JPH0145984B2 - - Google Patents
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- JPH0145984B2 JPH0145984B2 JP58081133A JP8113383A JPH0145984B2 JP H0145984 B2 JPH0145984 B2 JP H0145984B2 JP 58081133 A JP58081133 A JP 58081133A JP 8113383 A JP8113383 A JP 8113383A JP H0145984 B2 JPH0145984 B2 JP H0145984B2
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ―Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ―Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経済的安定性の
点において、結合的な特性向上を計る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰り返し使用し続けると、繰返し使
用による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂
ゴースト現象を発する様になる或いは、高速で繰
返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ―Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや螢光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有効に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに、支持体に到達する光の量
が多くなると、支持体自体が光導電層を透過して
来る光に対する反射率が高い場合には、光導電層
内に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 一方、半導体レーザとのマツチングを考慮して
支持体上に少くともゲルマニウム原子を含む非晶
質材料で構成された非晶質層を設けることが提案
されているが、この場合、支持体と該非晶質層と
の密着性および支持体から該非晶質層への不純物
の拡散が問題となる場合がある。 或いは又、ａ―Si材料で光導電層を構成する場
合には、その電気的、光導電的特性の改良を図る
ために、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等の
ハロゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼
素原子や燐原子等が或いはその他の特性改良のた
めに他の原子が、各々構成原子として光導電層中
に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方
如何によつては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性に耐圧性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリニングに、ブレードを用
いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」といわれている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
にいう画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
―Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、ａ―Si、殊にはシリコン
原子を母体とし、水素原子(H)又はハロゲン原子
（）のいずれか一方を少なくとも含有するアモ
ルフアス材料、所謂水素化アモルフアスシリコ
ン、ハロゲン化アモルフアスシリコン、或いはハ
ロゲン含有水素化アモルフアスシリコン〔以後こ
れ等の総称的表記として「ａ―Si（Ｈ，Ｘ）」を使
用する〕から構成され、光導電性を示す非晶質層
を有する光導電部材の層構成を以後に説明される
様な特定化の下に設計されて作成された光導電部
材は実用上著しく優れた特性を示すばかりでな
く、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点
において凌駕していること、殊に電子写真用の光
導電部材として著しく優れた特性を有しているこ
と及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性に優
れていることを見出した点に基いている。 本発明は支持体の材料の影響を受けにくく、電
気的、光学的、光導電的特性が常時安定してい
て、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型で
あり、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光
疲労に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現
象を起さず、残留電位が全く又は殆んど観測され
ない光導電部材を提供することを主たる目的とす
る。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分ある光導電部材
を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性を有する光導電部材を提供すること
でもある。 本発明の光導電性部材は、光導電部材用の支持
体と、該支持体上にゲルマニウム原子を母体とす
る非晶質材料で構成され、少なくとも一部が結晶
化している第１の層領域と、シリコン原子を母体
とするゲルマニウム原子を含有する非晶質材料で
構成された第２の層領域と、シリコン原子を母体
とする非晶質材料で構成された光導電性を示す第
３の層領域と、シリコン原子と炭素原子とを母体
とする非晶質材料で構成された第４の層領域と、
が前記支持体側より順に設けられた層構成の光受
容層を有し、且つ、前記第２の層領域中に於ける
ゲルマニウム原子の分布濃度が支持体側より該支
持体側とは反対の側に向かつて減少している事を
特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
いて詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１実施態様例の光導電部
材の層構成を説明するために模式的に示した模式
的構造図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２
を有し、該光受容層１０２は自由表面１０５を一
方の端面に有している。 光受容層１０２は、支持体１０１側より、ゲル
マニウム原子を母体とするか、又はゲルマニウム
原子とシリコン原子とを母体とし、必要に応じて
水素原子又はハロゲン原子を含み、少なくとも一
部が結晶化している材料（以後「μc―Ge（Si，
Ｈ，Ｘ）」と略記する）で構成された第１の層領
域(C)１０６と、ゲルマニウム原子を含有するａ―
Si（Ｈ，Ｘ）（以後「ａ―SiGe（Ｈ，Ｘ）」と略記
する）で構成された第２の層領域(G)１０３と、ａ
―Si、好ましくａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成され、光
導電性を有する第３の層領域（Ｓ）１０４と、シ
リコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料（以後
ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yと略記）とが順に積
層された層構造を有する。 第２の層領域(G)１０３中に含有されるゲルマニ
ウム原子は、該第２の層領域(G)１０３の層厚方向
には連続的であつて且つ前記支持体１０１の設け
られてある側とは反対の側（光受容層１０２の表
面１０５側）の方に対して前記支持体１０１側の
方に多く分布した状態となる様に前記第２の層領
域(G)１０３中に含有される。 又、第１の層領域(C)１０６がゲルマニウム原子
に加えてシリコン原子をも母体とする材料で構成
される場合には、該第１の層領域(C)１０６中に含
有されるゲルマニウム原子は、好ましくは、第２
の層領域(G)１０３の場合と同様に支持体１０１側
に多く分布する様な不均一な分布状態となる様に
含有されるのが望ましい。更には、この様な場
合、第１の層領域(C)１０６及び第２の層領域(G)１
０３に於いて、ゲルマニウム原子の分布状態は、
支持体１０１の表面に平行な面内方向に於いて、
連続的で且つ均一であつて、層厚方向には、第１
の層領域(C)１０６及び第２の層領域(G)１０３を通
じて連続的且つ支持体１０１側に向つて多くなる
様な不均一分布となるのが好ましい。 本発明に於いては、第２の層領域(G)上に設けら
れる第３の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原
子は含有されておらず、この様な層構造に非晶質
層を形成することによつて、可視光領域を含む、
比較的短波長から比較的長波長迄の全領域の波長
の光に対して光感度が優れている光導電部材とし
得るものである。 第１の層領域(C)及び第２の層領域(G)中に於ける
ゲルマニウム原子の分布状態は全層領域にゲルマ
ニウム原子が連続的に分布し、ゲルマニウム原子
の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側より第３の層
領域（Ｓ）に向つて減少する変化が与えられてい
るで、第１の層領域(C)と第２の層領域(G)との間に
於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体
側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを
極端に大きくすることにより、半導体レーザ等を
使用した場合の、第３の層領域（Ｓ）では殆んど
吸収し切れない長波長側の光を第２の層領域(G)に
於いて、実質的に完全に吸収することが出来、支
持体面からの反射による干渉を防止することが出
来る。 又、本発明の光導電部材に於いては、第２の層
領域(G)と第３の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質
材料の夫々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面に於いて化学的な安
定性の確保が充分成されている。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第２の層領域(G)中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例が示さ
れる。 第２図乃至第１０図においては、横軸はゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第２の層領
域(G)の層厚を示し、tBは支持体側の第２の層領域
(G)の端面の位置を、tTは支持体側とは反対側の第
２の層領域(G)の端面の位置を示す。即ち、ゲルマ
ニウム原子の含有される第２の層領域(G)はtBより
tT側に向つて層形成がなされる。 第２図には、第２の層領域(G)中に含有されるゲ
ルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典
型列が示される。 tBは支持体と第２の層領域(C)との界面位置を示
し、tTは、第２の層領域(G)と、第３の層領域
（Ｓ）との界面位置を示す。 tBよりt1の位置までは、ゲルマニウム原子の分
布濃度ＣがC1なる一定の値を取り、位置t1よりは
濃度C2より界面位置tTに至るまで徐々に連続的に
減少されている。界面位置tTにおいては、ゲルマ
ニウム原子の分布濃度ＣはC3とされる。 第３図に示される例おいては、含有されるゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tTに
至るまで濃度C4から徐々に連続的に減少して位
置tTにおいて濃度C5となる様な分布状態を形成し
ている。 第４図の場合には、位置tBより位置t2まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C6と一定値
とされ、位置t2と位置tTとの間において、徐々に
連続的に減少され、tTにおいて、分布濃度Ｃは実
質的に零とされている（ここで実質的に零とは検
出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは位置tBより位置tTに至るまで、濃度C8より
連続的に徐々に減少され、位置tTにおいて実質的
に零とされている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、
濃度C9と一定値であり、位置tTにおいては濃度
C10とされる。位置t3と位置tTとの間では、分布濃
度Ｃは一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで
減少されている。 第７図に示される例いおいては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4までは濃度C11の一定値を取り、
位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度C13まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C14より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度C15
より濃度C16まで一次関数的に減少され、位置t5
と位置tTとの間においては、濃度C16の一定値と
された例が示されている。 第１０図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置tBにおいて濃度C17で
あり、位置t6に至るまではこの濃度C17より初め
はゆつくりと減少され、t6の位置付近において
は、急激に減少されて位置t6では濃度C18とされ
る。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t7でC19となり、位置t7と位置t8との間では、
極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t8におい
て、濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間において
は、濃度C20より実質的に零になる様に図に示す
如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第２の層領
域(G)中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向
の分布状態の典型的の幾つかを説明した様に、本
発明においては、支持体側において、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面tT側
においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて
可成り低くされた部分を有するゲルマニウム原子
の分布状態が第２の層領域(G)に設けられている。 以上は第２乃至第１０図を用いて、第２の層領
域(G)中に含有されるゲルマニウム原子の分布状態
を説明したが、第１の層領域(C)及び第２の層領域
(G)に於いて、ゲルマニウム原子が層厚方向に不均
一に含有される場合にも、上記の説明は適用され
る。即ち、第２図乃至第１０図の説明に於いて
は、層厚（tBtT）は、第２の層領域(G)の層厚とし
たが、第１の層領域(C)と第２の層領域(G)とに、層
厚方向に不均一にゲルマニウム原子が含有される
場合には、層厚（tBtT）は、この２つの層領域の
層厚の和として説明され、各図に於いて、第１の
層領域(C)と第２の層領域(G)との界面位置tSは、tB
からtTまでの任意の位置を所望に従つて適宜選択
される。 本発明に於ける光導電部材の光受容層を構成す
る第２の層領域(G)は、第１の層領域(C)がシリコン
原子を含まない場合には、好ましくは支持体側の
方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有され
ている局在領域(A)を有するのが望ましい。 本発明に於いては局在領域(A)は、第１の層領域
(C)と第２の層領域(G)との界面位置tSより第２の層
領域(G)の5μ以内に設けられるのが望ましいもで
ある。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置tSより第２の層領域(G)側の5μ厚までの全層領域
（LT）とされている場合もあるし、又、層領域
（LT）の一部とされる場合もある。 局在領域(A)を層領域（LT）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される非晶質層に要求さ
れる特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原
子の分布濃度の最大値Cnaxがシリコン原子に対し
て、好ましくは1000atomic ppm以上、より好適
には5000atomic ppm以上、最適には１×
104atomic ppm以上とされる様な分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される光受容層は、第１の層領域(C)と第２の
層領域(G)との界面tsからの第２の層領域(G)側に層
厚で5μ以内（tSから5μ厚の層領域）に分布濃度の
最大値Cnaxが存在する様に形成されるのが好まし
いものである。 本発明に於いて、第１の層領域(C)がシリコン原
子を含有する場合には局在領域(A)は、第２図乃至
第１０図に於ける層厚（tBtT）を第１の層領域(C)
と第２の層領域(G)の層厚の和としてとらえ、局在
領域(A)の存在する位置の基準をtB（この場合は、
第１の層領域(C)の支持体側端面）として、上記し
たのと同様の考えを適用することが出来る。 本発明に於いて、形成される光受容層を構成す
る第３の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子(H)
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子と
ハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましく
は、１〜40atomic％、より好適には５〜
30atomic％、最適には５〜25atomic％とされる
のが望ましい。 本発明において、第１の層領域(C)をゲルマニウ
ム原子とシリコン原子とを母体とする場合には、
該第１の層領域(C)中に含有されるゲルマニウム原
子の含有量としては、本発明の目的が効果的に成
される様に所望に従つて適宜決められるが、好ま
しくは１〜×１×106atomic ppm、より好まし
くは100〜１×106atomic ppm、最適には500〜
106atomic ppmとされるのが望ましいももので
ある。 本発明において、第２の層領域(C)中に含有され
るゲルマニウム原子と原子の含有量としては、本
発明の目的が効果的に達成される様に所望に従つ
て適宜決められるが、好ましくは１〜×１×
106atomic ppm、より好ましくは100〜８×
105atomic ppm、最適には500〜７×105atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 本発明に於いて第１の層領域(C)と第２の層領域
(G)との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させ
る為の重要な因子の１つであるので形成される光
導電部材に所望の特性が充分与えられる様に、光
導電部材の設計の際に充分なる注意が払われる必
要がある。 本発明に於いて第２の層領域(G)と第３の層領域
（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成
させる為の重要な因子の１つであるので形成され
る光導電部材に所望の特性が充分与えられる様
に、光導電部材の設計の際に充分なる注意が払わ
れる必要がある。 本発明に於いて、第１の層領域(C)の層厚は、好
ましくは、30Å〜50μ、より好ましくは100Å〜
30μ、最適には500Å〜20μとされるのが望まし
い。 本発明に於いて、第２の層領域(C)の層厚TBは、
好ましくは、30Å〜50μ、より好ましくは40Å〜
40μ、最適には50Å〜30μとされるのが望ましい。 又、第３の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましく
は、0.5〜90μ、より好ましくは１〜80μ、最適に
は２〜50μとされるのが望ましい。 第２の層領域(G)の層厚TBと第３の層領域（Ｓ）
の層厚Ｔの和（TB＋Ｔ）としては、両層領域に
要求される特性と非晶質層全体に要求される特性
との相互間の有機的関連性に基いて、光導電部材
の層設計の際に所望に従つて、適宜決定される。 本発明の光導電部材に於いては、上記の（TB
