JPS5933260B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5933260B2 JPS5933260B2 JP54105365A JP10536579A JPS5933260B2 JP S5933260 B2 JPS5933260 B2 JP S5933260B2 JP 54105365 A JP54105365 A JP 54105365A JP 10536579 A JP10536579 A JP 10536579A JP S5933260 B2 JPS5933260 B2 JP S5933260B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- positioning member
- main
- auxiliary
- locking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/138—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having another interconnection being formed by a cover plate parallel to the conductive base, e.g. sandwich type
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は平型サイリスタなどの半導体装置に関するも
のである。
のである。
従来のこの種の平型サイリスタの構成を第１図に示して
ある。
ある。
すなわち、この第１図において、１および２は外部陰極
および陽極電極、１は陰電極３−１、ゲート電極３−２
、半導体基体３−３および陽電極３−４からなる半導体
素子、４は絶縁筒、５は前記外部陰極電極１と絶縁筒４
とに鑞付けした金属薄板、６は絶縁筒４に鑞付けした金
属薄板、Ｔは前記外部陽極電極２に鑞付けした金属薄板
、８は外部ゲート電極、９は前記半導体素子３のゲート
電極３−２と外部ゲート電極８とを接続するゲートリー
ド、１０はゲートリード９の絶縁管、１１はゲートリー
ド９を位置決め支持する絶縁性支持体、１２はこの支持
体１１を介してゲートリード９の先端部を前記ゲート電
極３−２に圧接させるコイルバネ、１３は前記外部陰極
電極１と陰電極３−１との間に介在させた金属板である
。しかして前記構成の組み立てをなすのには、まず外部
陰極電極１に形成された穴１ａ内にコイルバネ１２を挿
入したのち、絶縁管１０で被覆されたゲートリード９を
別の穴ｌｂを通して前記穴１ａ内に導き、かつその先端
部を支持体１１から取り出しておく。
および陽極電極、１は陰電極３−１、ゲート電極３−２
、半導体基体３−３および陽電極３−４からなる半導体
素子、４は絶縁筒、５は前記外部陰極電極１と絶縁筒４
とに鑞付けした金属薄板、６は絶縁筒４に鑞付けした金
属薄板、Ｔは前記外部陽極電極２に鑞付けした金属薄板
、８は外部ゲート電極、９は前記半導体素子３のゲート
電極３−２と外部ゲート電極８とを接続するゲートリー
ド、１０はゲートリード９の絶縁管、１１はゲートリー
ド９を位置決め支持する絶縁性支持体、１２はこの支持
体１１を介してゲートリード９の先端部を前記ゲート電
極３−２に圧接させるコイルバネ、１３は前記外部陰極
電極１と陰電極３−１との間に介在させた金属板である
。しかして前記構成の組み立てをなすのには、まず外部
陰極電極１に形成された穴１ａ内にコイルバネ１２を挿
入したのち、絶縁管１０で被覆されたゲートリード９を
別の穴ｌｂを通して前記穴１ａ内に導き、かつその先端
部を支持体１１から取り出しておく。
ついでこの外韻雲極電極１に金属板１３を介して半導体
素子旦を装着させると共に、さらに外部陽極電極２を被
嵌させ、かつ各金属薄板６、Ｔ間の外周部と、外部ゲー
ト電極８、ゲートリード９間とを各々溶接封止するので
ある。こゝでこのように組み立てられる従来の半導体装
置においては、半導体素子１のゲート電極３−２に対す
るゲートリード９先端部の位置決め支持を、外部陰極電
極１の穴１ａにおさめた支持体１１により行なつており
、かつまた半導体素子１自体の位置決め＆Ａ絶縁筒４の
内周面で規制するようにしている。しカル乍ら、半導体
