JPS59200424A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPS59200424A JPS59200424A JP7408283A JP7408283A JPS59200424A JP S59200424 A JPS59200424 A JP S59200424A JP 7408283 A JP7408283 A JP 7408283A JP 7408283 A JP7408283 A JP 7408283A JP S59200424 A JPS59200424 A JP S59200424A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hot plate
- cleaning
- cover
- reaction furnace
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＣＶＤ法により半導体素子ウェハ表面に絶縁膜
を形成する際、反応炉室上部からフレーク状反応生成物
が落下して異物としてウニ八表面に付着するのを防止し
たバッチ式ＣＶＤ装置に関する。
を形成する際、反応炉室上部からフレーク状反応生成物
が落下して異物としてウニ八表面に付着するのを防止し
たバッチ式ＣＶＤ装置に関する。
従来、ＣＶＤ法により半導体素子ウェハ表面に絶縁膜を
形成する工程で、バッチ式ＣＶＤ装置反応炉室の内壁に
フレーク状の反応生成物が付着、堆積しやすかった。特
に、反応炉室頂部蓋内面に付着したものは、直接ウェハ
表面に落下して異物となり、歩留り低下の原因となる。
形成する工程で、バッチ式ＣＶＤ装置反応炉室の内壁に
フレーク状の反応生成物が付着、堆積しやすかった。特
に、反応炉室頂部蓋内面に付着したものは、直接ウェハ
表面に落下して異物となり、歩留り低下の原因となる。
このような歩留り低下を避けるため、従来はＣＶＤ装置
反応炉室内の清掃を頻繁に行っていたが、そのために多
大の時間を費やし、スループントが低下してしまうとい
う問題が生じていた。
反応炉室内の清掃を頻繁に行っていたが、そのために多
大の時間を費やし、スループントが低下してしまうとい
う問題が生じていた。
本発明の目的は、上記の如き問題のない、頻繁に清掃を
しなくても、反応炉室上部から反応生成物が異物となっ
て半導体ウェハ表面にあまり落下して来ないようにした
バンチ式ＣＶＤ装置を提供することにある。
しなくても、反応炉室上部から反応生成物が異物となっ
て半導体ウェハ表面にあまり落下して来ないようにした
バンチ式ＣＶＤ装置を提供することにある。
Ｃ発明の概要〕
上記目的を達成するために本発明においては、バッチ式
ＣＶＤ装置の反応炉室頂部蓋の内部に、この冷却水など
により冷却されている蓋に対し、実質上熱絶縁された取
り外し可能な別の内蓋すなわち防塵ホットプレートを設
けた。
ＣＶＤ装置の反応炉室頂部蓋の内部に、この冷却水など
により冷却されている蓋に対し、実質上熱絶縁された取
り外し可能な別の内蓋すなわち防塵ホットプレートを設
けた。
これは、反応炉室の冷却された内面には、フレーク状の
反応生成物が付着、堆積するが、絶縁膜を形成させよう
とする半導体ウェハ表面の如く、適当な高温に保持した
表面には、外観ガラス状の結晶化した緻密な反Ｃ生成物
の膜が形成されることに着目し、反応炉室頂部蓋の内部
に、この冷却されている蓋とは別の、実質上熱絶縁され
、半導体ウェハを加熱するためのヒータの熱でかなり高
温にまで昇温する内蓋を設けたのである。この内蓋の面
は高温になるため、反応生成物のフレークが堆積し難く
、またフレークが堆積する場合にも、その速度が遅くな
る。
反応生成物が付着、堆積するが、絶縁膜を形成させよう
とする半導体ウェハ表面の如く、適当な高温に保持した
表面には、外観ガラス状の結晶化した緻密な反Ｃ生成物
の膜が形成されることに着目し、反応炉室頂部蓋の内部
に、この冷却されている蓋とは別の、実質上熱絶縁され
、半導体ウェハを加熱するためのヒータの熱でかなり高
温にまで昇温する内蓋を設けたのである。この内蓋の面
は高温になるため、反応生成物のフレークが堆積し難く
、またフレークが堆積する場合にも、その速度が遅くな
る。
第１図は本発明の一実施例を示し、図中、１は反応炉室
、２は反応炉室頂部の蓋、３は本発明に係る内蓋すなわ
ち防塵ホットプレート、４は反応炉室の側壁や蓋を冷却
する冷却水パイプ、５は試料台、６はウェハ、７は試料
台加熱用ヒータ、Ｇはモノシランと酸素の反応用混合ガ
スである。
、２は反応炉室頂部の蓋、３は本発明に係る内蓋すなわ
ち防塵ホットプレート、４は反応炉室の側壁や蓋を冷却
する冷却水パイプ、５は試料台、６はウェハ、７は試料
台加熱用ヒータ、Ｇはモノシランと酸素の反応用混合ガ
スである。
ホットプレート３は冷却水によって冷却されている反応
炉室頂部蓋２には僅かな部分でしか接触しておらず実質
上熱絶縁されている。従ってホントプレート３は試料台
加熱用ヒータ７の熱によってかなり高温にまで加熱、昇
温される。高温に加熱されたホットプレート３にはフレ
