JPS59185694A - 光記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
- G11B7/245—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing a polymeric component
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
■ 発明の背景
技術分野
本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体
に関する。
に関する。
先行技術
光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッドが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が行
われている。
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が行
われている。
このような光記録媒体のうち、暗室による画像処理が不
要である等の点で、ヒートモート光記録媒体の開発が活
発になっている。
要である等の点で、ヒートモート光記録媒体の開発が活
発になっている。
このヒートモードの光記録媒体は、記録光を熱として利
用する光記録媒体であり、その1例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピントと称
される小穴を形成して書き込みを行い、このピットによ
り情報を記録し、このピットを読み出し光で検出して読
み出しを行うものがある。
用する光記録媒体であり、その1例として、レーザー等
の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピントと称
される小穴を形成して書き込みを行い、このピットによ
り情報を記録し、このピットを読み出し光で検出して読
み出しを行うものがある。
そして、このようなピット形成型の媒体の1例として、
基体上に、光吸収色素からなる記録層を設層して、色素
を融解してピントを形成するものや、ニトロセルロース
等の自己酸化性の樹脂と光吸収色素とを含む記録層を設
層し、ニトロセルロース等を分解させピットを形成する
ものや、熱可塑性樹脂と光吸収色素とからなる記録層を
塗設し、樹脂および色素を融解してピットを形成するも
のなどが知られている。
基体上に、光吸収色素からなる記録層を設層して、色素
を融解してピントを形成するものや、ニトロセルロース
等の自己酸化性の樹脂と光吸収色素とを含む記録層を設
層し、ニトロセルロース等を分解させピットを形成する
ものや、熱可塑性樹脂と光吸収色素とからなる記録層を
塗設し、樹脂および色素を融解してピットを形成するも
のなどが知られている。
しかし、このような媒体では、保存によって、色素がマ
イグレーションして、基体中に混入したり、再凝集、再
結晶したり、ブリートアウトを生じて、書き込み感度が
低下したり、読み出しのS/N比が低下したりする不都
合がある。 特に、記録後の高温保存による読み出しの
S/N比の低下はきわめて大きい。
イグレーションして、基体中に混入したり、再凝集、再
結晶したり、ブリートアウトを生じて、書き込み感度が
低下したり、読み出しのS/N比が低下したりする不都
合がある。 特に、記録後の高温保存による読み出しの
S/N比の低下はきわめて大きい。
II 発明の目的
本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、保存性、特に記録後の高温下での
保存性が向上した光記録媒体を提供することにある。
、その主たる目的は、保存性、特に記録後の高温下での
保存性が向上した光記録媒体を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち第1の発明は、
色素の重合体またはその組成物からなる記録層を基体上
に有することを特徴とする光記録媒体である。
に有することを特徴とする光記録媒体である。
さらに第2の発明は、
色素の重合体またはその組成物からなり、さらにクエン
チャ−が添加されてなる記録層を基体上に有することを
特徴とする光記録媒体である。
チャ−が添加されてなる記録層を基体上に有することを
特徴とする光記録媒体である。
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明における記録層は、色素の重合体またはその組成
物からなる・ この場合、色素の重合体とは、1種またl±2種以上の
色素を2分子以上有する色素の重合体あるいは色素と他
の成分との共重合体をいう。
物からなる・ この場合、色素の重合体とは、1種またl±2種以上の
色素を2分子以上有する色素の重合体あるいは色素と他
の成分との共重合体をいう。
そして、このような色素の重合体のうちでは、1つまた
は2つ以上の官能基を有する色素の1種または2種以上
の単独縮合体または共縮合体、あるいは1つまたは2つ
以上の官能基を有する色素の1種または2種以」二と、
1つまたは2つ以上の官能基を有する共縮合成分の1種
または2種以上との共縮合体であることが好ましい。
は2つ以上の官能基を有する色素の1種または2種以上
の単独縮合体または共縮合体、あるいは1つまたは2つ
以上の官能基を有する色素の1種または2種以」二と、
1つまたは2つ以上の官能基を有する共縮合成分の1種
または2種以上との共縮合体であることが好ましい。
このような縮合物を形成するための縮合反応としては、
特に下記の官能基同志による縮合反応の1種または2種
以上の組合せであることが好ましい。 すなわち、本発
明における色素の縮合物は、1種または2種以上の下記
の反応によって得られる連結基を介し、あるいは下記の
連結基と後述の共縮合成分残基とを介して、1種または
2種以上の色素が2分子以上重合したものであることが
好ましい。
特に下記の官能基同志による縮合反応の1種または2種
以上の組合せであることが好ましい。 すなわち、本発
明における色素の縮合物は、1種または2種以上の下記
の反応によって得られる連結基を介し、あるいは下記の
連結基と後述の共縮合成分残基とを介して、1種または
2種以上の色素が2分子以上重合したものであることが
好ましい。
なお、下記において、Aは色素または共縮合成分の・残
基を表わし、Rは、水素または置換もしくは非置換のア
ルキル基もしくはアリール基を表わし、Xはハロゲンを
表わす。
基を表わし、Rは、水素または置換もしくは非置換のア
ルキル基もしくはアリール基を表わし、Xはハロゲンを
表わす。
1 ’) −COO)l+ −011→−COO−
+ H20↑2 ) −COO)l+ −N)I
R→−CONHR−+ )+201→−COO−C−
C−+ H20↑ 7) −COCl + −OH−−(00−十
H20t→−(C−C−OCONHQN)lCOQ
−C−C−OCO−A−COD )−+ H20↑ 1i) −OH十−N(:O→−0CCIN)l−+
2) −NH2+−NCO→−NHGONH−14
) −NH2+so3 )1→ −3O2NH−+
H20↑→−N−G−G(OH)− C−C(0)1)− ( 0−G−C(Ol()− 18) −5o3 )1 +−0)1 → −
9O3−+ [20↑+9) −9O2CI+−O
H→ −503−+ HCI↑20) ’ −3I]
2 C1+−N)12峠−502NH−+ )ICI↑
23) −CHo +−N)!’2 → −C
=H−+ 82’0 ↑24) −01:OCI
+−Nt(2→ −OC[NH−+ HC:l↑
25) 2−NHC)120H+ 82 NC
