JPS59205772A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感
受性のある光導↑は部材に関する０ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害であること、史には
固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が豐求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用
時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｉと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

面乍ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特性
向上を図る必要があるという史に改良される可き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰り返し使用し
続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像
が生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よシも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンランプや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の量が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射上
が高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

一方、半導体レーザとのマツチングを考慮して支持体上
に少なくともゲルマニウム原子を含む非晶質材料で構成
された非晶質層を設けることが提案されているが、この
場合、支持体と該非晶質層との密着性および支持体から
該非晶質層への不純物の拡散が問題となる場合がある。

或いは父、ａ−８ｊ材料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を図るために、水素
原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び
電気伝導性の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が１．各々構成原子
として光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の
含有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは
光導電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや暗部妬おいて、支持体側よシの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
Ｋ「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画像欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレ
ードを用いるとその摺擦によると思われる、俗Ｋ「白ス
ジ」といわれている所謂画像欠陥が生じたりしていた。

又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多湿雰囲気中に
長時間放置した直後に使用すると俗にいう画像のボケが
生ずる場合が少なくなかった。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就で電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研死検ｌを続けた結果、ａＳ
ｔ１殊にはシリコン原子を母体とし、水素原子（→又は
）・ロゲン原子（ト）のいずれか一方を少なくとも含有
するアモルファス材料、所謂水素化アモルファスシリコ
ン、ハロゲン化アモルファスシリコン、或いはノ・ロゲ
ン含有水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の総称
的表記として［ａ−８ｉ（Ｈ。

Ｘ）Ｊを使用する〕から構成され、光導電性を示す非晶
質層を有する光導電部材の層構成を以後に説明される様
な特定化の下に設計されて作成された光導電部材は実用
上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電
部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕しているこ
と、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特
性を有していること及び長波長側に於ける吸収スペクト
ル特性に優れていることを見出した点に基いている。

本発明は支持体の材料の影響を受けにくく、電気的、光
学的、光導電的特性が常時安定していて、殆んど使用環
境に制限を受けない全環境型であシ、長波長側の光感度
特性に優れると共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用
に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されない光４電部材を提供することを主たる目的
とする。

本発明の別の目的は、全町視光域に於いて光感度が高く
、殊に光導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、製置が高く、ノ・−７トーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、副光感度性、高ＳＮ比
特性を有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、少な
くともゲルマニウム原子を含み、少なくとも一部が結晶
化している第１の層領域と、少なくともシリコン原子と
ゲルマニウム原子とを含む非晶質材料を含有する第２の
層領域と、少なくともシリコン原子を含む非晶質材料を
含有し、光導′成性を示す第３の層領域と、シリコン原
子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第４の層
領域とが前記支持体側より順に設けられたノー構成の光
受容層とを有し、少なくとも１１１記第２の層領域中に
於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一
である事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光４電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、檀め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧性
及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留を位の影響が全くなく、その献気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し便用特性に長け、濃度が萬＜
、ノ・−フトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高
品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に１本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに翫れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就で詳細に
説明する０ 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材ｌＯＯは、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、光受容層１０２を有し、該光受
容層１０２は自由表面１０５を一方の端面に有している
。

光受容層１０２は、支持体１０１側より、ゲルマニウム
原子を母体とするか、又はゲルマニウム原子とシリコン
原子とを母体とし、必要に応じて水素原子又はハロゲン
原子を含み、少なくとμ０ も一部が結晶化している材料（以後［≠拍Ｇｅ（Ｓｉ　
、　Ｈ，Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層領
域（Ｑ　１０６と、ゲルマニウム原子を含有するａ−８
ｉ（Ｈ，Ｘ　）　（以後「ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）　Ｊ
と略記する）で構成された第２の層領域（Ｃ１１０３と
、ａ−８ｉ、好ましく　ｔｒｉ　ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）
で構成され、光導電性を有する第３の層領域（８）１０
４と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料（以
後ａ　　（ＳｌｘＣ＋−ｘ）　　（ｉ（、Ｘ）＋−ｙと
略記）とが順に槓層された層構造を有する。

第２の層領域（Ｑ１０３中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第２の層領域（（ｌｌｏａＯ層厚方向には連続
的であって且つ前記支持体１０１の設けられである側と
は反対の側（光受容層１０２の表面１０５側）の方に対
して前記支持体１０１側の方に多く分布した状態となる
様に前記第２の層領域（ｑｔｏａ中に含有される。

又、第１の層領域（Ｑ　１０６がゲルマニウム原子に加
えてシリコン原子をも母体とする材料で構成される場合
には、該第１の層領域（Ｑ１０６中に含有されるゲルマ
ニウム原子は、好ましくは、第２の層領域（Ｑ１０３の
場合と同様に支持体１０１側に多く分布する様な不均一
な分布状態となる様に含有されるのが望ましい。史には
、この様な場合、第１の層領域（Ｑ１０６及び第２の層
領域（ｑｉｏ３に於いて、ゲルマニウム原子の分布状態
は、支持体ｉｏｉの表面に平行な面内方向に於いて、連
続的で且つ均一であって、層厚方向には、第１の層領域
（Ｃ）１０６及び第２の層領域（ｑｌｏ３を通じて連続
的且つ支持体１０１側に向って多くなる様々不均一分布
となるのが好ましい。

本発明に於いては、第２の層領域（ｑ上に設けられる第
３の層領域（的中には、ゲルマニウム原子は含有されて
おらず、この様な層構造に非晶　　　　　°゛質層形成
することによって、可視光領域を含む、比較的短波長か
Ｃ比較的長波長患の全領域の波長の光に対して光感度が
優れている光導電部材とし得るものである。

第１のｌ＠層領域Ｑ及び第２の層領域（ｑ中に於けるゲ
ルマニウム原子の分布状態は全層領域にゲルマニウム原
子が連続的忙分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分
布濃度Ｃが支持体側より第３の層領域（Ｓ）に向って減
少する変化が与えられているので、第１の層領域（Ｑと
第２の層領域（（Ｊとの間に於ける親和性に優れ、且つ
後述する様に、支持体側端部に於いてゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを極端に大きくすることにより、半導体レ
ーザ等を使用した場合の、第３の層領域（Ｓ）では殆ん
ど吸収し切れない長波長側の光を第２のｊ−領域（ｑに
於いて、実質的に児全に吸収することが出来、支持体面
からの反射による干渉を防止することが出来る。

父、本発明の光導電部材に於いては、第２の層領域（０
と第３の響饋域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々が
シリコン原子という共通の構成要素を有しているので、
積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成されて
いる。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
第２のＩ−領域（ｑ中に含有されるゲルマニウム原子の
層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１Ｏ図において、横軸はゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃを、縦軸は、第２の層領域（ＣｌＯ層厚を
示し、ｔＢは支持体側の第２の層領域（ｑの端面の位置
を、ｔＴは支持体側とは反対側の第２の層領域（ｑの端
面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原子の含有される
第２の層領域（ｑは１Ｂ側よ勺ｔＴ側に向って層形成が
なされる。

第２図には、第２の層領域（ｑ中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

ｔＢは支持体と第２の層領域（ｑとの界面位置を示し、
ｔＴは、第２の層領域（ｑと、第３の層領域（８）との
界面位置を示す。

ｔＢより　ｔＩの位置までは、ゲルマニウム）ｌ子の分
布濃度ＣがＣ４なる一定の値を取り、位置ｔ、よりは濃
度Ｃ７より界面位置ｔｒＫ至るまで徐々に連続的に減少
されている。界面位置１丁においては、ゲルマニウム原
子の分布濃度ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有されるゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置１Ｂよシ位置ｔＴＫ至るまで
濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて
濃度Ｃ６となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔｚ’！ではゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、
位置ｔ、と位置１Ｔとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置１Ｔにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界着未満の場
合である）０第５図の場合ＶＣは、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＢよシ泣置ｔＴＫ至るまで、濃度Ｃ
８より連続的に徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質
的に零とされている。

