸化性あるいは還
元性の雰囲気（以下ガス雰囲気と称す）で保つことが多
い。
ィングに於いて使用される、ガス雰囲気を改良した半導
体装置の製造方法及び半導体製造装置に関する。１ 〔発明の技術的背景とその問題点〕 半導体チップをリードフレームに半田により固着する場
合は、半田を溶解させるためそのマウント部を２５０〜
４００ ’Ｏ程度まで加熱することが必要いてマウント
部を非酸化性あるいは還元性の雰囲気中に保つことが多
い。また半導体チップとリードフレームのリードとを金
細線を熱圧着させて接続する場合にも、そのワイヤボン
ディング部を２００〜３５０ ’Ｏに加熱する必要があ
り、同様にワイヤボンディング部を非酸化性あるいは還
元性の雰囲気（以下ガス雰囲気と称す）で保つことが多
い。
ガス雰囲気を形成する方法はマウント装置とワイヤボン
ディング装置とではほとんど同じであるので、以後ワイ
ヤボンブイラグ装置を例にとって説明する。第１図（ａ
）にその−例を示す。ヒータプロック１上にリードフレ
ーム２が載置されており、押きえ板３によりリードフレ
ーム２はヒータブロック１に押圧されている。リードフ
レーム２上に半冑体チップ４が固着されており、その上
方にはキャピラリ６が移動自在に配置されている。ヒー
タブロック１に設けられた穴に、電源に′接続゛された
ヒータ７が挿入されており、このヒータ７によりヒータ
フロック１が加熱され、とのヒータブロック１により、
リー ドフレーム２や半導体チップ４が加熱される。ワ
イヤボンディング部すなわち半Ｗ体チッフ４周辺部の側
上方にパイプ５が配置されている。なおキャピラリ等の
駆動機構は省略（た。本装置においては、パイプ５に加
熱されたガスを供給し、その先端部よりカスをワイヤボ
ンディング部に吹付けて、ガス雰囲気を形成する。
ディング装置とではほとんど同じであるので、以後ワイ
ヤボンブイラグ装置を例にとって説明する。第１図（ａ
）にその−例を示す。ヒータプロック１上にリードフレ
ーム２が載置されており、押きえ板３によりリードフレ
ーム２はヒータブロック１に押圧されている。リードフ
レーム２上に半冑体チップ４が固着されており、その上
方にはキャピラリ６が移動自在に配置されている。ヒー
タブロック１に設けられた穴に、電源に′接続゛された
ヒータ７が挿入されており、このヒータ７によりヒータ
フロック１が加熱され、とのヒータブロック１により、
リー ドフレーム２や半導体チップ４が加熱される。ワ
イヤボンディング部すなわち半Ｗ体チッフ４周辺部の側
上方にパイプ５が配置されている。なおキャピラリ等の
駆動機構は省略（た。本装置においては、パイプ５に加
熱されたガスを供給し、その先端部よりカスをワイヤボ
ンディング部に吹付けて、ガス雰囲気を形成する。
Ｌ、かしキャピラリ６に、ワイヤボンディング部付近を
自由自在に移動できるようＶこしておく必敷があるため
、パイプ５をワイヤボンディング部にあまり近づけるこ
とはできず、この方法ではパイプ５をカス雰囲気形成の
だめの最適位置に配置するととが困難である。さらにキ
ャピラリ６と）ζイブ５とが近接するため、キャピラリ
６の取り換えに支障をきたす場合があった。
自由自在に移動できるようＶこしておく必敷があるため
、パイプ５をワイヤボンディング部にあまり近づけるこ
とはできず、この方法ではパイプ５をカス雰囲気形成の
だめの最適位置に配置するととが困難である。さらにキ
ャピラリ６と）ζイブ５とが近接するため、キャピラリ
６の取り換えに支障をきたす場合があった。
第１図（ｂ）に他の例を示す。ヒータブロック８にガス
パイプ１３が設けられている。押さえ板１（）にはガス
が通る穴１２が形成されており、その上部しこはガスの
流路を変える遮蔽板１１が設けられている。その他の部
分は第１図（ａ）と同じであるので説明を省略する。ガ
スをガスパイプ１；３に供給すると、そのガスは加熱さ
れ、リードフレーム２ｒ山 のすき川を通りぬけ、穴１２を通り遮蔽板１１により流
路を変えられて、ワイヤボンライング部に吹き出し、ガ
ス雰囲気を形成する。しかしこの方法では半導体チップ
４が大きくなりガス１′グ囲気を形成すべき部分が拡が
ると所望のガス雰囲気を（ｉるのが難しくなる。特にリ
ードフレーム２表面の押さえ板１０により棲われていな
い部分の大きさ口 が７〜８龍件以上になると、所望のガス雰囲気を得るの
に大きな支障が生じる。
パイプ１３が設けられている。押さえ板１（）にはガス
が通る穴１２が形成されており、その上部しこはガスの
流路を変える遮蔽板１１が設けられている。その他の部
分は第１図（ａ）と同じであるので説明を省略する。ガ
スをガスパイプ１；３に供給すると、そのガスは加熱さ
れ、リードフレーム２ｒ山 のすき川を通りぬけ、穴１２を通り遮蔽板１１により流
路を変えられて、ワイヤボンライング部に吹き出し、ガ
ス雰囲気を形成する。しかしこの方法では半導体チップ
４が大きくなりガス１′グ囲気を形成すべき部分が拡が
ると所望のガス雰囲気を（ｉるのが難しくなる。特にリ
ードフレーム２表面の押さえ板１０により棲われていな
い部分の大きさ口 が７〜８龍件以上になると、所望のガス雰囲気を得るの