:ONH2→ −NHCH2NHCQN)IG)12
8)I−2Ei) −C:0NHNH2+−coGl
→ −CONHNHCO−28) X−A−X
十に2 GO3” (AOC:00++ 2KX4従っ
て、用いる色素および共縮合成分は、」二記1)〜28
)における官能基の1種または2種以上を有するもので
あることが好ましい。
+ H20↑2 ) −COO)l+ −N)I
R→−CONHR−+ )+201→−COO−C−
C−+ H20↑ 7) −COCl + −OH−−(00−十
H20t→−(C−C−OCONHQN)lCOQ
−C−C−OCO−A−COD )−+ H20↑ 1i) −OH十−N(:O→−0CCIN)l−+
2) −NH2+−NCO→−NHGONH−14
) −NH2+so3 )1→ −3O2NH−+
H20↑→−N−G−G(OH)− C−C(0)1)− ( 0−G−C(Ol()− 18) −5o3 )1 +−0)1 → −
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25) 2−NHC)120H+ 82 NC
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8)I−2Ei) −C:0NHNH2+−coGl
→ −CONHNHCO−28) X−A−X
十に2 GO3” (AOC:00++ 2KX4従っ
て、用いる色素および共縮合成分は、」二記1)〜28
)における官能基の1種または2種以上を有するもので
あることが好ましい。
この場合、特に、上記1)、2)、3)。
5)、6)、7)、8)、9)、II)、12)。
+3) 、 14) 、 19) 、 20)が
好ましい。
好ましい。
そして、特に用いる色素および共縮合成分、が有する官
能基は、特に、−OH,−NH2、−COOH。
能基は、特に、−OH,−NH2、−COOH。
−COH,−NGO,N7. −5021:l、 酪無
水物基・−1( 一3O3)1のうちの1種以上、特に色素の官能基は−
OH,−NH2、−COOH,−COC:Iであること
が好ましい。
水物基・−1( 一3O3)1のうちの1種以上、特に色素の官能基は−
OH,−NH2、−COOH,−COC:Iであること
が好ましい。
なお、色素および共縮合成分には、2種以上の官能基を
付与してもよいが、これらの合成上の問題および縮合反
応の制御の容易さ等からすると、色素および共縮合成分
の有する官能基は1種であることが好ましく、特に、色
素は2官能〜4官官能度、共縮合成分は2〜3官能、特
にそれぞれ2官能とすることが好ましい。 特に、それ
ぞれ2官能とするときには、直鎖状の重合体かえられ、
熱可塑性が良好となり好ましい。
付与してもよいが、これらの合成上の問題および縮合反
応の制御の容易さ等からすると、色素および共縮合成分
の有する官能基は1種であることが好ましく、特に、色
素は2官能〜4官官能度、共縮合成分は2〜3官能、特
にそれぞれ2官能とすることが好ましい。 特に、それ
ぞれ2官能とするときには、直鎖状の重合体かえられ、
熱可塑性が良好となり好ましい。
そして、上記l)〜28)の縮合反応が生じる組合せに
て、通常、2官能の色素を2種用いるか、2官能の色素
と2官能の共縮合成分とを用いることが好ましい。
て、通常、2官能の色素を2種用いるか、2官能の色素
と2官能の共縮合成分とを用いることが好ましい。
用いる色素としては、下記のようなものが好適である。
Dl シアニン色素
2−チアゾリル、2−(4,5−ベンゾチアゾリル)、
2−(ナフト(1,2−d)チアシリル)、2−(ナフ
ト(’3.4−d)チアゾリル)、2−(フェナントリ
ノ(9,1O−d)チアゾリル〕、2−ベンツオキサシ
リル、2−セレナゾリル、2−キノリル、4−キノリル
、2−ベンズイミダゾリル等のへテロ環残基を両端に有
し、これらを、 それぞれ置換または非置換の1 、3.5 。
2−(ナフト(1,2−d)チアシリル)、2−(ナフ
ト(’3.4−d)チアゾリル)、2−(フェナントリ
ノ(9,1O−d)チアゾリル〕、2−ベンツオキサシ
リル、2−セレナゾリル、2−キノリル、4−キノリル
、2−ベンズイミダゾリル等のへテロ環残基を両端に有
し、これらを、 それぞれ置換または非置換の1 、3.5 。
7−ノナチトラエニリデン、’l 、 3 、5−ヘプ
タトリエニリデン、3,5−ジメチレン−1,3,5−
へブタトリエニリデン、2,4−ネオペンチレンー1.
3.5−へブタトリエニリテン、2−メチン−4−プロ
ペニル−5,6−ベンゾピリリウム、1,3−ペンタジ
エニリデン、2−ブテニリテン、3.5−トリメチレン
−1,3,5−へプタトリエニリデン等で連結したもの
。
タトリエニリデン、3,5−ジメチレン−1,3,5−
へブタトリエニリデン、2,4−ネオペンチレンー1.
3.5−へブタトリエニリテン、2−メチン−4−プロ
ペニル−5,6−ベンゾピリリウム、1,3−ペンタジ
エニリデン、2−ブテニリテン、3.5−トリメチレン
−1,3,5−へプタトリエニリデン等で連結したもの
。
なお、一方のへテロ環残基が十電荷もつことにより、そ
のヘテロ環残基の置換基は一電荷をもってもよく、ある
いは、I、Br。
のヘテロ環残基の置換基は一電荷をもってもよく、ある
いは、I、Br。
ClO4、BF4 、P−)ルエンスルホニル、p−ク
ロロベンゼンスルホニル等の陰イオンと造塩していても
よい。
ロロベンゼンスルホニル等の陰イオンと造塩していても
よい。
そして、これらの場合には、−0)1.−C;OOH。
四環残基に直接、またはへテロ環残基のN原子にアルキ
ル基等を介し結合する。
ル基等を介し結合する。
D2 フタロシアニン色素
フタロシアニン色素のベンゼン環に、−OH。
−COO)I、 −NO3、−GOCI、 −502
CI等の官能基が結合したもの。
CI等の官能基が結合したもの。
フタロシアニンの中心金属原子としては、特に、Pb、
VO,Mn、Sn、Cu等が好ましい。
VO,Mn、Sn、Cu等が好ましい。
D3 スクワリリウム色素
−
にて示されるもの。 ここに、A、Bは、それぞれ、芳
香族環であり、特に下記のものが好ましい。
香族環であり、特に下記のものが好ましい。
この場合、R,、R2は、アルキル基等の置換基を表す
。
。
そして、特に、アルキル基に、好ましくは−OH,−C
:00H,−NO3等の官能基か結合したものが好適で
ある。
:00H,−NO3等の官能基か結合したものが好適で
ある。
D4 コリンまたはコロール
特願昭57−80487号にて提案したコリンまたはコ
ロールに、」二記の官能基が結合したもの D5 アントラキノン系 直接またはアルキル基を介し、−0)1.−NIIR’
。
ロールに、」二記の官能基が結合したもの D5 アントラキノン系 直接またはアルキル基を介し、−0)1.−NIIR’
。
−C:OOH等の官能基が結合したものD67ゾ系
特にビスアゾ系、トリスアゾ系やアゾクロム系等であっ
て、上記の官能基が結合したもの。
て、上記の官能基が結合したもの。
これら色素は、公知の方法に従い容易に合成することが
できる。
できる。
他方、共縮合成分としては、下記のようなものが好適で
ある。
ある。
C1ジアルコール
エチレングリコール、1,3−プロパンジオール、1.
4−ブタンジオール、1,5−ベンタンジオール、1.
6−ヘキサンジオール、1.10−デカンジオール、1
,4−シクロヘキサンジオール、p、p′−ジヒドロキ
シ−2,2−ジシクロヘキシルプロパン、ビスフェノー
ルA、ハイドロキノン、p、p′−ビフェノール、ヒド
ロキノンジヒドロキシジチルエーテル、ポリエチレング
リコール(n−2〜50)など。
4−ブタンジオール、1,5−ベンタンジオール、1.