第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔＢと位置ｔＢ間におい）ては、濃度Ｃ０
と一足値であり１１位置１Ｔにおいては濃度ＣＩ　Ｏと
される。位置ｔ、と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは
一次関数的に位Ｗｔ、ｔｘより位置１．に至るまで減少
されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
よシ位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置ｔ
、より位ｆｆｆｔ　ｊｔまでは濃度ＣＩ、より濃度Ｃ１
，まで−次間数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置１．よシ位置１Ｔに至
るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ
シ実質的に零に生る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置１Ｂより位置ｔＩＩＫ至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１，より濃
度ＣＩ、まで一次関数的に減少され、位置ｔ、と位ｆｔ
　ｔｔとの間においては、濃度Ｃ３６の一定値とされた
例が示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは位置１．において儂″度Ｃ１゜であり、位
置ｔ０に至るまではこの濃度Ｃ１，より初めはゆっくり
と減少されｓ　　’６の位置付近においては、急激に減
少されて位置ｔ６では濃度Ｃ１，とされる。

位置ｔ６と位置ｔ？との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ、で
濃度ＣｔＯとなり、位置ｔ、と位置ｔ８との間では、極
めてゆつくちと徐々に減少されて位置１．において、濃
度Ｃ２ｏに至る。位置ｔ８と位置１丁の間においては、
濃度Ｃｏｏより実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図によシ、第２の層領域（ｑ中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に較べて可成り低くされた部、分を有するゲル
マニウム原子の分布状態が第２の層領域（ｑに設けられ
ている。

以上は第２図乃至第１θ図を用いて、第２の層領域（ｑ
中に含有されるゲルマニウム原子の分布状態を説明した
が、第１の層領域（０及び第２の層領域（ｑに於いて、
ゲルマニウム原子が層厚方向に不均一に含有される場合
にも、上記の説明は適用される。即ち、第２図乃至第１
θ図の説明に於いては、層厚（１，１丁）は、第２の層
領域（ｑの）−厚としたが、第１の層領域（ｑと第２の
層領域（（Ｉとに、層厚方向に不均一にゲルマニウム原
子が含有される場合には、層厚（ｊｇｉｔ）Ｆｉ、この
２つの層領域の層厚の和として説明され、各図に於いて
、第１の層領域（ｑと第２の層領域（ｑとの界面位置ｔ
、はｓ　ｔＢからｔ、までの任意の位置を所望に従って
適宜選択される。

本発明に於ける光導成部材の光受容層を構成する第２の
層領域（ｑは、第１の層領域（Ｑがシリコン原子を含ま
ない場合には、好ましくは支持体側の方にゲルマニウム
原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（８）を
有するのが望ましい０ 本発明に於いては局在領域（５）は、第１の層領域（Ｑ
と第２の層領域（ｑとの界面位置ｔｓより第２の層領域
（ＣＩの５μ以内に設けられるのが望ましいものである
。

本発明においては、上記局在領域（Ｎは、界面位Ｉｌｌ
　ｊｓより第２の層領域（ｑ側の５μ厚までの全層領域
（Ｌア）とされる場合もあるし、又、属領ｍ（Ｌｒ）の
一部とされる場合もある。

局在頭載（５）を層領域（ＬＴ）の一部とするが又は全
部とするかは、形成される非晶質層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（５）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、好ましく
はｌ　００　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ隅　以上、より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上、最適ニハｌＸ　１
０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｙｘ以上とされる様な分布状態
となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニラＡ［子の含有され
る光受容層は、第、１の層領域（Ｑと第２０層領域（ｑ
との界面ｔｓからの第２の層領域（ｑ側に層厚で５μ以
内（ｔＩ！から５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃ
ｍａＸが存在する様に形成されるのが好ましいものであ
る。

本発明に於いて、第１のノ帽領域（ｑがシリコン原子を
含有する場合には局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０
図に於ける層厚（ｊＩｌｔ？）を第１の層領域（ｑと第
２のノー領域（ｑの層厚の和としてとらえ、局在領域（
５）の存在する位置の基準をｔｎ　（この場合は、第１
の層領域（ｑの支持体側端面）として、上記したのと同
様の考えを適用することが出来る。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第３の
層領域（Ｓ）中に含有される水素原子α］の量又はハロ
ゲン原子（３）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは、　　　　１〜４０　ａｔ
ｏｍｉｃ　Ｘ、より好適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％
、最適には５〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ま
しい。

本発明において、第１の層領域（ｑをゲルマニウム原子
とシリコン原子とを母体とする場合には、該第１の層領
域（Ｑ中に含有されるゲルマニウム原子の含有量として
は、本発明の目的が効果的に達成される様に所望に従っ
て適宜法められるが、好ましくはｌ　〜Ｉ　Ｘ　１０’
　ａｔｏｍｉｃ　ｐｙｍ、より好ましくは１００〜Ｉ　
Ｘ　Ｉ　Ｑｓ　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、　　最適には５
００〜ｌ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐ　とされ、？
：、〕ｄｆ望ｉｔ。

いものである。

本発明において、第２の層領域（ｑ中に含有されるゲル
マニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的
に達成される様に所望に従って適宜法められるが、好ま
しくは１〜ＩＸ１ｌＸ１０６ａｔｏ　ｐｌＸｌ、よシ好
ましくは１００１００−８Ｘ１０５Ｂｔｏ　ｐｐｍ　ｓ
　ｊｌｋ適には５００〜７　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐとされるのが望ましいものである。

本発明に於いて第１の層領域（ｑと第２の層領域（ｑと
の層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重要
な因子の１つであるので形成される光導電部材に所望の
特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の際、に
光分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて第２の層領域（ｑと第３の層領域（Ｓ）
との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の重
要な因子の１つであるので形成される光導電部材に所望
の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の際に
充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｑの層厚は、好ましく
は、３０λ〜５０μ、より好ましくは１００Ａ　〜３０
μ、ｆｌｔｉｔ適には５００λ〜２０μとされるのが望
ましい。

本発明に於いて、第２の層領域（ｑの層厚ＴＢは、好ま
しくは、３０λ〜５０μ、より好ましくは４０λ〜４０
μ、最］腫には５０λ〜３０μとされるのが望ましい。

又、笛３の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは、０、
５〜９０μ、よシ好ましくは１〜８０μ、最適には２〜
５０μとされるのが望ましい。

第２０′層領域（ｑの層厚Ｔ、と第３の層領域（（社）
の層厚Ｔの和（ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に貴求さ
れる特性と非晶質層全体に要求される特性との相互間の
有機的関連性に基いて、光導電部材の層設計の際に所望
に従って、適宜決定される。

本発明の光導′屯部材に於いては、上記の（ＴＢ＋’ｒ
）の数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、より
好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが
望ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の）
−厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、通常はＴＢ／′Ｖ≦１な
る関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が
選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔ、／Ｔ≦０，９、最適には
ｉ’Ｂ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ
及び層ノ４Ｔの値が決定きれるのが望ましいものである
。

本発明に於いて、第２の層領域（ｑ中に含有されるゲル
マニウム原子の含有量がＩ　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ泗
以上の場合には、第２の層領域（ｑの層厚ＴＢとしては
、可成シ薄くされるのが望ましく、好ましくは３０μ以
下、よシ好ましくは２５μ以下、最適にｕ２０μ以下と
はれるのが望ましいものである。

本発明において、第１の層領域（Ｑ第２の層領域（ｑ及
び第３の層領域（Ｓ）中に必Ｊ＆に応じて含有されるハ
ロゲン原子（３）としては、具体的にはフッ素、塩素、
芙素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なも
のとして挙げることが出来る。

れる第１の層領域（Ｑを形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆で構成される第１の層領
域（Ｃ１を形成するには、基本的にはシリコン原子（Ｓ
ｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスとゲルマニウム
原子（Ｇｅ　）を供給し得る（支）供給用の原料ガスと
、必要に応じて水素原子（１１導入用の原料ガス又は／
及びハロゲン原子（３）導入用の原料ガスを、内部が減
圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設ｉ
ｔされである所定の支持体表面上にμＣ−Ｑｅ（Ｓｉ、
Ｈ，Ｘ）　　からなる層を形成させれば良い。

父、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でＧｅで構成されたターゲットの１
枚およびＳｌで構成されたターゲット、或いｔよ、該タ
ーゲットとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用し
て、又は、ＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用し
て、必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈された
Ｇｅ供給用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子（ｌ
又ｒｉ／及びハロゲン原子（３）導入用のガスをスパッ
タリング用の堆積室に導入し、所望のガスプラズマ雰囲
気を形成して前記のターゲットをスパッタリングしてや
れば良い。

