JPS5932194A - 電子部品実装体の製造法 - Google Patents

電子部品実装体の製造法

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JPS5932194A
JPS5932194A JP14114382A JP14114382A JPS5932194A JP S5932194 A JPS5932194 A JP S5932194A JP 14114382 A JP14114382 A JP 14114382A JP 14114382 A JP14114382 A JP 14114382A JP S5932194 A JPS5932194 A JP S5932194A
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resistor
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conductor
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恒雄 遠藤
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
本発BAtIまセラミック基板、特に抵抗素子盆組み込
んだセラミック基板および七の製造方法に関する。 従来、アルミナ粉末にシリカ等のフランクス勿加え、さ
らに有機バインダで周めてシート状V(シたグリーンシ
ートに抵抗素子(単に抵抗とも称丁、、)?内蔵する場
合、(1)、り゛リーンシート孕還元性σ曲気で焼成し
て得たセラミンク板に低湛焼成の導体ペースト(fc1
1!:えは銅ペースト〕忙印刷した後、酸化性低崗与囲
気で焼成してη層抵抗を形成する方法、(2)、クリ−
シートを鋼元性券曲気で焼成して得たセラミック板の表
面のモリブデンい40 )−マンガン(Mn)あるイハ
タンクステン(W)等からなる導体層表面にめっ@
【施
して金めっき8(、+ T Mつた後、抵抗形成領域に
カーボンペースト葡印4iilI L、かつ焼成するこ
とによって抵抗音形成する方法、が知ら)1−ている。 しかし、前者の方法は焼成後のセラミック板上(tc4
体ペーストケ印刷するため、導体ペーストはセラミック
板上に滲むようにして拡がる傾向があり、精緻なパター
ンが作り難い。したがって、フェイスタウン・ボンナイ
ングチツブ用の接続用ランドのパターンも精緻とブlす
φB、チップのJk ib’4が稚しい、’Ifこ、導
体ペースト(011ペースト)1:f :// 5スτ
君lirため配線層の抵抗が人きくなる欠点があるとと
もに、’l’ Ellの濡才しが悪く、チップ搭載時の
接合M:が低い欠点がある。 !F1こ、f(台の導体層六面葡金めっき膜で被い酸化
4囲気1・の抵わ1、形JJy、時lC導体層が酸化す
るの〒+Vj IL′Tる)j法Tb、f、高仙jな金
r用イルタメコスト7/’1i4 < lる岬点がある
とともに、カーボンペーストによる抵抗は信頼性が低い
欠点がある。 しkがつ′C1木ウヘ明の目的社高品質の抵抗素子(抵
抗)葡イイするセラミック基板r安価に提供することに
らる。 葦た、本発明の他の目的は抵抗素子Ti[する十ラミッ
ク基板の製造方法におい一〇、精緻な導体層パターンを
製造することができる七ラミック基板の製造方法r提供
することにある。 さらに、本発明の曲の目的は抵抗素子tイ1する十ラミ
ック基板において、抵抗値が小Aくかつ半田の濡れ性が
良好な導(+層ケ・角するセラミック基板km供するこ
とにある。 このような目的?達成するために本発明は、グリーンシ
ー トのp面に導体ベースNrI′)’を望パターンに
印刷するとともに還元性51F、囲気で焼成して導体ノ
曽を有するセラばツク板を形J&する工4里と、前記セ
ンミック板の7(面に露出する導体層の少なくとも抵抗
接続端子となる表面部分子餉め′)さ層こ・被う王権と
、前6已セラミツク板の抵抗形成領域にランタンポライ
ドr生成分とする抵抗ペーストケ印刷するとともに酸素
【苫″f、ない中性(小活性)あるいは還元性4囲気で
焼成して抵抗r形成する工程と、によって抵抗〒41′
Tるセラミック基板r製漬するものであって、以下実施
例により本発明r説明する。 第1図は本発明の一実施例妃よるセラミック基。 板の製造方法を示すフローチャート、第2図IRI〜l
clは同じく各製造段階でのワークの断面図、第3図d
同1;〈→てラミツク基板の一部を示す平面図である。 セラミック条板f?4造するには、先ずグリーンシート
および1体ペーストならびに絶縁ペーストを川面した後
、第2図(8)に示すように、グリーン−7−ト1上に
導体ペースト2および絶縁ペースト3を杼り返しで印刷
