JPS5923111B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5923111B2 JPS5923111B2 JP52016714A JP1671477A JPS5923111B2 JP S5923111 B2 JPS5923111 B2 JP S5923111B2 JP 52016714 A JP52016714 A JP 52016714A JP 1671477 A JP1671477 A JP 1671477A JP S5923111 B2 JPS5923111 B2 JP S5923111B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin film
- layer
- film
- bonding
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/922—Bond pads being integral with underlying chip-level interconnections
- H10W72/9226—Bond pads being integral with underlying chip-level interconnections with via interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/921—Structures or relative sizes of bond pads
- H10W72/923—Bond pads having multiple stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、保護膜或いは絶縁膜として樹脂皮膜を用い、
且つ、ボンディング・パッドを有してなる半導体装置の
改良に関する。
且つ、ボンディング・パッドを有してなる半導体装置の
改良に関する。
近年、保護膜或いは絶縁膜として例えばポリイミド等の
樹脂を用いることが行なわれている。
樹脂を用いることが行なわれている。
これは、従来多用されている燐硅酸ガラス(PSG)膜
に於ける種々の欠点を解消することが狙いとなつている
。ところで、多くの半導体装置にはボンディング・パッ
ドが形成されていて、そこにリード線をボンディングす
ることが行なわれている。
に於ける種々の欠点を解消することが狙いとなつている
。ところで、多くの半導体装置にはボンディング・パッ
ドが形成されていて、そこにリード線をボンディングす
ることが行なわれている。
そして、そのボンディングには、通常、3〜7〔トン/
一〕の圧力が加えられる。従つて、前記の如く、樹脂皮
膜を用いた半導体装置に於いて、ボンディング・パッド
の圧力が印加される部分の直下に樹脂皮膜が在ると、そ
こで変形が発生し、その結果、パッドを形成している例
えばアルミニウム(Al)等の皮膜が下地から剥離する
事故が発生する。これは、多層の樹脂層を用いた多層配
線層を有する半導体装置では特に起り易い。本発明は、
樹脂皮膜を絶縁膜或いは保護膜として有する半導体装置
に強固なボンディング・パッドを形成し、ボンディング
時に圧力を加えても、半導体装置が損傷されないように
するものであり、以下これを詳細に説明する。
一〕の圧力が加えられる。従つて、前記の如く、樹脂皮
膜を用いた半導体装置に於いて、ボンディング・パッド
の圧力が印加される部分の直下に樹脂皮膜が在ると、そ
こで変形が発生し、その結果、パッドを形成している例
えばアルミニウム(Al)等の皮膜が下地から剥離する
事故が発生する。これは、多層の樹脂層を用いた多層配
線層を有する半導体装置では特に起り易い。本発明は、
樹脂皮膜を絶縁膜或いは保護膜として有する半導体装置
に強固なボンディング・パッドを形成し、ボンディング
時に圧力を加えても、半導体装置が損傷されないように
するものであり、以下これを詳細に説明する。
図は本発明一実施例を表す半導体装置の要部切断側面図
である。
である。
図に於いて、1は半導体基板、2は二酸化シリコン(S
iO2)、燐硅酸ガラス(PSG)、酸化アルミニウム
(Al2O3)等の絶縁膜、3は第1層樹脂皮膜、4は
例えばアルミニウム(Al)の第1層ボンディング・パ
ッド、5は第1層配線、6は第2層樹脂皮膜、7は第2
層ボンディング・パッド、8は第2層配線、9は第3層
ボンディング・パッドをそれぞれ示している。
iO2)、燐硅酸ガラス(PSG)、酸化アルミニウム
(Al2O3)等の絶縁膜、3は第1層樹脂皮膜、4は
例えばアルミニウム(Al)の第1層ボンディング・パ
ッド、5は第1層配線、6は第2層樹脂皮膜、7は第2
層ボンディング・パッド、8は第2層配線、9は第3層
ボンディング・パッドをそれぞれ示している。
図から明らかなように、本発明では、配線層が如何に多
層になつても、ボンディング・パッドは最下層から形成
するようにして、ボンディング時に大きな圧力が印加さ
れる部分の直下には樹脂皮膜を存在させていないので、
ボンディング時に半導体装置が損壊することはない。
層になつても、ボンディング・パッドは最下層から形成
するようにして、ボンディング時に大きな圧力が印加さ
れる部分の直下には樹脂皮膜を存在させていないので、