に大きな支障が生じる。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、マウント
部あるいはワイヤボンディング部のガス雰囲気を均一と
した＃溝体装置の製造方法及び半？−ＩＶ、体製造装置
、を提供することを目的とする。
部あるいはワイヤボンディング部のガス雰囲気を均一と
した＃溝体装置の製造方法及び半？−ＩＶ、体製造装置
、を提供することを目的とする。
〔づダミ飄明のイ既、、νうぜ 」
加熱部材の一千ｍ）に、ガスを透通さぜ′る多孔性ガス
放散ｒ＋ｌＬ材を設け、これに非酸化性あるいは還元性
のガスを供給し、カスを放散させてマウント部まだはワ
イヤボンディング部にガス雰囲気を形成する。このガス
雰囲気中にてマウントｉたはワイヤボンディングを行う
。
放散ｒ＋ｌＬ材を設け、これに非酸化性あるいは還元性
のガスを供給し、カスを放散させてマウント部まだはワ
イヤボンディング部にガス雰囲気を形成する。このガス
雰囲気中にてマウントｉたはワイヤボンディングを行う
。
カス放散部材は所定の孔数を有する多孔性物質その孔が
ふさがれてしま、う恐れがあり、所望のガス雰囲気を形
成することが困難となるためである。
ふさがれてしま、う恐れがあり、所望のガス雰囲気を形
成することが困難となるためである。
第２図に本発明の一実施例に係るワイヤボンディング装
置を示す。ヒータブロック１５の表面部に多孔１＝１．
の焼結合金で作られたガス放散部材１６ガ配置されてい
る゛。このガス放散部材１６にはカス供給管１７が接続
されており、その接続部においてガス供給管１７は、ガ
ス放散部材１６に一様にガスを供給するため拡がってい
る。その他の部分は紀１図（ａ）と同じであるのでｉＲ
１明を省略する。なお第２図（ｂ）においてはキャピラ
リを省略（−２だ。ガス供給管１７に供給きれたガスｔ
」、ヒータブロック１５で加熱孕れた後、ガス放散部材
１６を通過し、リードフレーム２のずきまよりワイヤボ
ンディング部へ放出される。
置を示す。ヒータブロック１５の表面部に多孔１＝１．
の焼結合金で作られたガス放散部材１６ガ配置されてい
る゛。このガス放散部材１６にはカス供給管１７が接続
されており、その接続部においてガス供給管１７は、ガ
ス放散部材１６に一様にガスを供給するため拡がってい
る。その他の部分は紀１図（ａ）と同じであるのでｉＲ
１明を省略する。なお第２図（ｂ）においてはキャピラ
リを省略（−２だ。ガス供給管１７に供給きれたガスｔ
」、ヒータブロック１５で加熱孕れた後、ガス放散部材
１６を通過し、リードフレーム２のずきまよりワイヤボ
ンディング部へ放出される。
ガス放散部材１６には非常に多数の穴があるためガスは
ワイヤボンディング部の全面に１１ぼ一様に放出され、
良好なカス雰囲気を得ることができる。また同時に半導
体チップやリードフレームの形や太−きさに変更があっ
た場合でも、ワイヤボンディング部の大きさがガス放散
部材よりも大きくならない限り、同一装置で対応できる
。
ワイヤボンディング部の全面に１１ぼ一様に放出され、
良好なカス雰囲気を得ることができる。また同時に半導
体チップやリードフレームの形や太−きさに変更があっ
た場合でも、ワイヤボンディング部の大きさがガス放散
部材よりも大きくならない限り、同一装置で対応できる
。
本実施例においてはワイヤボンディングを行う場合を示
したが、本発明はマウントを行う場合にも適用できる。
したが、本発明はマウントを行う場合にも適用できる。
またガス放散部材の材料は耐熱性・′・）ある多孔性物
質であればよく、焼結合金に限らない。
質であればよく、焼結合金に限らない。
〔５ｉｌ′ｉ明の効果〕
本発明によればマウント部あるいはワイヤボンフィング
部に均一な非酸化性丑たは還元性の雰囲気を形成するこ
とができ、リードフレームや半田等の［ｖ化を防止でき
る。またそのだめの装置の構造は従来のものに比べ簡略
化されており、装置製作が容易である。
部に均一な非酸化性丑たは還元性の雰囲気を形成するこ
とができ、リードフレームや半田等の［ｖ化を防止でき
る。またそのだめの装置の構造は従来のものに比べ簡略
化されており、装置製作が容易である。
；；’に Ｉレイ自ａ） 、 （ｂ）は従来のワイヤボ
ンディング装佑′ケ示す断１１１１図、第２図（ａＪ
＆ｉ、本発明の一実施例を示ｊ−ｋＪｉ面図、Ｈ３２図
（ｂ）はその平面図である。 １．８．ｉ５・・・ヒートプロリフ、６・・・キャピラ
リ、２・・リードフレーム、４・・・半轡体チッゾ１６
・・カス放散部材。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 電 １６ ＼ り ｔｂ＋ ′ｆ ｚ 図 （ｃＬ λ （ｂン ７／乙 ７・′ ４−／
ンディング装佑′ケ示す断１１１１図、第２図（ａＪ
＆ｉ、本発明の一実施例を示ｊ−ｋＪｉ面図、Ｈ３２図
（ｂ）はその平面図である。 １．８．ｉ５・・・ヒートプロリフ、６・・・キャピラ
リ、２・・リードフレーム、４・・・半轡体チッゾ１６
・・カス放散部材。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名） 電 １６ ＼ り ｔｂ＋ ′ｆ ｚ 図 （ｃＬ λ （ｂン ７／乙 ７・′ ４−／
