JPS59224145A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59224145A JPS59224145A JP58097818A JP9781883A JPS59224145A JP S59224145 A JPS59224145 A JP S59224145A JP 58097818 A JP58097818 A JP 58097818A JP 9781883 A JP9781883 A JP 9781883A JP S59224145 A JPS59224145 A JP S59224145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- base
- light
- glass
- sealing material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は半導体装置、特に、半導体ペレットをキャビテ
ィ内に取り付けたパッケージのベースを透光性キャップ
で封止する型式の半導体装置に適用して有効な技術に関
する。
ィ内に取り付けたパッケージのベースを透光性キャップ
で封止する型式の半導体装置に適用して有効な技術に関
する。
［背景技術］
半導体装置のうち、たとえば、ホトセンサとして用いら
れる半導体装置においては、光をホトセンサに通過させ
るためにパッケージの封止用キャップとして透明ガラス
等よりなる透光性キャンプが用いられている（たとえば
昭和５７年１０月発行の日立半導体製品一覧表の７４Ｐ
）。
れる半導体装置においては、光をホトセンサに通過させ
るためにパッケージの封止用キャップとして透明ガラス
等よりなる透光性キャンプが用いられている（たとえば
昭和５７年１０月発行の日立半導体製品一覧表の７４Ｐ
）。
このような半導体装置の場合、透光性キャップとしての
透明ガラスキャンプをパッケージのベースに対して封止
するために低融点ガラスよりなるフリットガラスを透明
ガラスの周辺部裏面に焼結させたものを用いて封止行う
ことが考えられる。
透明ガラスキャンプをパッケージのベースに対して封止
するために低融点ガラスよりなるフリットガラスを透明
ガラスの周辺部裏面に焼結させたものを用いて封止行う
ことが考えられる。
しかしながら、この透明ガラスキャップの封止方式では
、フリットガラスを透明ガラスに直接焼結させる際にフ
リットガラス中のバインダ等の無機物が飛散して透明ガ
ラスの中央部裏面に付着してしまう。このような透明ガ
ラス面へのバインダ等の付着が起こると、そのバインダ
等が光の透過を阻害する原因物質となってホトセンサの
特性を損なうという問題がある。
、フリットガラスを透明ガラスに直接焼結させる際にフ
リットガラス中のバインダ等の無機物が飛散して透明ガ
ラスの中央部裏面に付着してしまう。このような透明ガ
ラス面へのバインダ等の付着が起こると、そのバインダ
等が光の透過を阻害する原因物質となってホトセンサの
特性を損なうという問題がある。
そこで、透明ガラス面へのバインダ等の付着を防止する
ため、透明ガラスの中央部を付着防止フィルムで覆って
フリットガラスの焼成を行うことが考えられるが、付着
防止フィルムの材料費や製作費が高くなり、工数も増加
するので、コストが上昇するという問題がある。
ため、透明ガラスの中央部を付着防止フィルムで覆って
フリットガラスの焼成を行うことが考えられるが、付着
防止フィルムの材料費や製作費が高くなり、工数も増加
するので、コストが上昇するという問題がある。
［発明の目的］
本発明の目的は、透光性キヤ・ノブへの汚染物質の付着
を防止できる半導体装置を提供することにある。
を防止できる半導体装置を提供することにある。
本発明の他の１つの目的は、低コストで製造できる半導
体装置を提供することにある。
体装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
［発明の概要コ
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、透光性キャップには封止材を付着せず、封止
材は透光性キャップとは別の封止部材に付着させておく
ことにより、前記目的を達成することができる。
材は透光性キャップとは別の封止部材に付着させておく
ことにより、前記目的を達成することができる。
［実施例１］
第１図は本発明の一実施例である半導体装置の斜視図、
第２図はその透明ガラスキャ・ノブの裏面側から見た斜
視図、第３図（ａ）、ｔｂ＞はそれぞれ封止用リントの
裏面側から見た斜視図とその断面図、第４図は本実施例
の半導体装置の拡大断面図である。
第２図はその透明ガラスキャ・ノブの裏面側から見た斜
視図、第３図（ａ）、ｔｂ＞はそれぞれ封止用リントの
裏面側から見た斜視図とその断面図、第４図は本実施例
の半導体装置の拡大断面図である。
この実施例１においては、パンケージのセラミックベー
ス１のキャビティ２内にホトセンサ用の受光素子として
の半導体ペレ・ノド３がたとえば金−シリコン（Ａｕ−
３ｔ）共晶により取り付けられ、その半導体ペレット３
