JPS5932224A - スイツチング用パワ−トランジスタの保護回路 - Google Patents
スイツチング用パワ−トランジスタの保護回路Info
- Publication number
- JPS5932224A JPS5932224A JP14243782A JP14243782A JPS5932224A JP S5932224 A JPS5932224 A JP S5932224A JP 14243782 A JP14243782 A JP 14243782A JP 14243782 A JP14243782 A JP 14243782A JP S5932224 A JPS5932224 A JP S5932224A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- power transistor
- switching
- circuit
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0826—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in bipolar transistor switches
Landscapes
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は、飽和型スイッチング回路に使用される、スイ
ッチング用パワートランジスタの保護回路に関する。′
１、テに、かがるパワートランジスタが非飽和領域にお
いて動作することとなって過熱することを防止する保護
回路に関する。
ッチング用パワートランジスタの保護回路に関する。′
１、テに、かがるパワートランジスタが非飽和領域にお
いて動作することとなって過熱することを防止する保護
回路に関する。
Ｃ）技術の背景
パワートランジスタとは電流定格が１５〜３０ Ａを超
えるトランジスタをいうが、いうまでもなく、コレクタ
・エミッタ電流が大きいことが特徴である。ただ、熱放
散面積すなわち熱放散能力を定格電流にともなって増大
することは容易でないから、定格電流の増大とともに温
度上昇に対１る１１（抗力が小さくなることはやむを得
ない。その結果、１５〜５０Ａ程度の定格電流に対し、
連続的に放１１（シうる熱容量は１００〜３００Ｗ程度
が一般であり、湿度上昇に対する抵抗力が小さいという
欠点４・有し、過熱防止の配慮は特にｍ要である。
えるトランジスタをいうが、いうまでもなく、コレクタ
・エミッタ電流が大きいことが特徴である。ただ、熱放
散面積すなわち熱放散能力を定格電流にともなって増大
することは容易でないから、定格電流の増大とともに温
度上昇に対１る１１（抗力が小さくなることはやむを得
ない。その結果、１５〜５０Ａ程度の定格電流に対し、
連続的に放１１（シうる熱容量は１００〜３００Ｗ程度
が一般であり、湿度上昇に対する抵抗力が小さいという
欠点４・有し、過熱防止の配慮は特にｍ要である。
トランジスタをもってスイッチング回路を構成Ｖる場合
、そのＯＮ状態を能動領域として実現する非飽和型スイ
ッチング回路と、そのＯＮ状態を飽和領域として実現り
ーる飽和型スイッチング回路とがあるが、前者りギヤリ
ヤ蓄積時間の影響を受けないのでスイッチング時間が短
いという１１１点があるが、能動領域においてはコレク
タ・エミッタ間の抵抗は当然零にはならないからトラン
ジスタ内部の発熱が少なくなく、温度上昇に対する抵抗
力が小さいパワートランジスタには不適であるという欠
点を有する。
、そのＯＮ状態を能動領域として実現する非飽和型スイ
ッチング回路と、そのＯＮ状態を飽和領域として実現り
ーる飽和型スイッチング回路とがあるが、前者りギヤリ
ヤ蓄積時間の影響を受けないのでスイッチング時間が短
いという１１１点があるが、能動領域においてはコレク
タ・エミッタ間の抵抗は当然零にはならないからトラン
ジスタ内部の発熱が少なくなく、温度上昇に対する抵抗
力が小さいパワートランジスタには不適であるという欠
点を有する。
そこで、本来温度上昇に対する抵抗力の小さいパワート
ランジスタをもってスイッチング回路を構成する場合は
、飽和型回路とすることが一般である。すなわち、パワ
ートランジスタをもってスイッチング回路を構成する場