＋Ｔ）の数値範囲としては、好ましくは１〜
100μ、より好適には１〜80μ、最適には２〜50μ
とされるのが望ましい。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚TB及び層厚Ｔとしては、通常はTB／
Ｔ＝≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して
適宜適切な数値が選択されるのが望ましい。 上記の場合に於ける層厚TB及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくは、TB／Ｔ＝0.9、
最適にはTB／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚TB及び層厚Ｔの値が決定されるのが望まし
いものである。 本発明に於いて、第２の層領域(G)中に含有され
るゲルマニウム原子の含有量が１×105atomic
ppm以上の場合には、第２の層領域(G)の層厚TB
としては、可成り薄くされるのが望ましく、好ま
しくは30μ以下、より好ましくは25μ以下、最適
には20μ以下とされるのが望ましいものである。 本発明において、第１の層領域(C)第２の層領域
(G)及び第３の層領域（Ｓ）中に必要に応じて含有
されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的には
フツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフ
ツ素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明において、μc―Ge（Si，Ｈ，Ｘ）で構成
される第１の層領域(C)を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレ
ーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積法
および真空蒸着法によつて成される。例えば、グ
ロー放電法によつてμc―Ge（Si，Ｈ，Ｘ）で構成
される第１の層領域(C)を形成するには、基本的に
はシリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原
料ガスとゲルマニウム原子（Ge）を供給し得る
Ge供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子
(H)導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積
室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されてある所定の支持体表面上にμC―Ge（Si，
Ｈ，Ｘ）からなる層を形成されれば良い。又、ス
パツタリング法で形成する場合には、例えばAr，
He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガスの雰囲気中でGeで構成されたター
ゲツトの１枚およびSiで構成されたターゲツト、
或いは、該ターゲツトとGeで構成されたターゲ
ツトの二枚を使用して、又は、SiとGeの混合さ
れたターゲツトを使用して、必要に応じてHe，
Ar等の稀釈ガスで稀釈されたGe供給用の原料ガ
スを、必要に応じて、水素原子(H)又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパツタリング用
の堆積室に導入し、所望のガスプラズマ雰囲気を
形成して前記のターゲツトをスパツタリングして
やれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源と
して蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）等に
よつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラ
ズマ雰囲気中を通過させる以外はスパツタリング
の場合と同様にする事で行う事が出来る。 ａ―SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される第２の層領域
(G)を形成するには例えばグロー放電法、スパツタ
リング法、或いはイオンプレーテイング法等の放
電現象を利用する真空堆積法によつて成される。
例えば、グロー放電法によつて、ａ―SiGe（Ｈ，
Ｘ）で構成される第１の層領域(G)を形成するに
は、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し得る
Si供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ge）
を供給し得るGe供給用の原料ガスと、必要に応
じて水素原子(H)導入用の原料ガス又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所
定位置に設置されてある所定の支持体表面上にａ
―SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良
い。又、スパツタリング法で形成する場合には、
例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でGeで構成
されたターゲツトの１枚およびSiで構成されたタ
ーゲツト、或いは、該ターゲツトとGeで構成さ
れたターゲツトの二枚を使用して、又は、Siと
Geの混合されたターゲツトを使用して、必要に
応じてHe，Ar等の稀釈ガスで稀釈されたGe供給
用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパ
ツタリング用の堆積室に導入し、所望のガスプラ
ズマ雰囲気を形成して前記のターゲツトをスパツ
タリングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源と
して蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）等に
よつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラ
ズマ雰囲気中を通過させる以外はスパツタリング
の場合と同様にする事で行う事が出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH4，Si2H6が好ましいも
のとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge4H10，Ge5H12，
Ge6H14，Ge7，H16，Ge8，H18，Ge9H20等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
作成作業時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等
の点で、GeH4，Ge2H6，Ge3H8が好ましいもの
として挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明においては好適に使用し得るハロゲン化
合物としては、具体的には、フツ素、フツ素、塩
素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，
ClF3，BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハ
ロゲン間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含む第１の層領域(C)および第２の層
領域(G)を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域(C)および第２の層領域(G)を作成する場
合、基本的には、例えばSi供給用の原料ガスとな
るハロゲン化硅素とGe供給用の原料ガスとなる
水素化ゲルマニウムとAr，H2，He等のガス等を
所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層
領域(C)および第２の層領域(G)を形成する堆積室に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所望の支
持体上に第１の層領域(C)および第２の層領域(G)を
形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の
制御を一層容易になる様に図る為にこれ等のガス
に更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物の
ガスも所望量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 以上の形成法で第１の層領域(C)の一部を結晶化
するために支持体温度を、第２の層領域(G)を形成
する支持体温度より50〜200℃高温にする必要が
ある。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウムのガス類
をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガス
類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，
SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、及びGeHF3，
GeH2F2，GeH3F，GeHCl3，GeH2Cl2，
GeH3Cl，GeHBr3，GeH2Br2，GeH3Br，
GeHI3，GeH2I2，GeH3I等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム原子、等の水素原子を構成要素の１
つとするハロゲン化物、GeF4，GeCl4，GeBr4，
GeI4，GeF2，GeCl2，GeBr2，GeI2，等のハロゲ
ン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス
化し得る物質も有効な第１の層領域(C)および第２
の層領域(G)形成用の出発物質として挙げる事が出
来る。 これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化
物は、第１の層領域(C)および第２の層領域(G)形成
の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的
或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子
も導入されるので、本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を第１の層領域(C)および第２の層領域
(G)中に構造的に導入するには、上記の他にH2、
或いはSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素化
硅素をGeを供給する為のゲルマニウム又はゲル
マニウム化合物と、或いは、GeH4，Ge2H6，
Ge3H8，Ge4H10，Ge5H12，Ge6H14，Ge7H16，
Ge8H18，Ge9H20等の水素化ゲルマニウムとSiを
供給する為のシリコン又はシリコン化合物と、を
堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行
う事が出来る。 本発明の好ましい例として、形成される光導電
部材の第１の層領域(C)中に水素原子又はハロゲン
原子のいずれか少なくとも一方を含有させる場
合、含有される水素原子(H)の量又はハロゲン原子
（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは、0.0001〜40atomic％、
より好適には0.005〜30atomic％、最適には0.01
〜25atomic％とされるのが望ましい。 第２の層領域(C)中に含有される水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するに
は、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、或
いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用さ
れる出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力等を制御してやれば良い。 本発明の好ましい例において、形成される光導
電部材の第２の層領域(G)中に含有される水素原子
(H)の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子
とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましく
は、0.01〜40atomic％、より好適には0.005〜
30atomic％、最適には0.1〜25atomic％とされる
のが望ましい。 第２の層領域(G)中に含有される水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するに
は、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、或
いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用さ
れる出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第３の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した
第２の層領域(G)形成用の出発物質（）の中よ
り、Ge供給用の原料ガスとなる出発物質を除い
た出発物質〔第３の層領域（Ｓ）形成用の出発物
質（）〕を使用して、第２の層領域(G)を形成す
る場合と、同様の方法と条件に従つて行うことが
出来る。 即ち、本発明において、ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構
成される第３の層領域（Ｓ）を形成するにはグロ
ー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレ
ーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積法
によつて成される。例えば、グロー放電法によつ
て、ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第３の層領域
（Ｓ）を形成するには、基本的には前記したシリ
コン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料ガス
と共に、必要に応じて水素原子(H)導入用の又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室
内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置
されてある所定の支持体表面上にａ―Si（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成させれば良い。又、スパツタリ
ング法で形成する場合には、例えばAr，He等の
不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合
の雰囲気中でSiでで構成されたターゲツトをスパ
ツタリングする際、水素原子(H)又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用のガスを堆積室に導入してお
けば良い。 本発明に於いて、形成される光受容層を構成す
る第３の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子(H)
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子と
ハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましく
は、１〜40atomic％、より好適には５〜
30atomic％、最適には５〜25atomic％とされる
のが望ましい。 本発明に於いては、第１乃至第３の層領域中に
は、伝導特性を制御する物質(D)を含有させること
によつて物質(D)の含有される層領域（PN）の伝
導特性を適宜、所望に従つて制御することが出来
る。 このような物質(D)は、第１乃至第３の層域の全
層領域に万遍なく含有させても良いし、或いは、
一部の層領域に局在的に含有させても良い。 本発明に於いて伝導特性を制御する物質(D)を特
に第２の層領域(G)の一部の層領域に遍在する様に
第２の層領域(G)中に含有させる場合には、前記物
質(D)の含有される層領域（PN）は、第２の層領
域(G)の端部層領域として設けられるのが望ましい
ものである。殊に、第２の層領域(G)の支持体側の
端部層領域として前記層領域（PN）が設けられ
る場合には、該層領域（PN）中に含有される前
記物質(D)の種類及びその含有量を所望に応じて適
宜選択することによつて支持体から非晶質層中へ
の特定の極性の電荷の注入を効果的に阻止するこ
とが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、伝導特性を制
御することの出来る物質(D)を、非晶質層の一部を
構成する第２の層領域(G)中に、前記した様に該層
領域(G)の全域に万遍なく、或いは層厚方向に遍在
する様に含有させるのが好ましいものであるが、
更には、第２の層領域(G)上に設けられる第３の層
領域（Ｓ）中にも前記物質(D)を含有させても良
い。 第３の層領域（Ｓ）中に前記物質(D)を含有させ
る場合には、第２の層領域(G)中に含有される前記
物質(D)の種類やその含有量及びその含有の仕方に
応じて、第３の層領域（Ｓ）中に含有させる物質
(D)の種類やその含有量、及びその含有の仕方が適
宜決められる。 本発明に於いては、第３の層領域（Ｓ）中に前
記物質(D)を含有させる場合、好ましくは、少なく
とも第２の層領域(G)との接触界面を含む層領域中
に前記物質(D)を含有させるのが望ましいものであ
る。 本発明に於いては、前記物質(D)は第３の層領域
（Ｓ）の全層領域に万遍なく含有させても良いし、
或いは、その一部の層領域に均一に含有させても
良い。 第２の層領域(G)と第３の層領域（Ｓ）の両方に
伝導特性を支配する物質(D)を含有させる場合、第
２の層領域(G)に於ける前記物質(D)が含有されてい
る層領域と、第２の層領域（Ｓ）に於ける前記物
質(D)が含有されている層領域とが互いに接触する
様に設けるのが望ましい。 又、第１の層領域(C)と第２の層領域(G)と第３の
層領域（Ｓ）とに前記物質(D)を含有させる場合、
前記物質(D)は、第１の層領域(C)と第２の層領域(G)
と第３の層領域（Ｓ）とに於いて同種類でも異種
類であつても良く、又、その含有量は各層領域に
於いて、同じでも異つてもいても良い。 而乍ら、本発明に於いては、各層領域に含有さ
れる前記物質(D)が３者に於いて同種類である場合
には、第２の層領域(G)中に含有量を充分多くする
か、又は、電気的特性の異なる種類の物質(D)を、
所望の各層領域に、夫々含有させるのが好ましい
ものである。 本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成
する第２の層領域(G)中に、伝導特性を支配する物
質(D)を含有させることにより、該物質(D)の含有さ
れる層領域〔第２の層領域(G)の一部又は全部の層
領域のいずれでも良い〕の伝導特性を所望に従つ
て任意に制御することが出来るものであるが、こ
の様な物質(D)としては、所謂、半導体分野で云わ
れる不純物を挙げることが出来、本発明に於いて
は、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物及びｎ型伝
導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来
る。 具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ，Gaである。 ｎ型不純物としては、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｐ（燐）、As（砒
素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に、好適に用いられるのは、Ｐ，Asである。 本発明に於いて、伝導特性を制御する物質(D)の
含有されている層領域（PN）に於けるその含有
量は、該層領域（PN）に要求される伝導特性、
或いは該層領域（PN）が支持体に直に接触して
設けられる場合には、その支持体との接触界面に
於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、
適宜選択することが出来る。 又、前記層領域（PN）に直に接触して設けら
れる他の層領域の特性や、該他の層領域との接触
界面に於ける特性との関係も考慮されて、伝導特
性を制御する物質の含有量が適宜選択される。 本発明に於いて、層領域（PN）中に含有され
る伝導特性を制御する物質(D)の含有量としては、
好ましくは、0.01〜５×104atomic ppm、より好
適には0.5〜１×104atomic ppm、最適には１〜