イオンブレーティング法の゛場合には、例えば多結晶シ
リコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単
結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収
容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビ
ーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を
所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッ
タリングの場合と同様にする事で行う事が出来る。

ａ　−５ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２の層領域（
ｑを形成するには例えばグロー放電法、スパッタリング
法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象を利用
する真空堆積法によって成される。例えば、グロー放電
法によって、ａ−８ｉＧｅ几（イ）で構成される第１の
層領域（ｑを形成するには。

基本的にはシリコン原子（Ｓｉ）を供給し傅るＳｉ供給
用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得る
Ｇｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（ｌ導
入用の原料ガス又は／及び・・ロゲン原子（３）導入用
の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面上
にａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良
い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした
混合ガスの雰囲気中でＧｅで、構成されたターゲットの
１枚およびＳｉで構成されたターゲット、或いは、該タ
ーゲットとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用し
て、又は、ＳｉとＧｅの混合されたターゲットを使用し
て、必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈された
Ｇｅ供給用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子０又
は／及びハロゲン原子（ト）導入用のガスをスパッタリ
ング用の堆積室に導入し、所望のガスプラズマ雰囲気を
形成して前記のターゲットをスパッタリングしてやれば
良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はスパッタ
リングの場合と同様にする事で行う事が出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としてＶよ、ＳｉＨ４，Ｓｉ、ｌ（、、、Ｓｉ
、トム。

５ｉ４Ｈ，ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水累化硅
累（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点で５ｉ）（、、８ｉ２ルが好ましいものとして
挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、ＧｅＨ
４，Ｇｅ、鴇、　Ｇｅ、Ｈ８，Ｇｅ４ｉ（，０，Ｇｅ、
Ｈ，、、Ｇｅ、Ｈ１４，Ｇｅ、Ｈ，、。

ＧｅＢＨ１８，Ｇｅｇｌ（２０等のガス状態の又はガス
化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ
供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ，、Ｇｅ、Ｈ６゜Ｇｅ
３Ｈ，が好ましいものとして挙けられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのノヘロゲン化合物が挙げら
れ、例えば］・ロゲンガス、ノ・ロゲン化物、ハロゲン
間化合物、ノ・ロゲンで置換されたシラン誘導体等のガ
ス状態の又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙
げられる０又、史には、シリコン原子とノ・ロゲン原子
とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロ
ゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本
発明においては拳げることか出来る０ 本発明において好適に使用し傅るノ・ロゲン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素１　　ヨウｇｏ
／−ロゲンガス、ＢｒＦ　、　（ＪＦ　、　Ｃｌ３Ｆ、
、　。

ＢｒＦ、　、　ＢｒＦ、　、　ＩＦ、　、　ＩＦ７．　
Ｉｃｅ　、　ＩＢｒ等のハ（Ｚゲン間化合物を挙げるこ
とが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、へ体的には例えばＳ
ｉＦ、　、　Ｓｉ、Ｆ、　、　８ｉＣ１４，５ｉＢｒ、
等のハロゲン化硅素が好ましいものとして植げることが
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共に５ｉ（ｉ７供
給し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなく
とも、所望の支持体上にハロゲン原子を含む第１の層領
域（ｑおよび第２の層領域（ｑを形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（ｑおよび第２の層頑域（ｑを作成する場合、基本的
には、例えばＳｔ供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅
素とＧｅ供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウムと
Ａｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流暇
になる様にして第１の層領域（ｑおよび第２のノー領域
（ｑを形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１の層領域（ｑおよび第２の層領
域（ｑを形成し得るものであるが、水素原子の導入割合
の制御を一層容易になる様に図る為にこれ等のガスに更
に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望
量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数棟混
合して使用しても差支えないものである。

以上の形成法で第１の層領域（Ｑの一部を結晶化するた
めに支持体温度を、第２の層領域（ｑを形成する支持体
温度より５０〜２００℃高温にする必要がある。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中に／’％ロゲン原子を導入するに
は、前記の・・ロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を
含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

父、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、鶴、或いは前記したシラン類又は／及
び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用の
堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成し
てやれば良い０ 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記された〕・ロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ　、　ＨＣＩ　。

１（ｆ３ｒ　、　ｉ４Ｉ等）・・ロゲン化水素、ＳｉＨ
，セ゛２．ＳｉＨ，Ｉ、。

５ｉＨ２Ｃ１，、５ｉＨＣ／、　、　８ＩＨ２Ｂｒ２．
５ｉＨＢｒ、等の７１０ゲン置換水素化硅素、及びＧｅ
ＨＦＢ、　Ｇｅｌ、Ｆ、　、　（）ｅＨ，Ｆ　。

０ｅＨＣｌｓ　＋　（）ｅＨｔｃ／ｌ　ｓ　ＧｅにＣ／
　Ｔ　Ｇｅ肋ｒｓ　＋　ＧｅＨ，Ｂｒ２゜ＧｅＨ３Ｂｒ
、　（ＪｅＨＩ、、　ＧｅＨＪ２．　ＧｅＨ８Ｉ等の水
素化ハロゲン化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素
の１つとする）・ロゲン化物、ＧｅＦ４．　ＧｅＣｌ４
．　ＧｅＢｒ４．　ＧｅＩ。。

ＧｅＦ、　、　ＧｅＣ１！、、　ＧｅＢｒ、　、　Ｇｅ
Ｉ、等のハロゲン原子）＆マニウム、等々のガス状態の
或いはガス化し得る物質も有効な第１の層領域（ｑおよ
び第２の層領域（ｑ形成用の出発物質として皐げる事が
出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含む〕・ロゲン化物は、
第１の層領域（Ｑおよび第２の層領域（（１形成の際に
層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的
特性の制御に極めて有効な水素原子も導入されるので、
本発明においては好適なハロゲン導入用の原料として使
用される。

水素原子を第ｌの層領域（ｑおよび第２の層領域（ｑ中
に構造的に導入するには、上記の他にＨ２、或いはＳｉ
１山、Ｓｉ晶、　Ｓｉ、Ｉ（８，Ｓｉ、Ｈ，０等の水素
化硅素を（）ｅを供給する為のゲルマニウム又はゲルマ
ニウム化合物と、或いは、ＧｅＨ，、Ｇｅ、Ｈ６，Ｇｅ
、Ｈ，。

Ｇｅ４Ｈ，ｏ、　ｏｅＩＨｌｌ　、　０ｅ６Ｈ１４、Ｇ
ｅ７トｉ、、　、　缶＠ＨＨ、ＧｅｇＨ２゜等の水素化
ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコ
ン化合物と、を堆積室中に共存させて放醒を生起させる
事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例として、形成される光導電部材の第
１の層領域（ｑ中に水素原子父は）・ロゲン原子のいず
れか少々くとも一方を含有させる場合、含有される水素
原子（ハ）の量又はノ・ロゲン原子囚の量又は水素原子
とノ・ロゲン原子の量の和（１−４＋Ｘ）は、好ましく
は、０．０００１〜４０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には
０．００５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．０１
〜２５　ａｔｏｍｉｃ％　とされるのが望ましい０ 第１の層領域（ｑ中に含有される水素原子（１′！又は
／及び〕・ロゲン原子（ト）の量を制御するには。

例えば支持体温度又は／及び水素原子（ｌ（ｌ　、或い
はハロゲン原子（ト）を含有させる為に使用される出発
物質の堆積装置系内に導入する址、放電々力等を制御し
てやれば良い。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第２の層領域（ｑ中に含有される水素原子（Ｌｌの敏又
は〕・ロゲン原子（凶の量又は水素原子とハロゲン原子
の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は、好ましくは、０．０１〜４０
　ａｔｏｒｎｉｃ　Ｘ、より好適には０、０５〜３０　
ａｔｏｍｉｃ％、最適にはＱ、　ｌ　〜２５ａｔｏｍｉ
ｃ％とされるのが望ましい０第２の層領域（ｑ中に含有
される水素原子０又は／及びハロゲン原子（３）の童を
゛制御するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
Ｈ１或込はハロゲン原子（ト）を含有させる為に使用さ
れる出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等
を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ−８ｉ（Ｌ−１，Ｘ）で構成される
第３の層領域（Ｓｌを形成するには、前記した第２の層
領域（ｑ形成用の出発物質（Ｉ）の中より、由供給用の
原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第３の層領
域（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第２の
層領域（ｑを形成する場合と、同様の方法と条件に従っ
て行うことが出来る０即ち、本発明において、ａ−８ｉ
　（Ｈ，Ｘ）で構成される第３の層領域（８）を形成す
るには例えばグロー放電法、スパッタリング法、或いは
イオンブレーティング法等の放電現象を利用する真空堆
積法によって成される。例えば、グロー放電法によって
、　　ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第３の層領域（
に）を形成するには、基本的には前記したシリコン原子
（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと共に、必
要に応じて水素原子０導入用の父は／及びノ・ロゲン原
子（凶導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室
内に導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所足位置に設置されである所定の支持体表面上にａ　
−８ｉ　（Ｈ，Ｘ）からなる層を形・成させれば良い。