素子１の大口径化に伴なつて絶縁筒４の内径も大きくな
るもので、この絶縁筒４はセラミックを焼結して製作す
るために、焼結時の収縮などを原因として寸法精度が悪
くなる傾向を有し、これによつて半導体素子盈の位置規
制が正しくなされず、結果的にはゲート電極３−２とゲ
ートリード９先端部とに位置ずれを生ずるという不都合
があり、また金属板１３と支持体１１との係合部分は通
常０．５？程度であるために、この係合が外れて金属板
１３に位置ずれを起すこともあつて好ましくないもので
あつた。この発明は従来のこのような欠点を改善するた
め、ゲート電極に対するゲートリード先端部の位置決め
支持を、半導体素子の陰電極に支持させた位置決め部材
によつて行なわせるようにしたものである。
素子旦を装着させると共に、さらに外部陽極電極２を被
嵌させ、かつ各金属薄板６、Ｔ間の外周部と、外部ゲー
ト電極８、ゲートリード９間とを各々溶接封止するので
ある。こゝでこのように組み立てられる従来の半導体装
置においては、半導体素子１のゲート電極３−２に対す
るゲートリード９先端部の位置決め支持を、外部陰極電
極１の穴１ａにおさめた支持体１１により行なつており
、かつまた半導体素子１自体の位置決め＆Ａ絶縁筒４の
内周面で規制するようにしている。しカル乍ら、半導体
素子１の大口径化に伴なつて絶縁筒４の内径も大きくな
るもので、この絶縁筒４はセラミックを焼結して製作す
るために、焼結時の収縮などを原因として寸法精度が悪
くなる傾向を有し、これによつて半導体素子盈の位置規
制が正しくなされず、結果的にはゲート電極３−２とゲ
ートリード９先端部とに位置ずれを生ずるという不都合
があり、また金属板１３と支持体１１との係合部分は通
常０．５？程度であるために、この係合が外れて金属板
１３に位置ずれを起すこともあつて好ましくないもので
あつた。この発明は従来のこのような欠点を改善するた
め、ゲート電極に対するゲートリード先端部の位置決め
支持を、半導体素子の陰電極に支持させた位置決め部材
によつて行なわせるようにしたものである。
以下、この発明装置の実施絡につき、第２図ないし第４
図を参照して詳細に説明する。
図を参照して詳細に説明する。
第２図および第３図はこの発明の一実施例装置、第４図
は同上他の実施例装置を各々に示しており、これらの各
図において、前記第１図と同一符号は同一または相当部
分を表わしている。
は同上他の実施例装置を各々に示しており、これらの各
図において、前記第１図と同一符号は同一または相当部
分を表わしている。
まず第２図および第３図実施例では、前記外部陰極電極
１の穴１ａに嵌挿し得る外径を備えた位置決め部材１５
を設ける。
１の穴１ａに嵌挿し得る外径を備えた位置決め部材１５
を設ける。
この位置決め部材１５の内部には、その側壁を貫通して
内側に前記ゲートリード９を絶縁管１０と共に導入させ
、かつその先端部を前記コイルバネ１２に弾圧された絶
縁：性支持体１１により支持させてあり、外側下部には
所定の角間隔で複数個の係止片１５ａを突設させてある
。また前記半導体素子盈を構成している陰電極３−１は
、その厚さを増すことによつて金属板１３この介在を省
略してあり、この陰電極３−１には前記ゲート電極３−
２を中心とする内周面上部に、前記位単決め部材１５の
外周部を受け入れる内径とされた係止鍔３−１ａを突設
させ、かつこの係止鍔３−１ａに前記各係止片１５ａに
対応する切５欠部３−１ｂを形成させたものである。
内側に前記ゲートリード９を絶縁管１０と共に導入させ
、かつその先端部を前記コイルバネ１２に弾圧された絶
縁：性支持体１１により支持させてあり、外側下部には
所定の角間隔で複数個の係止片１５ａを突設させてある
。また前記半導体素子盈を構成している陰電極３−１は
、その厚さを増すことによつて金属板１３この介在を省
略してあり、この陰電極３−１には前記ゲート電極３−
２を中心とする内周面上部に、前記位単決め部材１５の
外周部を受け入れる内径とされた係止鍔３−１ａを突設
させ、かつこの係止鍔３−１ａに前記各係止片１５ａに
対応する切５欠部３−１ｂを形成させたものである。
しかしてこの第２図および第３図実施例の構成を組み立
てるのには、まず位置決め部材１５の内部にコイルバネ
１２を挿入した上で、絶縁管１０で被覆されたゲートリ