５×103atomic ppmとされるのが望ましいもの
である。 本発明に於いて、伝導特性を支配する物質(D)が
含有される層領域（PN）に於ける該物質(D)の含
有量を、好ましくは、30atomic ppm以上、より
好適には50atomic ppm以上、最適には、
100atomic ppm以上とすることによつて、例え
ば該含有させる物質(D)が前記のＰ型不純物の場合
には、光受容層の自由表面が極性に帯電処理を
受けた際に支持体側から少なくとも第２の層領域
(G)を通つて第３の層領域（Ｓ）中への電子の注入
を効果的に阻止することが出来、又、前記含有さ
せる物質(D)が前記のｎ型不純物の場合には、光受
容層の自由表面が極性に帯電処理を受けた際
に、支持体側から少なくとも第２の層領域(G)を通
つて第３の層領域（Ｓ）中への正孔の注入を効果
的に阻止することが出来る。 上記の様な場合には、前述した様に、前記層領
域（PN）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層
領域（PN）に含有される伝導特性を支配する物
質の伝導型の極性とは別の伝導型の極性の伝導特
性を支配する物質を含有させても良いし、或いは
同極性の伝導型を有する伝導特性を支配する物質
を層領域（PN）に含有させる実際の量よりも一
段と少ない量にして含有させても良いものであ
る。この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有さ
れる前記伝導特性を支配する物質の含有量として
は、層領域（PN）に含有される前記物質の極性
や含有量に応じて所望に従つて適宜決定されるも
のであるが、好ましくは、0.001〜1000atomic
ppm、より好適には0.05〜500atomic ppm、最適
には0.1〜200atomic ppmとされるのが望ましい
ものである。 本発明に於いて、層領域（PN）及び層領域
（Ｚ）に同種の伝導性を支配する物質(D)を含有さ
せる場合には、層領域（Ｚ）に於ける含有量とし
ては、好ましくは30atomic ppm以下とするのが
望ましいものである。 本発明に於いては、第１乃至第３までの層領域
中に、一方の極性の伝導性を有する伝導性を支配
する物質を含有させた層領域と、他方の極性の伝
導型を有する伝導性を支配する物質を含有させた
層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に、所謂空乏層を設けることも出来る。詰り、例
えば、第１乃至第３までの層領域中に前記のＰ型
不純物を含有する層領域と前記のｎ型不純物を含
有する層領域とを直に接触する様に設けて所謂Ｐ
―ｎ接合を形成して、空乏層を設けることが出来
る。 光受容層を層領域中に、伝導特性を制御する物
質(D)、例えば、第族原子或いは第族原子を構
造的に導入して前記物質(D)の含有された層領域
（PN）を形成するには、層形成の際に、第族
原子導入用の出発物質或いは第族原子導入用の
出発物質をガス状態堆積室中に、光受容層を形成
する為の他の出発物質と共に導入してやれば良
い。この様な第族原子導入用の出発物質と成り
得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。その様な第族原子
導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入
用としては、B2H6，B4H10，B5H9，B5H11，
B6H10，B6H12，B6H14等の水素化硼素、BF3，
BCl3，BBr3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。
この他、AlCl3，GaCl3，Ga（CH3）3，InCl3，
TlCl3，等も挙げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質としては、本発明
において有効に使用されるのは、燐原子導入用と
しては、PH3，P2H4等の水素化燐、PH4I，PF3，
PF5，PCl3，PCl5，PBr3，PBr5，PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3，AsF3，
AsCl3，AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，SbF5，
SbCl3，SbCl5，SiH3，SiCl3，SiBr3等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）は、シリコ
ン原子（Si）と炭素原子(C)と、必要に応じて水素
原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非
晶質材料（以後、「ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
）」と記す。但し、０＜ｘ、ｙ＜１）で構成され
る。 ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yで構成される第４
の層領域（Ｍ）の形成はグロー放電法、スパツタ
リング法、エレクトロンビーム法等によつて成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造するための作製条件の制御が比較的容易
である、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲ
ン原子を、作製する第４の層領域（Ｍ）中に導入
するのが容易に行える等の利点からグロー放電法
或はスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第４
の層領域（Ｍ）を形成してもよい。 グロー放電法によつて第４の層領域（Ｍ）を形
成するにはａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y形成用の
原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混
合比で混合して、支持体の設置してある真空堆積
室に導入し、導入されたガスを、グロー放電を生
起させることでガスプラズマ化して、前記支持体
上に既に形成されてある第１から第３の層領域上
にａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yを堆積させれば良
い。 本発明に於いて、ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、
炭素原子(C)、水素原子(H)、ハロゲン原子（Ｘ）の
中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の物
質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の
大概のものが使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈ，Ｘの中の一つとしてSiを構成原子
とする原料ガスを使用する場合には、例えばSiを
構成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする
原料ガスと、必要に応じてＨを構成原子とする原
料ガス又は／及びＸを構成原子とする原料ガスと
を所望の混合して使用するか、又はSiを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原
料ガス又は／及びＣ及びＸを構成原子とする原料
ガスとを、これも又、所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又
は、Si、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することができる。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良いし、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ，
Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましいもの
である。 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）を形成す
るのに有効に使用される原料ガスと成り得るもの
としては、常温常圧に於いてガス状態のもの又は
容易にガス化し得る物質を挙げることができる。 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）形成用の
原子ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨと
の構成原子とするSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10
等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロ
ゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、
ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素
硅素を挙げることができる。具体的には、飽和炭
化水素としてはメタン（CH4）、エタン（C2H6）、
プロパン（C3H8）、ｎ―ブタン（ｎ―C4H10）、
ペンタン（C5H12）、エチレン系炭化水素として
は、エチレン（C2H4）、プロピレン（C3H5）、ブ
テン―１（C4H8）ブテン―２（C4H8）、イソブチ
レン（C4H8）、ペンテン（C5H10）、アセチレン
系炭化水素としては、アセチレン（C2H2）、メチ
ルアセチレン（C3H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲ
ン単体としては、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素の
ハロゲンガス、ハロゲン化水素としては、FH，
HI，HCl，HBr，ハロゲン間化合物としては、
BrF，ClF，ClF3，ClF5，BrF5，BrF3，IF7，
IF5，ICl，IBr、ハロゲン化硅素としてはSiF4，
Si2F6，SiCl3Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3I，
SiBr4，ハロゲン置換水素化硅素としては、
SiH2F2，SiH2Cl2，SiHCl，SiH3Cl，SiH3Br，
SiH2Br2，SiHBr3、水素化磋素としては、SiH4，
Si2H8，Si3H8，SiH10等のシラン（Silane）類、
等々を挙げることができる。 これ等の他にCF4，CCl4，CBr4，CHF3，
CH2F2，CH3F，CH3ClOCH3Br，CH3I，
C2H5Cl等のハロゲン置換パラフイン系炭化水素、
SF4，SF6等のフツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4，
Si（C2H5）4、等ケイ化アルキルやSiCl（CH3）3，
SiCl2（CH3）2，SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化
アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙
げることができる。 これ等の第４の層領域（Ｍ）形成物質は、形成
される第４の層領域（Ｍ）中に、所定の組成比で
シリコン原子、炭素原子及びハロゲン原子と必要
に応じて水素原子とが含有される様に、第４の層
領域（Ｍ）の形成の際に所望に従つて選択されて
使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3，SiH2Cl2，SiCl4、或
いはSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で
第４の層領域（Ｍ）形成用の装置内に導入してグ
ロー放電を生起させることによつてａ―（Six
C1-x）y（Cl＋Ｈ）1-yから成る第４の層領域（Ｍ）
を形成することができる。 スパツターリング法によつて第４の層領域
（Ｍ）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これらを必要に応じてハロゲン原子又は／及
び水素原子を構成要素として含む種々ガス雰囲気
中でスパツターリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原
料ガスを、必要に応じて稀釈して、スパツター用
の堆積室中に導入し、これらのガスのガスプラズ
マを形成して前記Siウエーハーをスパツターリン
グすれば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。
Ｃ、Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質とし
ては先述したグロー放電のの例で示した第４の層
領域（Ｍ）形成用の物質がスパツターリング法の
場合にも有効な物質として使用され得る。 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）をグロー
放電法又はスパツターリング法で形成する際に使
用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例え
ばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げるこ
とができる。 本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）は、その要
求される特性が所望通りに与えられる様に注意深
く形成される。 即ち、Si，Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によつて構
造的には結晶からアモルフアスまでの形態を取
り、電気物性的には、導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導
電的性質を、各々示すので本発明に於いては、目
的に応じた所望の特性を有するａ―（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yが形成される様に、所望に従つてそ
の作成条件の選択が厳密に成される。例えば、第
４の層領域（Ｍ）を耐圧性の向上を主な目的とし
て設けるにはａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yは使用
環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材
料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第４の層領域（Ｍ）が設けら
れる場合には上記の電気絶縁性の度合はある程度
緩和され、照射される光に対してある程度の感度
を有する非晶質材料としてａ―（SixC1-x）y（Ｈ，
Ｘ）1-yが作成される。 第３の層領域（Ｓ）表面にａ―（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yから成る第４の層領域（Ｍ）を形成
する際、層形成中の支持体温度は、形成される層
の構造及び特性を左右する重要な因子であつて、
本発明に於いては、目的とする特性を有するａ―
（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが所望通りに作成され得
る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御される
のが望ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れるための第４の層領域（Ｍ）形成法に併せて適
宜最適範囲が選択されて、第４の層領域（Ｍ）の
形成が実行されるが、、好ましくは、20〜400℃、
より好適には50〜350℃、最適には100〜300℃と
されるのが望ましいものである。第４の層領域
（Ｍ）の形成には、層を構成する原子の組成比の
微秒な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較
的容易である事等のために、グロー放電法やスパ
ツターリング法の採用が有利であるが、これ等の
層形成法で第４の層領域（Ｍ）を形成する場合に
は、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電
パワーが作成されるａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
の特性を左右する重要な因子の一つである。 本発明に於ける目的が達成されるための特性を
有するａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが生産性良く
効果的に作成されるための放電パワー条件として
は、好ましくは10〜300W、より好適には20〜
250W、最適には50〜200Wとされるのが望ましい
ものである。 堆積室内のガス圧は好ましくは0.01〜1Torr、
より好適には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望
ましい。 本発明に於いては第４の層領域（Ｍ）を作成す
るための支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ―（SixC1-x）
y（Ｈ，Ｘ）1-yから成る第４の層領域（Ｍ）が形
成される様に相互的有機関連性に基づいて各層作
成フクターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第４の層領域
（Ｍ）に含有される炭素原子の量は、第４の層領
域（Ｍ）の作成条件と同様、本発明の目的を達成
する所望の特性が得られる第４の層領域（Ｍ）が
形成される重要な因子である。 本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）に含有され
る炭素原子の量は、第４の層領域（Ｍ）を構成す
る非晶質材料の種類及びその特性に応じて適宜所
望に応じて決められるものである。 即ち、前記一般式ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以
後、「ａ―SiaC1-a」と記す。但し、０＜ａ＜１）、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、「ａ―（SibC1-b）cH1-c」と
記す。但し、０＜ｂ、ｃ＜１）、シリコン原子と
炭素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子
とで構成される非晶質材料（以後、「ａ―（Sid
C1-d）e（Ｈ，Ｘ）1-e」と記す。但し０＜ｄ、ｅ＜
１）、に分類される。 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）がａ―
SiaC1-aで構成される場合、第４の層領域（Ｍ）
に含有される炭素原子の量は好ましくは、１×
10-3〜90atomic％、より好適には１〜80atomic
％、最適には10〜75atomic％とされるのが望ま
しいものである。即ち、先のａ―SiaC1-aのａの
表示で行えば、ａが好ましくは0.1〜0.99999、よ
り好適には0.2〜0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）がａ―
（SibC1-b）cH1-cで構成される場合、第４の層領域
（Ｍ）に含有される原子の量は、好ましくは１×
10-3〜90atomic％とされ、より好ましくは１〜
90atomic％、最適には10〜80atomic％とされる
のが望ましいものである。水素原子の含有量とし
ては、好ましくは１〜40atomic％、より好まし
くは２〜35atomic％、最適には５〜30atomic％
とされるのが望ましく、これ等の範囲に水素原子
含有量がある場合に形成され光導電部材は、実際
面に於いては優れたものとして充分適用させ得
る。 即ち、先のａ―（SibC1-b）cH1-cの表示で行え
ばｂが好ましくは0.1〜99999、より好適には0.1
〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｃが好ましくは0.6
〜0.99、より好適には0.65〜0.98、最適には0.7〜
0.95であるのが望ましい。 第４の層領域（Ｍ）が、ａ―（SidC1-d）e（Ｈ，
Ｘ）1-eで構成される場合には、第４の層領域
（Ｍ）中に含有される炭素原子の含有量としては、
好ましくは、１×10-3〜90atomic％、より好適
には１〜90atomic％、最適には10〜80atomic％
とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子
含有量としては、好ましくは、１〜20atomic％
とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン
原子含有量がある場合に作成される光導電部材を
実際面に充分適用させ得るものである。必要に応
じて含有される水素原子の含有量としては、好ま
しくは19atomic％以下、より好適には13atomic
％以下とされるのが望ましいものである。 即ち、先のａ―（SidC1-d）e（Ｈ，Ｘ）1-eのｄ，
ｅの表示で行えばｂが好ましくは0.1〜0.99999、
