JPS5915942A - 電子写真用多層構造セレン・テルル感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真用多層構造セレン・テルル感光体の製造方法Info
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- JPS5915942A JPS5915942A JP12544282A JP12544282A JPS5915942A JP S5915942 A JPS5915942 A JP S5915942A JP 12544282 A JP12544282 A JP 12544282A JP 12544282 A JP12544282 A JP 12544282A JP S5915942 A JPS5915942 A JP S5915942A
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- Japan
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- tellurium
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- temperature
- selenium
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は機能分離型のセレン・テルル感光体の製造方法
に関する。
に関する。
電子写真用感光体として光導電材料としてセレンを主体
とした合金からなる感光層を導電性基板上に形成したも
のが、複写機をはじめとして＠払い分野で用いられて（
・る。最近この穐の感光体にお℃・て、％にその複写サ
イクルの繰返しによる特性変動、すなわち疲労現象と呼
ばれる残留電位の上昇、帯！ １．位の低下を少なくす
ることおよびその温度特性を改良する目的で光によりキ
ャ＋）ヤを発生する層Ｃ重荷発生）＠ｔたはＣＧＬ）と
発生したキャリア中の正孔が移動する層（ ｆｉｔ ａ
ｒ移動層寸たはＣＴＬ ）とを分離したいわゆる機能分
離型の多ｌＩａ感光体が一般的になって℃・ｚンｃこの
ような積層された感光層を形成するには． ＣＴＬとし
て働く第一層の蒸発が終了した後、真空蒸着槽の真空状
態を破壊し、さら釦改めて第二層であるＣＧＬを蒸着す
る方法、あるいはＣＴＬおよびＣＧＬの両層の蒸発源を
蒸着槽内に並置し、各蒸発源の上部にシャッタ機構を備
え、一方の蒸発源のンヤ，りを閉じて他方の蒸発源によ
る蒸着を行う方法が知られて℃・る。しかしながら、こ
れらの技術においては、例えば前者の場合、蒸着時間の
増加および真壁状態を破ることによる表面状態の悪化九
伴う表面欠陥の発生の問題があり，後者の場合には蒸着
槽内に設けたシャッタ機構へのセレンの付着、再蒸発に
よる感光層表面の欠陥の増加を防止することは極めて困
難である。
とした合金からなる感光層を導電性基板上に形成したも
のが、複写機をはじめとして＠払い分野で用いられて（
・る。最近この穐の感光体にお℃・て、％にその複写サ
イクルの繰返しによる特性変動、すなわち疲労現象と呼
ばれる残留電位の上昇、帯！ １．位の低下を少なくす
ることおよびその温度特性を改良する目的で光によりキ
ャ＋）ヤを発生する層Ｃ重荷発生）＠ｔたはＣＧＬ）と
発生したキャリア中の正孔が移動する層（ ｆｉｔ ａ
ｒ移動層寸たはＣＴＬ ）とを分離したいわゆる機能分
離型の多ｌＩａ感光体が一般的になって℃・ｚンｃこの
ような積層された感光層を形成するには． ＣＴＬとし
て働く第一層の蒸発が終了した後、真空蒸着槽の真空状
態を破壊し、さら釦改めて第二層であるＣＧＬを蒸着す
る方法、あるいはＣＴＬおよびＣＧＬの両層の蒸発源を
蒸着槽内に並置し、各蒸発源の上部にシャッタ機構を備
え、一方の蒸発源のンヤ，りを閉じて他方の蒸発源によ
る蒸着を行う方法が知られて℃・る。しかしながら、こ
れらの技術においては、例えば前者の場合、蒸着時間の
増加および真壁状態を破ることによる表面状態の悪化九
伴う表面欠陥の発生の問題があり，後者の場合には蒸着
槽内に設けたシャッタ機構へのセレンの付着、再蒸発に
よる感光層表面の欠陥の増加を防止することは極めて困
難である。
本発明の目的は、このような従来の多層蒸着の欠点を除
去し、表面欠陥が少なくかつサイクル特性の極めてすぐ
れた感光体の製造方法を呈示することにある。
去し、表面欠陥が少なくかつサイクル特性の極めてすぐ
れた感光体の製造方法を呈示することにある。
この目的は、異なる組成を有する板数のセレン・テルル
合金層を基体上に核層するためＫ、一つの真９蒸着槽内