ークが堆積し難く、ウェハ上への異物落下が減少する。
炉室頂部蓋２には僅かな部分でしか接触しておらず実質
上熱絶縁されている。従ってホントプレート３は試料台
加熱用ヒータ７の熱によってかなり高温にまで加熱、昇
温される。高温に加熱されたホットプレート３にはフレ
ークが堆積し難く、ウェハ上への異物落下が減少する。
またフレーク堆積速度が遅いため、清掃間隔を長期化で
きる。清掃時にはホットプレートを予め準備しておいた
別の清掃済みホットプレートと交換することにより清掃
のため反応炉内温度を下げる必要がなく、スループット
が向上する。更にホントプレートは比較的薄い材料で作
られ、成形容易であって、上記防塵機能の他に、反応用
混合ガスに対する整流機能を持たせることも出来る。
きる。清掃時にはホットプレートを予め準備しておいた
別の清掃済みホットプレートと交換することにより清掃
のため反応炉内温度を下げる必要がなく、スループット
が向上する。更にホントプレートは比較的薄い材料で作
られ、成形容易であって、上記防塵機能の他に、反応用
混合ガスに対する整流機能を持たせることも出来る。
なおホットプレート自体に温度制御機能を持たせること
も勿論有効である。
も勿論有効である。
以上説明したように本発明によれば、ウェハ表面に上方
からフレーク状反応生成物が異物として落下する確率が
大幅に減少し、清掃間隔の長期化が可能となり、かつ清
掃のための装置停止がが不要となってスループットが上
昇し、更にホットプレートの整流機能により丁度ウェハ
上でモノシランと酸素がうまく混合されて良好な絶縁膜
が形成されるようになる。
からフレーク状反応生成物が異物として落下する確率が
大幅に減少し、清掃間隔の長期化が可能となり、かつ清
掃のための装置停止がが不要となってスループットが上
昇し、更にホットプレートの整流機能により丁度ウェハ
上でモノシランと酸素がうまく混合されて良好な絶縁膜
が形成されるようになる。
なお本発明はプラズマＣＶＤ装置にも適用可能である。
第１図は本発明一実施例の要部断面図である。
１・−・・反応炉室、２・−・反応炉室頂部の蓋、３−
・−・本発明に係る内蓋すなわち防塵ホットプレート、
４・・−・冷却水パイプ、５−・−・試料台、６・・・
ウェハ、７・・−試料台加熱用ヒータ、Ｇ−・−モノシ
ランと酸素の反応用混合ガス。 代理人 弁理士 縣 武雄 第 １ 図
・−・本発明に係る内蓋すなわち防塵ホットプレート、
４・・−・冷却水パイプ、５−・−・試料台、６・・・
ウェハ、７・・−試料台加熱用ヒータ、Ｇ−・−モノシ
ランと酸素の反応用混合ガス。 代理人 弁理士 縣 武雄 第 １ 図
Claims (1)
- 半導体素子ウェハの表面に絶縁膜を形成するのに用いる
バッチ式ＣＶＤ装置の反応炉室頂部蓋の内部に、冷却さ
れている前記蓋から実質上熱絶縁された取り外し可能な
内蓋を別に設けたことを特徴とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7408283A JPS59200424A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7408283A JPS59200424A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200424A true JPS59200424A (ja) | 1984-11-13 |
Family
ID=13536887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7408283A Pending JPS59200424A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200424A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5046273A (ja) * | 1973-08-30 | 1975-04-24 | ||
| JPS5750423A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-24 | Nec Corp | Vapor phase growth device |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7408283A patent/JPS59200424A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5046273A (ja) * | 1973-08-30 | 1975-04-24 | ||
| JPS5750423A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-24 | Nec Corp | Vapor phase growth device |
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