合は、耐熱性が低いというパワ〜 トランジスタの本質
的欠点を回路的に補うことが一般である。
ランジスタをもってスイッチング回路を構成する場合は
、飽和型回路とすることが一般である。すなわち、パワ
ートランジスタをもってスイッチング回路を構成する場
合は、耐熱性が低いというパワ〜 トランジスタの本質
的欠点を回路的に補うことが一般である。
（３）従来技術と問題点
ところが、かかるスイッチング用パワートランジスタを
もって構成さｉ］た飽和型スイッチング回路において、
何らかの理由によりベース電流が不足してスイッチング
用パワートランジスタが能動領域で動作することになる
と、コレクタ・エミッタ間の抵抗は零ではなくなり、そ
の結果、：スレフタ・エミッタ間の電圧降下は上昇して
トランジスタ内部の発熱が増大し、温度上昇が過大とな
り熱破壊に至りやすい傾向が詔められる。
もって構成さｉ］た飽和型スイッチング回路において、
何らかの理由によりベース電流が不足してスイッチング
用パワートランジスタが能動領域で動作することになる
と、コレクタ・エミッタ間の抵抗は零ではなくなり、そ
の結果、：スレフタ・エミッタ間の電圧降下は上昇して
トランジスタ内部の発熱が増大し、温度上昇が過大とな
り熱破壊に至りやすい傾向が詔められる。
この欠点は、本来能動領域で使用されることが前提とさ
れている小容量の制御用トランジスタにおいては経験さ
れなかったものであり、スイッチング用パワートランジ
スタをもって構成された飽和型スイッチング回路に特有
の新たに認識されるに至った欠点である。
れている小容量の制御用トランジスタにおいては経験さ
れなかったものであり、スイッチング用パワートランジ
スタをもって構成された飽和型スイッチング回路に特有
の新たに認識されるに至った欠点である。
（４）発明の目的
本発明の目的はこの欠点を解消することにあり、飽和型
スイッチング回路を構成するスイッチング用パワートラ
ンジスタが、ベース電流制御回路の誤動作等の原因によ
り能動領域で動作することになった場合において、その
パワートランジスタが過熱することを防止する保Ｉ＋１
回路を提供することにある。
スイッチング回路を構成するスイッチング用パワートラ
ンジスタが、ベース電流制御回路の誤動作等の原因によ
り能動領域で動作することになった場合において、その
パワートランジスタが過熱することを防止する保Ｉ＋１
回路を提供することにある。
（５）発明の構成
本発明の構成は、飽和領域と遮断領域とのみにおいてト
ランジスタを動作させることｋ ｈａｔ提としている飽
和型スイッチング回路に使用されるスイッチング用パワ
ートランジスタのコレクタ・エミッタ間の電圧を検出す
る回路を設けておき、もし、何らかの理由により上記の
パワートランジスタが能動領域で動作することになりコ
レクタ・エミッタ間の抵抗が零ではなくなりコレクタ・
エミッタ間に電流が流れその電流にもとづく電圧降下が
特定の値すなわち当該パワートランジスタの熱容量から
判断して安全である範囲を超えたとき、上記のパワート
ランジスタを遮断領域にもたらす回路を設けて、スイッ
チング用パワートランジスタの保護回路となすことにあ
る。
ランジスタを動作させることｋ ｈａｔ提としている飽
和型スイッチング回路に使用されるスイッチング用パワ
ートランジスタのコレクタ・エミッタ間の電圧を検出す
る回路を設けておき、もし、何らかの理由により上記の
パワートランジスタが能動領域で動作することになりコ
レクタ・エミッタ間の抵抗が零ではなくなりコレクタ・
エミッタ間に電流が流れその電流にもとづく電圧降下が
特定の値すなわち当該パワートランジスタの熱容量から
判断して安全である範囲を超えたとき、上記のパワート
ランジスタを遮断領域にもたらす回路を設けて、スイッ
チング用パワートランジスタの保護回路となすことにあ
る。
そして、コレクタ・エミッタ間の電圧を検出する回路は
コレクタ・エミッタ間をバイパスする大きな値を有する
抵抗、または、コレクタもしくはエミッタと負もしくけ
正の１１Ｌ源とを接続する高抵抗、その他種々な公知の
手段によって構成しうる。
コレクタ・エミッタ間をバイパスする大きな値を有する
抵抗、または、コレクタもしくはエミッタと負もしくけ
正の１１Ｌ源とを接続する高抵抗、その他種々な公知の
手段によって構成しうる。
また、コレクタ・エミッタ間電圧の上昇を信号としてパ