より好適には0.1〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｅ
が好ましくは0.8〜0.99、より好適には0.82〜
0.99、最適には0.85〜0.98であるのが望ましい。 本発明に於ける第４の層領域の層厚の数範囲
は、本発明の目的を効果的に達成するための重要
な因子の一つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第４の層領域（Ｍ）の層厚は、該層（Ｍ）
中に含有される炭素原子の量や第１から第３の層
領域の層厚との関係に於いても、各々の層領域に
要求される特性に応じた有機的関連性の下に所望
に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）の層厚とし
ては、好ましくは0.003〜30μ、好適には0.004〜
20μ、最適には0.005〜10μとされるのが望ましい
ものである。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NICr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。電気絶縁性
支持体としては、ポリエステル，ポリエチレン，
ポリカーボネート，セルローズ，アセテート，ポ
リプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリ
デン，ポリスチレン，ポリアミド等の合成脂のフ
イルム又はシート，ガラス，セラミツク，紙等が
通常使用される。これ等の電気絶縁支持体は、好
適には少なくともその一方の表面を導電処理さ
れ、該導電処理された表面側に他層が設けられる
のが望ましい。例えば、ガラスであれば、その表
面に、NiCr，Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，
Ｖ，Ti，Pt，Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O2＋
SnO2）等から成る薄膜を設けることによつて導
電性が付与され、或いはポリエステルフイルム等
の合成樹脂フイルムであれば、NiCr，Al，Ag，
Pb，Zn，Ni，Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，
Ti，Pt等金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパツターリング等でその表面に設け、又は
前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面は導電性が付与される。支持体の形状として
は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし
得、所望によつて、その形状は決定されるが、例
えば、第１図の光導電部材１００を電子写真用像
形成部材として使用するのであれば連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部
材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部
材として可撓性が要求される場合には、支持体と
しての機能が充分発揮される範囲内であれば可能
な限り薄くされる。而乍ら、この様な場合支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、
通常は、100μ以上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたGeH4ガス（純度99.999％、以下
GeH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたSiF4ガス（純度99.99％、以下SiF4／He
と略す。）ボンベ、１１０５はHeガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はH2ガス（純度
99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計1136の読みが約５×10-6torrになつた時
点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バルブ
１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に第１の層領
域(C)を形成する場合の１例をあげると、ガスボン
ベ１１０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１１
０３よりGeH4／Heガスをバルブ１１２２，１１
２３を開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２８の
圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ１１１２，１
１１３を徐々に開けて、マスフロコントローラ１
１０７，１１０８内に夫々流入させる。引き続い
て流出バルブ１１１７，１１１８、補助バルブ１
１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０
１に流入させる。このときのSiH4／Heガス流量
とGeH4／Heガス流量との比が所望の値になるよ
うに流出バルブ１１１７，１１１８を調整し、
又、反応室１１０１内の圧力が所望の値になるよ
うに真空計１１３６の読みを見ながらメインバル
ブ１１３４の開口を調整する。そして基本１１３
７の温度が加熱ヒーター１１３８により400〜600
℃の範囲の温度に設定されていることを確認され
た後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応
室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあ
らかじめ設計された変化率曲線に従つてGeH4／
Heガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等
の方法によつてバルブ１１１８の開口を漸次変化
させる操作を行なつて形成される層中に含有され
るゲルマニウム原子の分布濃度を制御する。 上記の様にして、所望時間グロー放電を維持し
て、所望層厚に、基体１１３７上に第１の層領域
(C)を形成する。所望層厚に第１の層領域(C)が形成
された段階において、流出バルブを総て閉じる。 第１の層領域(C)上に第２の層領域(G)を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２より
SiH4／Heガス、ガスボンベ１１０３より
GeH4／Heガスをバルブ１１２２，１１２３を開
いて出口圧ゲージ１１２７，１１２８の圧を１
Kg／cm2に調整し、流入バルブ１１１２，１１１３
を除々に開けて、マスフロントローラ１１０７，
１１０８内に夫々流入させる。引き続いて流出バ
ルブ１１１７，１１１８，補助バルブ１１２３を
徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入
させる。このときのSiH4／Heガス流量と
GeH4／Heガス流量との比が所望の値になるよう
に流出バルブ１１１７，１１１８を調整し、又、
反応室１１０１内の圧力が所望の値になるように
真空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１
１３４の開口を調整する。そして基体１１３７の
温度が加熱ヒーター１１３８により50〜400℃の
範囲の温度に設定されていることを確認された
後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室
１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあら
かじめ設計された変化率曲線に従つてGeH4／He
ガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方
法によつてバルブ１１１８の開口を漸次変化させ
る操作を行なつて形成される層中に含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度を制御する。 上記の様にして、所望時間グロー放電を維持し
て、所望層厚に、第１の層領域(C)上に第２の層領
域(G)を形成する。所望層厚に第２の層領域(G)が形
成された段階に於いて、流出バルブ１１１８を完
全に閉じること、及び必要に応じて放電条件を変
える以外は、同様な条件手順に従つて、所望時間
グロー放電を維持することで第２の層領域(G)上に
ゲルマニウム原子の実質的に含有されない第３の
層領域（Ｓ）を形成することが出来る。 光受容層を構成する各層領域の任意の層領域中
に伝導性を支配する物質を含有させるには、層形
成の際に例えばB2H6，PH8等のガスを堆積室
1101の中に導入するガスに加えてやれば良い。 上記の様にして所望層厚に形成された第３の層
領域（Ｓ）に第４の層領域（Ｍ）を形成するに
は、第４の層領域（Ｍ）の堆積時に使用しないガ
スラインをCH4ガスに替え、第３の層領域（Ｍ）
の形成の際と同様なバルブ操作によつて、例えば
SiH4ガス、C2H2ガスの夫々を必要に応じてHe等
の稀釈して、所望の条件に従つて、グロー放電を
生起させることによつて成される。 第４の層領域（Ｍ）中にハロゲン原子を含有さ
せるには、例えばSiF4ガス、或いは、これに
SiH4ガスを加えて上記と同様にして第４の層領
域（Ｍ）を形成することによつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に到るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１
３２，１１３３を開いてメインバルブ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行う。 第４の層領域（Ｍ）中に含有される炭素原子の
量は例えば、グロー放電による場合とSiH4ガス、
C2H4ガスの反応室１１０１内に導入される流量
比を所望に従つて変えるか、或いは、スパツター
リングで層形成する場合には、ターゲツトを形成
する際シリコンウエハとグラフアイトウエハのス
パツタ面積比率を変えるか、又はシリコン粉末と
グラフアイト粉末の混合比率を変えてターゲツト
を成型することによつて所望に応じて制御するこ
とができる。第４の層領域（Ｍ）に含有されるハ
ロゲン原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原子導入用の
原料ガス、例えばSiF4ガスが反応室１１０１内に
導入される際の流量を調整することによつて成さ
れる。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
図るため基体１１３７はモータ１１３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第１表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0KVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0KVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ８ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
Si2H6／Heガスを使用し、第８表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ９ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
SiF4／Heガスを使用し、第９表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 10 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
（SiH4／He＋SiF4／He）ガスを使用し、第10表
に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条件
にして層形成を行つて電子写真用像形成部材を得
た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 11 実施例１〜10に於いて、第３層の作成条件を第
11表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を作
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第11表Ａに示す結果が得られた。 実施例 12 実施例１〜10に於いて、第３層の作成条件を第
12表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を作
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第12表Ａに示す結果が得られた。 実施例 13 実施例１に於いて、光源をタングステンランプ
の代りに810nmのGaAS係半導体レーザ
（10mW）を用いて、静電像の形成を行つた以外
は、実施例１と同様のトナー画像形成条件にし
て、実施例１と同様の条件で作成した電子写真用
像形成部材に就いてトナー転写画像の画質評価を
行つたところ、解像力に優れ、階調再現性の良い
鮮明な高品位の画像が得られた。 実施例 14 第４の層領域（Ｍ）の作成条件を第13表に示す
各条件にした以外は実施例２〜10の各実施例と同
様の条件と手順に従つて電子写真用像形成部材の
夫々（試料No.12−201〜12−208、12−301〜12−
308、……、12−1001〜12−1009の72個の試料）
を作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の
夫々を個別にして複写装置に設置し、5KVで
0.2sec間コロナ帯電を行い、光像を照射した。光
源はタングステンランプを用い、光量は1.0lux・
secとした。潜像は荷電性の現像剤（トナーと
キヤリヤを含む）によつて現像され、通常の紙に
転写された。 転写画像は、極めて良好なものであつた。転写
されないで電子写真用像形成部材上に残つたトナ
ーは、ゴムブレードによつてクリーニングされ
た。このような工程を繰り返し10万回以上行つて
も、いずれの場合も画像の劣化は見られなかつ
た。 各試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続
使用による耐久性の評価の結果を第14表に示す。 実施例 15 第４の層領域（Ｍ）の形成時、シリコンウエハ
とグラフアイトのターゲツト面積比を変えて、第
４の層領域（Ｍ）に於けるシリコン原子の炭素原
子の含有量比を変化させる以外は、実施例１と全
く同様な方法によつて像形成部材の夫々を作成し
た。こうして得られた像形成部材の夫々につき、
実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニン
グの工程を約５万回繰り返した後画像評価を行つ
たところ第15表の如き結果を得た。 実施例 16 第４の層領域（Ｍ）の層の形成時、SiH4ガス
とC2H4ガスの流量比を変えて、第４の層領域
（Ｍ）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量
比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な方
法によつて像形成部材の夫々を作成した。こうし
て得られた各像形成部材につき、実施例１に述べ
た如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返し
た後、画像評価を行つたところ、第16表の如き結
果を得た。 実施例 17 第４の層領域（Ｍ）の層の形成時、SiH4ガス、
SiF4ガス、C2H4ガスの流量比を変えて、第４の
層領域（Ｍ）に於けるシリコン原子と炭素原子の
含有量比を変化させる以外は、実施例１と全く同
様な方法によつて像形成部材の夫々を作成した。
こうして得られた各像形成部材につき実施例１に
述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約
５万回繰り返した後、画像評価を行つたところ第
17表の如き結果を得た。 実施例 18 第４の層領域（Ｍ）の層厚を変える以外は、実
施例１と全く同様な方法によつて像形成部材の
夫々を作成した実施例１に述べた如き、作像、現
像、クリーニングの工程を繰り返し第18表の結果
を得た。 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条
件を以下に示す。 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ―Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ―Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経済的安定性の
点において、結合的な特性向上を計る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰り返し使用し続けると、繰返し使
用による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂
ゴースト現象を発する様になる或いは、高速で繰
返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ―Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや螢光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有効に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに、支持体に到達する光の量
が多くなると、支持体自体が光導電層を透過して
来る光に対する反射率が高い場合には、光導電層
内に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 一方、半導体レーザとのマツチングを考慮して
支持体上に少くともゲルマニウム原子を含む非晶
質材料で構成された非晶質層を設けることが提案
されているが、この場合、支持体と該非晶質層と
の密着性および支持体から該非晶質層への不純物
の拡散が問題となる場合がある。 或いは又、ａ―Si材料で光導電層を構成する場
合には、その電気的、光導電的特性の改良を図る
ために、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等の
ハロゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼
素原子や燐原子等が或いはその他の特性改良のた
めに他の原子が、各々構成原子として光導電層中
に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方
如何によつては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性に耐圧性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注入の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリニングに、ブレードを用
いるとその摺擦によると思われる、俗に「白ス
ジ」といわれている所謂画像欠陥が生じたりして
いた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多
湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗
にいう画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
―Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、ａ―Si、殊にはシリコン
原子を母体とし、水素原子(H)又はハロゲン原子
（）のいずれか一方を少なくとも含有するアモ
ルフアス材料、所謂水素化アモルフアスシリコ
ン、ハロゲン化アモルフアスシリコン、或いはハ
ロゲン含有水素化アモルフアスシリコン〔以後こ
れ等の総称的表記として「ａ―Si（Ｈ，Ｘ）」を使
用する〕から構成され、光導電性を示す非晶質層
を有する光導電部材の層構成を以後に説明される
様な特定化の下に設計されて作成された光導電部
材は実用上著しく優れた特性を示すばかりでな
く、従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点
において凌駕していること、殊に電子写真用の光
導電部材として著しく優れた特性を有しているこ
と及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性に優
れていることを見出した点に基いている。 本発明は支持体の材料の影響を受けにくく、電
気的、光学的、光導電的特性が常時安定してい
て、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型で
