JPS5931041A - 薄膜半導体装置 - Google Patents
薄膜半導体装置Info
- Publication number
- JPS5931041A JPS5931041A JP14135382A JP14135382A JPS5931041A JP S5931041 A JPS5931041 A JP S5931041A JP 14135382 A JP14135382 A JP 14135382A JP 14135382 A JP14135382 A JP 14135382A JP S5931041 A JPS5931041 A JP S5931041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- layer
- semiconductor device
- film
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 22
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 208000018721 fetal lung interstitial tumor Diseases 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜半導体装置の多層配線のコンタクト部の材
料構成に関する。
料構成に関する。
従来、薄膜半導体装置においては、第１図に薄膜ＭＯ８
ＰＥＴの断面図に示すごとく、絶縁基板１の一主面に形
成された半導体膜１２にソース拡散領域３、ドレイン拡
散領域４、ゲート絶縁膜５、ゲート電極６、層間絶縁膜
７および層間絶縁膜を介し、コンタクト・ホールを通し
て形成した電極配線層８により構成されていた。
ＰＥＴの断面図に示すごとく、絶縁基板１の一主面に形
成された半導体膜１２にソース拡散領域３、ドレイン拡
散領域４、ゲート絶縁膜５、ゲート電極６、層間絶縁膜
７および層間絶縁膜を介し、コンタクト・ホールを通し
て形成した電極配線層８により構成されていた。
しかし、上記従来技術では、例えば半導体膜２やゲート
電極６が多結晶シリコン半導体膜、電極配線層８が酸化
錫と酸化インジウムの混合物膜（以下工ＴＯ膜）で形成
された場合、下地シリコン材料が工Ｔｏ膜中に拡散し、
配線抵抗あるいは接触抵抗が増大するという欠点があっ
た。
電極６が多結晶シリコン半導体膜、電極配線層８が酸化
錫と酸化インジウムの混合物膜（以下工ＴＯ膜）で形成
された場合、下地シリコン材料が工Ｔｏ膜中に拡散し、
配線抵抗あるいは接触抵抗が増大するという欠点があっ
た。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくし、薄膜半導体装
置において、配線抵抗あるいは接触抵抗の小さな多層配
線のコンタクト構造を提供することを目的とする。
置において、配線抵抗あるいは接触抵抗の小さな多層配
線のコンタクト構造を提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、薄
膜半導体装置において、絶縁基板上に形成された半導体
膜を用いて、いわゆる薄膜半導体装置を製作するに際し
、絶縁膜を介し、コンタクト・ホールを通して電極配線
との接続を行なうコンタクト部に於て、半導体層と電極
との間に銅。
膜半導体装置において、絶縁基板上に形成された半導体
膜を用いて、いわゆる薄膜半導体装置を製作するに際し
、絶縁膜を介し、コンタクト・ホールを通して電極配線
との接続を行なうコンタクト部に於て、半導体層と電極
との間に銅。
クロム、チタン等の金属層を形成することを特徴とする
。
。
第２図は本発明による一実施例を示す薄膜半導体装置の
断面図である。石英からなる絶縁基板１１の一主表面に
はＰ型多結晶ンリコン薄膜１２、該Ｐ型多結晶シリコン
薄膜１２にリンを拡散して形成したソース拡散領域１３
、ドレイン拡散領域１４が形成され、該ソース・ドレイ
ン拡散領域１３．１４にはさまれた半導体基板１３の表
面には酸化ミクロンからなるゲート絶縁膜１５、多結晶
シリコンからなるゲート電極１６が形成され、ＭＯＳ
ＦＬＩＴを構成する。該ＭＯ３ＦＥＴ上には酸化シリ
コン膜からなる層間絶縁膜１７が形成された後、コンタ
クト・ホールが形成され、下地多結晶シリコン層による
配線層と２層目の電極配線層との接続がなされる訳であ
るが、この場合例えばコンタクト・ホール部を通して無
電解銅メノギにより銅層１８を形成後、ＩＴＯ膜による
電極配線層１９をスパッタ蒸着後のホトリゾグラフィー
及びエツチング処理により形成する。
断面図である。石英からなる絶縁基板１１の一主表面に
はＰ型多結晶ンリコン薄膜１２、該Ｐ型多結晶シリコン
薄膜１２にリンを拡散して形成したソース拡散領域１３
、ドレイン拡散領域１４が形成され、該ソース・ドレイ
ン拡散領域１３．１４にはさまれた半導体基板１３の表
面には酸化ミクロンからなるゲート絶縁膜１５、多結晶
シリコンからなるゲート電極１６が形成され、ＭＯＳ
ＦＬＩＴを構成する。該ＭＯ３ＦＥＴ上には酸化シリ
コン膜からなる層間絶縁膜１７が形成された後、コンタ
クト・ホールが形成され、下地多結晶シリコン層による
配線層と２層目の電極配線層との接続がなされる訳であ
るが、この場合例えばコンタクト・ホール部を通して無
電解銅メノギにより銅層１８を形成後、ＩＴＯ膜による
電極配線層１９をスパッタ蒸着後のホトリゾグラフィー
及びエツチング処理により形成する。
尚、電極配線１９はＩＴＯに限らずアルミニウム等地の
金属による配線でも良く、且つ層間金属層１８はフンタ
クト・ホール内にとどまらずコンタクト・ホール外には
み出して形成されても良い。
金属による配線でも良く、且つ層間金属層１８はフンタ
クト・ホール内にとどまらずコンタクト・ホール外には
み出して形成されても良い。
上記の如く、本発明によると下地薄膜半導体層と上部電
極配線層との間に他の金属層をはさんで形成することに
より、例えば下地半導体層がシリコンで、上部電極配線
層が工ＴＯの場合に、ＩＴＯが下地シリコン層からシリ
コンを吸収して配線抵抗あるいは接触抵抗を増大させる
のを、中間に形成した銅等のシリコンと相互拡散を起こ
し難い金層をはさむことにより、配線抵抗あるいは接触
抵抗の小なる電極配線の接続が可能となる効果がある。
極配線層との間に他の金属層をはさんで形成することに
より、例えば下地半導体層がシリコンで、上部電極配線
層が工ＴＯの場合に、ＩＴＯが下地シリコン層からシリ
コンを吸収して配線抵抗あるいは接触抵抗を増大させる
のを、中間に形成した銅等のシリコンと相互拡散を起こ
し難い金層をはさむことにより、配線抵抗あるいは接触
抵抗の小なる電極配線の接続が可能となる効果がある。
第１図は従来技術による薄膜半導体装置の断面図を、第
２図は本発明による薄膜半導体装置の断面図を示す。 １．１１・・・・・・絶縁基板 ２．１２・・・・・半導体薄膜 ６．１６・・・・・・ソース拡散領域 ４．１４・・・・・・ドレイン拡散領域５．１５・・・
・・・ゲート絶縁膜 ６．１６・・・・・・ゲート電極 ７．１７・・・・・・層間絶縁膜 ８．１９・・・・・・電極配線層 １８・・・・・・層間金属膜 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第１図
２図は本発明による薄膜半導体装置の断面図を示す。 １．１１・・・・・・絶縁基板 ２．１２・・・・・半導体薄膜 ６．１６・・・・・・ソース拡散領域 ４．１４・・・・・・ドレイン拡散領域５．１５・・・
・・・ゲート絶縁膜 ６．１６・・・・・・ゲート電極 ７．１７・・・・・・層間絶縁膜 ８．１９・・・・・・電極配線層 １８・・・・・・層間金属膜 以 上 出願人 株式会社諏訪精工舎 第１図