の電極部はベース１の導電配線とワイヤ４で電気的に接
続されている。
ス１のキャビティ２内にホトセンサ用の受光素子として
の半導体ペレ・ノド３がたとえば金−シリコン（Ａｕ−
３ｔ）共晶により取り付けられ、その半導体ペレット３
の電極部はベース１の導電配線とワイヤ４で電気的に接
続されている。
ベース１の導電配線は該ベース１の内部配線を経て、該
ベース１の両側面にろう付は等で固着された外部リード
５に電気的に接続されている。
ベース１の両側面にろう付は等で固着された外部リード
５に電気的に接続されている。
一方、前記ベース１のキャビティ２の上部の段部には、
透光性キャンプとしての透明ガラスキャンプ６が載置さ
れている。この透明ガラスキャ・ノブ６は第２図に示さ
れるように、その表面側は勿論、裏面側にも何も付着さ
れていない。
透光性キャンプとしての透明ガラスキャンプ６が載置さ
れている。この透明ガラスキャ・ノブ６は第２図に示さ
れるように、その表面側は勿論、裏面側にも何も付着さ
れていない。
また、この透明ガラスキャップ６の上面側の周辺部から
その周囲のベース１の上面にかけて、たとえば低融点ガ
ラスよりなるフリットガラス８（封止材）を周辺部裏面
に付着させた封止用リッド７ （封止材部）が載置され
、該フリットガラス８で気密封止されている。この封止
用リッド７はたとえばセラミック等で作られ、第３図（
ａ）、（ｂ）に示すように、その中央部には光を通過さ
せるための開口９が長方形状に形成され、この周辺部裏
面に前記フリットガラス８が焼結されている。
その周囲のベース１の上面にかけて、たとえば低融点ガ
ラスよりなるフリットガラス８（封止材）を周辺部裏面
に付着させた封止用リッド７ （封止材部）が載置され
、該フリットガラス８で気密封止されている。この封止
用リッド７はたとえばセラミック等で作られ、第３図（
ａ）、（ｂ）に示すように、その中央部には光を通過さ
せるための開口９が長方形状に形成され、この周辺部裏
面に前記フリットガラス８が焼結されている。
本実施例においては、透明ガラスキャップ６には封止材
が付着されておらず、封止材の一例としてのフリットガ
ラス８は透明ガラスキャップ６とは別体の開口９付きの
封止用リッド７に予め焼結されているので、フリットガ
ラス８の焼成時に該フリットガラス８中のバインダの如
き無機物が飛散しても、その飛散物が透明ガラスキャッ
プ６の面に付着することはない。
が付着されておらず、封止材の一例としてのフリットガ
ラス８は透明ガラスキャップ６とは別体の開口９付きの
封止用リッド７に予め焼結されているので、フリットガ
ラス８の焼成時に該フリットガラス８中のバインダの如
き無機物が飛散しても、その飛散物が透明ガラスキャッ
プ６の面に付着することはない。
したがって、透明ガラスキャップ６は汚染物質が付着し
ていない清浄状態に保たれ、光の透過を妨げられること
がなく、ホトセンサ用の受光素子としての半導体ベレ・
ノド３の特性が損なわれることがない。
ていない清浄状態に保たれ、光の透過を妨げられること
がなく、ホトセンサ用の受光素子としての半導体ベレ・
ノド３の特性が損なわれることがない。
また、本実施例では、透明ガラスキャ・７プ６への汚染
物質の付着を防止するために特別なフィルム等を用いる
必要がなく、しかも封止用のり・ノド７は安価に製作で
きるので、コストを大巾に低減することが可能である。
物質の付着を防止するために特別なフィルム等を用いる
必要がなく、しかも封止用のり・ノド７は安価に製作で
きるので、コストを大巾に低減することが可能である。
［実施例２］
第５図は本発明の実施例２による半導体装置の拡大断面
図である。
図である。
この実施例２においては、封止用リッド７の裏面が階段
状に形成され、その裏面に焼結されたフリットガラス８
が透明ガラスキャ・ノブ６の周囲の外側にまで回り込ん
だ構造であり、フリットガラス８による気密封止性がよ
り良好となる。
状に形成され、その裏面に焼結されたフリットガラス８
が透明ガラスキャ・ノブ６の周囲の外側にまで回り込ん
だ構造であり、フリットガラス８による気密封止性がよ
り良好となる。
し効果］
（ｌ）、中央部に開口を有しかつ周辺部裏面Ｇこ封止材
を付着させた封止部材を透光性キャ・ノブの上Ｇこ載せ
て封止材で封止したことにより、透光性キャップに汚染
物質が付着することがなくなり、半導体ペレットの特性
が損なわれることを防止できる。
を付着させた封止部材を透光性キャ・ノブの上Ｇこ載せ
て封止材で封止したことにより、透光性キャップに汚染
物質が付着することがなくなり、半導体ペレットの特性
が損なわれることを防止できる。
（２）、特別な汚染物質付着防止手段が不要であるので
、製造コストを大巾に安価なものとすることができる。
、製造コストを大巾に安価なものとすることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、封止材としては低融点ガラスの他に有機封止
材料等を用いることができる。
材料等を用いることができる。
また、封止用リッドの材料もセラミック以外のものを用
いることができる。
いることができる。