に各組成のセレン・テルル合金の蒸発源を並置し、蒸着
すべき層に対応する蒸発源以外の蒸発源の温度を２００
〜３００℃の範囲に保ちなカラ順次蒸着を行うことＫよ
って達成きれる。
合金層を基体上に核層するためＫ、一つの真９蒸着槽内
に各組成のセレン・テルル合金の蒸発源を並置し、蒸着
すべき層に対応する蒸発源以外の蒸発源の温度を２００
〜３００℃の範囲に保ちなカラ順次蒸着を行うことＫよ
って達成きれる。
以下図を引用し、本発明の実施例と比較例につ（・て説
明する。第１ ［＝？ｌは実施例と比較例のための装置
を示し、円筒状真空槽１の軸方向に配置された円柱状支
持軸２の上ＫＧ光体の４１１性基体（基板）３が取り付
けられ、支持軸２の内部に設けられた温調系（レーク、
水！たけ液体温調）により一定温度に保たれる 基体３
の下方には第一層および第二層用として二つの蒸発源４
，５が位置する。
明する。第１ ［＝？ｌは実施例と比較例のための装置
を示し、円筒状真空槽１の軸方向に配置された円柱状支
持軸２の上ＫＧ光体の４１１性基体（基板）３が取り付
けられ、支持軸２の内部に設けられた温調系（レーク、
水！たけ液体温調）により一定温度に保たれる 基体３
の下方には第一層および第二層用として二つの蒸発源４
，５が位置する。
蒸発源４，５の上に設けられたシャッタ６．７は比較例
のためのもので本発明の実施例には使用されな℃・ 。
のためのもので本発明の実施例には使用されな℃・ 。
実施例１：
鏡面仕上げを施された直径１２０ｍｍ長さ２８８ｍｍの
アルミニウム製ドラムを硝酸溶液にて酸化処理を行なっ
た後、第１図の装纏内の支持ｉＩ ２ Ｋ設置し、その
温度を６５℃に保持した。蒸発像４には、１’ｅ５ ｗ
ｔ ％のＳｅ／Ｔｅ合金を粒状化したものを１５００ｇ
。
アルミニウム製ドラムを硝酸溶液にて酸化処理を行なっ
た後、第１図の装纏内の支持ｉＩ ２ Ｋ設置し、その
温度を６５℃に保持した。蒸発像４には、１’ｅ５ ｗ
ｔ ％のＳｅ／Ｔｅ合金を粒状化したものを１５００ｇ
。
また、蒸発源５には１３．５ｗｔ％のＳｅ／Ｔｅ合金を
５００ｇ入れ、−）ず蒸発源４の温度を３４０’Ｃ，蒸
発源５の温度を２５０℃に保持し、約４０分第一層の蒸
着を行なった後蒸発源４０幅度を１け２５０″Ｃｒ保持
すると同時に蒸発体５の温度を３５０’Ｃ上昇せしめ約
２０分間然着を行なった後に真空槽から耳ｙり出してそ
の電、気特性及び外観、画像特性をチｘｙりした〇実施
例２： 実施例１にお℃・て第一層のＳｅ／Ｔｅ合金の濃度を２
．０ｗｔ％にしたこと以外はすべて同様の条件にて製造
を行なったものである。
５００ｇ入れ、−）ず蒸発源４の温度を３４０’Ｃ，蒸
発源５の温度を２５０℃に保持し、約４０分第一層の蒸
着を行なった後蒸発源４０幅度を１け２５０″Ｃｒ保持
すると同時に蒸発体５の温度を３５０’Ｃ上昇せしめ約
２０分間然着を行なった後に真空槽から耳ｙり出してそ
の電、気特性及び外観、画像特性をチｘｙりした〇実施
例２： 実施例１にお℃・て第一層のＳｅ／Ｔｅ合金の濃度を２
．０ｗｔ％にしたこと以外はすべて同様の条件にて製造
を行なったものである。
比較例：
実施例１と全く同様な材料を用いて蒸着を行ったもので
あるが、その蒸着制御方法としては、シャッタ６を開き
シャッタ７を閉じて蒸発源４の温度を３４０℃として第
一層の蒸着を終えた後、シャッタを開放して蒸発源５の
温度を３５０℃として第二層の蒸着を行った。
あるが、その蒸着制御方法としては、シャッタ６を開き
シャッタ７を閉じて蒸発源４の温度を３４０℃として第
一層の蒸着を終えた後、シャッタを開放して蒸発源５の
温度を３５０℃として第二層の蒸着を行った。
以上の実施例および比較例により得られた感光体の電気
特性、外観および画像特性の結果を第１表に示１゜各側
におｔ゛て試料数はｎ＝５０ で画像テストのみその
内よりｎ＝１０ Ｋつ℃゛て実施したものである。
特性、外観および画像特性の結果を第１表に示１゜各側
におｔ゛て試料数はｎ＝５０ で画像テストのみその
内よりｎ＝１０ Ｋつ℃゛て実施したものである。
第１表
第１表におし・てｖ８は表面１．位（Ｖ）の平均値、Ｅ
３Ａは半減衰露光ｉ（υ・５ｅｅ）の平均値、画像テス
トにおける評価法は第２表の通りである０第２表 第１表において、雷、気特性については平均１１１−１
欅準偏差σともにほぼ同等の結果を示しているか、外観
および画像テストにっ℃・ては実施例と比較例との間に
明らかに壱意差が認められる。このように本発明により
表面欠陥を低減できる理由は、蒸着すべき層に対応する
もの以外の蒸発源の温度をＳｅ／Ｔｅ合金の真空蒸気圧
１０’＜対応−ｊる温度。５゜℃に近い２００ ’Ｃ以
上に保持することによってその蒸着層へのＳｅ／Ｔｅ合