あり、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光
疲労に著しく長け、繰返し使用に際しても劣化現
象を起さず、残留電位が全く又は殆んど観測され
ない光導電部材を提供することを主たる目的とす
る。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分ある光導電部材
を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性を有する光導電部材を提供すること
でもある。 本発明の光導電性部材は、光導電部材用の支持
体と、該支持体上にゲルマニウム原子を母体とす
る非晶質材料で構成され、少なくとも一部が結晶
化している第１の層領域と、シリコン原子を母体
とするゲルマニウム原子を含有する非晶質材料で
構成された第２の層領域と、シリコン原子を母体
とする非晶質材料で構成された光導電性を示す第
３の層領域と、シリコン原子と炭素原子とを母体
とする非晶質材料で構成された第４の層領域と、
が前記支持体側より順に設けられた層構成の光受
容層を有し、且つ、前記第２の層領域中に於ける
ゲルマニウム原子の分布濃度が支持体側より該支
持体側とは反対の側に向かつて減少している事を
特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
いて詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１実施態様例の光導電部
材の層構成を説明するために模式的に示した模式
的構造図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２
を有し、該光受容層１０２は自由表面１０５を一
方の端面に有している。 光受容層１０２は、支持体１０１側より、ゲル
マニウム原子を母体とするか、又はゲルマニウム
原子とシリコン原子とを母体とし、必要に応じて
水素原子又はハロゲン原子を含み、少なくとも一
部が結晶化している材料（以後「μc―Ge（Si，
Ｈ，Ｘ）」と略記する）で構成された第１の層領
域(C)１０６と、ゲルマニウム原子を含有するａ―
Si（Ｈ，Ｘ）（以後「ａ―SiGe（Ｈ，Ｘ）」と略記
する）で構成された第２の層領域(G)１０３と、ａ
―Si、好ましくａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成され、光
導電性を有する第３の層領域（Ｓ）１０４と、シ
リコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料（以後
ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yと略記）とが順に積
層された層構造を有する。 第２の層領域(G)１０３中に含有されるゲルマニ
ウム原子は、該第２の層領域(G)１０３の層厚方向
には連続的であつて且つ前記支持体１０１の設け
られてある側とは反対の側（光受容層１０２の表
面１０５側）の方に対して前記支持体１０１側の
方に多く分布した状態となる様に前記第２の層領
域(G)１０３中に含有される。 又、第１の層領域(C)１０６がゲルマニウム原子
に加えてシリコン原子をも母体とする材料で構成
される場合には、該第１の層領域(C)１０６中に含
有されるゲルマニウム原子は、好ましくは、第２
の層領域(G)１０３の場合と同様に支持体１０１側
に多く分布する様な不均一な分布状態となる様に
含有されるのが望ましい。更には、この様な場
合、第１の層領域(C)１０６及び第２の層領域(G)１
０３に於いて、ゲルマニウム原子の分布状態は、
支持体１０１の表面に平行な面内方向に於いて、
連続的で且つ均一であつて、層厚方向には、第１
の層領域(C)１０６及び第２の層領域(G)１０３を通
じて連続的且つ支持体１０１側に向つて多くなる
様な不均一分布となるのが好ましい。 本発明に於いては、第２の層領域(G)上に設けら
れる第３の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原
子は含有されておらず、この様な層構造に非晶質
層を形成することによつて、可視光領域を含む、
比較的短波長から比較的長波長迄の全領域の波長
の光に対して光感度が優れている光導電部材とし
得るものである。 第１の層領域(C)及び第２の層領域(G)中に於ける
ゲルマニウム原子の分布状態は全層領域にゲルマ
ニウム原子が連続的に分布し、ゲルマニウム原子
の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側より第３の層
領域（Ｓ）に向つて減少する変化が与えられてい
るで、第１の層領域(C)と第２の層領域(G)との間に
於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体
側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを
極端に大きくすることにより、半導体レーザ等を
使用した場合の、第３の層領域（Ｓ）では殆んど
吸収し切れない長波長側の光を第２の層領域(G)に
於いて、実質的に完全に吸収することが出来、支
持体面からの反射による干渉を防止することが出
来る。 又、本発明の光導電部材に於いては、第２の層
領域(G)と第３の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質
材料の夫々がシリコン原子という共通の構成要素
を有しているので、積層界面に於いて化学的な安
定性の確保が充分成されている。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第２の層領域(G)中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例が示さ
れる。 第２図乃至第１０図においては、横軸はゲルマ
ニウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第２の層領
域(G)の層厚を示し、tBは支持体側の第２の層領域
(G)の端面の位置を、tTは支持体側とは反対側の第
２の層領域(G)の端面の位置を示す。即ち、ゲルマ
ニウム原子の含有される第２の層領域(G)はtBより
tT側に向つて層形成がなされる。 第２図には、第２の層領域(G)中に含有されるゲ
ルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典
型列が示される。 tBは支持体と第２の層領域(C)との界面位置を示
し、tTは、第２の層領域(G)と、第３の層領域
（Ｓ）との界面位置を示す。 tBよりt1の位置までは、ゲルマニウム原子の分
布濃度ＣがC1なる一定の値を取り、位置t1よりは
濃度C2より界面位置tTに至るまで徐々に連続的に
減少されている。界面位置tTにおいては、ゲルマ
ニウム原子の分布濃度ＣはC3とされる。 第３図に示される例おいては、含有されるゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tTに
至るまで濃度C4から徐々に連続的に減少して位
置tTにおいて濃度C5となる様な分布状態を形成し
ている。 第４図の場合には、位置tBより位置t2まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C6と一定値
とされ、位置t2と位置tTとの間において、徐々に
連続的に減少され、tTにおいて、分布濃度Ｃは実
質的に零とされている（ここで実質的に零とは検
出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは位置tBより位置tTに至るまで、濃度C8より
連続的に徐々に減少され、位置tTにおいて実質的
に零とされている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、
濃度C9と一定値であり、位置tTにおいては濃度
C10とされる。位置t3と位置tTとの間では、分布濃
度Ｃは一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで
減少されている。 第７図に示される例いおいては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4までは濃度C11の一定値を取り、
位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度C13まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C14より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度C15
より濃度C16まで一次関数的に減少され、位置t5
と位置tTとの間においては、濃度C16の一定値と
された例が示されている。 第１０図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置tBにおいて濃度C17で
あり、位置t6に至るまではこの濃度C17より初め
はゆつくりと減少され、t6の位置付近において
は、急激に減少されて位置t6では濃度C18とされ
る。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t7でC19となり、位置t7と位置t8との間では、
極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t8におい
て、濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間において
は、濃度C20より実質的に零になる様に図に示す
如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第２の層領
域(G)中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向
の分布状態の典型的の幾つかを説明した様に、本
発明においては、支持体側において、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面tT側
においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて
可成り低くされた部分を有するゲルマニウム原子
の分布状態が第２の層領域(G)に設けられている。 以上は第２乃至第１０図を用いて、第２の層領
域(G)中に含有されるゲルマニウム原子の分布状態
を説明したが、第１の層領域(C)及び第２の層領域
(G)に於いて、ゲルマニウム原子が層厚方向に不均
一に含有される場合にも、上記の説明は適用され
る。即ち、第２図乃至第１０図の説明に於いて
は、層厚（tBtT）は、第２の層領域(G)の層厚とし
たが、第１の層領域(C)と第２の層領域(G)とに、層
厚方向に不均一にゲルマニウム原子が含有される
場合には、層厚（tBtT）は、この２つの層領域の
層厚の和として説明され、各図に於いて、第１の
層領域(C)と第２の層領域(G)との界面位置tSは、tB
からtTまでの任意の位置を所望に従つて適宜選択
される。 本発明に於ける光導電部材の光受容層を構成す
る第２の層領域(G)は、第１の層領域(C)がシリコン
原子を含まない場合には、好ましくは支持体側の
方にゲルマニウム原子が比較的高濃度で含有され
ている局在領域(A)を有するのが望ましい。 本発明に於いては局在領域(A)は、第１の層領域
(C)と第２の層領域(G)との界面位置tSより第２の層
領域(G)の5μ以内に設けられるのが望ましいもで
ある。 本発明においては、上記局在領域(A)は、界面位
置tSより第２の層領域(G)側の5μ厚までの全層領域
（LT）とされている場合もあるし、又、層領域
（LT）の一部とされる場合もある。 局在領域(A)を層領域（LT）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される非晶質層に要求さ
れる特性に従つて適宜決められる。 局在領域(A)はその中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原
子の分布濃度の最大値Cnaxがシリコン原子に対し
て、好ましくは1000atomic ppm以上、より好適
には5000atomic ppm以上、最適には１×
104atomic ppm以上とされる様な分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される光受容層は、第１の層領域(C)と第２の
層領域(G)との界面tsからの第２の層領域(G)側に層
厚で5μ以内（tSから5μ厚の層領域）に分布濃度の
最大値Cnaxが存在する様に形成されるのが好まし
いものである。 本発明に於いて、第１の層領域(C)がシリコン原
子を含有する場合には局在領域(A)は、第２図乃至
第１０図に於ける層厚（tBtT）を第１の層領域(C)
と第２の層領域(G)の層厚の和としてとらえ、局在
領域(A)の存在する位置の基準をtB（この場合は、
第１の層領域(C)の支持体側端面）として、上記し
たのと同様の考えを適用することが出来る。 本発明に於いて、形成される光受容層を構成す
る第３の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子(H)
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子と
ハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましく
は、１〜40atomic％、より好適には５〜
30atomic％、最適には５〜25atomic％とされる
のが望ましい。 本発明において、第１の層領域(C)をゲルマニウ
ム原子とシリコン原子とを母体とする場合には、
該第１の層領域(C)中に含有されるゲルマニウム原
子の含有量としては、本発明の目的が効果的に成
される様に所望に従つて適宜決められるが、好ま
しくは１〜×１×106atomic ppm、より好まし
くは100〜１×106atomic ppm、最適には500〜
106atomic ppmとされるのが望ましいももので
ある。 本発明において、第２の層領域(C)中に含有され
るゲルマニウム原子と原子の含有量としては、本
発明の目的が効果的に達成される様に所望に従つ
て適宜決められるが、好ましくは１〜×１×
106atomic ppm、より好ましくは100〜８×
105atomic ppm、最適には500〜７×105atomic
ppmとされるのが望ましいものである。 本発明に於いて第１の層領域(C)と第２の層領域
(G)との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させ
る為の重要な因子の１つであるので形成される光
導電部材に所望の特性が充分与えられる様に、光
導電部材の設計の際に充分なる注意が払われる必
要がある。 本発明に於いて第２の層領域(G)と第３の層領域
（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成
させる為の重要な因子の１つであるので形成され
る光導電部材に所望の特性が充分与えられる様
に、光導電部材の設計の際に充分なる注意が払わ
れる必要がある。 本発明に於いて、第１の層領域(C)の層厚は、好
ましくは、30Å〜50μ、より好ましくは100Å〜
30μ、最適には500Å〜20μとされるのが望まし
い。 本発明に於いて、第２の層領域(C)の層厚TBは、
好ましくは、30Å〜50μ、より好ましくは40Å〜
40μ、最適には50Å〜30μとされるのが望ましい。 又、第３の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましく
は、0.5〜90μ、より好ましくは１〜80μ、最適に
は２〜50μとされるのが望ましい。 第２の層領域(G)の層厚TBと第３の層領域（Ｓ）
の層厚Ｔの和（TB＋Ｔ）としては、両層領域に
要求される特性と非晶質層全体に要求される特性
との相互間の有機的関連性に基いて、光導電部材
の層設計の際に所望に従つて、適宜決定される。 本発明の光導電部材に於いては、上記の（TB
＋Ｔ）の数値範囲としては、好ましくは１〜
100μ、より好適には１〜80μ、最適には２〜50μ
とされるのが望ましい。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚TB及び層厚Ｔとしては、通常はTB／
Ｔ＝≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して
適宜適切な数値が選択されるのが望ましい。 上記の場合に於ける層厚TB及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくは、TB／Ｔ＝0.9、
最適にはTB／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚TB及び層厚Ｔの値が決定されるのが望まし
いものである。 本発明に於いて、第２の層領域(G)中に含有され
るゲルマニウム原子の含有量が１×105atomic
ppm以上の場合には、第２の層領域(G)の層厚TB
としては、可成り薄くされるのが望ましく、好ま
しくは30μ以下、より好ましくは25μ以下、最適
には20μ以下とされるのが望ましいものである。 本発明において、第１の層領域(C)第２の層領域
(G)及び第３の層領域（Ｓ）中に必要に応じて含有
されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的には
フツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフ
ツ素、塩素を好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明において、μc―Ge（Si，Ｈ，Ｘ）で構成
される第１の層領域(C)を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレ
ーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積法
および真空蒸着法によつて成される。例えば、グ
ロー放電法によつてμc―Ge（Si，Ｈ，Ｘ）で構成
される第１の層領域(C)を形成するには、基本的に
はシリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原
料ガスとゲルマニウム原子（Ge）を供給し得る
Ge供給用の原料ガスと、必要に応じて水素原子
(H)導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る
堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該堆積
室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されてある所定の支持体表面上にμC―Ge（Si，
Ｈ，Ｘ）からなる層を形成されれば良い。又、ス
パツタリング法で形成する場合には、例えばAr，
He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガスの雰囲気中でGeで構成されたター
ゲツトの１枚およびSiで構成されたターゲツト、
或いは、該ターゲツトとGeで構成されたターゲ
ツトの二枚を使用して、又は、SiとGeの混合さ
れたターゲツトを使用して、必要に応じてHe，
Ar等の稀釈ガスで稀釈されたGe供給用の原料ガ
スを、必要に応じて、水素原子(H)又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパツタリング用
の堆積室に導入し、所望のガスプラズマ雰囲気を
形成して前記のターゲツトをスパツタリングして
やれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源と
して蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）等に
よつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラ
ズマ雰囲気中を通過させる以外はスパツタリング
の場合と同様にする事で行う事が出来る。 ａ―SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される第２の層領域
(G)を形成するには例えばグロー放電法、スパツタ
リング法、或いはイオンプレーテイング法等の放
電現象を利用する真空堆積法によつて成される。
例えば、グロー放電法によつて、ａ―SiGe（Ｈ，
Ｘ）で構成される第１の層領域(G)を形成するに
は、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し得る
Si供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ge）
を供給し得るGe供給用の原料ガスと、必要に応
じて水素原子(H)導入用の原料ガス又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入し
て、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所
定位置に設置されてある所定の支持体表面上にａ
―SiGe（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良