しく第1図のフローチャート参照)、多層板4を形成す
る。そして、この多層板4を常用のH元疼囲気で焼成し
て第2図1b+で示すような焼成板5を形jji L、
第3図1c下すように、対となる抵抗接続端子63部品
搭載用ランド7を名む配線層8を焼l戊板5の内部およ
び表面に亘つ−C設りる。 +Stl Nt2グリーンシートlはアルミナ粉末にシ
リカなどのフラツクスを加え、有(幾バインダによって
シート状にしたものである。この結果、絶縁・導体ヘ−
Xl−の印刷時ニクリーンシートltjペースト中の溶
剤を吸収し易くなり、印刷層の側方への滲みが少なくな
る。したがって、印刷パターンの微細化、精緻化が可能
となり、前Hじ部品搭載用ランド7の各間隙の縮小化も
可能となる。 1’lf記導体ペーストはグリーンシート1の焼J戊現
度によっても劣化しないM□ −Mn、 P、l−Ag
 。 W等の高耐熱拐料を主成分としでいる。そしで、前記部
品搭載用ランド7の111Mは100/1m、ピッチは
1.0077mとなり、従来の七nぞれの数値200、
#mに対して大幅に小さくなる。なお、実施例でV、を
部品搭載用ランド7は多層板4の内部の414ペ一スト
層2にスルーホールに埋め込んだ導体ペーストによる接
続部9でFl、気的に接続筋れた4IIv造となってい
るが、多層板4上に延在させてQi定の導体ペースト層
に接続されるようにしてもよ−。また、各導体ペースト
層はたとえば20μm44ji度の1νさに、葎X縁ペ
ースト層は友とえは100μm程度の叶さに、グリーン
シート1はたとえば10071mのII 1361−、
 f(7)でいる。 つきに、このど層仮4を常用の焼成処理、T々わち1■
元t’i、多’、:囲気Tで焼IJい2、硬化式せる。 導体ベース1ノr/iu、 7!f、体層1 (B:f
xす、りII −y ’y −)1すrよび11・1・
4ペ一スト層り、一体化さ7′1.たセラミック板11
となる。 つ@’&’?’、 +i・1めつき処理を施して、セラ
ミック板11の上面VtJオ出している導体層】0の表
面に2μm程度の1−さに銅めつき膜12を形成する〔
第2図fbl参照〕。 つ^pv、同図1clに示rように、対となる抵抗接子
1七9渚t” 6間に亘ってランタンポライド(La)
311)を主成分とする抵抗ペーストを印刷しに後、中
、性(不活(jl、)あるl/1は還元性雰囲気で焼I
戎(801,1〜90 (l C−I: 50分すし、
抵抗(tit抗素子)13y)ヒDv、する。この1+
 (I B 6は印刷にょる銅jψ膜に接続I′i1能
なIa抗ペーストとして開発市販路れ1いるものであり
、木づ^明者等にζよって銅めっ@膜との間でも艮tl
(な市、夕(的接続が行えること?実験によって確イぢ
しでいるものである。このLaB6は酸素を含ま々い不
活性(中性)ガス、あるいは還iしガス纒囲気で焼成処
理さn、るl臣長がある。この結果、抵抗形成時には、
W等からなる前記導体層10の酸化は防止できることに
なり、4体層IOの劣化tよ生しない。 このようなセラミック基板14にあってtま、表面の部
品搭載用ランド7に半田15を弁してICチップ16を
フェイスダウンΦボンディングによって固定する。半田
15はあらかじめICチップ1Gのit極部にバンプ電
極の形として形成しておく。 このような実施例によれは、導体層全形成するための導
電ペーストの印刷は、吸湿性のめるグリーンシート上に
行なわ7’Lる。この結果、ペースト中の溶剤がグリー
ンシートに印刷されてにじみが起きず、微粗パターン化
がoJ能となる。したがって、ICチップ等の部品をフ
ェイスダウン争ボンディングで実装する際の部品搭載用
ランドの縮小化、ランド間ピッチの狭小化がb」能とな
り、部品のバンプML極に各ランドllJ、適正に対応
できるようになって実装がIj]能となる。 また、配線層の入面は抵抗値が極めて小さい銅めつ@ 
714%でフルわjLでいることから、配線層の抵抗値
は従来に比較1.て小さくなる。また、銅めっき膜はゲ
:来の、しうなガラスフリット(シリカ)等ヲ含1ない
ピュアーな銅であることから、ICチップ実装時に用込
る”l’lllとの#Sれ性が良好となり、信Il1度
の高い実装が内油となる。 また、ランタンホライドは従来のカーボン抵抗に比較し
て良質の抵抗を形作る。また、ランタンポライドの焼成
は酸素を含1ない分囲気で行なえることから、従来のよ
うr(配線層を高価な金で被う必装もなく、少なくとも
ランタンポライドとの接続部にのみ安■1な帽を弁(E
さ−じればよくなる。 この結堅、コストの低減が図れる。なお、鋼めっさはラ
ンタンポライドとの接続のためには配線層の抵抗4軽続
端子部分にのみ形成丁れはよいわけであるが、へ用j〜