ワートランジスタを遮断領域にもたらす回路は、」二記
の信号によって制御されるトランジスタ、゛サイリスタ
等をもって、パワートランジスタが与えられるＯＮ・Ｏ
ＦＦ信号の如何にかかわらずパワートランジスタを強制
的にＯＦＦする回路を構成することにより容易に実現し
うる。
ワートランジスタを遮断領域にもたらす回路は、」二記
の信号によって制御されるトランジスタ、゛サイリスタ
等をもって、パワートランジスタが与えられるＯＮ・Ｏ
ＦＦ信号の如何にかかわらずパワートランジスタを強制
的にＯＦＦする回路を構成することにより容易に実現し
うる。
（６）発明の実施例
以下、図面を参照しつつ、本発明の一実施例にかかる、
スイッチング用パワートランジスタの保護回路について
説明し、本発明の構成と特有の効果とを明らかにする。
スイッチング用パワートランジスタの保護回路について
説明し、本発明の構成と特有の効果とを明らかにする。
図において、１は定格電流が２０〜５０ Ａ程度であり
、連続定格熱容量が１００〜３００Ｗ程度であるＨＰＨ
型スイッヂング用パワートランジスタであり、そのコレ
クタとエミッタとには、それぞれ、例えば＋３００１と
ＯＶとが印加される。 ２．３はパワートランジスタ１
のベースにそれぞれ０Ｎ（Ｑ号とＯＦＦ信号とを印加す
る制御用ＮＰＮ型トランジスタであり、それぞれ、例え
ば−１４Ｖと一５ｖとが印加される。このＯＦＦ信号と
して負電圧を使用する理由はスイッチング時間を短縮す
るためである。４．４１は高抵抗でありパワートランジ
スタ１のコレクタ電圧と例えば−５ｖの負電圧電源との
間の電圧を分圧してサイリスタ５のゲートにＯＮ用信号
を与える。６はＮＰＮ ）ランジスタであり、サイリス
タ５の動作が望ましくない時間帯においてサイリスタ５
のゲートに一６ｖを印加して−リイリスク５を不動作と
する。７はコンデンサであり、８．９．１０は抵抗であ
るが、これらは、トランジスタ２に対してＯＮ ４ｐＪ
壮が与えられていない条件の下に、トランジスタ６を
ＯＮ シてザイリースタ５を不動作にし、トランジスタ
２に対するＯＮ信号の印加に対しいくらか遅延してトラ
ンジスタ６をＯＦＦ してサイリスク５を動作可能の状
態にもたらし、トランジスタ２に対するＯＮ信号の消滅
に対しいくらか遅延してトランジスタ６をＯＮシて°す
゛イリスタロを小腹１作にする機能を有する。１１４；
Ｊ ＨＰ）＋ ）ランリスクであり、トランジスタ２に
対するＯＮ信号によってＯＮされ、上記の７．８．９．
１０をもって構成する回路を動作する。
、連続定格熱容量が１００〜３００Ｗ程度であるＨＰＨ
型スイッヂング用パワートランジスタであり、そのコレ
クタとエミッタとには、それぞれ、例えば＋３００１と
ＯＶとが印加される。 ２．３はパワートランジスタ１
のベースにそれぞれ０Ｎ（Ｑ号とＯＦＦ信号とを印加す
る制御用ＮＰＮ型トランジスタであり、それぞれ、例え
ば−１４Ｖと一５ｖとが印加される。このＯＦＦ信号と
して負電圧を使用する理由はスイッチング時間を短縮す
るためである。４．４１は高抵抗でありパワートランジ
スタ１のコレクタ電圧と例えば−５ｖの負電圧電源との
間の電圧を分圧してサイリスタ５のゲートにＯＮ用信号
を与える。６はＮＰＮ ）ランジスタであり、サイリス
タ５の動作が望ましくない時間帯においてサイリスタ５
のゲートに一６ｖを印加して−リイリスク５を不動作と
する。７はコンデンサであり、８．９．１０は抵抗であ
るが、これらは、トランジスタ２に対してＯＮ ４ｐＪ
壮が与えられていない条件の下に、トランジスタ６を
ＯＮ シてザイリースタ５を不動作にし、トランジスタ
２に対するＯＮ信号の印加に対しいくらか遅延してトラ
ンジスタ６をＯＦＦ してサイリスク５を動作可能の状
態にもたらし、トランジスタ２に対するＯＮ信号の消滅
に対しいくらか遅延してトランジスタ６をＯＮシて°す
゛イリスタロを小腹１作にする機能を有する。１１４；
Ｊ ＨＰ）＋ ）ランリスクであり、トランジスタ２に
対するＯＮ信号によってＯＮされ、上記の７．８．９．
１０をもって構成する回路を動作する。
まＪ’、ＯＢ倍信号ＯＦＦ信号も与えられていない状態
においては、抵抗日、１０を介してフンデンーリ７が充
電されており、トランジスタ６のベースには→−５ｖが
印加されてトランジスタ６はＯＮシてサイリスク５は不