6−ヘキサンジオール、1.10−デカンジオール、1
,4−シクロヘキサンジオール、p、p′−ジヒドロキ
シ−2,2−ジシクロヘキシルプロパン、ビスフェノー
ルA、ハイドロキノン、p、p′−ビフェノール、ヒド
ロキノンジヒドロキシジチルエーテル、ポリエチレング
リコール(n−2〜50)など。
C2ジカルボン酸およびその酸塩化物
コハク酩、マロン酩、グルタノ酩、アジピン酸、ピメリ
ン酸、スペリン醇、セバシン酪、マレイン酸、フマル酸
、フタル酸、イソフタル酪、テレフタル酸なと。
ン酸、スペリン醇、セバシン酪、マレイン酸、フマル酸
、フタル酸、イソフタル酪、テレフタル酸なと。
あるいはこれらの酸塩化物。
C3ジアミン
1.2−ジアミノエタン、1.4−ジアミノブタン、ヘ
キサメチレンジアミン、ジアミノベンジル、p、p′−
ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフ
ィド、ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−シクロ
a−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジ
シクロヘキシルメタン、ピペラジン、2.5−ジメチル
ピペラジン、ビスアミノプロピルビペラジン、4,4′
−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジメチル−
4,4′−ジアミノジシクロヘキシルメタン、4,4′
−ジアミノジシクロヘキシルメタン、インホロンジアミ
ンなど。
キサメチレンジアミン、ジアミノベンジル、p、p′−
ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフ
ィド、ジアミノジフェニルスルホン、3,3′−シクロ
a−4,4′−ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジ
シクロヘキシルメタン、ピペラジン、2.5−ジメチル
ピペラジン、ビスアミノプロピルビペラジン、4,4′
−ジアミノジフェニルエーテル、3,3′−ジメチル−
4,4′−ジアミノジシクロヘキシルメタン、4,4′
−ジアミノジシクロヘキシルメタン、インホロンジアミ
ンなど。
C4ジないしトリイソシアナート
2.4−1リレンジイソシアナート、2゜6−トリレン
ジイソシアナート、4.4′−ジフェニルメタンジイソ
シアナ−1・、ポリメチレンジイソシアナートアダクト
ポリインシアナート、 他 日本ポリウレタン社製 コロネートHL、コロネー
トAP、コロネート2030、コロネートし、 住人バ
イエルウレタン社製 デモジュールN、デモジュールH
L、 武田薬品社製 タケネート011ON、 協和醗
酵社製 LDI−100、日本ポリウレタン社製 ミリ
オネー)MS50等の各種ジないしトリイソシアナート
。
ジイソシアナート、4.4′−ジフェニルメタンジイソ
シアナ−1・、ポリメチレンジイソシアナートアダクト
ポリインシアナート、 他 日本ポリウレタン社製 コロネートHL、コロネー
トAP、コロネート2030、コロネートし、 住人バ
イエルウレタン社製 デモジュールN、デモジュールH
L、 武田薬品社製 タケネート011ON、 協和醗
酵社製 LDI−100、日本ポリウレタン社製 ミリ
オネー)MS50等の各種ジないしトリイソシアナート
。
C5ジェポキシ化合物
エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレン
グリコールジグリシジルエーテル、グリセロールポリグ
リシジルエーテル、シグリセロールポリグリシジルエー
テル、ソルビトールポリグリシジルエーテル。
グリコールジグリシジルエーテル、グリセロールポリグ
リシジルエーテル、シグリセロールポリグリシジルエー
テル、ソルビトールポリグリシジルエーテル。
ポリエチレングリコールグリシジルエーテル、トリプロ
ピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレ
ングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリ
コールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンシオー
ルジグリシジルエーテル、トリノチロールプロパンシグ
リシジルエーテル、脂肋酩ジグリシジルエーテル、テレ
フタル酸ジグリシジルエーテル、スピログリコールジグ
リシジルエーテルなど。
ピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレ
ングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリ
コールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンシオー
ルジグリシジルエーテル、トリノチロールプロパンシグ
リシジルエーテル、脂肋酩ジグリシジルエーテル、テレ
フタル酸ジグリシジルエーテル、スピログリコールジグ
リシジルエーテルなど。
C6酸無水物
無水ピロメリット酸、無水フタル酸、無水トリメリット
酸、シクロヘキサンテトラカルボン酸無水物、ヘキサヒ
ドロ無水フタル酸、メチルへキサヒドロ無水フタル酸、
テトラメチレン無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタ
ル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、エンドメチレ
ンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテ
トラヒドロ無水フタル酸など。
酸、シクロヘキサンテトラカルボン酸無水物、ヘキサヒ
ドロ無水フタル酸、メチルへキサヒドロ無水フタル酸、
テトラメチレン無水マレイン酸、テトラヒドロ無水フタ
ル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、エンドメチレ
ンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテ
トラヒドロ無水フタル酸など。
C7ジヒドラジド
セパシン酸ジヒドラジド、アジピン酪ジヒドラジド、イ
ンフタル酸ジヒドラジドなと゛。
ンフタル酸ジヒドラジドなと゛。
C8ジイミノカルボナート
N、N′−p−フェニレンヒス(エチレンイミノカルボ
ナート)など。
ナート)など。
これら色素の1種または2種以上、あるいは1種以上の
色素と1種以」二の共縮合成分とは、別途予め、常法に
従い縮合反応を行い、これを精製して用いる。 この場
合、加熱や減圧、触媒等については、常法に従えばよい
。 あるいは、場合によっては、記録層塗布用の組成物
液に色素等をそれぞれ別個に溶解し、これを塗布したの
ち、加熱を施して縮合反応を生じさせることもできる。
色素と1種以」二の共縮合成分とは、別途予め、常法に
従い縮合反応を行い、これを精製して用いる。 この場
合、加熱や減圧、触媒等については、常法に従えばよい
。 あるいは、場合によっては、記録層塗布用の組成物
液に色素等をそれぞれ別個に溶解し、これを塗布したの
ち、加熱を施して縮合反応を生じさせることもできる。
なお、色素の重合体中には、色素が2〜20分子程分子
性に4〜10分子程度含まれることが好ましい。
性に4〜10分子程度含まれることが好ましい。
・本発明の媒体の記録層は、このような色素の重合体か
らなるものであるが、記録層中には、別途他の樹脂が含
まれていてもよい。 このとき、塗布性が向上し、記録
感度や読み出しのSZN比等が向上する。
らなるものであるが、記録層中には、別途他の樹脂が含
まれていてもよい。 このとき、塗布性が向上し、記録
感度や読み出しのSZN比等が向上する。
このような樹脂としては、例えば、特願昭58−152
29号等に記載したものが好適である。
29号等に記載したものが好適である。
樹脂は、色素の重合体に対し、重量%にて50%以下含
有される。
有される。
このような記録層中には、さらに、クエンチャ−が含有