い。又、スパツタリング法で形成する場合には、
例えばAr，He等の不活性ガス又はこれ等のガス
をベースとした混合ガスの雰囲気中でGeで構成
されたターゲツトの１枚およびSiで構成されたタ
ーゲツト、或いは、該ターゲツトとGeで構成さ
れたターゲツトの二枚を使用して、又は、Siと
Geの混合されたターゲツトを使用して、必要に
応じてHe，Ar等の稀釈ガスで稀釈されたGe供給
用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパ
ツタリング用の堆積室に導入し、所望のガスプラ
ズマ雰囲気を形成して前記のターゲツトをスパツ
タリングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源と
して蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱
法、或いはエレクトロンビーム法（EB法）等に
よつて加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所望のガスプラ
ズマ雰囲気中を通過させる以外はスパツタリング
の場合と同様にする事で行う事が出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH4，Si2H6が好ましいも
のとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge4H10，Ge5H12，
Ge6H14，Ge7，H16，Ge8，H18，Ge9H20等のガ
ス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが
有効に使用されるものとして挙げられ、殊に、層
作成作業時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等
の点で、GeH4，Ge2H6，Ge3H8が好ましいもの
として挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明においては好適に使用し得るハロゲン化
合物としては、具体的には、フツ素、フツ素、塩
素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，
ClF3，BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハ
ロゲン間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiCl4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含む第１の層領域(C)および第２の層
領域(G)を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域(C)および第２の層領域(G)を作成する場
合、基本的には、例えばSi供給用の原料ガスとな
るハロゲン化硅素とGe供給用の原料ガスとなる
水素化ゲルマニウムとAr，H2，He等のガス等を
所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層
領域(C)および第２の層領域(G)を形成する堆積室に
導入し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成することによつて、所望の支
持体上に第１の層領域(C)および第２の層領域(G)を
形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の
制御を一層容易になる様に図る為にこれ等のガス
に更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物の
ガスも所望量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 以上の形成法で第１の層領域(C)の一部を結晶化
するために支持体温度を、第２の層領域(G)を形成
する支持体温度より50〜200℃高温にする必要が
ある。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H2、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウムのガス類
をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガス
類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，
SiH2I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、及びGeHF3，
GeH2F2，GeH3F，GeHCl3，GeH2Cl2，
GeH3Cl，GeHBr3，GeH2Br2，GeH3Br，
GeHI3，GeH2I2，GeH3I等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム原子、等の水素原子を構成要素の１
つとするハロゲン化物、GeF4，GeCl4，GeBr4，
GeI4，GeF2，GeCl2，GeBr2，GeI2，等のハロゲ
ン化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス
化し得る物質も有効な第１の層領域(C)および第２
の層領域(G)形成用の出発物質として挙げる事が出
来る。 これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化
物は、第１の層領域(C)および第２の層領域(G)形成
の際に層中にハロゲン原子の導入と同時に電気的
或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子
も導入されるので、本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原料として使用される。 水素原子を第１の層領域(C)および第２の層領域
(G)中に構造的に導入するには、上記の他にH2、
或いはSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素化
硅素をGeを供給する為のゲルマニウム又はゲル
マニウム化合物と、或いは、GeH4，Ge2H6，
Ge3H8，Ge4H10，Ge5H12，Ge6H14，Ge7H16，
Ge8H18，Ge9H20等の水素化ゲルマニウムとSiを
供給する為のシリコン又はシリコン化合物と、を
堆積室中に共存させて放電を生起させる事でも行
う事が出来る。 本発明の好ましい例として、形成される光導電
部材の第１の層領域(C)中に水素原子又はハロゲン
原子のいずれか少なくとも一方を含有させる場
合、含有される水素原子(H)の量又はハロゲン原子
（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和
（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは、0.0001〜40atomic％、
より好適には0.005〜30atomic％、最適には0.01
〜25atomic％とされるのが望ましい。 第２の層領域(C)中に含有される水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するに
は、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、或
いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用さ
れる出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力等を制御してやれば良い。 本発明の好ましい例において、形成される光導
電部材の第２の層領域(G)中に含有される水素原子
(H)の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子
とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましく
は、0.01〜40atomic％、より好適には0.005〜
30atomic％、最適には0.1〜25atomic％とされる
のが望ましい。 第２の層領域(G)中に含有される水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するに
は、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、或
いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用さ
れる出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第３の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した
第２の層領域(G)形成用の出発物質（）の中よ
り、Ge供給用の原料ガスとなる出発物質を除い
た出発物質〔第３の層領域（Ｓ）形成用の出発物
質（）〕を使用して、第２の層領域(G)を形成す
る場合と、同様の方法と条件に従つて行うことが
出来る。 即ち、本発明において、ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構
成される第３の層領域（Ｓ）を形成するにはグロ
ー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレ
ーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積法
によつて成される。例えば、グロー放電法によつ
て、ａ―Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第３の層領域
（Ｓ）を形成するには、基本的には前記したシリ
コン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料ガス
と共に、必要に応じて水素原子(H)導入用の又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室
内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置
されてある所定の支持体表面上にａ―Si（Ｈ，Ｘ）
からなる層を形成させれば良い。又、スパツタリ
ング法で形成する場合には、例えばAr，He等の
不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合
の雰囲気中でSiでで構成されたターゲツトをスパ
ツタリングする際、水素原子(H)又は／及びハロゲ
ン原子（Ｘ）導入用のガスを堆積室に導入してお
けば良い。 本発明に於いて、形成される光受容層を構成す
る第３の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子(H)
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子と
ハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましく
は、１〜40atomic％、より好適には５〜
30atomic％、最適には５〜25atomic％とされる
のが望ましい。 本発明に於いては、第１乃至第３の層領域中に
は、伝導特性を制御する物質(D)を含有させること
によつて物質(D)の含有される層領域（PN）の伝
導特性を適宜、所望に従つて制御することが出来
る。 このような物質(D)は、第１乃至第３の層域の全
層領域に万遍なく含有させても良いし、或いは、
一部の層領域に局在的に含有させても良い。 本発明に於いて伝導特性を制御する物質(D)を特
に第２の層領域(G)の一部の層領域に遍在する様に
第２の層領域(G)中に含有させる場合には、前記物
質(D)の含有される層領域（PN）は、第２の層領
域(G)の端部層領域として設けられるのが望ましい
ものである。殊に、第２の層領域(G)の支持体側の
端部層領域として前記層領域（PN）が設けられ
る場合には、該層領域（PN）中に含有される前
記物質(D)の種類及びその含有量を所望に応じて適
宜選択することによつて支持体から非晶質層中へ
の特定の極性の電荷の注入を効果的に阻止するこ
とが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、伝導特性を制
御することの出来る物質(D)を、非晶質層の一部を
構成する第２の層領域(G)中に、前記した様に該層
領域(G)の全域に万遍なく、或いは層厚方向に遍在
する様に含有させるのが好ましいものであるが、
更には、第２の層領域(G)上に設けられる第３の層
領域（Ｓ）中にも前記物質(D)を含有させても良
い。 第３の層領域（Ｓ）中に前記物質(D)を含有させ
る場合には、第２の層領域(G)中に含有される前記
物質(D)の種類やその含有量及びその含有の仕方に
応じて、第３の層領域（Ｓ）中に含有させる物質
(D)の種類やその含有量、及びその含有の仕方が適
宜決められる。 本発明に於いては、第３の層領域（Ｓ）中に前
記物質(D)を含有させる場合、好ましくは、少なく
とも第２の層領域(G)との接触界面を含む層領域中
に前記物質(D)を含有させるのが望ましいものであ
る。 本発明に於いては、前記物質(D)は第３の層領域
（Ｓ）の全層領域に万遍なく含有させても良いし、
或いは、その一部の層領域に均一に含有させても
良い。 第２の層領域(G)と第３の層領域（Ｓ）の両方に
伝導特性を支配する物質(D)を含有させる場合、第
２の層領域(G)に於ける前記物質(D)が含有されてい
る層領域と、第２の層領域（Ｓ）に於ける前記物
質(D)が含有されている層領域とが互いに接触する
様に設けるのが望ましい。 又、第１の層領域(C)と第２の層領域(G)と第３の
層領域（Ｓ）とに前記物質(D)を含有させる場合、
前記物質(D)は、第１の層領域(C)と第２の層領域(G)
と第３の層領域（Ｓ）とに於いて同種類でも異種
類であつても良く、又、その含有量は各層領域に
於いて、同じでも異つてもいても良い。 而乍ら、本発明に於いては、各層領域に含有さ
れる前記物質(D)が３者に於いて同種類である場合
には、第２の層領域(G)中に含有量を充分多くする
か、又は、電気的特性の異なる種類の物質(D)を、
所望の各層領域に、夫々含有させるのが好ましい
ものである。 本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成
する第２の層領域(G)中に、伝導特性を支配する物
質(D)を含有させることにより、該物質(D)の含有さ
れる層領域〔第２の層領域(G)の一部又は全部の層
領域のいずれでも良い〕の伝導特性を所望に従つ
て任意に制御することが出来るものであるが、こ
の様な物質(D)としては、所謂、半導体分野で云わ
れる不純物を挙げることが出来、本発明に於いて
は、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物及びｎ型伝
導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来
る。 具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ，Gaである。 ｎ型不純物としては、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｐ（燐）、As（砒
素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に、好適に用いられるのは、Ｐ，Asである。 本発明に於いて、伝導特性を制御する物質(D)の
含有されている層領域（PN）に於けるその含有
量は、該層領域（PN）に要求される伝導特性、
或いは該層領域（PN）が支持体に直に接触して
設けられる場合には、その支持体との接触界面に
於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、
適宜選択することが出来る。 又、前記層領域（PN）に直に接触して設けら
れる他の層領域の特性や、該他の層領域との接触
界面に於ける特性との関係も考慮されて、伝導特
性を制御する物質の含有量が適宜選択される。 本発明に於いて、層領域（PN）中に含有され
る伝導特性を制御する物質(D)の含有量としては、
好ましくは、0.01〜５×104atomic ppm、より好
適には0.5〜１×104atomic ppm、最適には１〜
５×103atomic ppmとされるのが望ましいもの
である。 本発明に於いて、伝導特性を支配する物質(D)が
含有される層領域（PN）に於ける該物質(D)の含
有量を、好ましくは、30atomic ppm以上、より
好適には50atomic ppm以上、最適には、
100atomic ppm以上とすることによつて、例え
ば該含有させる物質(D)が前記のＰ型不純物の場合
には、光受容層の自由表面が極性に帯電処理を
受けた際に支持体側から少なくとも第２の層領域
(G)を通つて第３の層領域（Ｓ）中への電子の注入
を効果的に阻止することが出来、又、前記含有さ
せる物質(D)が前記のｎ型不純物の場合には、光受
容層の自由表面が極性に帯電処理を受けた際
に、支持体側から少なくとも第２の層領域(G)を通
つて第３の層領域（Ｓ）中への正孔の注入を効果
的に阻止することが出来る。 上記の様な場合には、前述した様に、前記層領
域（PN）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層
領域（PN）に含有される伝導特性を支配する物
質の伝導型の極性とは別の伝導型の極性の伝導特
性を支配する物質を含有させても良いし、或いは
同極性の伝導型を有する伝導特性を支配する物質
を層領域（PN）に含有させる実際の量よりも一
段と少ない量にして含有させても良いものであ
る。この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有さ
れる前記伝導特性を支配する物質の含有量として
は、層領域（PN）に含有される前記物質の極性
や含有量に応じて所望に従つて適宜決定されるも
のであるが、好ましくは、0.001〜1000atomic
ppm、より好適には0.05〜500atomic ppm、最適
には0.1〜200atomic ppmとされるのが望ましい
ものである。 本発明に於いて、層領域（PN）及び層領域
（Ｚ）に同種の伝導性を支配する物質(D)を含有さ
せる場合には、層領域（Ｚ）に於ける含有量とし
ては、好ましくは30atomic ppm以下とするのが
望ましいものである。 本発明に於いては、第１乃至第３までの層領域
中に、一方の極性の伝導性を有する伝導性を支配
する物質を含有させた層領域と、他方の極性の伝
導型を有する伝導性を支配する物質を含有させた
層領域とを直に接触する様に設けて、該接触領域
に、所謂空乏層を設けることも出来る。詰り、例
えば、第１乃至第３までの層領域中に前記のＰ型
不純物を含有する層領域と前記のｎ型不純物を含
有する層領域とを直に接触する様に設けて所謂Ｐ
―ｎ接合を形成して、空乏層を設けることが出来
る。 光受容層を層領域中に、伝導特性を制御する物
質(D)、例えば、第族原子或いは第族原子を構
造的に導入して前記物質(D)の含有された層領域
（PN）を形成するには、層形成の際に、第族
原子導入用の出発物質或いは第族原子導入用の
出発物質をガス状態堆積室中に、光受容層を形成
する為の他の出発物質と共に導入してやれば良
い。この様な第族原子導入用の出発物質と成り
得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、少
なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るもの
が採用されるのが望ましい。その様な第族原子
導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入
用としては、B2H6，B4H10，B5H9，B5H11，
B6H10，B6H12，B6H14等の水素化硼素、BF3，
BCl3，BBr3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。
この他、AlCl3，GaCl3，Ga（CH3）3，InCl3，
TlCl3，等も挙げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質としては、本発明
において有効に使用されるのは、燐原子導入用と
しては、PH3，P2H4等の水素化燐、PH4I，PF3，
PF5，PCl3，PCl5，PBr3，PBr5，PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3，AsF3，
AsCl3，AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，SbF5，
SbCl3，SbCl5，SiH3，SiCl3，SiBr3等も第族
原子導入用の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）は、シリコ
ン原子（Si）と炭素原子(C)と、必要に応じて水素
原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非
晶質材料（以後、「ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