動作状部におかれる。
においては、抵抗日、１０を介してフンデンーリ７が充
電されており、トランジスタ６のベースには→−５ｖが
印加されてトランジスタ６はＯＮシてサイリスク５は不
動作状部におかれる。
次に、ＯＮ信号が与えられると、ＯＮ用トランジスタ２
はＯＮ Ｌ、て、パワートランジスタ１のベースには例
えば＋５ｖが印加されてパワートランジスタ１はＯＮす
る。このとき、パワートランジスタ１がＯＦＦ状態から
ＯＮ状態に移行する間、抵抗４．４′には３００ Ｖが
印加されるから′す゛イリスタロのゲートにはＯＮ信号
が発せられるが、」；記のとおり、トランジスタ６はＯ
Ｎシているので、サイリスタろは動作ゼず、パワートラ
ンジスタ１は安全にＯＮする。このとき、同時に、トラ
ンジスタ１１もＯＮ ｌ、て、コンデンサ７に蓄積され
ていた電荷は抵抗１０を通って放ｍ、され、多少の時間
遅れをもつでトランジスタ６ ＜ｔ ＯＦＦ′してサイ
リスク５は動作可能の状態にもたらされる。その結果、
以後、パワートランジスタ１が能動領域で動作すること
になった場合は、本発明に係る保Ｓφ回路は（ｉ（ｆ＋
実に動作する。
はＯＮ Ｌ、て、パワートランジスタ１のベースには例
えば＋５ｖが印加されてパワートランジスタ１はＯＮす
る。このとき、パワートランジスタ１がＯＦＦ状態から
ＯＮ状態に移行する間、抵抗４．４′には３００ Ｖが
印加されるから′す゛イリスタロのゲートにはＯＮ信号
が発せられるが、」；記のとおり、トランジスタ６はＯ
Ｎシているので、サイリスタろは動作ゼず、パワートラ
ンジスタ１は安全にＯＮする。このとき、同時に、トラ
ンジスタ１１もＯＮ ｌ、て、コンデンサ７に蓄積され
ていた電荷は抵抗１０を通って放ｍ、され、多少の時間
遅れをもつでトランジスタ６ ＜ｔ ＯＦＦ′してサイ
リスク５は動作可能の状態にもたらされる。その結果、
以後、パワートランジスタ１が能動領域で動作すること
になった場合は、本発明に係る保Ｓφ回路は（ｉ（ｆ＋
実に動作する。
パワートランジスタｌをＯＦＦするため、ＯＦＦ ｆＡ
号の印加に先立ちＯＮ信号の印加を停止すると、トラン
ジスタ２はＯＦＦ シてパワートランジスタ］。
号の印加に先立ちＯＮ信号の印加を停止すると、トラン
ジスタ２はＯＦＦ シてパワートランジスタ］。
のベースに印加さねていた＋５ｖの印加は停止され、パ
ワートランジスタ１はＯＦＦする。このとき、同時に、
トランジスタＪ１もＯＦＦするので、 コンデン・す７
は抵抗８．１０を介して充電され、更に、この電圧は抵
抗９を介してトランジスタ６のベースに印加される。た
だ、このコンデンサ７の充電１１？、圧の上昇、はかな
りの時間遅れをＰＩ’うがら、パワートランジスタ１が
ＯＦ’Ｆする過程においてサイリスク５がＯＮすること
がある。このときは、ＯＦＦ信号の印加、すなわち、Ｏ
ＦＦ用トランジスタ３のＯＮ動作を待たずにパワートラ
ンジスタ１は確更にＯＦＦする。このとき、′す”イリ
スタ５のＯＮ信号Ｃｉト５＞’）７．り６０Ｈの条件を
もって消滅し、がっ、サイリスク６に供給される電荷も
消滅し、しかも、ＯＦＦ Ｊｌ’４ ）ランリスク３が
ＯＮ してサイリスク５の正１’ｆｆ、極にも一５ｖを
印加するので、自然消弧する。
ワートランジスタ１はＯＦＦする。このとき、同時に、
トランジスタＪ１もＯＦＦするので、 コンデン・す７
は抵抗８．１０を介して充電され、更に、この電圧は抵
抗９を介してトランジスタ６のベースに印加される。た
だ、このコンデンサ７の充電１１？、圧の上昇、はかな
りの時間遅れをＰＩ’うがら、パワートランジスタ１が
ＯＦ’Ｆする過程においてサイリスク５がＯＮすること
がある。このときは、ＯＦＦ信号の印加、すなわち、Ｏ
ＦＦ用トランジスタ３のＯＮ動作を待たずにパワートラ
ンジスタ１は確更にＯＦＦする。このとき、′す”イリ
スタ５のＯＮ信号Ｃｉト５＞’）７．り６０Ｈの条件を
もって消滅し、がっ、サイリスク６に供給される電荷も
消滅し、しかも、ＯＦＦ Ｊｌ’４ ）ランリスク３が
ＯＮ してサイリスク５の正１’ｆｆ、極にも一５ｖを
印加するので、自然消弧する。
０ＦＦ（ｉ号が−ｌｊえられると、パワートランジスタ
１のベースにはＯＦＦ ＪＴＪ）ランリスク３を介して
、例えば−５ｖが印加され、パワートランジスタ１はＯ
ＦＦする。このとき、ＯＮ信号は与えられていないから