又、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをス
パッタリングする際、水素原子（５）又は／及びノ・ロ
ゲン原子（Ｘ）４人用のガスをスパッタリング用の堆積
室に導入しておけばする第３の層領域（Ｓ）中に含有さ
れる水素原子０の量又はノ・ロゲン原子（３）の量又は
水素原子とノ・ロゲン原子の量の和（Ｈ十Ｘ　）は、好
ましくは、１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には５
−３０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜２５　ａｔｏｍ
ｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いては、第１乃至第３の層領域中には、伝導
特性を制御する物質（ＩＪを含有させることによって、
物質（０の含有される層領域（ＰＮ）　　　　　’の伝
導特性を適宜、所望に従って制御することが出来る。

このような・物質（１）は、第１乃至第３の層領域の全
層領謔に１遍なく含有させても良いし、或いは、一部の
層領域妬局在的延含有させても良い。

本発明に於いて伝導特性を制御する物質（ト）を特に第
２の層領域（ｑの一部の層領域ＶＣ遍在する様に第２の
層領域（ｑ中に含有させる場合には、前記物質（θの含
有される層領域（ＰＮ）は、第２の層領域（ｑの端部層
領域として設けられるのが望ましいものである。殊に、
第２の層領域（ｑの支持体側の端部層領域として前記層
領域（ＰＮ）が設けられる場合には、該層領域（ＰＮ）
中に含有される前記物質（０の種類及びその含有量を所
望に応じて適宜選択することによって支持体から非晶質
層中への特足の極性の電荷の注入を効果的に阻止するこ
とが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（０を、非晶質層の一部を構成する第２
の層領域（ｑ中に、前記した様に該層領域（ｑの全域に
１遍なく、或いは層厚方向に遍在する様に含有させるの
が好ましいものであるが、更には、第２の１−領域（ｑ
上に設けられる第３の層領域（Ｓ）中にも前記物質（１
］を含有させても良い。

第３の層領域（Ｓ）中に前記物質（０を含有させる場合
には、第２の層領域（ｑ中に含有される前記物質（０の
種類やその含有量及びその含有の仕方に応じて、第３の
７ｆｉ領域（０中に含有させる物質（００種類やその含
有量、及びその含有の仕方が適宜決められる。

本発明に於いては、第３の１−領域（Ｓ）中に前記物質
（０を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第２の
層領域（ｑとの接触界面を含む層領域中に前記物質（ｑ
を含有させるのが望ましいものである。

本発明に於いては、前記物質（Ｌｌは第３の層領域（ｉ
ｓ’）の全層領域に１遍なく含有させても良いし、或い
は、その一部の層領域に均一に含有させても良い。

第２の層領域（ｑと第３の層領域（Ｓ）の両方に伝導特
性を支配する物質（ト）を含有させる場合、第２の層領
域（ｑに於ける前記物質（Ｑが含有されている層領域と
、第２の層領域（急に於ける前記物質（０が含有されて
いる層領域とが互いに接触する様に設けるのが望ましい
。

又、第１の層領域（ｑと第２の層領域（ｑと第３の層領
域（８）とに前ｄピ物質（０を含有させる場合、前記物
質（ｌは、第１の層領域（ｑと第２の層領域（ｑと第３
の層領域（Ｓ）とに於いて同種類でも異種類であっても
良く、又、その含有量は各層領域に於いて、同じでも異
っていても良い。

面乍ら、本発明に於いては、各層領域に含有される前記
物質（０が３者に於いて同種類である場合には、第２の
ノー偵域（ｑｌ中に含有量を充分多くするか、又は、電
気的特性の異なる種類の物質（０を、所望の各層領域に
１夫々含有させるのが好ましいものである。

本究明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第２
の層領域（ｑ中に、伝導特性を支配する物質（１）を含
有させることにより、該物質（０の含有される層領域〔
第２の層領域（ｑの一部又は全部の層領域のいずれでも
良い〕の伝導特性を所望に従って任意に制御することが
出来るものであるが、この様な物質（ｇとしては、所謂
、半導体分野で云われる不純物を挙けることが出来、本
発明に於いては、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物及び
ｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る
。

具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第■＃に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ｍ（アル
ミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ　（インジウム）
、ＴＩ！（タリウム）等があシ、殊に好適に用いられる
のは、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）、例えは、Ｐ　（ａ）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ
　（アンチモン）、Ｂｉ　（ビスマス）等であシ、殊に
、好適に用いられるのは％Ｐ＋Ａｓである。

；ＥＱＩＩＫア１７、□１ヤ１．１４ヮオ、□。　　　
゛が含有される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、
該層領域（ＰＮ）に要求される伝導特性、或いは、該層
領域（ＰＮ）が支持体に直に接触して設けられる場合に
は、その支持体との接触界面に於ける特性との関係等、
有機的関連性に於いて、適宜選択することが出来る。

父、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

本発明に於いて、ノー領域（ＰＮ）中に含有される伝導
特性を制御する物￥ｊ（ト）の含有量としては、好まし
くは、０．０１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ、より好適には、０．５−Ｉ　Ｘ　ｌ　Ｏ’　ａｔｏ
ｍｉｃｐｐｍ　、最適には、１〜５×ｌｏ３ａｔｏｍｊ
ｃ９％とされるのが望ましいものである。

本発明に於いて、伝４特性を支配する物質（０が含有さ
れる層領域（ＰＮ）に於ける該物質（０の含有量を、好
１しくけ、３０　ａｔｏｍｉｃ卿以上、より好適には５
０　ａｔｏｍｉｃ卿以上、最適には、１００１００ａｔ
ｏ　ｐｙｘ以上とすることによって、例えば該含有させ
る物質（ｌが前記のＰ型不純物の場合には、光受容層の
自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に支持体側から
少なくとも第２の層領域（ｑを通って第３の層領域（的
中への電子の注入を効果的に阻止することが出来、又、
前記含有させる物質（０が前記のｎ型不純物の場合には
、光受容層の自由表面が■極性に帯電処理を受けた際に
、支持体側から少なくとも第２の層領域（ｑを通って第
３の層領域（Ｓ）中への正孔の注入を効果的に阻止する
ことが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を除いた部分の層領域（４には、層領域（ＰＮ）　Ｋ
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質を含有させ
ても良いし、或いは同極性の伝導型を有する伝導特性を
支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実際の量よ
りも一段と少ない扉にして含有させても良いものである
。この様な場合、前記層領域（４中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望に
従って適宜決定されるものであるが、好ましくはｓ　Ｏ
，００１〜１０００；ｉｔｏｍｉｃ　ｐ、より好適には
０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　Ｐ　、最適にはＯ，
ｌ−２００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ましい
ものである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（（イ）に
同種の伝導性を支配する物質（０を含有させる場合には
、層領域（４に於ける含有量としては、好ましくは３０
　ａｔｏｍｉｃｐ＞以下とするのが望ましいものである
。

本発明に於いては、第１乃至第３までの層領域中に、一
方の極性の伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有
させた層領域と、他方の極性の伝導型を有する伝導性を
支配する物質を含有させた層領域とを直に接触する様に
設けて。

該接触頭載に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、第１乃至第３までの層領域中にＭＵ記の
Ｐ型不純物を含有する層領域と前記のｎ型不純物を含有
する層領域とを直に接触する様に設けて所謂Ｐ　−ｎ接
合を形成して、空乏層を設けることが出来る。