ード９を側壁の穴を通して４内部に導き、ゲートリード
９の先端部を支持体１１に支持させ、この支持体１１も
また部材内部に挿入させる。
てるのには、まず位置決め部材１５の内部にコイルバネ
１２を挿入した上で、絶縁管１０で被覆されたゲートリ
ード９を側壁の穴を通して４内部に導き、ゲートリード
９の先端部を支持体１１に支持させ、この支持体１１も
また部材内部に挿入させる。
従つてこの状態ではゲートリード９の先端部を支持して
いる支持体１１は、位置決め部材１５の内部にあつて、
コイルバネ１２により常時弾圧されることになる。そし
てこの位置決め部材１５は、半導体素子Ｊの陰電極３−
１に形成されている各切欠３−１ｂに、その外側下部の
各係止片１５ａを矢印ａに示すように押し込んだのち、
矢印ｂのように回動させることにより、この各係止片１
５ａを各係止鍔３−１ａに係合させる。このとき位置決
め部材１５の外周部は、各係止鍔３−１ａの内周面に挿
入されることになり、かつ同時にゲートリード９の先端
部は、コイルバネ１２の弾圧力によりゲート電極３−２
に圧接され、併せてその係合状態を保持する。すなわち
、この構成によつて、他の構成とは全く関係することな
しに、ゲート電極３−２とゲートリード９の先端部との
位置決め圧接がなされるのである。続いて前記半導体素
子Ｊを絶縁筒４内に導き、前記位置決め部材１５の先端
を外部陰極電極１の穴１ａに挿入し、かつそのゲートリ
ード９を別の穴１ｂＩＩＣ．押し込むと共に、これを外
部ゲート電極８に挿通させ、さらに外部陽極電極２を被
嵌させてから、従来と同様に各金属薄板６，７間の外周
部と、外部ゲート電極８、ゲートリード９間とを各々溶
接封止するのである。また第４図実施例は前記第２図お
よび第３図実施例において金属板１３を介在させた場合
であり、この例では金属板１３自体もまた前記位置決め
部材１５により、事実上その位置ずれが不能となるので
ある。
いる支持体１１は、位置決め部材１５の内部にあつて、
コイルバネ１２により常時弾圧されることになる。そし
てこの位置決め部材１５は、半導体素子Ｊの陰電極３−
１に形成されている各切欠３−１ｂに、その外側下部の
各係止片１５ａを矢印ａに示すように押し込んだのち、
矢印ｂのように回動させることにより、この各係止片１
５ａを各係止鍔３−１ａに係合させる。このとき位置決
め部材１５の外周部は、各係止鍔３−１ａの内周面に挿
入されることになり、かつ同時にゲートリード９の先端
部は、コイルバネ１２の弾圧力によりゲート電極３−２
に圧接され、併せてその係合状態を保持する。すなわち
、この構成によつて、他の構成とは全く関係することな
しに、ゲート電極３−２とゲートリード９の先端部との
位置決め圧接がなされるのである。続いて前記半導体素
子Ｊを絶縁筒４内に導き、前記位置決め部材１５の先端
を外部陰極電極１の穴１ａに挿入し、かつそのゲートリ
ード９を別の穴１ｂＩＩＣ．押し込むと共に、これを外
部ゲート電極８に挿通させ、さらに外部陽極電極２を被
嵌させてから、従来と同様に各金属薄板６，７間の外周
部と、外部ゲート電極８、ゲートリード９間とを各々溶
接封止するのである。また第４図実施例は前記第２図お
よび第３図実施例において金属板１３を介在させた場合
であり、この例では金属板１３自体もまた前記位置決め
部材１５により、事実上その位置ずれが不能となるので
ある。
従つて以上のように構成されるこの発明によれば、ゲー
ト電極とゲートリード先端部との圧接位置決めを、この
ゲートリード先端部を弾圧保持する位置決め部材を、陰
電極の所定位置に直接係合させて行なうために、半導体
素子の大口径化などに影響されることなく、高い位置決
め精度を常に維持でき、しかも金属板の位置ずれをも阻
止できて、半導体装置の信頼性向上に寄与するところが
大きいものである。
ト電極とゲートリード先端部との圧接位置決めを、この
ゲートリード先端部を弾圧保持する位置決め部材を、陰
電極の所定位置に直接係合させて行なうために、半導体
素子の大口径化などに影響されることなく、高い位置決
め精度を常に維持でき、しかも金属板の位置ずれをも阻
止できて、半導体装置の信頼性向上に寄与するところが
大きいものである。
なお前記各実施例においては、平形サイリスタについて
述べたが、この発明はこれに限定されず、補助電極を加