Claims (2)
- （１） 絶縁基板上に形成された半導体膜を用いて、
いわゆる薄膜半導体装置を製作するに際し、絶縁膜を介
してコンタクト・ホールを通して電極配線との接続を行
なうコンタクト部に於て、半導体層と電極との間に銅、
クロム、チタン等の金属層を形成することを特徴とする
薄膜半導体装置。 - （２）半導体膜をシリコン半導体膜とし、電極配線材料
を酸化錫または酸化錫と酸化インジウムの混合物または
酸化インジウムとなすことを特徴とする特許請求範囲第
１項記載の薄膜半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14135382A JPS5931041A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 薄膜半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14135382A JPS5931041A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 薄膜半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5931041A true JPS5931041A (ja) | 1984-02-18 |
Family
ID=15289992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14135382A Pending JPS5931041A (ja) | 1982-08-13 | 1982-08-13 | 薄膜半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931041A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61222180A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-10-02 | ソヒオ コマ−シヤル デイベロツプメント コムパニ− | Ｐ形半導体用多層オ−ミツク接触及びその作製方法 |
| JPS63152010A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| KR100332118B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2002-04-10 | 박종섭 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258491A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS53121489A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-23 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-08-13 JP JP14135382A patent/JPS5931041A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5258491A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS53121489A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-23 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61222180A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-10-02 | ソヒオ コマ−シヤル デイベロツプメント コムパニ− | Ｐ形半導体用多層オ−ミツク接触及びその作製方法 |
| JPS63152010A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-24 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| KR100332118B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2002-04-10 | 박종섭 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB1435320A (en) | Methods of manufacturing semi-conductor devices | |
| KR920020671A (ko) | 골드구조를 가지는 반도체소자의 제조방법 | |
| JPH1124094A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR900005605A (ko) | 액티브매트릭스 기판과 그 제조법 | |
| JPS5931041A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JPH04232922A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH04232923A (ja) | 表示装置の電極基板の製造方法 | |
| JPH07111523B2 (ja) | Ｔｆｔパネル | |
| JPS615576A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| KR910007513B1 (ko) | 반도체장치의 배선접속부 | |
| JPH01109772A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5893282A (ja) | 薄膜半導体素子 | |
| KR100471765B1 (ko) | 단일막게이트라인을갖는박막트랜지스터기판및그제조방법 | |
| JPS57133667A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH02285678A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6074658A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS5940582A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02144939A (ja) | トランジスタの配線接続構造 | |
| KR980012626A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| JPS62288883A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH05150259A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPS6140133B2 (ja) | ||
| JP2001102635A5 (ja) | ||
| JPH02222574A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0434955A (ja) | 集積回路装置 |