光受容層を構成する層領域中に、伝導特性を制御する物
質（０、例えば、第■族原子或いは第■族原子を構造的
に導入して前記物質（ト）の含有された層領域（ＰＮ）
　′ｔｌ−形成するＫは、層形成の際に、第■族原子導
入用の出元物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガ
ス状態で堆積室中に、光受容層を形成する為の他の出発
物質と共に導入してやれば良い。この様な第■族原子導
入用の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガ
ス状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し
得るものが採用されるのが望ましい。その様な第■族原
子導入用の出Ｑ＊質として具体的には硼素原子導入用と
しては、Ｂｔｋ％　、Ｂ４ＨＩ（１、Ｂｉｋ４ｏ　−１
３ｓＨＩＩ、ＢｓＨｌｏ　、Ｂ６ＨＩ２　、ＢＩＩＨ１
４等の水素化硼素、ＢＰ、　、　ＢＣＩ！３．　ＢＢｒ
、　　等（７）　ハロゲン原子ｚ’ｉが挙げられる。こ
の他、Ａｌｃ／ｓ　、　ＧａＣ／３゜Ｇａ　（ＣＨ＊）
ｓ　、ＩｎＣｌ５−　ｒ１７Ｃｌｓ等も挙げることが出
来る０ 第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としでは、ｐＨ，、
ｐ２ｉ九等の水素比隣、ＰＨ，Ｉ　。

ＰＦ、、　ＰＦ、、　ＰＣ／、、　Ｐｃｔ：、、　ＰＢ
ｒｓ、　ＰＢｒ、、　ＰＩ、等のハロゲン比隣が挙げら
れる。この他ｂ　Ａ８Ｆ１４　ｅ　Ａｓｋ、　ｌＡｓＣ
ｅ、　、　ＡｓＨｒ、　、　ＡｓＦ、　、　５ｂｌ−１
，、ＳｂＦ３．８ｂＦ’、　、　５ｂｃｌ！ｓ。

５ｂｃｅｓ　、　ＳｘＨ，、５ＩＣｌｓ　＋　”Ｂｒｓ
等もｉｖ族原子導入用の出発物質の有効なものとして挙
げることが出来る。

本発明に於ける第４の層領域−は、シリコン原子（Ｓｉ
）と炭素原子（０と、必要に応じて水素原子σ違又は／
及びハロゲン原子（３）とを含む非晶質材料（以後、「
ａ　（Ｓ１ｘＣｔ−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）ｘ−ｙｊと記す。

但し％　　Ｏ＜Ｘ％　ｙ＜ｔ　　＞で構成される。

ａ−（ＳｉＸｅ、−ｘ）ｙ（Ｈ９Ｘ）、−ｙ　　で構成
される第４の層領域（→の形成はグロー放電法、スパッ
タリング法、エレクトロンビーム法等によって成される
。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の貝荷程
度、製造規模、作製される光導電部材に所望される特性
等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所望す
る特性を有する光導電部材を製造するための作製条件の
制御が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素原子
及びハロゲン原子を、作製する第４の層領域□□□中に
導入するのが容易に行える等の利点からグロー放電法或
はスパッターリング法が好適に採用される。

更に、本開明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第４の層領域−を形
成してもよい。

グロー放電法によって第４の層領域（至）を形成するに
はａ　’　（８’ｘＣ＋　−ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ）ｔ−ｙ
形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に
導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させるこ
とでガスプラズマ化して、前記支持体上に既に形成され
であるｇｌから第３の層領域上にａ　（Ｓ’ｘＣ１−ｘ
）ｙ　（Ｈ，Ｘ）＋−ｙ　　を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ−（ＳｉｘＣ，）０．（Ｈ，Ｘ）ｌ
−、形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓｉ）
、炭素原子（Ｑ　、水素原子（Ｉ（ｌ、］・ロゲン原子
（３）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の
物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概
のものが使用され得る。

Ｓｉ、Ｃ，ＨｌＸの中の一つとして３ｉを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｉを構成原子と
する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、父はＳｔを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成
原子とする原料ガスとを、これも父、所望の混合比で混
合するか、或いは、Ｓｌを構成原子とする原料ガスと　
Ｓ　Ｌ％Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は
、Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを
混合して使用することができる。

又、別には、ＳｌとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｌとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ中忙含有されるハロ
ゲン原子（ト）として好適なのはＦ、ＣＪ。

Ｂｒ、Ｉであシ、殊にＦ、Ｃ７：が望ましいものである
０ 本発明に於いて、第４の層領域（財）を形成するのに有
効に使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温
常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物
質を輩げることかできる。

本発明に於いて、第４の属領域脅形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳｌとＨとを構成原子とする
８ｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｓｉ、ＩＩ８．５ｉ４Ｈ４０等
のシラン（５ｉｚａｎｅ　）類等の水素化硅素ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽和炭
化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２
〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲン
化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン
置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事ができる。具
体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ，）、工
ｐ　７　（Ｃ２１−１１１）　％プロパｙ　（Ｃ，Ｈ，
）、ｎ−ブタ７　（ｎ−Ｃ４１−（、。）、ペンタン（
Ｃ６［夷、）、エチレン系炭化水素としては、エチレン
（Ｃ２Ｈ４’）　、プロピレン（Ｃ，Ｈ６）、ブテン−
１（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２（０４Ｈ８）、インブチレ
ン（Ｃ４Ｈｓ　）、ペンテン（Ｃ５’（１０）、アセチ
レン系炭化水素としては、アセチレン（ＣｚＨ２）、メ
チルアセチレン（Ｃ８１（４・）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）
、ハロゲン単体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素
のハロゲンガス、ハロゲン化水素としては、１！’Ｈ、
１−ＩＩ　、　１４ＣＪ　、　１（１３ｒ　、　ハロゲ
ン間化合物としては、ＢｒＦ　、　ＣＩＱ？’　、　Ｃ
ＪＦ’３．　ＣＩＦ、　、　ＢｒＦ５．　ＢｒＦ、　、
　ＩＦ７．　ＩＰ、　。

ｉｃｌ！、　ＩＢｒ、ハロゲン化水素としてはＳｉＦ、
　、　Ｓｉ、Ｆ６゜５ｉＣｚｓＢｒ　、　５ｉＣ１！、
Ｂｒ２．５ｉＣ１！Ｂｒ、　、　８ｉＣ１！、Ｉ　、　
５ｉＢｒ、、ハロゲン置換水素化硅素としては、８ｉＨ
７Ｆ２゜ＳｉＨ，ＣＪ、　、　５ｉＨＣｌ！３．　Ｓｉ
Ｈ，ＣＪ　、　ＳｉＨ，Ｂｒ　、　５ｉＨ２Ｂｒ２゜５
ｉＨＢｒ、　、水素化硅素としては、Ｓ　ｔＨ４，Ｓ　
１２ｒ−ｔ、　。

５ｉ１Ｈ，、５ｉ４Ｈ，。等のシラ７　（Ｓｉ／ａｎｅ
　）類、等々を挙げることができる。

これ等の他に”Ｆ４−　ＣＣＩＩ　−（１’Ｂｒ４．　
ＣＨＦ５　、　ＣＨ２Ｆ２　。

ＣＨｌＦ、ＣＨ３Ｃｌ１ＣＨ３Ｂｒ、ＣＨ３Ｉ、Ｃ２Ｈ
，ｌＣｌ　　等のハロゲン置換パラフィン系炭化水素、
ＳＦ４．８Ｆ６等のフッ素化硫黄化合物、５ｉ（ＣＨ３
）、　、　５ｉ（Ｃ，Ｉ丸）４、等のケイ化アルキルや
ｓ　ｔｃｔ　（Ｃ）ＩＩ）Ａ　Ｉ　Ｓ　；ｃＪ、　（ｃ
ａｌ、　）２　＋５ｉＣＪｓＣＨ，等のハロゲン含有ケ
イ化アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙げ
ることができる。

これ等の第４の層領域（ハ）形成物質は、形成される第
４の層領域（財）中に、所定の組成比でシリコン原子、
炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが
含有される様に、第４の層領域Ｎの形成の脈に所望に従
って選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る５ｉ
（ＣＨｌｌ）４と、ハロゲン原子を含有さセルモ＋７）
　、！ｍｌ、テノＳｉＨＣｇｓ、　５ｉＨ２Ｃ／２．５
ｉＣＪ、、或いはＳｉｎ、Ｃｇ等を所定の混合比にして
ガス状態で第４の層領域脅形成用の装置内に導入してグ
ロー放電を生起させることによってａ　−（Ｓ　ｉＸＣ
＋　−ｘ）ｙ　（Ｃ１十Ｈ）　、−ｙから成る第４の層
領域Ｎを形成することができる。