圧方式によつて接続させるすべての半導体装置にも適用
できることは勿論である。
述べたが、この発明はこれに限定されず、補助電極を加
圧方式によつて接続させるすべての半導体装置にも適用
できることは勿論である。
第１図は従来例による平形サイリスタの構成を示す断面
図、第２図はこの発明の一実施例を適用した平形サイリ
スタの構成を示す断面図、第３図は同上要部の分解した
拡大斜視図、第４図は同上他の実施例を適用した平形サ
イリスタの構成要部を示す断面図である。 １・・・・・・外部？極電極、２・・・・・・外部陽極
電極、Ｊ・・・・・・半導体素子、３−１・・・・・・
陰電極、３−２・・・・・・ゲート電極、３−３・・・
・・・半導体基体、３−４・・・・・・陽電極、４・・
・・・・絶縁筒、５〜７・・・・・・金属薄板、８・・
・・・・外部ゲート電極、９・・・・・・ゲートリード
、１１・・・・・・絶縁性支持体、１２・・・・・・コ
イルバネ、１３・・・・・・金属板、１５・・・・・・
位置決め部材。
図、第２図はこの発明の一実施例を適用した平形サイリ
スタの構成を示す断面図、第３図は同上要部の分解した
拡大斜視図、第４図は同上他の実施例を適用した平形サ
イリスタの構成要部を示す断面図である。 １・・・・・・外部？極電極、２・・・・・・外部陽極
電極、Ｊ・・・・・・半導体素子、３−１・・・・・・
陰電極、３−２・・・・・・ゲート電極、３−３・・・
・・・半導体基体、３−４・・・・・・陽電極、４・・
・・・・絶縁筒、５〜７・・・・・・金属薄板、８・・
・・・・外部ゲート電極、９・・・・・・ゲートリード
、１１・・・・・・絶縁性支持体、１２・・・・・・コ
イルバネ、１３・・・・・・金属板、１５・・・・・・
位置決め部材。
Claims (1)
- １ 半導体基体の少なくとも一方の主面上に補助電極と
これをとりかこむ一方の主電極を、他方の主面上に他方
の主電極を各々に配し、また前記各主電極には一方およ
び他方の外部電極を、補助電極には補助リード先端部を
各々に圧接させた半導体装置において、外周面の開口端
部に複数の係止片を突設させた一端閉塞の円筒状位置決
め部材を設け、かつ前記一方の主電極内周面の半導体基
板に接しない側の端部に前記位置決め部材の外周部を受
け入れる内径を有する係止鍔を突設させるとともに当該
係止鍔に前記係止片に対応する切欠部を設け、前記位置
決め部材内に弾圧保持された支持体に、前記補助リード
先端部を絶縁支持させ、位置決め部材の係止片と一方の
主電極の係止鍔との係合により、補助リード先端部を前
記補助電極に圧接させるようにしたことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54105365A JPS5933260B2 (ja) | 1979-08-18 | 1979-08-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54105365A JPS5933260B2 (ja) | 1979-08-18 | 1979-08-18 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5629356A JPS5629356A (en) | 1981-03-24 |
| JPS5933260B2 true JPS5933260B2 (ja) | 1984-08-14 |
Family
ID=14405686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54105365A Expired JPS5933260B2 (ja) | 1979-08-18 | 1979-08-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933260B2 (ja) |
-
1979
- 1979-08-18 JP JP54105365A patent/JPS5933260B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5629356A (en) | 1981-03-24 |
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