されることが好ましい。
されることが好ましい。
これにより、再生劣化が減少し、耐光性が向上する。
クエンチャ−としては、種々のものを用いることができ
るが、特に色素が励起して一重項酸素が生じたとき、−
重項酸素から電子移動ないしエネルギー移動をうけて励
起状態となり、自ら基底状態にもどるとともに、−重項
酪素を三重項状態に変換する一重項酸素クエンチャーで
あることが好ましい。
るが、特に色素が励起して一重項酸素が生じたとき、−
重項酸素から電子移動ないしエネルギー移動をうけて励
起状態となり、自ら基底状態にもどるとともに、−重項
酪素を三重項状態に変換する一重項酸素クエンチャーで
あることが好ましい。
一重項酸素クエンチャーとしても、種々のものを用いる
ことができるが、特に、再生劣化か減少すること、そし
て色素重合体との相溶性か良好であることなどから、遷
移金属キレート化合物であることが好ましい。 この場
合、中心金属としては、Ni、Go、Cu、Mn等が好
ましく、特に、下記の化合物が好適である。
ことができるが、特に、再生劣化か減少すること、そし
て色素重合体との相溶性か良好であることなどから、遷
移金属キレート化合物であることが好ましい。 この場
合、中心金属としては、Ni、Go、Cu、Mn等が好
ましく、特に、下記の化合物が好適である。
1) アセチルアセトナートキレート系QINi(II
)アセチルアセトナートQ2Cu(II)アセチルアセ
トナートQ 3 M n (III’)アセチルアセ
トナートQ4Co(II)アセチルアセトナート2)
ビスジチオ−α−ジケトン系 ここに、R(IL (4)は、置換ないし装置換のア
ルキル基またはアリール基を表わし、Mは2価の遷移金
属原子を表わす。
)アセチルアセトナートQ2Cu(II)アセチルアセ
トナートQ 3 M n (III’)アセチルアセ
トナートQ4Co(II)アセチルアセトナート2)
ビスジチオ−α−ジケトン系 ここに、R(IL (4)は、置換ないし装置換のア
ルキル基またはアリール基を表わし、Mは2価の遷移金
属原子を表わす。
この場合、Mは一電荷をもち、4級アンモニウムイオン
等と塩を形成してもよい。
等と塩を形成してもよい。
Q5Ni(II)ジチオペンシル
Q6Ni(II)ジチオヒアセチル
N”(C4H9)4
3) ビスフェニルジチオール系
(5) (f()
ここに、RおよびRは、メチル基
などのアルキル基、あるいはC1などのハロゲン原子等
を表わし、MはNi等の2価の遷移金属原子を表わす。
を表わし、MはNi等の2価の遷移金属原子を表わす。
さらに、aおよびbは、それぞれ、Oまたは4以下の
整数である。
整数である。
また、上記構造のMは一電荷をもって、アニオンと塩を
形成してもよく、さらにはMの上下には、さらに他の配
位子が結合していてもよい。
形成してもよく、さらにはMの上下には、さらに他の配
位子が結合していてもよい。
このようなものとしては、下記のものが市販されている
。
。
QIOPA−1001(商品名 三井東圧ファイン株式
会社製) Qll PA−1002(回 上 Ni−ビス(トル
エンジチオール)テトラ(t −ブチル)アンモニウム〕 Q12 PA−1’o03(同 上)Q13 PA
−1005(同 上 Ni−ビス(ジクロロベンゼン)
テトラ(t− ブチル)アンモニウム〕 Q14 FA−1006(同 上 Ni−ビス(トリ
クロロベンゼンジチオール) テトラ(t−ブチル)−アンモニウム〕Q15Co−ビ
ス(ベンゼン−1,2−ジチオール)テトラブチルアン
モニウム Q16 C’o−ビス(0−キシレアー4.5=ジチ
オール)テトラ(E−ブチル) アンモニウム Q17Ni−ビス(ベンゼン−1,2−ジチオール)テ
トラブチルアンモニウム Q18Ni−ビス(0−キシレン−4,5−ジチオール
)テトラブチルアンモニ ウム Q19Ni−ビス(5−クロロベンセン−1,2−ジチ
オール)テトラブチルア ンモニウム Q2ONi−ビス(3,4,5,6−テI・ラメチルベ
ンセン−1,2ジチオール)テトラブチルアンモニウム Q21 Ni−ビス(3,4,5,6−テトラクロロ
ベンゼン−1,2ジチオー ル)テトラブチルアンモニウム 4) ジチオカルバミン酸キレート系 ここに、R(7)およびR(8)はアルキル基を表わす
。 また1Mは2価の遷移金属原子を表わす。
会社製) Qll PA−1002(回 上 Ni−ビス(トル
エンジチオール)テトラ(t −ブチル)アンモニウム〕 Q12 PA−1’o03(同 上)Q13 PA
−1005(同 上 Ni−ビス(ジクロロベンゼン)
テトラ(t− ブチル)アンモニウム〕 Q14 FA−1006(同 上 Ni−ビス(トリ
クロロベンゼンジチオール) テトラ(t−ブチル)−アンモニウム〕Q15Co−ビ
ス(ベンゼン−1,2−ジチオール)テトラブチルアン
モニウム Q16 C’o−ビス(0−キシレアー4.5=ジチ
オール)テトラ(E−ブチル) アンモニウム Q17Ni−ビス(ベンゼン−1,2−ジチオール)テ
トラブチルアンモニウム Q18Ni−ビス(0−キシレン−4,5−ジチオール
)テトラブチルアンモニ ウム Q19Ni−ビス(5−クロロベンセン−1,2−ジチ
オール)テトラブチルア ンモニウム Q2ONi−ビス(3,4,5,6−テI・ラメチルベ
ンセン−1,2ジチオール)テトラブチルアンモニウム Q21 Ni−ビス(3,4,5,6−テトラクロロ
ベンゼン−1,2ジチオー ル)テトラブチルアンモニウム 4) ジチオカルバミン酸キレート系 ここに、R(7)およびR(8)はアルキル基を表わす
。 また1Mは2価の遷移金属原子を表わす。
Q22Ni−ビス(ジブチル シチオカルパミン酸)〔
アンチゲン NBC(住 人化学社製)〕 5) ビスフェニルチオール系 Q23 Ni−ビス(オクチルフェニル)サルファイ
ド 6) チオカテコールキレート系 ここに、Mは2価の遷移金属原子を表わす。 また、M
は一電荷をもち、アニオンと塩を形成していてもよく、
ベンゼン環は置換基を有していてもよい。
アンチゲン NBC(住 人化学社製)〕 5) ビスフェニルチオール系 Q23 Ni−ビス(オクチルフェニル)サルファイ
ド 6) チオカテコールキレート系 ここに、Mは2価の遷移金属原子を表わす。 また、M
は一電荷をもち、アニオンと塩を形成していてもよく、
ベンゼン環は置換基を有していてもよい。
Q24Ni−ビス(チオカテコール)テトラ ブチル
アンモニウム塩 7) サリチルアルデヒドオキシム系 (9) (10) ここに、RおよびRは、アルキル 基を表わし、Mは2価の遷移金属原子を表わす。
アンモニウム塩 7) サリチルアルデヒドオキシム系 (9) (10) ここに、RおよびRは、アルキル 基を表わし、Mは2価の遷移金属原子を表わす。
Q25 N i (II) O−(N−イソプロピ
ルホルムイミドイル)フェノール Q26 Ni (II)O−(N−ドデシルホルム
イミドイル)フェノール Q27 Co (II)O−(N−ドデシルホルムイ
ミドイル)フェノール Q28 Cu (II)0− (N−ドデシルホルム
イミドイル)フェノール Q29 N1(II)2.2’−(エチレンビスにト
リロメチリジン)〕 −ジフェ ノール Q30 Co(II)2.2’−(−1チレンビスに
トリロメチリジン)〕 −ジフェ ノール Q31 Ni (II)2.2 ′ −(1,
8−ナフチレンビスにトリロメチリジ ン)〕−ジフェノール Q3’2 N i (II) −(N−フェニルホル
ムイミドイル)フェ/−ル Q33 Co(II)−(N−)、=ルホルムイミド
イル)フェノール Q34 Cu (II) =(N−7zニルホルムイ
ミドイル)フェノール Q 35. N i (II)サリチルアルデヒド
フェニルヒドラゾン Q36 N1(II)サリチルアルデヒドオキシム 8) チオビスフェルレートキレート系R(11)R(
12) (11) ここに、Mは前記と同じであり、Rお (12) よびRは、アルキル基を表わす。 またMは一電荷をも
ち、アニオンと塩とを形成していてもよい。
ルホルムイミドイル)フェノール Q26 Ni (II)O−(N−ドデシルホルム
イミドイル)フェノール Q27 Co (II)O−(N−ドデシルホルムイ
