JPS6023907A - 透明電極製作方法 - Google Patents
透明電極製作方法Info
- Publication number
- JPS6023907A JPS6023907A JP13162783A JP13162783A JPS6023907A JP S6023907 A JPS6023907 A JP S6023907A JP 13162783 A JP13162783 A JP 13162783A JP 13162783 A JP13162783 A JP 13162783A JP S6023907 A JPS6023907 A JP S6023907A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent electrode
- glass substrate
- plasma etching
- transparent conductive
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明は透明電極の微細パターン製作方法に係り、特に
欠落個所の修正方法に関する。
欠落個所の修正方法に関する。
（ｂ） 技術の背景
液晶表示装置等に用いる透明電極は、ガラス基板上に金
属酸化物を主成分とする透明導電性金属酸化物被膜（以
後簡略のため透明導電膜と称する）からなる数多くの微
細パターンを、表示内容に則したある規則に従って配列
し形成したもので、その微細パターンはガラス基板上に
前記透明導電膜を蒸着し、その上にフォトレジストを塗
布し所定のレジストパターンを形成した後、エツチング
によって透明導電膜の不要な部分を取り除き形成される
。上記方法により製作禮れた透明電極には数多（の需個
所があり、欠落個所の修正を無くして欠陥の無い透明電
極を得ることは極めて一難である。したがって透明電極
の製作においては欠落個所の修正は欠くことのできない
工程であり、欠落個所を確実に、しかも誰にでも容易に
修正できる方法の開発が望まれている。
属酸化物を主成分とする透明導電性金属酸化物被膜（以
後簡略のため透明導電膜と称する）からなる数多くの微
細パターンを、表示内容に則したある規則に従って配列
し形成したもので、その微細パターンはガラス基板上に
前記透明導電膜を蒸着し、その上にフォトレジストを塗
布し所定のレジストパターンを形成した後、エツチング
によって透明導電膜の不要な部分を取り除き形成される
。上記方法により製作禮れた透明電極には数多（の需個
所があり、欠落個所の修正を無くして欠陥の無い透明電
極を得ることは極めて一難である。したがって透明電極
の製作においては欠落個所の修正は欠くことのできない
工程であり、欠落個所を確実に、しかも誰にでも容易に
修正できる方法の開発が望まれている。
（Ｃ１従来技術と問題点
第１図は従来の欠落個所の修正方法である。
即ち全ての欠落個所°について欠落個所の周囲一体にフ
ォトレジストを塗布し、修正個所のみスボ・ノド露光し
てフォトレジストに窓をあける。しかる後前記窓の部分
にのみクロムを蒸着し、超音波洗浄によって修正個所周
辺のフォトレジストを除去（クロムリフトオフ）する。
ォトレジストを塗布し、修正個所のみスボ・ノド露光し
てフォトレジストに窓をあける。しかる後前記窓の部分
にのみクロムを蒸着し、超音波洗浄によって修正個所周
辺のフォトレジストを除去（クロムリフトオフ）する。
しかし従来の方法による欠落個所の修正はスポット露光
した後にフォトレジストの残渣等があり、クロム膜と透
明導電膜およびガラス基板との密着性が悪くクロム膜の
剥離がしばしば生じ、確実な欠落個所の修正ができなか
った。
した後にフォトレジストの残渣等があり、クロム膜と透
明導電膜およびガラス基板との密着性が悪くクロム膜の
剥離がしばしば生じ、確実な欠落個所の修正ができなか
った。
（ｄｉ 発明の目的
本発明の目的は透明電極の欠落個所を確実に、しかも誰
にでも容易に修正できる修正方法を提供することにある
。
にでも容易に修正できる修正方法を提供することにある
。
（ｅｌ 発明の構成
そしてこの目的はガラス基板上に形成された透明電極の
欠落個所修正工程において、レジスト塗布、スポット露
光の後に、ガスプラズマエツチングを行い、レジストの
残渣を除去した後クロム蒸着を行うことで達成している
。
欠落個所修正工程において、レジスト塗布、スポット露
光の後に、ガスプラズマエツチングを行い、レジストの
残渣を除去した後クロム蒸着を行うことで達成している
。
（ｆ） 発明の実施例
以下添付図により本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の一実施例である。図において従来の方
法と異なる点は、ガスプラズマエツチング工程を追加し
たことにある。
法と異なる点は、ガスプラズマエツチング工程を追加し
たことにある。
即ち全ての透明電極の欠落個所について欠落個所の周囲
一体にフォトレジストを塗布し、修正個所のみスポット
露光してフォトレジストに窓をあける。しかる後ガスプ
ラズマエ・ノチンク゛によって透明導電膜およびガラス
基板の表面に残っても）るレジストの残渣等を取り除く
。本実施例におしするガスプラズマエ・ノチングの設定
条件番ま下表の通りである。
一体にフォトレジストを塗布し、修正個所のみスポット
露光してフォトレジストに窓をあける。しかる後ガスプ
ラズマエ・ノチンク゛によって透明導電膜およびガラス
基板の表面に残っても）るレジストの残渣等を取り除く
。本実施例におしするガスプラズマエ・ノチングの設定
条件番ま下表の通りである。
表
ガス 酸素
圧力 １．４ Ｔｏｒｒ
電力 ｔｏｏ ’ ｗ
時間 ３ ｍｉｎ
ガスプラズマエツチングによって透明導電Ｉ臭およびガ
ラス基板を清浄にした後クロムを蒸着し、超音波洗浄に
よって修正個所周辺のフォトレジストを除去（クロムリ
フトオフ）する。
ラス基板を清浄にした後クロムを蒸着し、超音波洗浄に
よって修正個所周辺のフォトレジストを除去（クロムリ
フトオフ）する。
かかる欠落個所の修正方法を取り入れることによってク
ロム膜と透明導電膜および力゛ラス基板との密着性が向
上し、クロム膜の剥離を完全Ｇこ無くすことができる。
ロム膜と透明導電膜および力゛ラス基板との密着性が向
上し、クロム膜の剥離を完全Ｇこ無くすことができる。
なお本実施例では力゛スフ゛ラズマエッチングによって
レジストの残渣等を取り除し）ているが、ＵＶ光線の照
射を行ってもガスプラズマエツチングと同様に透明導電
膜およびガラス基板を清浄にすることができる。
レジストの残渣等を取り除し）ているが、ＵＶ光線の照
射を行ってもガスプラズマエツチングと同様に透明導電
膜およびガラス基板を清浄にすることができる。
（ｇ） 発明の効果
以上述べたように本発明によれば、高度な技術を用いる
ことなく透明電極の欠落個所を確実に、しかも誰にでも
容易に修正できる修正方法を提供することができる。
ことなく透明電極の欠落個所を確実に、しかも誰にでも
容易に修正できる修正方法を提供することができる。
第１図は従来の欠落個所の修正方法、第２図は本発明の
一実施例である。
一実施例である。
Claims (1)
- ガラス基板上に形成された透明電極の欠落個所修正工程
において、レジスト塗布、スポット露光の後に、ガスプ
ラズマエツチングを行い、レジストの残渣を除去した後
クロム蒸着を行うことを特徴とする透明電極製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13162783A JPS6023907A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 透明電極製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13162783A JPS6023907A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 透明電極製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6023907A true JPS6023907A (ja) | 1985-02-06 |
Family
ID=15062467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13162783A Pending JPS6023907A (ja) | 1983-07-19 | 1983-07-19 | 透明電極製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6023907A (ja) |
-
1983
- 1983-07-19 JP JP13162783A patent/JPS6023907A/ja active Pending
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