スパッターリング法によって第４の層領域ｑＡを形成す
るには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェ
ーハー又はＳｉとＣが混合されて含有されてｂるウェー
ハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲ
ン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む池々の
ガス雰囲気中でスパッターリングすることによって行え
ば良い。

例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原料ガスを、必
要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し
、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｌウェ
ーハーをスパッターリングすれば良い。

父、別には、ＳｉとＣとは別々のターゲットとして、又
（ｄｓｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用するこ
とによって、必要忙応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を、含有するガス雰囲気中でスパッターリングする
ことによって成されるＯＣ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガ
スとなる物質としては先述したグロー放電の例で示した
第４の層領域脅形成用の物質がスパッターリング法の場
合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、第４の属領載置をグロー放電法又はス
パッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガスと
しては、所謂・希ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　、　Ａ
ｒ　　等が好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける第４の層領域（Ｍは、その要求される特
性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、ｓｉ・Ｃ・必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質を、各々示すので本発明に
於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ　−（Ｓ
ＩＸＣＩ　−Ｘ）Ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙが形成される様に
、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される。

例えば、第４の層領域（Ｍを耐圧性の向上を主な目的と
して設けるにばａ　　（Ｓ’ｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｉ（、Ｘ
）＋−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な
非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第４の層領域（財）が設けられる場合には上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩オロされ、照射され
る光に対しである程度の感度を有する非晶質材料として
ａ　（ＳＩＸＣＩ−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙが作成され
る。

第３の層領域（Ｓ）表面にａ　　（Ｓ　１）（Ｃ１−Ｘ
　）ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙから成る第４の層領域６鍾を形
成する際、ｊ―形成中の支持体温度は、形成される層の
構造及び特性を左右する重要な因子であって、本発明に
於いては、目的とする特性を有するａ−（ＳｉｘＣ，−
〇。

（Ｈ，Ｘ）ｌ−Ｙが所望通りに作成され得る様に層作成
時の支持体幅度が厳密に制御されるのが望ましいＯ 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるだめ
の第４の層領域（財）の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、第４の属領載置の形成が人荷されるが、好
ましくは、２０〜４００℃、より好適には５０〜３５０
℃、最適には１００〜３００℃とされるのが望ましいも
のである。

第４の層領域（財）の形成には、層を４Ｊ成する原子の
組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比
較的容易である事等のために、グロー放電法やスパッタ
ーリング法の採用が有利であるが、これ等の層形成法で
第４の層領域（至）を形成する場合には、前記の支持体
温度と同様に層形成の際の放電パワーが作成されるａ−
（ＳＩＸＣＩ−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙ　（Ｄ％’ｆｉ
　ヲ左右ｆルＭＷｆｘ因子の一つである。

本発明に於ける目的が達成されるための特性を有するａ
　（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙが生産性良く
効果的に作成されるための放電パワー条件としては、好
ましくはｉｏ〜３００Ｗ、より好適には２０〜２５０Ｗ
、最適には５０〜２００Ｗとされるのが望ましいもので
ある。

堆積室内のガス圧は好ましくは０．０１〜ＩＴｏｒｒ。

より好適には、０，１〜０．５物ｒｒ程度とされるのが
望ましい。

本発明に於いては第４の層領域−を作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクターは
、独立的に別々に決められるものではなく、所望特性の
ａ　−（Ｓ１ｘＣ＋　−ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙから成
る第４の層領域（財）が形成される様に相互的有機的関
連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決められ
るのが望ましい。

本発明の光４電部材に於ける第４の層領域（財）に含有
される炭素原子の址は、第４の属領装置の作成条件と同
様、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第４
の層領域σ→が形成されるｆｆｉ要な因子である。

本発明に於ける第４のＪ―層領域へ）に含有される炭素
原子の量は、第４の層１領域（至）を構成する非晶質材
料の種類及びその特性に応じて適宜所望に応じて決めら
れるものである。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓ１ｘＣ１−Ｘ）ｙ（Ｈ，Ｘ）
１−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後、「ａ
−８ｉａＣ１−ａ」と記す。但し、０＜ａ＜１）、シリ
コン原子と炭素原子と水素原子とで構成される非晶質材
料（以後、ｒ　ａ　（Ｓ’ｂＣ＋　−ｂ）ｃＨ＋　−Ｃ
Ｊと記す。但し、０〈ｂ、Ｃく１）、シリコン原子と炭
素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構成
される非晶質材料（以後％　　ｒａ　（ＳｉｄＣ，ｄ）
ｅ（Ｈ，Ｘ）、ｅＪとｉｅす。イ旦しＯ（ｄ、　ｅ（１
）、に分類される。

本発明に於いて、第４の層領域（財）がａ　５ＩａＣｓ
−３で構成される場合、第４の層領域Ｃ吻に含有される
炭素原子の量は好ましくは、ｌＸｌ０’〜９０ａｔｏｍ
ｉｃ％、より好適には１−８０　ａｔｏｍｉｃ％、最適
Ｋ１１ｏ〜７５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい
ものである。即ち、先のａ−８ｉａＣ，ａのａの表示で
行えば、ａが好ましくけ０．１−０．９９９９９、より
好適には０．２〜０．９９．最適には０．２５〜０．９
である。

本発明に於いて、第４の層領域（財）がａ−（ＳｉｂＣ
＋−ｂ）。Ｈｌ−Ｃで構成される場合、第４の層・頗域
司に含有される炭素原子の量は、好ましくはｌＸｌ０’
〜９０　ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましくは１−９
０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０−８０　ａｔｏｍｉ
ｃ％とされるのが望ましいものである。水素原子の含有
量としては、好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好ましくは２〜３５　ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜
３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の
範囲に水累含有蝋がある場合に形成される光導電部材は
、実際面に於いて優れたものとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ　（ＳｊｂＣ＋　−ｂ）（１４ｔ−ｃの表
示で行えばｂが好ましくは０．１−０．９９９９９、よ
シ好適には０．１〜０９９、最適には０．１５〜０．９
、Ｃが好ましくは０．６〜０．９９、より好適には０．
６５〜０．９８　、最適には０．７〜０．９５であるの
が望ましい。

第４の層領域（財）が、ａ　（Ｓｉｄｃ＋−ｄ）ｅ（■
（、Ｘ）ｔ−ｅで構成される場合には、第４の層領域（
財）中に含有される炭素原子の含有量としては、好まし
くは、Ｉ　Ｘ　１０　〜９　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ９６．　
より好適には１〜９　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１
０〜８０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいもので
ある。ノ・ロゲン原子の含有量としては、好ましくは、
１〜２０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等
の範囲に・・ロゲン原子含有址がある場合に作成される
光導電部材を実際面に充分適用させ得るものである。必
要に応じて含有される水素原子の含有量としては、好ま
しくはｌ　９　ａｔｏｍｉｃ％以下、よ〃好適にはｌ　
３　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが菫ましいものであ
る。

即ち、先のａ−（Ｓｉ（（Ｃ，−ｄ）ｅ　（Ｈ，Ｘ）、
−ｅのｄ、　　ｅの表示で行えばｄが好ましくは、ｏ、
ｉ〜０．９９９９９、より好適には０．１〜０．９９　
、最適には０．１５〜Ｑ、９．ｅが好ましくは０．８〜
０．９９　、よシ好適には０．８２〜０．９９　、最適
には０．８５〜０．９８であるのが望ましい。

本発明に於ける第４の層領域の層厚の数範囲は、本発明
の目的を効果的に達成するだめの重要な因子の一つであ
る。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第４のノー領域（Ｍの層厚は、該層（至）中に含有
される炭素原子の縫や第１から第３の層領域の層厚との
関係に於いても、各々の層領域に要求される特性に応じ
た有機的な関連性の下に所望に従って適宜ｓ＆される必
要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望捷しい。

本発明に於ける第４の層領域（ｉＶＩの層厚としては、
好ましくは０．００３〜３０μ、好適に１は０．００４
〜２０μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望
ましいものである。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としてｅコニ
、例えば、ＮｉＣｒ、　　ステンレス。