ミドイル)フェノール Q28 Cu (II)0− (N−ドデシルホルム
イミドイル)フェノール Q29 N1(II)2.2’−(エチレンビスにト
リロメチリジン)〕 −ジフェ ノール Q30 Co(II)2.2’−(−1チレンビスに
トリロメチリジン)〕 −ジフェ ノール Q31 Ni (II)2.2 ′ −(1,
8−ナフチレンビスにトリロメチリジ ン)〕−ジフェノール Q3’2 N i (II) −(N−フェニルホル
ムイミドイル)フェ/−ル Q33 Co(II)−(N−)、=ルホルムイミド
イル)フェノール Q34 Cu (II) =(N−7zニルホルムイ
ミドイル)フェノール Q 35. N i (II)サリチルアルデヒド
フェニルヒドラゾン Q36 N1(II)サリチルアルデヒドオキシム 8) チオビスフェルレートキレート系R(11)R(
12) (11) ここに、Mは前記と同じであり、Rお (12) よびRは、アルキル基を表わす。 またMは一電荷をも
ち、アニオンと塩とを形成していてもよい。
Q37 N1(II)n−ブチルアミノ 〔2゜2′
−チオビス(4−tert−オクチル)−フェルレート
) (Cyasorb −UV−1084<7メ’
)カン シフ’す ミ ド Co、、Ltd、
) )Q38 Co(II)n−ブチルアミノ〔
2゜2′−チオビス(4−tert−オクチル)−フェ
ルレート〕 Q39 Ni (II) −2、2′チオヒス(4−
tert−オクチル)−フェルレート9) 亜ホスホン
酸キレート系 (13) ここに、Mは前記と同じであり、Rお よびR(14)は、アルキル基、水酸基等の置換基を表
わす。
−チオビス(4−tert−オクチル)−フェルレート
) (Cyasorb −UV−1084<7メ’
)カン シフ’す ミ ド Co、、Ltd、
) )Q38 Co(II)n−ブチルアミノ〔
2゜2′−チオビス(4−tert−オクチル)−フェ
ルレート〕 Q39 Ni (II) −2、2′チオヒス(4−
tert−オクチル)−フェルレート9) 亜ホスホン
酸キレート系 (13) ここに、Mは前記と同じであり、Rお よびR(14)は、アルキル基、水酸基等の置換基を表
わす。
40
この他、他のクエンチャ−としては、下記のようなもの
がある。
がある。
10) ベンゾエート系
Q51 既存化学物質3−3040 (チヌビン−1
20(チバガイギー社製)〕 11) ヒンダードアミン系 Q52 既存化学物質5−3732 (5ANOLL
S−770(三共製薬社製)〕 このようなりエンチャーは、公知の方法に従い合成され
る。
20(チバガイギー社製)〕 11) ヒンダードアミン系 Q52 既存化学物質5−3732 (5ANOLL
S−770(三共製薬社製)〕 このようなりエンチャーは、公知の方法に従い合成され
る。
そして、クエンチャ−は、前記色素の重合体中の色素1
モルあたり、一般に0,05〜12モル、特に0.1〜
1.2モル程度含有される。
モルあたり、一般に0,05〜12モル、特に0.1〜
1.2モル程度含有される。
なお、クエンチャ−の極大吸収波長は用いる色素の極大
吸収波長以上であることが好ましい。
吸収波長以上であることが好ましい。
これにより、再生劣化はきわめて小さくなる。
この場合、両者の差は0か、350nm以下であること
が好ましい。
が好ましい。
このような記録層を設層するには、一般に常法に従い塗
設すればよく、その厚さは、一般に、0.03〜l 0
0gmとされる。
設すればよく、その厚さは、一般に、0.03〜l 0
0gmとされる。
そして、記録層の厚さは、通常、0.03〜10gm程
度とされる。
度とされる。
なお、このような記録層には、この他、他のポリマーな
いしオリゴマー、各種可塑剤、界面活性剤、帯電防止剤
、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤、架橋剤等が含有され
ていてもよい。
いしオリゴマー、各種可塑剤、界面活性剤、帯電防止剤
、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤、架橋剤等が含有され
ていてもよい。
このような記録層を設層するには、基体上に、所定の溶
媒を用いて塗布、乾燥すればよい。
媒を用いて塗布、乾燥すればよい。
なお、塗布に用いる溶媒としては、例えばメチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等
のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルピトールア
セテート、プチルカルヒトールアセテート等のエステル
系、エチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のエーテル
系、ないしトルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロロ
エタン等のハロゲン化アルキル系、アルコール系などを
用いればよい。
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等
のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルピトールア
セテート、プチルカルヒトールアセテート等のエステル
系、エチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のエーテル
系、ないしトルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロロ
エタン等のハロゲン化アルキル系、アルコール系などを
用いればよい。
このような記録層を設層する基体の材質には特に制限は
なく、各種樹脂、ガラス、セラミックス、金属等いずれ
であってもよい。
なく、各種樹脂、ガラス、セラミックス、金属等いずれ
であってもよい。
また、その形状は使用用途に応じ、テープ、ディスク、
ドラム、ベルト等いずれであってもよい。
ドラム、ベルト等いずれであってもよい。
なお、基体は、通常、トラッキング用の溝を有する。
また、必要に応じ、反射層等の下地層や蓄熱層や光吸収
層などを有するものであってもよい。
また、必要に応じ、反射層等の下地層や蓄熱層や光吸収
層などを有するものであってもよい。
また、基板材質としては、耐熱性の高いエポキシ樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエー
テルサルフォン、メチルペンテンポリマー等の、みそ付
きないしみそなし基板が好適である。
ポリカーボネート樹脂、ポリサルフォン樹脂、ポリエー
テルサルフォン、メチルペンテンポリマー等の、みそ付
きないしみそなし基板が好適である。
これらの基板には、耐溶剤性、ぬれ性、表面張力、熱伝
導度等を改善するために、基板」二にプライマーをコー
ティングすることもできる。
導度等を改善するために、基板」二にプライマーをコー
ティングすることもできる。
プライマーとしては、例えば、チタン系、シラン系、ア
ルミ系のカンプリング剤や、各種感光性樹脂等を用いる
ことができる。
ルミ系のカンプリング剤や、各種感光性樹脂等を用いる
ことができる。
また、記録層上には、必要に応じ、透明基体を用いると
きに裏面として機能する反射層や。
きに裏面として機能する反射層や。
各種最上層保護層、ハーフミラ一層などを設けることも
できる。
できる。
本発明の媒体は、このような基体の一面上に上記の記録
層を有するものであってもよく、その両面に記録層を有
するものであってもよい。
層を有するものであってもよく、その両面に記録層を有
するものであってもよい。
また、基体の一面上に記録層を塗設したものを2つ用い
、それらを記録層が向かいあうようにして、所定の間隙
をもって対向させ、それを密閉したりして、ホコリやキ
ズがつかないようにすることもできる。
、それらを記録層が向かいあうようにして、所定の間隙
をもって対向させ、それを密閉したりして、ホコリやキ
ズがつかないようにすることもできる。
■ 発明の具体的作用
本発明の媒体は、走行ないし回転下において、記録光を