、トランジスタ１１はＯＦＦ している。したがって、
トランジスタ６はＯＮ しており、−サイリスク５のゲ
ートには例えば−５ｖが印加さ１１でいてサイリスタ５
はＯＦＦ シている。
１のベースにはＯＦＦ ＪＴＪ）ランリスク３を介して
、例えば−５ｖが印加され、パワートランジスタ１はＯ
ＦＦする。このとき、ＯＮ信号は与えられていないから
、トランジスタ１１はＯＦＦ している。したがって、
トランジスタ６はＯＮ しており、−サイリスク５のゲ
ートには例えば−５ｖが印加さ１１でいてサイリスタ５
はＯＦＦ シている。
以上、要約するに、正常なＯＮ信号が−りえらねており
パワートランジスタ１のベースに十分１．ｒ ７１？。
パワートランジスタ１のベースに十分１．ｒ ７１？。
流が供給されているときは、パワートランジスタ１のコ
レクタ・エミッタ間１ｕ圧は十分小さいので、サイリス
タ５のゲートにはおおむね負雷、圧が印加されることに
なり、サイリスタ５はＯＦＦの状ｉ１４に止まる。しか
し、ＯＮ信号が与えられているにもかかわらず、万一、
何らかの理由によりパワートランジスタ１に十分なベー
ス電流が与えられず能動領域に移行しコレクタ・エミッ
タ同市、）１−が」ユＨすると、サイリスタ５のゲート
には正重圧が印加されることになり、サイリスタ５はＯ
Ｎ してパワートランジスタ１のベースには例えば−５
ｖが印加されて、ＯＮ信号の存在にかかわらず、パワー
トランジスタはＯＦＦ ｌ、て電流の供給が断たれ、過
熱のおそれがなくなる。しかも、上記せるとおり、この
保護回路の存在によって、パワートランジス夕のＱＪ
ｉｆｕ化が妨げられる等の不１１１合はない。
レクタ・エミッタ間１ｕ圧は十分小さいので、サイリス
タ５のゲートにはおおむね負雷、圧が印加されることに
なり、サイリスタ５はＯＦＦの状ｉ１４に止まる。しか
し、ＯＮ信号が与えられているにもかかわらず、万一、
何らかの理由によりパワートランジスタ１に十分なベー
ス電流が与えられず能動領域に移行しコレクタ・エミッ
タ同市、）１−が」ユＨすると、サイリスタ５のゲート
には正重圧が印加されることになり、サイリスタ５はＯ
Ｎ してパワートランジスタ１のベースには例えば−５
ｖが印加されて、ＯＮ信号の存在にかかわらず、パワー
トランジスタはＯＦＦ ｌ、て電流の供給が断たれ、過
熱のおそれがなくなる。しかも、上記せるとおり、この
保護回路の存在によって、パワートランジス夕のＱＪ
ｉｆｕ化が妨げられる等の不１１１合はない。
上記の実施例においては、叩イリスタか使用されている
が、ツイリスタに代えてトランジスタを使用することも
可能である。
が、ツイリスタに代えてトランジスタを使用することも
可能である。
上記の実施例においては、ＯＦＦ （ｆ１号として、−
５Ｖが印加されることとされているが、必ずしも負ηＬ
圧である必要はない。
５Ｖが印加されることとされているが、必ずしも負ηＬ
圧である必要はない。
トランジスタ６．１１とコンデンジ“７と抵抗８．９．
１０とよりなる回路１；Ｊ： 、パワートランジスタ１
がＯＦＦの状態ずなわらフレフタ・エミッタ間電圧がγ
「１源電圧と等しい状態にあるとき、本発明に係る回路
を不動作にすることを目的とするものであるからかかる
機能を実現しうれげ、他の器具を使用することもイｊさ
れることはいうまでもない。
１０とよりなる回路１；Ｊ： 、パワートランジスタ１
がＯＦＦの状態ずなわらフレフタ・エミッタ間電圧がγ
「１源電圧と等しい状態にあるとき、本発明に係る回路
を不動作にすることを目的とするものであるからかかる
機能を実現しうれげ、他の器具を使用することもイｊさ
れることはいうまでもない。
（７）発明の効果
以」二説明せるとおり、本発明によれば、飽和型スイッ
チング回路を構成するスイッチング用パワートランジス
タが、ベース電流制御回路の誤動作等の原因により能動
領域で動作することになった場合において、そのパワー
トランジスタが過熱することを防止する保胸回路を提供
することができる。
チング回路を構成するスイッチング用パワートランジス
タが、ベース電流制御回路の誤動作等の原因により能動
領域で動作することになった場合において、そのパワー
トランジスタが過熱することを防止する保胸回路を提供
することができる。
図は本発明の一実施例に係るスイッチング用パワートラ