Ｍ、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ
　、　Ｖ　、　’Ｉ’ｉ　、　Ｐｔ　、　Ｐｄ等の金属
又はこれ等の合金が挙げられる。電気絶縁性支持体とし
ては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート
、セルローズ、アセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミ
ド等）合成樹脂のフィルム又はシート、ガラス、セラミ
ック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁性支持
体は、好適には少なくともその一方の表面を導電処理さ
れ、該導電処理された表面１１１１に他の層が設けられ
るのが望ましい。例えば、ガラスであれば、その表面Ｋ
　、　ＮｉＣｒ　、　ＡＩ！　、　Ｃｒ　。

Ｍｏ、Ａｕ、　Ｉｒ、Ｎｂ、’Ｉ’ａ、　Ｖ、’Ｉ’ｉ
　、Ｐｔ、Ｐｄ、　Ｉｎ２Ｏ，。

５ｎ０２．１ＴＯ（Ｉｎ２０．、　＋５ｎＯ２）等ｖｈ
ら成る薄膜を設けることによって４電性が付与され、或
いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれ
ば、ＮｉＣｒ、ＡＪ、Ａｇ、　Ｐｂ、　Ｚｎ、　Ｎｉ　
、Ａｕ、　Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｉｒ、Ｎｂ、’ｌ’ａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属の薄膜
を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその
表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理
して、その表面に導電性が付与される。支持体の形状と
しては、円筒状、ベルト状。

板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００を電子
写真用像形成部材として使用するのであれば連続商運複
写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが望ま
しい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成さ
れる様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が
要求される場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限シ薄くされる。面乍ら、こ
の様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強度等
の点から、通常は、１０μ以上とされる〇 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て読切する。

第１１図に光４電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベにハ、本発明の
光４亀部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その１例としてだとえば１１ｏ２は、Ｈｅで稀釈され
たＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｓ’　Ｈ４
／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅで４釈さしｆ
ｃ　ｃ３ｅｋ−１＜　ｉ、＜　（＋Ｍ［ｔ　９９．９９
９　Ｘ、以下Ｇｅｆ（４／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１
０４はＨｅで稀釈されｆＣ，Ｓ　”４　カス（純Ｗ　９
９．９９　Ｘ、以下８ｉＦ％／Ｈｅと略す。）ボンベ、
１１０５はＨｅガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１
１０６ばＨ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベである
。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のパルプ１１２２〜ｔｉ２６、
リークパルプ１１３５が閉じられていることを確認し、
父、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出パルプ１１１
７〜１１２１　、補助バルブ１１３１１１３３が開かれ
ていることを確認して、先づメインバルブ１１３４を開
いて反応室１１０１　、及び各ガス配管内を排気する。

次に真空計１１３６の読みが約５×ｌＯ″ｔｏｒｒにな
った時点で補助バルブ１１３２．　１１３３、流出バル
ブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第１の層領域（ｑを
形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よ
りＳ　１ｌ（４／Ｈｅガス、ガスボンへ１１０３よｌ）
　Ｇｅ１−１．／Ｈｅガスをパルプ１１２２．　１１２
３を開いて出口圧ゲージ１，１２７．　１１２８の圧を
ＩＫｇ／−に調整し、流入パルプ１１１２．　１１１３
を徐々に開ケて、マスフロコントローラ１１０７　、１
１０８内に夫々流入させる。引き続いて流出パルプ１１
１７、　１１１８　、補助パルプ１１３２を徐々に開い
て夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。

このときのＳｉＨ，／Ｈｅガス流量とＧｅＨ４／Ｈｅガ
ス流量との比が所望の値になるように流出パルプ１１１
７、　１１１８を調整し、又、反応室１１０１内の圧力
が所望の１直になるように真空計１１３６の読みを見な
がらメインパルプ１１３４の開口を調整する。そして基
体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により４００
〜６００℃の範囲の温度に設定されていることを確認さ
れた後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室１
１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあらかじめ設
計された変化塞曲線に従ってＧｅｍ４／、Ｈｅガスの流
量を手動あるいは外部駆動モータ等の方法によってパル
プ１１１８の開口を漸次変化させる操作を行なって形成
される層中に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を
制御する。

上記の様にして、所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、基体１１３７上に第１の層領域（０）を形成す
る。所望層厚に第１の層領域（ｑが形成された段階にお
いて、流出パルプを総て閉じる。

第１の層領域（ｑ上に第２の層領域（ｑを形成する場合
の１例をあげると、ガスボンベ１１０２よりＳ　ｉＨ４
／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よｐ　ＧｅＨ，／Ｈｅ
ガスをパルプ１１２２．　１１２３を開いて出口圧ゲー
ジ１１２７．　１１２８の圧をｌ　Ｋ？　／　ｃｒｌ　
ＩＩＣｇ整し、流入パルプ１１１２．　１１１３を徐々
に開けて、マスフロコントローラ１１０７．　１１０８
　内に夫々流入させる。引き続いて流出パルプ１１１７
．１１１８、補助パルプ１１３２を徐々に開いて夫々の
ガスを反応室１１０１　Ｋ流入させる。このときのＳｉ
Ｈ４／Ｈｅガス流靴とＧｅＨ，／Ｈｅ　ガス流量との比
が所望の値になるように流出バルブ１１１７．　１１１
８を調整し、父、反応室１１０１内の圧力が所望の値に
なるように真空計１１３６の読みを見ながらメインパル
プ１１３４の開口を調整する。そして基体１１３７の温
度が加熱ヒーター１１３８により５０〜４００℃の範囲
の温度に設定されていることを確認された後、電源１１
４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー
放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化藁曲
線に従ってＧｅＨ４／Ｉ４ｅガスの流量を手動あるいは
外部駆動モータ等の方法によってパルプ１１１８の開口
を漸次変化させる操作を行なって形成される層中に含有
されるゲルマニウム原子の分布濃度を制御する。

上記の株にして、所望時間グロー放電を維持して、所望
層厚に、第１の層領域（ｑ上に第２の層領域（ｑを形成
する。所望層厚に第２の層領域（ｑが形成された段階に
於いて、流出バルブ１１１８を完全に閉じること、及び
必要に応じて放電条件を変える以外は、同様な条件と手
順に従って。

所望時間グロー放電を維持することで第２の層領域（ｑ
上にゲルマニウム原子の実質的に含有さ中忙伝導性を支
配する物質を含有させるには、層形成の際に例えばＢ２
Ｈ，、ＰＨ，等のガスを堆積室１１０１の中に導入する
ガスに加えてやれば良い０ 上記の様にして所望層厚に形成された第３の層領域（り
に第４の層領域−を形成するには、第４の層領域（財）
の堆積時に使用しないガスラインをＣＨ４ガスに替え、
第３の層領域（財）の形成の際と同様なパルプ操作によ
って、例えばＳｉＨ，ガス、Ｃ２Ｈ４ガスの夫々を必要
に応じて）ｌｅ等の稀釈して、所望の条件に従って、グ
ロー放電を生起させることによって成される。

第４の層領域−中にハロゲン原子を含有させるには、飼
えばＳＩＦ′４ガスとＣ２Ｈ４ガス、或いは、これに８
ｉＨ４ガスを加えて上記と同様にして第４の層領域０寸
を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、文人々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出パルプ１１１７〜１１２１から反応室
１１０１内に到るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じ、補助パル
プ１１３２、　１１３３を開いてメインパルプ１１３４
を全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応
じて行う。

第４の層領域（財）中に含有される炭素原子の量は例え
ば、グロー放電による場合とＳｉＨ４ガス、Ｃ２１（４
ガスの反応４ｔｌｏｉ内に導入される流量比を所望に従
って変えるか、或いは、スパッターリングで層形成する
場合には、ターゲットを形成する際シリコンウェハとグ
ラファイトウェハのスパッタ面積比率を変えるか、又は
シリコン粉末とグラファイト粉末の混合比出を変えてタ
ーゲットを成型することＫよって所望に応じて制御する
ことができる。第４の属領載置に含有されるハロゲン原
子（ト）の量は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、例え
ば８ｉＦ、ガスが反応室１１ｏ１内に導入される際の流
量を調整することによって成される。

又、層形成を行っている間はノー形成の均一化を図るた
め基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転
させてやるのが望ましい。