金の付着が防止され、再蒸発による感光層表面への欠陥
の生成が防止されることＶｒする。しかしこの保持温度
か３００ ’Ｃを超えると感光体への熱放射の影響によ
り蒸着層の結晶化等が生じ好甘しくない・ 上述のように本発明は、多層構造を南するセレハテルル
感光体の蒸着工程において、当面の蒸清涼以外の蒸着源
の温度を２００〜３００℃の範囲に保持することによっ
て感光層表面に対する悪影響を除くもので、途中で真空
状態を破る必碧なく、甘たシャッタなとの複維な機構を
持込む必要もなく、蒸着源の温度制御だけによって感光
体の製造歩留りの向上を図ることができる。勿論本発明
は２層構造に限定されることなく３層以上の多層構造を
有する感光体に対しても適用することが可能であり、そ
の効果は極めて大きい。
３Ａは半減衰露光ｉ（υ・５ｅｅ）の平均値、画像テス
トにおける評価法は第２表の通りである０第２表 第１表において、雷、気特性については平均１１１−１
欅準偏差σともにほぼ同等の結果を示しているか、外観
および画像テストにっ℃・ては実施例と比較例との間に
明らかに壱意差が認められる。このように本発明により
表面欠陥を低減できる理由は、蒸着すべき層に対応する
もの以外の蒸発源の温度をＳｅ／Ｔｅ合金の真空蒸気圧
１０’＜対応−ｊる温度。５゜℃に近い２００ ’Ｃ以
上に保持することによってその蒸着層へのＳｅ／Ｔｅ合
金の付着が防止され、再蒸発による感光層表面への欠陥
の生成が防止されることＶｒする。しかしこの保持温度
か３００ ’Ｃを超えると感光体への熱放射の影響によ
り蒸着層の結晶化等が生じ好甘しくない・ 上述のように本発明は、多層構造を南するセレハテルル
感光体の蒸着工程において、当面の蒸清涼以外の蒸着源
の温度を２００〜３００℃の範囲に保持することによっ
て感光層表面に対する悪影響を除くもので、途中で真空
状態を破る必碧なく、甘たシャッタなとの複維な機構を
持込む必要もなく、蒸着源の温度制御だけによって感光
体の製造歩留りの向上を図ることができる。勿論本発明
は２層構造に限定されることなく３層以上の多層構造を
有する感光体に対しても適用することが可能であり、そ
の効果は極めて大きい。
第１図は本発明の実施例と比較例のための真空蒸着装置
のｔｈｅ断面図である。 １・・真空槽、３・・・基体、４，５・・・蒸発源。 第１図
のｔｈｅ断面図である。 １・・真空槽、３・・・基体、４，５・・・蒸発源。 第１図
Claims (1)
- １）異なる組成を有する複数のセレン・テルル金層を基
体上に積層するに際し，一つの真空蒸着槽内に各組成の
セレン・テルル合金の蒸発源を並置し、蒸着すべき層に
対応する蒸発源以外の蒸発源の温度を２００〜３００℃
の範囲に保ちながら順次蒸着を行うことを特徴とする宙
，子写真用多層構造セレン・テルル感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12544282A JPS5915942A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 電子写真用多層構造セレン・テルル感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12544282A JPS5915942A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 電子写真用多層構造セレン・テルル感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5915942A true JPS5915942A (ja) | 1984-01-27 |
| JPH0216913B2 JPH0216913B2 (ja) | 1990-04-18 |
Family
ID=14910186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12544282A Granted JPS5915942A (ja) | 1982-07-19 | 1982-07-19 | 電子写真用多層構造セレン・テルル感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915942A (ja) |
-
1982
- 1982-07-19 JP JP12544282A patent/JPS5915942A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0216913B2 (ja) | 1990-04-18 |
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