パルス状に照射する。 このとき記録層中の色素の発熱
により、色素重合体や熱可塑性樹脂が融解し、ピットが
形成される。
パルス状に照射する。 このとき記録層中の色素の発熱
により、色素重合体や熱可塑性樹脂が融解し、ピットが
形成される。
このように形成されたピットは、やはり媒体の走行ない
し回転下、読み出し光の反射光ないし透過光、特に反射
光を検出することにより読み出される。
し回転下、読み出し光の反射光ないし透過光、特に反射
光を検出することにより読み出される。
この場合、記録および読み出しは、基体側から行っても
、記録層側から行ってもよい。
、記録層側から行ってもよい。
そして、一旦記録層に形成したピントを光ないし熱で消
去し、再書き込みを行うこともできる。
去し、再書き込みを行うこともできる。
なお、記録ないし読み出し光としては、半導体レーザー
、He−Neレーザー、Arレーザー、He−Cdレー
ザー等を用いることができる。
、He−Neレーザー、Arレーザー、He−Cdレー
ザー等を用いることができる。
■ 発明の具体的効果
本発明によれば、媒体の長期保存を行っても、書き込み
感度や、S/N比の劣化がきわめて少ない。 特に、記
録後に高温にて保存したのちの読み出しのS/N比の劣
化はきわめて小さくなる。
感度や、S/N比の劣化がきわめて少ない。 特に、記
録後に高温にて保存したのちの読み出しのS/N比の劣
化はきわめて小さくなる。
また、読み出しのS/N比もきわめて高い。
なお、第2の発明によれば、再生劣化が格段と減少し、
耐光性がきわめて高くなる。
耐光性がきわめて高くなる。
本発明基らば、本発明の効果を確認するため種々実験を
行った。
行った。
以下にその1例を示す。
実施例
下記色素A、B、C,D、Eと、下記共縮合成分M、N
とを用い、これを等モル縮合させて色素の重合体を合成
した。 これらはいずれもIRおよび薄層クロマトグラ
フ測定の結果、重合体を形成していることが確認された
。
とを用い、これを等モル縮合させて色素の重合体を合成
した。 これらはいずれもIRおよび薄層クロマトグラ
フ測定の結果、重合体を形成していることが確認された
。
この重合体をジクロロエタンl=溶解し、ポリメチルメ
タクリレート製基体」二に0.07gm厚に設層して記
録層とした。
タクリレート製基体」二に0.07gm厚に設層して記
録層とした。
さらに、これらの記録層に下記樹脂R1,R2を重合体
に対し重量比で20%添加して記録層を形成した。
に対し重量比で20%添加して記録層を形成した。
これとは別に比較のため、下記色素F、Gと樹脂とを重
量比で7:3の割合で添加した記録層を形成した。
量比で7:3の割合で添加した記録層を形成した。
用いた色素および共縮合成分、さらに樹脂は下記のとお
り櫂である。
り櫂である。
色素A 3,3′−ジ(2−ヒドロキシエチル)−
11−ジフェニルアミノ−10,12−エチレン−5,
6,5′、6′−ジへンゾチアトリカルポシアニン バ
ークロレート 色素B 5,5′−ジクロロ−11−ジフェニルア
ミノ−3,3′−ジー(2−カルボキシエチル)−10
,12−エチレンチアトリカルボシアニン パークロレ
−1・色素C鉛フタロシアこソー3.3′りジカルボン
酸クロリド 色素D 3,3′、4.4′−テトラアミノバナジ
ルフタロシアニン 色素E ヒドロキシスクアリリウム 色素F 3,3′−ジエチル−11−ジフェニルア
ミノ−10,12−エチレン−5゜6.5′、6′−ジ
ベンソチアトリ力ルポシアニン バークロレート 色素G 3,3′、4.4′−テトラオクチルオキ
シカルボニル鉛フタロシアニン 共縮合成分M ヘキサメチレンジカルボン酸クロリド 共縮合成分N P、P’−ジアミノジフェニルメク
ン 樹脂R1α−メチルスチレン(数平均分子量 1万) 樹脂R2ポリメチルメタクリレート(数千分子量 1万
) このようにして作製した各サンプルについて、1800
rpmで回転させながら、基体裏面側から、半導体レ
ーザー(830nm)またはHe−NeレーザーをIg
mφに集光しく集光部用力10mW)、パルス巾100
nsecで書き込みを行った。
11−ジフェニルアミノ−10,12−エチレン−5,
6,5′、6′−ジへンゾチアトリカルポシアニン バ
ークロレート 色素B 5,5′−ジクロロ−11−ジフェニルア
ミノ−3,3′−ジー(2−カルボキシエチル)−10
,12−エチレンチアトリカルボシアニン パークロレ
−1・色素C鉛フタロシアこソー3.3′りジカルボン
酸クロリド 色素D 3,3′、4.4′−テトラアミノバナジ
ルフタロシアニン 色素E ヒドロキシスクアリリウム 色素F 3,3′−ジエチル−11−ジフェニルア
ミノ−10,12−エチレン−5゜6.5′、6′−ジ
ベンソチアトリ力ルポシアニン バークロレート 色素G 3,3′、4.4′−テトラオクチルオキ
シカルボニル鉛フタロシアニン 共縮合成分M ヘキサメチレンジカルボン酸クロリド 共縮合成分N P、P’−ジアミノジフェニルメク
ン 樹脂R1α−メチルスチレン(数平均分子量 1万) 樹脂R2ポリメチルメタクリレート(数千分子量 1万
) このようにして作製した各サンプルについて、1800
rpmで回転させながら、基体裏面側から、半導体レ
ーザー(830nm)またはHe−NeレーザーをIg
mφに集光しく集光部用力10mW)、パルス巾100
nsecで書き込みを行った。
この後、半導体レーザー書き込みを行ったものについて
は、1mWの半導体レーザー読み出し光を1 gsec
lE、3KHzのパルスとして基体裏面側から照射し
て、その反射光を検知して、C/N比を測定した。 ま
た、He−Neレーザー書き込みを行ったものは、」1
記半導体し−ザー読み出し光と同一の強度およびパルス
のHe−Neレーザー読み出し光を記録層側から照射し
て、その反射光を検出してC/N比を測定した。
は、1mWの半導体レーザー読み出し光を1 gsec
lE、3KHzのパルスとして基体裏面側から照射し
て、その反射光を検知して、C/N比を測定した。 ま
た、He−Neレーザー書き込みを行ったものは、」1
記半導体し−ザー読み出し光と同一の強度およびパルス
のHe−Neレーザー読み出し光を記録層側から照射し
て、その反射光を検出してC/N比を測定した。
次いで、各サンプルを、50℃、相対湿度90%にて1
000時間保存したのちのC/N比の劣化を測定した。
000時間保存したのちのC/N比の劣化を測定した。
保存後のC/N比の劣化率(%)を表1に示す。
表1に示される結果から、本発明の効果があきらかであ
る。
る。
実施例
実験例1のサンプル陽、2において、色素の重合体に対
し重量比で50%のクエンチャ−Q工4を雄加したサン
プル25をえた。
し重量比で50%のクエンチャ−Q工4を雄加したサン
プル25をえた。
サンプル崩、2と崩、25に、 1mW、1ルsec
、300H2の読み出しレーザー光を4分間照射したの
ちのC/N比の再生劣化率(%)を表2に示す。
、300H2の読み出しレーザー光を4分間照射したの
ちのC/N比の再生劣化率(%)を表2に示す。
表 2
クエンチャ−−。14
C/N比劣化率(%)
高温保存劣化 98
再生劣化 35 1
表2に示される結果から、第2の発明の効果があきらか
である。
である。
出願人 ティーディーケイ株式会社
代理人 弁理士 石 井 陽 −
手糸売ネ市JE書 (自発)
昭和58年 6月S日
昭和58年特許願第 61235号
2、発明の名称
光記録媒体
3、補正をする者
事件との関係 @許出願人住 所
東京都中央区日本橋−丁目13番1号名 称
(306) ティーディーケイ株式会社代表者
大 歳 寛 4、代理人 〒171 住 所 東京都豊島区西池袋五丁目17番11
号矢部ビル1階 電話 988−16805、補正の
対象 6、補正の内容 明細書の「3、発明の詳細な説明」の欄の記載を、下記
のとおり補正する。
東京都中央区日本橋−丁目13番1号名 称
(306) ティーディーケイ株式会社代表者
大 歳 寛 4、代理人 〒171 住 所 東京都豊島区西池袋五丁目17番11
号矢部ビル1階 電話 988−16805、補正の
対象 6、補正の内容 明細書の「3、発明の詳細な説明」の欄の記載を、下記