）」と記す。但し、０＜ｘ、ｙ＜１）で構成され
る。 ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yで構成される第４
の層領域（Ｍ）の形成はグロー放電法、スパツタ
リング法、エレクトロンビーム法等によつて成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投
下の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材
に所望される特性等の要因によつて適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部
材を製造するための作製条件の制御が比較的容易
である、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲ
ン原子を、作製する第４の層領域（Ｍ）中に導入
するのが容易に行える等の利点からグロー放電法
或はスパツターリング法が好適に採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第４
の層領域（Ｍ）を形成してもよい。 グロー放電法によつて第４の層領域（Ｍ）を形
成するにはａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y形成用の
原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混
合比で混合して、支持体の設置してある真空堆積
室に導入し、導入されたガスを、グロー放電を生
起させることでガスプラズマ化して、前記支持体
上に既に形成されてある第１から第３の層領域上
にａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yを堆積させれば良
い。 本発明に於いて、ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、
炭素原子(C)、水素原子(H)、ハロゲン原子（Ｘ）の
中の少なくとも一つを構成原子とするガス状の物
質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の
大概のものが使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈ，Ｘの中の一つとしてSiを構成原子
とする原料ガスを使用する場合には、例えばSiを
構成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする
原料ガスと、必要に応じてＨを構成原子とする原
料ガス又は／及びＸを構成原子とする原料ガスと
を所望の混合して使用するか、又はSiを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子とする原
料ガス又は／及びＣ及びＸを構成原子とする原料
ガスとを、これも又、所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又
は、Si、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することができる。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良いし、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）中に含有
されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ，
Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ましいもの
である。 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）を形成す
るのに有効に使用される原料ガスと成り得るもの
としては、常温常圧に於いてガス状態のもの又は
容易にガス化し得る物質を挙げることができる。 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）形成用の
原子ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨと
の構成原子とするSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10
等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロ
ゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物、
ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素
硅素を挙げることができる。具体的には、飽和炭
化水素としてはメタン（CH4）、エタン（C2H6）、
プロパン（C3H8）、ｎ―ブタン（ｎ―C4H10）、
ペンタン（C5H12）、エチレン系炭化水素として
は、エチレン（C2H4）、プロピレン（C3H5）、ブ
テン―１（C4H8）ブテン―２（C4H8）、イソブチ
レン（C4H8）、ペンテン（C5H10）、アセチレン
系炭化水素としては、アセチレン（C2H2）、メチ
ルアセチレン（C3H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲ
ン単体としては、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素の
ハロゲンガス、ハロゲン化水素としては、FH，
HI，HCl，HBr，ハロゲン間化合物としては、
BrF，ClF，ClF3，ClF5，BrF5，BrF3，IF7，
IF5，ICl，IBr、ハロゲン化硅素としてはSiF4，
Si2F6，SiCl3Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3I，
SiBr4，ハロゲン置換水素化硅素としては、
SiH2F2，SiH2Cl2，SiHCl，SiH3Cl，SiH3Br，
SiH2Br2，SiHBr3、水素化磋素としては、SiH4，
Si2H8，Si3H8，SiH10等のシラン（Silane）類、
等々を挙げることができる。 これ等の他にCF4，CCl4，CBr4，CHF3，
CH2F2，CH3F，CH3ClOCH3Br，CH3I，
C2H5Cl等のハロゲン置換パラフイン系炭化水素、
SF4，SF6等のフツ素化硫黄化合物、Si（CH3）4，
Si（C2H5）4、等ケイ化アルキルやSiCl（CH3）3，
SiCl2（CH3）2，SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化
アルキル等のシラン誘導体も有効なものとして挙
げることができる。 これ等の第４の層領域（Ｍ）形成物質は、形成
される第４の層領域（Ｍ）中に、所定の組成比で
シリコン原子、炭素原子及びハロゲン原子と必要
に応じて水素原子とが含有される様に、第４の層
領域（Ｍ）の形成の際に所望に従つて選択されて
使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHCl3，SiH2Cl2，SiCl4、或
いはSiH3Cl等を所定の混合比にしてガス状態で
第４の層領域（Ｍ）形成用の装置内に導入してグ
ロー放電を生起させることによつてａ―（Six
C1-x）y（Cl＋Ｈ）1-yから成る第４の層領域（Ｍ）
を形成することができる。 スパツターリング法によつて第４の層領域
（Ｍ）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これらを必要に応じてハロゲン原子又は／及
び水素原子を構成要素として含む種々ガス雰囲気
中でスパツターリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨ又は／及びＸを導入するための原
料ガスを、必要に応じて稀釈して、スパツター用
の堆積室中に導入し、これらのガスのガスプラズ
マを形成して前記Siウエーハーをスパツターリン
グすれば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。
Ｃ、Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質とし
ては先述したグロー放電のの例で示した第４の層
領域（Ｍ）形成用の物質がスパツターリング法の
場合にも有効な物質として使用され得る。 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）をグロー
放電法又はスパツターリング法で形成する際に使
用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例え
ばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げるこ
とができる。 本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）は、その要
求される特性が所望通りに与えられる様に注意深
く形成される。 即ち、Si，Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によつて構
造的には結晶からアモルフアスまでの形態を取
り、電気物性的には、導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導
電的性質を、各々示すので本発明に於いては、目
的に応じた所望の特性を有するａ―（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yが形成される様に、所望に従つてそ
の作成条件の選択が厳密に成される。例えば、第
４の層領域（Ｍ）を耐圧性の向上を主な目的とし
て設けるにはａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yは使用
環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材
料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第４の層領域（Ｍ）が設けら
れる場合には上記の電気絶縁性の度合はある程度
緩和され、照射される光に対してある程度の感度
を有する非晶質材料としてａ―（SixC1-x）y（Ｈ，
Ｘ）1-yが作成される。 第３の層領域（Ｓ）表面にａ―（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yから成る第４の層領域（Ｍ）を形成
する際、層形成中の支持体温度は、形成される層
の構造及び特性を左右する重要な因子であつて、
本発明に於いては、目的とする特性を有するａ―
（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが所望通りに作成され得
る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御される
のが望ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れるための第４の層領域（Ｍ）形成法に併せて適
宜最適範囲が選択されて、第４の層領域（Ｍ）の
形成が実行されるが、、好ましくは、20〜400℃、
より好適には50〜350℃、最適には100〜300℃と
されるのが望ましいものである。第４の層領域
（Ｍ）の形成には、層を構成する原子の組成比の
微秒な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比較
的容易である事等のために、グロー放電法やスパ
ツターリング法の採用が有利であるが、これ等の
層形成法で第４の層領域（Ｍ）を形成する場合に
は、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電
パワーが作成されるａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
の特性を左右する重要な因子の一つである。 本発明に於ける目的が達成されるための特性を
有するａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが生産性良く
効果的に作成されるための放電パワー条件として
は、好ましくは10〜300W、より好適には20〜
250W、最適には50〜200Wとされるのが望ましい
ものである。 堆積室内のガス圧は好ましくは0.01〜1Torr、
より好適には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望
ましい。 本発明に於いては第４の層領域（Ｍ）を作成す
るための支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ―（SixC1-x）
y（Ｈ，Ｘ）1-yから成る第４の層領域（Ｍ）が形
成される様に相互的有機関連性に基づいて各層作
成フクターの最適値が決められるのが望ましい。 本発明の光導電部材に於ける第４の層領域
（Ｍ）に含有される炭素原子の量は、第４の層領
域（Ｍ）の作成条件と同様、本発明の目的を達成
する所望の特性が得られる第４の層領域（Ｍ）が
形成される重要な因子である。 本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）に含有され
る炭素原子の量は、第４の層領域（Ｍ）を構成す
る非晶質材料の種類及びその特性に応じて適宜所
望に応じて決められるものである。 即ち、前記一般式ａ―（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以
後、「ａ―SiaC1-a」と記す。但し、０＜ａ＜１）、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成され
る非晶質材料（以後、「ａ―（SibC1-b）cH1-c」と
記す。但し、０＜ｂ、ｃ＜１）、シリコン原子と
炭素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子
とで構成される非晶質材料（以後、「ａ―（Sid
C1-d）e（Ｈ，Ｘ）1-e」と記す。但し０＜ｄ、ｅ＜
１）、に分類される。 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）がａ―
SiaC1-aで構成される場合、第４の層領域（Ｍ）
に含有される炭素原子の量は好ましくは、１×
10-3〜90atomic％、より好適には１〜80atomic
％、最適には10〜75atomic％とされるのが望ま
しいものである。即ち、先のａ―SiaC1-aのａの
表示で行えば、ａが好ましくは0.1〜0.99999、よ
り好適には0.2〜0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明に於いて、第４の層領域（Ｍ）がａ―
（SibC1-b）cH1-cで構成される場合、第４の層領域
（Ｍ）に含有される原子の量は、好ましくは１×
10-3〜90atomic％とされ、より好ましくは１〜
90atomic％、最適には10〜80atomic％とされる
のが望ましいものである。水素原子の含有量とし
ては、好ましくは１〜40atomic％、より好まし
くは２〜35atomic％、最適には５〜30atomic％
とされるのが望ましく、これ等の範囲に水素原子
含有量がある場合に形成され光導電部材は、実際
面に於いては優れたものとして充分適用させ得
る。 即ち、先のａ―（SibC1-b）cH1-cの表示で行え
ばｂが好ましくは0.1〜99999、より好適には0.1
〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｃが好ましくは0.6
〜0.99、より好適には0.65〜0.98、最適には0.7〜
0.95であるのが望ましい。 第４の層領域（Ｍ）が、ａ―（SidC1-d）e（Ｈ，
Ｘ）1-eで構成される場合には、第４の層領域
（Ｍ）中に含有される炭素原子の含有量としては、
好ましくは、１×10-3〜90atomic％、より好適
には１〜90atomic％、最適には10〜80atomic％
とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子
含有量としては、好ましくは、１〜20atomic％
とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン
原子含有量がある場合に作成される光導電部材を
実際面に充分適用させ得るものである。必要に応
じて含有される水素原子の含有量としては、好ま
しくは19atomic％以下、より好適には13atomic
％以下とされるのが望ましいものである。 即ち、先のａ―（SidC1-d）e（Ｈ，Ｘ）1-eのｄ，
ｅの表示で行えばｂが好ましくは0.1〜0.99999、
より好適には0.1〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｅ
が好ましくは0.8〜0.99、より好適には0.82〜
0.99、最適には0.85〜0.98であるのが望ましい。 本発明に於ける第４の層領域の層厚の数範囲
は、本発明の目的を効果的に達成するための重要
な因子の一つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第４の層領域（Ｍ）の層厚は、該層（Ｍ）
中に含有される炭素原子の量や第１から第３の層
領域の層厚との関係に於いても、各々の層領域に
要求される特性に応じた有機的関連性の下に所望
に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いても考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第４の層領域（Ｍ）の層厚とし
ては、好ましくは0.003〜30μ、好適には0.004〜
20μ、最適には0.005〜10μとされるのが望ましい
ものである。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NICr，ステンレス，Al，
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。電気絶縁性
支持体としては、ポリエステル，ポリエチレン，
ポリカーボネート，セルローズ，アセテート，ポ
リプロピレン，ポリ塩化ビニル，ポリ塩化ビニリ
デン，ポリスチレン，ポリアミド等の合成脂のフ
イルム又はシート，ガラス，セラミツク，紙等が
通常使用される。これ等の電気絶縁支持体は、好
適には少なくともその一方の表面を導電処理さ
れ、該導電処理された表面側に他層が設けられる
のが望ましい。例えば、ガラスであれば、その表
面に、NiCr，Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，
Ｖ，Ti，Pt，Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O2＋
SnO2）等から成る薄膜を設けることによつて導
電性が付与され、或いはポリエステルフイルム等
の合成樹脂フイルムであれば、NiCr，Al，Ag，
Pb，Zn，Ni，Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，
Ti，Pt等金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸
着、スパツターリング等でその表面に設け、又は
前記金属でその表面をラミネート処理して、その
表面は導電性が付与される。支持体の形状として
は、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし
得、所望によつて、その形状は決定されるが、例
えば、第１図の光導電部材１００を電子写真用像
形成部材として使用するのであれば連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部
材が形成される様に適宜決定されるが、光導電部
材として可撓性が要求される場合には、支持体と
しての機能が充分発揮される範囲内であれば可能
な限り薄くされる。而乍ら、この様な場合支持体
の製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、
通常は、100μ以上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたGeH4ガス（純度99.999％、以下
GeH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたSiF4ガス（純度99.99％、以下SiF4／He
と略す。）ボンベ、１１０５はHeガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はH2ガス（純度
99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計1136の読みが約５×10-6torrになつた時
点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バルブ
１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に第１の層領
域(C)を形成する場合の１例をあげると、ガスボン