さらに、透光性キャンプも透明ガラスの他にプラスチッ
ク等の透光性材料で作ることができる。
ク等の透光性材料で作ることができる。
［利用分野］
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるホトセン号用の半導
体装置に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、たとえば、それ以外の用途に用い
られる半導体装置にも広く適用することができる。
をその背景となった利用分野であるホトセン号用の半導
体装置に適用した場合について説明したが、それに限定
されるものではなく、たとえば、それ以外の用途に用い
られる半導体装置にも広く適用することができる。
第１図は本発明の実施例１である半導体装置の斜視図、
第２図はその透明ガラスキャンプの裏面側から見た斜視
図、 第３図（ａｌ、（ｂ）はそれぞれ封止用リッドの裏面側
から見た斜視図とその断面図、 第４図は本実施例１の半導体装置の拡大断面図、第５図
は本発明の実施例２による半導体装置の拡大断面図であ
る。 １・・・パ、７ケージのベース、２・・・キャビティ、
３・・・半導体ペレット、４・・・ワイヤ、６・・・透
明ガラスキャップ（透光性キャンプ）、７・・・封止用
リッド（封止部材）、８・・・フ第 １ 図 第 ３ 第 ４ 図 第 ２ 図 図 （Ａ） び 第 ５ 図
図、 第３図（ａｌ、（ｂ）はそれぞれ封止用リッドの裏面側
から見た斜視図とその断面図、 第４図は本実施例１の半導体装置の拡大断面図、第５図
は本発明の実施例２による半導体装置の拡大断面図であ
る。 １・・・パ、７ケージのベース、２・・・キャビティ、
３・・・半導体ペレット、４・・・ワイヤ、６・・・透
明ガラスキャップ（透光性キャンプ）、７・・・封止用
リッド（封止部材）、８・・・フ第 １ 図 第 ３ 第 ４ 図 第 ２ 図 図 （Ａ） び 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体ベレットをキャビティ内に取り付けたパッケ
ージのベースを透光性キャップで封止する半導体装置に
おいて、中央部に開口を有しかつ周辺部裏面に封止材を
付着させた封止部材を透光性キャップの上に乗せて前記
封止材で封止してなることを特徴とする半導体装置。 ２、封止材が封止部材の周辺部裏面に焼結された低融点
ガラスよりケることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58097818A JPS59224145A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58097818A JPS59224145A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59224145A true JPS59224145A (ja) | 1984-12-17 |
Family
ID=14202319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58097818A Pending JPS59224145A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59224145A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622251U (ja) * | 1985-06-20 | 1987-01-08 | ||
| JPH01235260A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Rohm Co Ltd | 光素子用キャップの製造方法 |
| WO2005119756A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Melexis Nv | Semiconductor package with transparent lid |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP58097818A patent/JPS59224145A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622251U (ja) * | 1985-06-20 | 1987-01-08 | ||
| JPH01235260A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Rohm Co Ltd | 光素子用キャップの製造方法 |
| WO2005119756A1 (en) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Melexis Nv | Semiconductor package with transparent lid |
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