のとおり補正する。
■)第21ページ第17行に、FNi、Co、Cu。
M n jとあるを、flNi 、 Co 、Cu 、
Mn 。
Mn 。
Pd、Ptj と補正する。
II )第21ページ第19行〜第33ページ第1行ま
での記載を、下記のとおり補正する。
での記載を、下記のとおり補正する。
「1) アセチルアセトナートキレート系QINi(I
I)アセチルアセトナ−I・Q2 Cu(II)アセ
チルアセトナートQ3 Mn(m)アセチルアセトナ
ートQ4Co(II)アセチルアセトナート2) ヒス
7シチオーα−ジケトン系 ここに、R(1′″L(4)は、置換ないし装置換のア
ルキル基またはアリール基を表わし、Mは、Ni 、C
:o、Cu、Pd、Pt等等力遷移金属原子表わす。
I)アセチルアセトナ−I・Q2 Cu(II)アセ
チルアセトナートQ3 Mn(m)アセチルアセトナ
ートQ4Co(II)アセチルアセトナート2) ヒス
7シチオーα−ジケトン系 ここに、R(1′″L(4)は、置換ないし装置換のア
ルキル基またはアリール基を表わし、Mは、Ni 、C
:o、Cu、Pd、Pt等等力遷移金属原子表わす。
この場合、Mは一電荷をもち、4級アンモニウムイオン
等のカチオンと塩を形成してもよい。
等のカチオンと塩を形成してもよい。
Q5Ni(II)ジチオベンジル
Q6Ni(II)ジチオビアセチル
7
N゛(C4H8)4
3) ヒスフェニルジチオール系
(5) (e)
ここに、R およびR は、メチル基なとのアルキ
ル基、あるいは0文などの/\ロゲン原子等を表わし,
Mは、Ni,Co。
ル基、あるいは0文などの/\ロゲン原子等を表わし,
Mは、Ni,Co。
Cu 、Pd 、Pt等の遷移金属原子を表わす。 さ
らに、aおよびbは、それぞれ、0または4以下の整数
である。
らに、aおよびbは、それぞれ、0または4以下の整数
である。
また、上記構造のMは一電荷をもって、カチオンと塩を
形成してもよく、さらにはMの1下には、さらに他の配
位子か結合していてもよい。
形成してもよく、さらにはMの1下には、さらに他の配
位子か結合していてもよい。
このようなものとしては、下記のものがある。
QIO PA−tool.(商品名 三井東圧ファイ
ン株式会社製) Qll PA,−1002C回 」二 Ni−ヒス(
トルエンジチオール)テトう(を −ブチル)アンモニウム〕 Q12PA−1003C同」二) Q13 FA−1005(同 上 Ni−ヒス(ジク
ロロヘンゼン)テトラ(t− ブチル)アンモニウム〕 Q14 PA−1006 (同 上 Ni−ビス(ト
リクロロベンセンジチオール) テトラ(t−ブチル)アンモニウム〕 Q15 Co−ビス(ベンゼン−1.2−ジチオール
)テトラブチルアンモニウム Q16 Co−ビス(0−キシレン−4,5−ジチオ
ール)テトラ(t−ブチル) アンモニウム Q17Ni−ヒス(ヘンセン−1.2−ジチオール)テ
トラブチルアンモニウム Q18 Ni−ビス(o−キシレアー4.5−ジチオ
ール)テトラブチルアンモニ ラム Q19 Ni−ビス(5−クロロヘンゼンー1.2−
ジチオール)テトラブチルア ンモニウム Q20 Ni−ビス(3,4,5,6−テトラメチル
ベンセン−1,2ジチオー ル)テトラブチルアンモニウム Q21 Ni−ビス(3,4,5,6−テトラクロロ
ベンゼン−1,2ジチオー ル)テトラブチルアンモニウム 4) ジチオカルバミン酸キレート系 (7) (8) ここに、RおよびRはアルキル基 を表わす。 また、MはNi、Co、Cu。
ン株式会社製) Qll PA,−1002C回 」二 Ni−ヒス(
トルエンジチオール)テトう(を −ブチル)アンモニウム〕 Q12PA−1003C同」二) Q13 FA−1005(同 上 Ni−ヒス(ジク
ロロヘンゼン)テトラ(t− ブチル)アンモニウム〕 Q14 PA−1006 (同 上 Ni−ビス(ト
リクロロベンセンジチオール) テトラ(t−ブチル)アンモニウム〕 Q15 Co−ビス(ベンゼン−1.2−ジチオール
)テトラブチルアンモニウム Q16 Co−ビス(0−キシレン−4,5−ジチオ
ール)テトラ(t−ブチル) アンモニウム Q17Ni−ヒス(ヘンセン−1.2−ジチオール)テ
トラブチルアンモニウム Q18 Ni−ビス(o−キシレアー4.5−ジチオ
ール)テトラブチルアンモニ ラム Q19 Ni−ビス(5−クロロヘンゼンー1.2−
ジチオール)テトラブチルア ンモニウム Q20 Ni−ビス(3,4,5,6−テトラメチル
ベンセン−1,2ジチオー ル)テトラブチルアンモニウム Q21 Ni−ビス(3,4,5,6−テトラクロロ
ベンゼン−1,2ジチオー ル)テトラブチルアンモニウム 4) ジチオカルバミン酸キレート系 (7) (8) ここに、RおよびRはアルキル基 を表わす。 また、MはNi、Co、Cu。
Pd、Pt等の遷移金属原子を表わす。
Q22 Ni−ヒス(ジブチル ジチオカルバミン酸
)〔アンチゲン NBC(住 人化学社製〕〕 5) ヒスフェニルチオール系 Q23 Nl−ヒス(オクチルフェニル)サルファイ
ド 6) チオカテコールキレート系 ここに、Mは、Ni、Co、Cu、Pd。
)〔アンチゲン NBC(住 人化学社製〕〕 5) ヒスフェニルチオール系 Q23 Nl−ヒス(オクチルフェニル)サルファイ
ド 6) チオカテコールキレート系 ここに、Mは、Ni、Co、Cu、Pd。
pt等の遷移金属原子を表わす。 また、Mは一電荷を
もち、カチオンと塩を形成していてもよく、ベンセン環
は置換基を有していてもよい。
もち、カチオンと塩を形成していてもよく、ベンセン環
は置換基を有していてもよい。
Q24Ni−ビス(チオカテコール)テトラブチルアン
モニウム用 7) サリチルアルデヒドオキシム系 (!9) (10) ここに、RおよびRは、アルキル 基を表わし、Mは、 Ni 、Co、Cu。
モニウム用 7) サリチルアルデヒドオキシム系 (!9) (10) ここに、RおよびRは、アルキル 基を表わし、Mは、 Ni 、Co、Cu。
Pd、Pt等の遷移金属原子を表わす。
Q25 Ni (II)o −(N−インプロピル
ホルムイミドイル)フェノール Q26 N1(II)o−(N−ドテシルホルムイミ
ドイル)フェノール Q27 Co(11)o−(N−ドテシルホルムイミ
ドイル)フェノール Q28 Cu (II)’o −(N−ドテシルホル
ムイミドイル)フェノール Q29 Ni (II)2.2′−(エチレンヒス
にトリロメチリシン))−ジフェ ノール Q30 Co (II) 2 、2 ′−〔エチレン
ビスにトリロメチリジン)〕−ジフェ ノール Q31 N1(II)2.2 ′−(1,8−ナ
フチレンビスにトリロメチリジ ン)〕−ジフェノール Q32’ Ni (’II) ’(N−フェニル
ホルムイミドイル)フェノール Q33 Co (+1) −(N−フェニルホルムイ
ミドイル)フェノール Q34 Cu (II) −(N−)、=ルホル11
イミドイル)フェノール Q35 N1(II)サリチルアルデヒドフェニルヒ
ドラゾン Q36 N1(II)サリチルアルテヒトオキシム 8) チオビスフェルレートキレート系R(11)R(
12) ここに、Mは前記と同じであり、R(11)およびR(
12)は、アルキル基を表わす。 またMは一電荷をも
ち、カチオンと塩とを形成していてもよい。
ホルムイミドイル)フェノール Q26 N1(II)o−(N−ドテシルホルムイミ
ドイル)フェノール Q27 Co(11)o−(N−ドテシルホルムイミ
ドイル)フェノール Q28 Cu (II)’o −(N−ドテシルホル
ムイミドイル)フェノール Q29 Ni (II)2.2′−(エチレンヒス
にトリロメチリシン))−ジフェ ノール Q30 Co (II) 2 、2 ′−〔エチレン
ビスにトリロメチリジン)〕−ジフェ ノール Q31 N1(II)2.2 ′−(1,8−ナ
フチレンビスにトリロメチリジ ン)〕−ジフェノール Q32’ Ni (’II) ’(N−フェニル
ホルムイミドイル)フェノール Q33 Co (+1) −(N−フェニルホルムイ
ミドイル)フェノール Q34 Cu (II) −(N−)、=ルホル11
イミドイル)フェノール Q35 N1(II)サリチルアルデヒドフェニルヒ