る配線層全長に亘って設けILは、前スホのよう(/L
配紳層の抵抗1utの減少化、半11JJの濡れ性向ト
化を1ソすることができるようになる。 なお、本発明は前記実施例に限定されない。 以上のように、本発明によ11ば、精緻で抵抗値が小さ
くかつ半田との濡れ性が艮好な部品5qの抵抗素子を有
するセラミック基板を安価に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例による七ラミック基板の製造
方法を示すフローチャート、 第2図+R1〜(clは同じく各製造段階でのワークの
断面図、 第3図は同じくセラミック基板の一部を示す平面図であ
る。 1・・・グリーンシート、2・・・導体ペースト、3・
・・絶縁ペースト、5・・・焼成板、6・・・抵抗接続
端子、7・・・部品搭載ランド、8・・・配+vi!層
、10・・・4体層、12・・・銅めつき膜、13・・
・抵抗、14・・・セラミック基板、15・・・半田、
16・・ICチップ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、導体層および導体層に接続さtする抵抗奮有するセ
    ラミック基板において、前記抵抗はランタンポライドか
    らなるとともに、抵抗は導体層−ヒに部分的または全体
    的に形成された銅めっき膜ケ弁して導体)t4に接続さ
    れてbること7脣徴とするセラミック基板。 2 前6【シ導体層の−f(Bは部品搭載用ランドとな
    っていること盆11脣徴するlr!fN’f ii’J
    求のヰ1」、開田1項記載の一トラミンク基板1. 3、 グリーンシートの身゛ぐ菌Iに導1本ペーストヶ
    所望パターンに印刷するとともに点元性迩1111気で
    焼成し、 −L L’f I’t’ 、I咄11−1−
    る士うミンク板?形成する工程と、目11rt+、セラ
    ミック板のp面にyに出する導体層のり2なくとも抵抗
    接続ΔIA子となる表面部分ケ銅めっき層で被う」杵と
    、…]U+、;セラミック板の抵抗形成i11″1城し
    てランタンポライドを主成分とする抵抗ペーストヶ印刷
    するとともに酸素葡含!ない中性るる因は還元性宵囲惣
    で焼成して抵抗ケ形成する工444と、からなる七ラミ
    ック基板のHj”lx方法。 4、前記導体層の一部は部品搭載用ランドとなっている
    ことr特徴とする%Wl′−梢求の範囲第3項記載のセ
    ラミック基板の段端方法。
JP14114382A 1982-08-16 1982-08-16 電子部品実装体の製造法 Granted JPS5932194A (ja)

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JPH0430199B2 JPH0430199B2 (ja) 1992-05-21

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02254785A (ja) * 1989-03-29 1990-10-15 Ngk Insulators Ltd 回路基板の製造法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56146201A (en) * 1980-04-14 1981-11-13 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Alumina circuit board with glazed resistor
JPS58153394A (ja) * 1982-03-08 1983-09-12 日立化成工業株式会社 抵抗付セラミツク多層回路板の製造法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56146201A (en) * 1980-04-14 1981-11-13 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Alumina circuit board with glazed resistor
JPS58153394A (ja) * 1982-03-08 1983-09-12 日立化成工業株式会社 抵抗付セラミツク多層回路板の製造法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02254785A (ja) * 1989-03-29 1990-10-15 Ngk Insulators Ltd 回路基板の製造法

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