Claims (2)
- （１）−主面を廟する加熱部材の前記主面に、ガスを透
過させる多孔性ガ、ス放散部材を設け°、この多孔性ガ
ス放散部材にガスを供給し、放散きれたガスにより前記
多孔性ガス放散部材の近傍にガス雰囲気を作り、このガ
ス雰囲気中にて半２＃、体のマウントまたはワイヤボン
ディングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法
。 - （２）−主面を有する加熱部材と、前記主面に設けられ
、カスを透過させる多孔性ガス放散部利と、この多孔性
ガス放散部材へのガス供給手段と、前記多孔付ガス放散
部材の近傍に配置されたマウント装置またはワイヤボン
ディング装置とを具備することを特徴とする半導体製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017391A JPS59150434A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58017391A JPS59150434A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59150434A true JPS59150434A (ja) | 1984-08-28 |
Family
ID=11942693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58017391A Pending JPS59150434A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59150434A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253824A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-11 | Toshiba Corp | 半導体素子の組立方法 |
| JPS649629A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Method for supplying and compressing solder |
| WO2002009156A1 (en) * | 2000-07-21 | 2002-01-31 | Temptronic Corporation | Temperature-controlled thermal platform for automated testing |
| US7810703B2 (en) * | 2004-04-01 | 2010-10-12 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Wire bonding method |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP58017391A patent/JPS59150434A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253824A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-11 | Toshiba Corp | 半導体素子の組立方法 |
| JPS649629A (en) * | 1987-07-01 | 1989-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | Method for supplying and compressing solder |
| WO2002009156A1 (en) * | 2000-07-21 | 2002-01-31 | Temptronic Corporation | Temperature-controlled thermal platform for automated testing |
| US6744270B2 (en) | 2000-07-21 | 2004-06-01 | Temptronic Corporation | Temperature-controlled thermal platform for automated testing |
| US6867611B2 (en) | 2000-07-21 | 2005-03-15 | Temptronic Corporation | Temperature-controlled thermal platform for automated testing |
| US7810703B2 (en) * | 2004-04-01 | 2010-10-12 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Wire bonding method |
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