以下実施例について睨明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＭ基
体上にｂ第ｉ衣に示す条件で第１２図に示すガス流量比
の変化ぶ曲線に従って、ＧｅＨ４／ＨｅガスとＳｉＨ，
／Ｈｅガスノガス流量比を層作成経過時間と共に変化さ
せて層形成を行って電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．　ＯＫＶで０．３　Ｓｅｅ間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ
光源を用い、２１３ｕｘ−ｗの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、Ｃ５，ｏＫｖのコロナ帯電で
転写紙上知転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な商濃度の画像が得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件で
第１３図に示すガス流酸比の変化率曲線に従って、　Ｇ
ｅ１−１．／ＨｅガスとＳｉＨ，／Ｈｅガスのガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成
部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例３ 第ｉｉ図に示した製造装置によシ、第３表に示す条件で
第１４図に示すガス流量比の変化本曲線に従って、Ｇｅ
）（、／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスノガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が寿られた。

実施例４ 第１１図に示した製造装置によシ、第４表に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｐ１４／ｆ（ｅガスとＳｉＨ，／ｌ（ｅガスノガス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして、層形成を行って電子写真用１象形
成部材を得た。

こうして得られた像形成部材上就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例５ 第１１図に示した製造装置によシ、第５表に示す条件で
第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／ｉ（ｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施例
１と同様にして、層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例６ 第ｉｉ図に示した製造装置により、第６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４／　Ｈ，ｅガスとＳｉＨ４／Ｈｅカスノガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実施
例１と同様にして層形成を行って電子写真用像形成部材
を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例］と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例７ 第１１図に示しだ製造装置により、第７表に示す条件で
第１８図に示すガス流量比の変化車面線に従って、（）
ｅＨ４／ＨｅガスとＳ　ｉ　１（４／ｆ（ｅガスノガス
流量比を層形成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写真用像
形成部材を得た０こうして得られた像形成部材に就いて
、実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形
成したところ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例８ 実施例１に於いて、５ｉｎ４／Ｈｅガスの代りにＳ’　
２　Ｈ６／Ｈ６ガスを使用し、第８表に示す条件にした
以外は、実施例１と同様の条件にして層形成を行って電
子写真用像形成部材を得たＯこうして得られた像形成部
材に就いて、実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上
に画像を形成したところ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例９ 実施例１に於いて、Ｓ　ｉＨ４／　ｉｌｅガスの代りに
ＳｉＦ、／Ｈｅガスを使用し、第９表に示す条件にした
以外は、実施例１と同様の条件にして層形成を行って電
子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が優られた。

実施例１０ 実施例１に於いて、ＳｉＨ，／Ｈｅガスの代りに（Ｓｉ
ｎ、／　Ｈｅ　＋　ＳｉＦ、／Ｈｅ　）　　ガスを使用
し、第１０表に示す条件にした以外は、実施例１と同様
の条件にして層形成を行って′電子写真用像形成部材を
得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上にｌＩ！１１塚を形成したと
ころ俣めで鮮明な画質が得られた。

実施例ｉｉ 実施例１−１０に於いて、第３層の作成条件を第１１表
に示す条件にした以外は、各実施例に示す条件と同様に
して幽：子写真用像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第１
１Ａ表に示す結果が得られた。

実施例１２ 実施例１−１０に於いて％第３層の作成条件を第１２表
に示す条件にした以外は、各実施例に示す条件と同様に
して電子写真用像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第１
２Ａ表に示す結果が得られた０ 実施例１３ 実施例ＩＫ於いて、光源をタングステンランプの代りに
８１０ｎｍのＧａＡｓ係半導体レーザ（１０ｍＷ　）を
用いて、静電像の形成を行った以外は。

実施例１と同様のトナー画像形成条件にして、実施例１
と同様の条件で作成した電子写真用像形成部材に就いて
トナー転写画鍛の画質評価を行ったところ、解像力に優
れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例１４ 第４の層領域Ｈの作成条件を第１３表に示す各条件にし
た以外は実施例２〜ｌＯの各実施例と同様の条件と手順
に従って電子写真用像形成部材の夫々（試料腐１２−２
０１−１２−２０８，１２−３０１〜１２−３０８．・
・・・・、　１２−１００１〜１２−１００９の７２個
の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫々を個別
に複写装置に設置し、０５　ＫＶで０．２就間コロナ帯
箪を行い、光像を照射した。光源はタングステンランプ
を用い、光量はｉ、　ｏ　ｚｕｘ・池とした。ｍ像は■
荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）によって現
像され、通常の紙に転写された。

転写画像は、極めて良好なものであった。転写されない
で電子写真用像形成部材上に残ったトナーは、ゴムブレ
ードによってクリーニングされた。このような工程を繰
り返し１０万回以上行っても、いずれの場合も画像の劣
化は見られなかった。

各試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用によ
る耐久性の評価の結果を第１４表に示す。

実施例１５ 第４の属領載置の形成時、シリコンウニ／・とグラファ
イトのターゲツト面積比を変えて、第４０層領域−に於
けるシリコン原子の炭素原子の含有量比を変化させる以
外は、実施例１と全く同様な方法によって像形成部材の
夫々を作成した。こうして得られた像形成部材の夫々に
つき、実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニン
グの工程を約５万回繰り返した後画像評価を行ったとこ
ろ第１５表の如き結果を得た。

実施例１６ 第４の層領域（財）の層の形成時、　　５ｉｔ−１４ガ
スと０２Ｈ，ガスの流量比を変えて、第４の層領域（至
）に　　　　゛於けるシリコン原子と炭素原子の含有量
比を変　　　　）化させる以外は実施例１と全く同様な
方法によって像形成部材の天々を作成した。こうして得
られた各像形成部材につき、実施例１に述べた如き方法
で転写までの工程を約５万回繰り返した後、画像評価を
行ったところ、第１６表の如き結果を得た。

実施例１７ 第４のＮ領域（財）の層の形成時、Ｓｉ）ムガス、Ｓ　
ｉ　Ｆ４ガス、Ｃ２）Ｉ４　　ガスの流量比を変えて、
第４の層領域（財）に於けるシリコン原子と炭素原子の
含有量比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な方
法によって像形成部材の夫々を作成した。こうして得ら
れた各像形成部材につき実施例１に述べた如き作像、現
像、クリーニングの工程を約５万回線シ返した後、画像
評価を行ったところ第１７表の如き結果を得た。

実施例１８ 第４の層領域（至）の層厚を変える以外は、実施例１と
全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した実
悔例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程
を繰シ返し第１８表の結果を得た。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す０ 放電周波数：　１３．５６　Ｍｌ（ｚ 反応時反応室内圧：０．３　’ｌ’ｏｒｒ第　　　１８
　　表

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々第２の層領
域中のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の説明
図、第ｉｉ図は、本発明で使用された装置の模式的説明
図で、第１２図乃至第１８図は夫々本発明の実施例に於
けるガス流量比の変化也曲線を示す説明図である０ １００・・・光導電部材 ｉｏｉ・・・支持体 １０２・・・光受容層 出願人　　キャノン株式会社 ００ −ｍ＝−１−Ｃ Ｃ カ゛ヌ流量比 ｎ′λ炙ＪＩ已 筋１５図 び人え１比 ７７ズえ艷比

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）光導電部材用の支持体と、該支持体上に少なくと
   もゲルマニウム原子を含み少なくとも一部が結晶化して
   いる第１の層領域と、少なくともシリコン原子とゲルマ
   ニウム原子とを含む非晶質材料を含有する第２の層領域
   と少なくともシリコン原子を含む非晶質材料を含有し、
   光導電性を示す第３の層領域とシリコン原子と炭素原子
   とを含む非晶質材料で構成された第４の層領域とが前記
   支持体側°より順に設けられた層構成の光受容層とを有
   し、少なくとも前記第２の層領域中に於けるゲルマニウ
   ム原子め゛分布状態が層厚方向に不均一である事を特徴
   とする光導電部材。
2. （２）第１の層領域、第２の層領域、第３の層領域及び
   第４の層領域のいずれかｌ）Ｋ水素原子が含有されてい
   る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）第１の層領域、第２の層領域、第３の層領域及び
   第４の層領域のいずれか１つに７・ロゲン原子が含有さ
   れている特許請求の範囲第２項に記載の光導電部材。
4. （４）第２の層領域にはゲルマニウム原子が連続的に且
   つ前記支持体側の方に多く分布する分布状態で含有され
   ている特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。