ボンディング時に半導体装置が損壊することはない。
尚、ボンディング・パッドの材料がアルミニウムである
場合、樹脂皮膜に被着させるよりも二酸化シリコン膜、
燐硅酸ガラス膜、酸化アルミニウム膜等に被着させた方
がはるかに密着性が良好である。以上の説明で判るよう
に、本発明に依れば、例えば燐硅酸ガラス膜の如き絶縁
膜よりも耐湿性等の点で優れた特性を有する樹脂皮膜を
用いながら、ボンディング・パッドは極めて強固に形成
することができるので、ボンデイング時にパツドに大き
な圧力が加えられても、半導体装置が変形してパツドの
金属皮膜が剥離する等の損傷を受けることはない。
場合、樹脂皮膜に被着させるよりも二酸化シリコン膜、
燐硅酸ガラス膜、酸化アルミニウム膜等に被着させた方
がはるかに密着性が良好である。以上の説明で判るよう
に、本発明に依れば、例えば燐硅酸ガラス膜の如き絶縁
膜よりも耐湿性等の点で優れた特性を有する樹脂皮膜を
用いながら、ボンディング・パッドは極めて強固に形成
することができるので、ボンデイング時にパツドに大き
な圧力が加えられても、半導体装置が変形してパツドの
金属皮膜が剥離する等の損傷を受けることはない。
また、各配線層に対応するボンデイング・パツドは、同
一位置に積層されているので、配線と接続して形成した
場合の段差を少なくすることができ、断線を生ずる虞が
なくなる。
一位置に積層されているので、配線と接続して形成した
場合の段差を少なくすることができ、断線を生ずる虞が
なくなる。
図は本発明一実施例を表す半導体装置の要部切断側面図
である。 図に於いて、1は基板、2は絶縁膜、3は樹脂皮膜、4
はボンデイング・パツド、5は配線層、6は樹脂皮膜、
7はボンデイング・パツド、8は配線層、9はボンデイ
ング・パツドをそれぞれ示す。
である。 図に於いて、1は基板、2は絶縁膜、3は樹脂皮膜、4
はボンデイング・パツド、5は配線層、6は樹脂皮膜、
7はボンデイング・パツド、8は配線層、9はボンデイ
ング・パツドをそれぞれ示す。
Claims (1)
- 1 樹脂皮膜で層間絶縁された複数の配線層と、該複数
の配線層にそれぞれ対応すると共に前記樹脂皮膜を介す
ることなく同一位置に積層して形成されたボンディング
・パッドとを備えてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52016714A JPS5923111B2 (ja) | 1977-02-17 | 1977-02-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52016714A JPS5923111B2 (ja) | 1977-02-17 | 1977-02-17 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53101980A JPS53101980A (en) | 1978-09-05 |
| JPS5923111B2 true JPS5923111B2 (ja) | 1984-05-30 |
Family
ID=11923926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52016714A Expired JPS5923111B2 (ja) | 1977-02-17 | 1977-02-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923111B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63129920U (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-25 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0666366B2 (ja) * | 1981-06-24 | 1994-08-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPS6427241A (en) * | 1988-06-24 | 1989-01-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor integrated circuit device |
| JPH0622256B2 (ja) * | 1988-06-24 | 1994-03-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
1977
- 1977-02-17 JP JP52016714A patent/JPS5923111B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63129920U (ja) * | 1987-02-19 | 1988-08-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53101980A (en) | 1978-09-05 |
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