ドラゾン Q36 N1(II)サリチルアルテヒトオキシム 8) チオビスフェルレートキレート系R(11)R(
12) ここに、Mは前記と同じであり、R(11)およびR(
12)は、アルキル基を表わす。 またMは一電荷をも
ち、カチオンと塩とを形成していてもよい。
Q、37 N i (II) n−ブチルアミノ〔
2゜2′−チオビス(4−tart−オクチJl/)
−フx / l/ −ト) (Cyasorb −
UV−1084(アメリカン シア ナ ミ ド Co、、Lt+l) )Q3
8 Co(II)n−ブチルアミノ〔?。
2゜2′−チオビス(4−tart−オクチJl/)
−フx / l/ −ト) (Cyasorb −
UV−1084(アメリカン シア ナ ミ ド Co、、Lt+l) )Q3
8 Co(II)n−ブチルアミノ〔?。
2′−チオヒス(4−tert−オクチル)−フェルレ
ート〕 Q39 Ni (II) −2、2’−チオヒス(
4−term−オクチル)−フェルレート9) 亜ホス
ホン酸キレート系 (13) ここに、Mは前記と同じであり、Rお よびR(+4’)は、アルキル基、水酸基等の置換基を
表わす。
ート〕 Q39 Ni (II) −2、2’−チオヒス(
4−term−オクチル)−フェルレート9) 亜ホス
ホン酸キレート系 (13) ここに、Mは前記と同じであり、Rお よびR(+4’)は、アルキル基、水酸基等の置換基を
表わす。
ようなものがある。
10) ヘ−ンソエート系
Q41 既存化学物質3−3040 (チヌヒン−1
20(チパガイキー社製)〕 11) ヒンダードアミン系 Q42 既存化学物質5−3732 (5ANOLL
S−770(三共製薬社製)〕A
20(チパガイキー社製)〕 11) ヒンダードアミン系 Q42 既存化学物質5−3732 (5ANOLL
S−770(三共製薬社製)〕A
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 色素の重合体またはその組成物からなる記録層を
基体上に有することを特徴とする光記録媒体。 2、 色素の重合体が、1種または2種以上の色素の単
独縮合体または共縮合体である特許請求の範囲第1項に
記載の光記録媒体。 3、e[が、シアニン、フタロシアニン、スクワリリウ
ムまたはコリンないしコロールである特許請求の範囲第
1項または第2項に記載の光記録媒体。 4、 記録層が、色素の重合体と樹脂とを含む色素の重
合体の組成物からなる特許請求の範囲第1項ないし第3
項のいずれかに記載の光記録媒体。 5、 色素の重合体またはその組成物からなり、さらに
クエンチャ−が添加されてなる記録層を基体上に有する
ことを特徴とする光記録媒体。 6、 色素の重合体が、1種または2種以上の色素の単
独縮合体または共縮合体である特許請求の範囲第5項に
記載の光記録媒体。 7、 色素が、シアニン、フタロシアニン、スクワリ
リウムまたはコリンないしコロールである特許請求の範
囲第5項または第6項に記載の光記録媒体。 8、 色素の重合体の組成物が、色素の重合体と樹脂と
を含む特許請求の範囲第5項ないし第7項のいずれかに
記載の光記録媒体。 9、 クエンチャ−が、遷移金属キレート化合物である
特許請求の範囲第5項ないし第8項のいずれかに記載の
光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58061235A JPS59185694A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58061235A JPS59185694A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59185694A true JPS59185694A (ja) | 1984-10-22 |
| JPH0441057B2 JPH0441057B2 (ja) | 1992-07-07 |
Family
ID=13165357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58061235A Granted JPS59185694A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59185694A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6036190A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-25 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS6054892A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-03-29 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS61246091A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS61287791A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-12-18 | ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング コンパニ− | 光学記録媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103139A (en) * | 1980-10-31 | 1982-06-26 | Discovision Ass | Recording medium and making thereof |
| JPS5856239A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-02 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
-
1983
- 1983-04-07 JP JP58061235A patent/JPS59185694A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57103139A (en) * | 1980-10-31 | 1982-06-26 | Discovision Ass | Recording medium and making thereof |
| JPS5856239A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-02 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6036190A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-25 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS6054892A (ja) * | 1983-09-05 | 1985-03-29 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS61287791A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-12-18 | ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング コンパニ− | 光学記録媒体 |
| JPS61246091A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-01 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0441057B2 (ja) | 1992-07-07 |
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