ンジスタの保Ｈｇ回路の概念的回路図である。 １・・・スイッチング用パワートランジスタ、２・・・
ＯＮ用トランジスタ、 ３・・・ＯＦＦ ＪｉＪ ）ラ
ンリスタ、４．４′・・・抵抗、５ ・” Ｍイリスタ
、６・・・−リイリスタＯＮ信号短絡用トランジスタ、
７・・・コンデンジ、８．９．１０・・・ｌｌｐ、抗
、１］−・・・ＯＮ用トランジスタと同時に動作するト
ランジスタ。
ンジスタの保Ｈｇ回路の概念的回路図である。 １・・・スイッチング用パワートランジスタ、２・・・
ＯＮ用トランジスタ、 ３・・・ＯＦＦ ＪｉＪ ）ラ
ンリスタ、４．４′・・・抵抗、５ ・” Ｍイリスタ
、６・・・−リイリスタＯＮ信号短絡用トランジスタ、
７・・・コンデンジ、８．９．１０・・・ｌｌｐ、抗
、１］−・・・ＯＮ用トランジスタと同時に動作するト
ランジスタ。
Claims (1)
- 飽和領域とｊ、（ｒ′断領領域のみにおいで動作さ・１
られるスイッチング用パワートランジスタのコレクタ・
エミッタ間の電圧を検出する回路を有し、該回路により
検出された電圧が特定の値を超えたとき前記パワートラ
ンジスタを遮断領域にもたらす回路を有する、スイッチ
ング用パワートランジスタ”の保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14243782A JPS5932224A (ja) | 1982-08-17 | 1982-08-17 | スイツチング用パワ−トランジスタの保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14243782A JPS5932224A (ja) | 1982-08-17 | 1982-08-17 | スイツチング用パワ−トランジスタの保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5932224A true JPS5932224A (ja) | 1984-02-21 |
Family
ID=15315290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14243782A Pending JPS5932224A (ja) | 1982-08-17 | 1982-08-17 | スイツチング用パワ−トランジスタの保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932224A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4700280A (en) * | 1985-04-19 | 1987-10-13 | Hitachi, Ltd. | Switching power supply using a saturable reactor to control a switching element |
| US5444595A (en) * | 1993-09-27 | 1995-08-22 | Nippondenso Co., Ltd. | Load drive apparatus including power transistor protection circuit from overcurrent |
-
1982
- 1982-08-17 JP JP14243782A patent/JPS5932224A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4700280A (en) * | 1985-04-19 | 1987-10-13 | Hitachi, Ltd. | Switching power supply using a saturable reactor to control a switching element |
| US5444595A (en) * | 1993-09-27 | 1995-08-22 | Nippondenso Co., Ltd. | Load drive apparatus including power transistor protection circuit from overcurrent |
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