ベ１１０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１１
０３よりGeH4／Heガスをバルブ１１２２，１１
２３を開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２８の
圧を１Kg／cm2に調整し、流入バルブ１１１２，１
１１３を徐々に開けて、マスフロコントローラ１
１０７，１１０８内に夫々流入させる。引き続い
て流出バルブ１１１７，１１１８、補助バルブ１
１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０
１に流入させる。このときのSiH4／Heガス流量
とGeH4／Heガス流量との比が所望の値になるよ
うに流出バルブ１１１７，１１１８を調整し、
又、反応室１１０１内の圧力が所望の値になるよ
うに真空計１１３６の読みを見ながらメインバル
ブ１１３４の開口を調整する。そして基本１１３
７の温度が加熱ヒーター１１３８により400〜600
℃の範囲の温度に設定されていることを確認され
た後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応
室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあ
らかじめ設計された変化率曲線に従つてGeH4／
Heガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等
の方法によつてバルブ１１１８の開口を漸次変化
させる操作を行なつて形成される層中に含有され
るゲルマニウム原子の分布濃度を制御する。 上記の様にして、所望時間グロー放電を維持し
て、所望層厚に、基体１１３７上に第１の層領域
(C)を形成する。所望層厚に第１の層領域(C)が形成
された段階において、流出バルブを総て閉じる。 第１の層領域(C)上に第２の層領域(G)を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２より
SiH4／Heガス、ガスボンベ１１０３より
GeH4／Heガスをバルブ１１２２，１１２３を開
いて出口圧ゲージ１１２７，１１２８の圧を１
Kg／cm2に調整し、流入バルブ１１１２，１１１３
を除々に開けて、マスフロントローラ１１０７，
１１０８内に夫々流入させる。引き続いて流出バ
ルブ１１１７，１１１８，補助バルブ１１２３を
徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流入
させる。このときのSiH4／Heガス流量と
GeH4／Heガス流量との比が所望の値になるよう
に流出バルブ１１１７，１１１８を調整し、又、
反応室１１０１内の圧力が所望の値になるように
真空計１１３６の読みを見ながらメインバルブ１
１３４の開口を調整する。そして基体１１３７の
温度が加熱ヒーター１１３８により50〜400℃の
範囲の温度に設定されていることを確認された
後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室
１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあら
かじめ設計された変化率曲線に従つてGeH4／He
ガスの流量を手動あるいは外部駆動モータ等の方
法によつてバルブ１１１８の開口を漸次変化させ
る操作を行なつて形成される層中に含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度を制御する。 上記の様にして、所望時間グロー放電を維持し
て、所望層厚に、第１の層領域(C)上に第２の層領
域(G)を形成する。所望層厚に第２の層領域(G)が形
成された段階に於いて、流出バルブ１１１８を完
全に閉じること、及び必要に応じて放電条件を変
える以外は、同様な条件手順に従つて、所望時間
グロー放電を維持することで第２の層領域(G)上に
ゲルマニウム原子の実質的に含有されない第３の
層領域（Ｓ）を形成することが出来る。 光受容層を構成する各層領域の任意の層領域中
に伝導性を支配する物質を含有させるには、層形
成の際に例えばB2H6，PH8等のガスを堆積室
1101の中に導入するガスに加えてやれば良い。 上記の様にして所望層厚に形成された第３の層
領域（Ｓ）に第４の層領域（Ｍ）を形成するに
は、第４の層領域（Ｍ）の堆積時に使用しないガ
スラインをCH4ガスに替え、第３の層領域（Ｍ）
の形成の際と同様なバルブ操作によつて、例えば
SiH4ガス、C2H2ガスの夫々を必要に応じてHe等
の稀釈して、所望の条件に従つて、グロー放電を
生起させることによつて成される。 第４の層領域（Ｍ）中にハロゲン原子を含有さ
せるには、例えばSiF4ガス、或いは、これに
SiH4ガスを加えて上記と同様にして第４の層領
域（Ｍ）を形成することによつて成される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に到るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１
３２，１１３３を開いてメインバルブ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行う。 第４の層領域（Ｍ）中に含有される炭素原子の
量は例えば、グロー放電による場合とSiH4ガス、
C2H4ガスの反応室１１０１内に導入される流量
比を所望に従つて変えるか、或いは、スパツター
リングで層形成する場合には、ターゲツトを形成
する際シリコンウエハとグラフアイトウエハのス
パツタ面積比率を変えるか、又はシリコン粉末と
グラフアイト粉末の混合比率を変えてターゲツト
を成型することによつて所望に応じて制御するこ
とができる。第４の層領域（Ｍ）に含有されるハ
ロゲン原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原子導入用の
原料ガス、例えばSiF4ガスが反応室１１０１内に
導入される際の流量を調整することによつて成さ
れる。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
図るため基体１１３７はモータ１１３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第１表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0KVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0KVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ８ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
Si2H6／Heガスを使用し、第８表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ９ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
SiF4／Heガスを使用し、第９表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 10 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代りに
（SiH4／He＋SiF4／He）ガスを使用し、第10表
に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条件
にして層形成を行つて電子写真用像形成部材を得
た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 11 実施例１〜10に於いて、第３層の作成条件を第
11表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を作
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第11表Ａに示す結果が得られた。 実施例 12 実施例１〜10に於いて、第３層の作成条件を第
12表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を作
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第12表Ａに示す結果が得られた。 実施例 13 実施例１に於いて、光源をタングステンランプ
の代りに810nmのGaAS係半導体レーザ
（10mW）を用いて、静電像の形成を行つた以外
は、実施例１と同様のトナー画像形成条件にし
て、実施例１と同様の条件で作成した電子写真用
像形成部材に就いてトナー転写画像の画質評価を
行つたところ、解像力に優れ、階調再現性の良い
鮮明な高品位の画像が得られた。 実施例 14 第４の層領域（Ｍ）の作成条件を第13表に示す
各条件にした以外は実施例２〜10の各実施例と同
様の条件と手順に従つて電子写真用像形成部材の
夫々（試料No.12−201〜12−208、12−301〜12−
308、……、12−1001〜12−1009の72個の試料）
を作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の
夫々を個別にして複写装置に設置し、5KVで
0.2sec間コロナ帯電を行い、光像を照射した。光
源はタングステンランプを用い、光量は1.0lux・
secとした。潜像は荷電性の現像剤（トナーと
キヤリヤを含む）によつて現像され、通常の紙に
転写された。 転写画像は、極めて良好なものであつた。転写
されないで電子写真用像形成部材上に残つたトナ
ーは、ゴムブレードによつてクリーニングされ
た。このような工程を繰り返し10万回以上行つて
も、いずれの場合も画像の劣化は見られなかつ
た。 各試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続
使用による耐久性の評価の結果を第14表に示す。 実施例 15 第４の層領域（Ｍ）の形成時、シリコンウエハ
とグラフアイトのターゲツト面積比を変えて、第
４の層領域（Ｍ）に於けるシリコン原子の炭素原
子の含有量比を変化させる以外は、実施例１と全
く同様な方法によつて像形成部材の夫々を作成し
た。こうして得られた像形成部材の夫々につき、
実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニン
グの工程を約５万回繰り返した後画像評価を行つ
たところ第15表の如き結果を得た。 実施例 16 第４の層領域（Ｍ）の層の形成時、SiH4ガス
とC2H4ガスの流量比を変えて、第４の層領域
（Ｍ）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量
比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な方
法によつて像形成部材の夫々を作成した。こうし
て得られた各像形成部材につき、実施例１に述べ
た如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返し
た後、画像評価を行つたところ、第16表の如き結
果を得た。 実施例 17 第４の層領域（Ｍ）の層の形成時、SiH4ガス、
SiF4ガス、C2H4ガスの流量比を変えて、第４の
層領域（Ｍ）に於けるシリコン原子と炭素原子の
含有量比を変化させる以外は、実施例１と全く同
様な方法によつて像形成部材の夫々を作成した。
こうして得られた各像形成部材につき実施例１に
述べた如き作像、現像、クリーニングの工程を約
５万回繰り返した後、画像評価を行つたところ第
17表の如き結果を得た。 実施例 18 第４の層領域（Ｍ）の層厚を変える以外は、実
施例１と全く同様な方法によつて像形成部材の
夫々を作成した実施例１に述べた如き、作像、現
像、クリーニングの工程を繰り返し第18表の結果
を得た。 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条
件を以下に示す。 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
◎：優良 ○：良好
【表】
【表】
◎：優良 ○：良好
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分で
ある ×〓画像欠陥を生ずる
ある ×〓画像欠陥を生ずる
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分である
×〓画像欠陥を生ずる
×〓画像欠陥を生ずる
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分である
×〓画像欠陥を生ずる
×〓画像欠陥を生ずる
第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々第２の層領域中のゲルマニウム原子の分布状
態を説明する為の説明図、第１１図は、本発明で
使用された装置の模式的説明図で、第１２図乃至
第１８図は夫々本発明の実施例に於けるガス流量
比の変化率曲線を示す説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……光受容層。
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々第２の層領域中のゲルマニウム原子の分布状
態を説明する為の説明図、第１１図は、本発明で
使用された装置の模式的説明図で、第１２図乃至
第１８図は夫々本発明の実施例に於けるガス流量
比の変化率曲線を示す説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……光受容層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光導電部材用の支持体と、該支持体上にゲル
マニウム原子を母体とする非晶質材料で構成さ
れ、少なくとも一部が結晶化している第１の層領
域と、シリコン原子を母体とするゲルマニウム原
子を含有する非晶質材料で構成された第２の層領
域と、シリコン原子を母体とする非晶質材料で構
成された光導電性を示す第３の層領域と、シリコ
ン原子と炭素原子とを母体とする非晶質材料で構
成された第４の層領域と、が前記支持体側より順
に設けられた層構成の光受容層を有し、且つ、前
記第２の層領域中に於けるゲルマニウム原子の分
布濃度が支持体側より該支持体側とは反対の側に
向かつて減少している事を特徴とする光導電部
材。 ２ 前記第１の層領域、前記第２の層領域、前記
第３の層領域及び前記第４の層領域の少なくとも
いずれか一つに水素原子が含有されている特許請
求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ３ 前記第１の層領域、前記第２の層領域、前記
第３の層領域及び前記第４の層領域の少なくとも
いずれか一つにハロゲン原子が含有されている特
許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ４ 前記第１の層領域、前記第２の層領域、前記
第３の層領域及び前記第４の層領域の少なくとも
いずれか一つに水素原子とハロゲン原子とが含有
されている特許請求の範囲第１項に記載の光導電
部材。 ５ 前記第１の層領域中に含有される水素原子の
量が0.0011〜40atomic％である特許請求の範囲第
２項に記載の光導電部材。 ６ 前記第１の層領域中に含有されるハロゲン原
子の量が0.0001〜40atomic％である特許請求の範
囲第３項に記載の光導電部材。 ７ 前記第１の層領域中に含有される水素原子と
ハロゲン原子の量の和が0.0001〜40atomic％であ
る特許請求の範囲第４項に記載の光導電部材。 ８ 前記第２の層領域中に含有される水素原子の
量が0.01〜40atomic％である特許請求の範囲第２
項に記載の光導電部材。 ９ 前記第２の層領域中に含有されるハロゲン原
子の量が0.01〜40atomic％である特許請求の範囲
第３項に記載の光導電部材。 １０ 前記第２の層領域中に含有される水素原子
とハロゲン原子の量の和が0.01〜40atomic％であ
る特許請求の範囲第４項に記載の光導電部材。 １１ 前記第３の層領域中に含有される水素原子
の量が１〜40atomic％である特許請求の範囲第
２項に記載の光導電部材。 １２ 前記第３の層領域中に含有されるハロゲン
原子の量が１〜40atomic％である特許請求の範
囲第３項に記載の光導電部材。 １３ 前記第３の層領域中に含有される水素原子
とハロゲン原子の量の和が１〜40atomic％であ
る特許請求の範囲第４項に記載の光導電部材。 １４ 前記第４の層領域中に含有される水素原子
の量が１〜40atomic％である特許請求の範囲第
２項に記載の光導電部材。 １５ 前記第４の層領域中に含有されるハロゲン
原子の量が１〜20atomic％である特許請求の範
囲第３項に記載の光導電部材。 １６ 前記第４の層領域中に含有されるハロゲン
原子の量が１〜20atomic％で且つ、水素原子の
量が19atomic％以下である特許請求の範囲第４
項に記載の光導電部材。 １７ 前記第１の層領域中に含有されるゲルマニ
ウム原子の量が１〜9.5×105atomic ppmである
特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １８ 前記第１の層領域の層厚Ｔが30Å〜50μで
ある特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １９ 前記第２の層領域の層厚TBが30Å〜50μで
ある特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ２０ 前記第３の層領域の層厚Ｔが0.5〜90μであ
る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ２１ 前記第２の層領域と前記第３の層領域の層
厚の和（TB＋Ｔ）が１〜100μである特許請求の
範囲第１項に記載の光導電部材。 ２２ 前記第２の層領域の層厚TBと前記第３の
層領域の層厚ＴとがTB／Ｔ≦１とされている特
許請求の範囲第１項及び同第２１項に記載の光導
電部材。 ２３ 前記ゲルマニウム原子の含有量が１×
105atomic ppm以上でかつ前記第２の層領域の
層厚が30μ以下である特許請求の範囲第１１項に
記載の光導電部材。 ２４ 前記光受容層に伝導性を支配する物質が含
有されている特許請求の範囲第１項に記載の光導
電部材。 ２５ 前記伝導性を支配する物質が周期律表第
族に属する原子である特許請求の範囲第２４項に
記載の光導電部材。 ２６ 前記伝導性を支配する物質が周期律表第
族に属する原子である特許請求の範囲第２４項に
記載の光導電部材。 ２７ 前記周期律表第族に属する原子がＢ、
Gaから選ばれる特許請求の範囲第２５項に記載
の光導電部材。 ２８ 前記周期律表第族に属する原子がＰ、
Asから選ばれる特許請求の範囲第２６項に記載
の光導電部材。 ２９ 前記伝導性を支配する物質が0.01〜５×
104atomic ppm含有される特許請求の範囲第２
４項に記載の光導電部材。 ３０ 前記ハロゲン原子はフツ素、塩素から選ば
れる特許請求の範囲第３項及び同第４項に記載の
光導電部材。 ３１ 前記第４の層領域の層厚が0.003〜3μであ
る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ３２ 前記炭素原子の含有量が１×10-3〜
90atomic％である特許請求の範囲第１項に記載
の光導電部材。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58081133A JPS59205772A (ja) | 1983-05-10 | 1983-05-10 | 光導電部材 |
| US06/607,565 US4532198A (en) | 1983-05-09 | 1984-05-07 | Photoconductive member |
| DE19843416982 DE3416982A1 (de) | 1983-05-09 | 1984-05-08 | Photoleitfaehiges aufzeichnungselement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58081133A JPS59205772A (ja) | 1983-05-10 | 1983-05-10 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59205772A JPS59205772A (ja) | 1984-11-21 |
| JPH0145984B2 true JPH0145984B2 (ja) | 1989-10-05 |
Family
ID=13737896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58081133A Granted JPS59205772A (ja) | 1983-05-09 | 1983-05-10 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59205772A (ja) |
-
1983
- 1983-05-10 JP JP58081133A patent/JPS59205772A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59205772A (ja) | 1984-11-21 |