JPS5933932A - ジヨセフソン否定論理回路 - Google Patents
ジヨセフソン否定論理回路Info
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- JPS5933932A JPS5933932A JP14279882A JP14279882A JPS5933932A JP S5933932 A JPS5933932 A JP S5933932A JP 14279882 A JP14279882 A JP 14279882A JP 14279882 A JP14279882 A JP 14279882A JP S5933932 A JPS5933932 A JP S5933932A
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- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 101000878595 Arabidopsis thaliana Squalene synthase 1 Proteins 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- YQEZLKZALYSWHR-UHFFFAOYSA-N Ketamine Chemical compound C=1C=CC=C(Cl)C=1C1(NC)CCCCC1=O YQEZLKZALYSWHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002188 osteogenic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/02—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components
- H03K19/195—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using superconductive devices
- H03K19/1954—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using superconductive devices with injection of the control current
- H03K19/1956—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits using specified components using superconductive devices with injection of the control current using an inductorless circuit
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- Computing Systems (AREA)
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- Mathematical Physics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ジョセフソン否定論理回路に関する。
単体のジョセフソン接合素子な複数個組みきわせて各種
の論理ゲー)k作り、これ等ゲートをまた所望の通りに
組み合わせてジョセフソンコンピュータな実現しようと
する試みは、その高速性、低消費電力性、高集積度等、
種々の観点から将来処置って甚だ魅力的なものとなって
いる。
の論理ゲー)k作り、これ等ゲートをまた所望の通りに
組み合わせてジョセフソンコンピュータな実現しようと
する試みは、その高速性、低消費電力性、高集積度等、
種々の観点から将来処置って甚だ魅力的なものとなって
いる。
そのだめの一つの回路要素として、否定論理ゲートも重
要な要素の一つとなってくる。
要な要素の一つとなってくる。
一方、各ゲートシ磁気結合型で構成するか、本出願人の
開発による。特開昭56.−32830号に開示の肯定
用カス、イツチングゲートを契機と載る電流注入型で構
成するが、も選択な迫られるが、入出力分離機能な取り
易く、ゲインな稼ぐ設計もできる等、性能向上のだめの
設計、製作自由度が高く、且つ容易である点で電流注入
型にかなりの希望な見ることができる。
開発による。特開昭56.−32830号に開示の肯定
用カス、イツチングゲートを契機と載る電流注入型で構
成するが、も選択な迫られるが、入出力分離機能な取り
易く、ゲインな稼ぐ設計もできる等、性能向上のだめの
設計、製作自由度が高く、且つ容易である点で電流注入
型にかなりの希望な見ることができる。
このような事情から、否定論理回路としても、電流注入
型によるものが要請されており、従来から・も、本出願
人の手により、こうした電流注入型の否定論理ゲート、
しかもラッチング能を持つゲートも提供されてはいる。
型によるものが要請されており、従来から・も、本出願
人の手により、こうした電流注入型の否定論理ゲート、
しかもラッチング能を持つゲートも提供されてはいる。
こうしたゲートは、原理動作が明確で信頼性の高いもの
な持っており、動作マージンもかなり広く採れる等、そ
れなりに有用な効果な持ってはいるが、例えば高入力感
度乃至は大きなゲインな要求されたり、構成子数な上記
した特開昭56−32830号の基本ゲートと同程度に
留めておきたい等の要求がなされた時には、これに応え
ることができず、殊に感度を高く保てない点では欠点が
目立った。
な持っており、動作マージンもかなり広く採れる等、そ
れなりに有用な効果な持ってはいるが、例えば高入力感
度乃至は大きなゲインな要求されたり、構成子数な上記
した特開昭56−32830号の基本ゲートと同程度に
留めておきたい等の要求がなされた時には、これに応え
ることができず、殊に感度を高く保てない点では欠点が
目立った。
本発明は、この点Kmてなされたもので、高入力感度乃
至大きなゲインな彩る設計がし易く、かつ、物的な構成
も、上述した基本ゲート乃至は特願昭55−17511
3号(特開昭舛)にて入力抵抗な追加した基本ゲートと
同様な程度にまで簡単化し得る電流注入型ジョセフソン
否定論理回路を提供せんとするものである。
至大きなゲインな彩る設計がし易く、かつ、物的な構成
も、上述した基本ゲート乃至は特願昭55−17511
3号(特開昭舛)にて入力抵抗な追加した基本ゲートと
同様な程度にまで簡単化し得る電流注入型ジョセフソン
否定論理回路を提供せんとするものである。
この目的に沿った本発明は、結果として、後述の説明か
らも顕らかなように、物的な、目に見える構成は上述の
基本ゲートと同じで良いもの、即ち、これ以上、簡単な
構成はないものと7、rっている。
らも顕らかなように、物的な、目に見える構成は上述の
基本ゲートと同じで良いもの、即ち、これ以上、簡単な
構成はないものと7、rっている。
これは、基本ゲー トな構成する各ジョセフソン接合素
子間の臨界電流値関係に着目して従来とは全く異なる独
自の否定動作原理によったためである。
子間の臨界電流値関係に着目して従来とは全く異なる独
自の否定動作原理によったためである。
そこで、本発明な理解するために、上述した従来否定論
理回路への改良の元となった基本ゲートの構成、動作の
説明ななす。
理回路への改良の元となった基本ゲートの構成、動作の
説明ななす。
第1図示のようK、この基本ゲート/の物的な構成は、
四つのジョセフソン接合部J、〜J4な含ム閉ループコ
と、この閉ルーグーの対向する二点に設けられ、該二点
な界に閉ループ、!1左右の枝回路乃至ブランチ、2L
、 2Hに振り分け、各ブランチ、2L 、 JR中
に含まれるジョセフソン接合部の数な二つづつ(J、
、 J、とJs 、J4 )とする一対の回路電流端子
Pa 、 Py+と、一方のブランチ、しlえば左ブラ
ンチュL中の両液合部J、 、 J、間に設けられた制
御入力端子Pcと、閉ループユと並列に入る負荷抵抗R
Lとから成っており、更に入出力分離機能の確実化のた
め、上記改良特許出願に見られるように、制御端子Pc
と一方の共通線路乃至接地側回路電流端子PEとの間に
並列入力抵抗用が抱かされることが多い。
四つのジョセフソン接合部J、〜J4な含ム閉ループコ
と、この閉ルーグーの対向する二点に設けられ、該二点
な界に閉ループ、!1左右の枝回路乃至ブランチ、2L
、 2Hに振り分け、各ブランチ、2L 、 JR中
に含まれるジョセフソン接合部の数な二つづつ(J、
、 J、とJs 、J4 )とする一対の回路電流端子
Pa 、 Py+と、一方のブランチ、しlえば左ブラ
ンチュL中の両液合部J、 、 J、間に設けられた制
御入力端子Pcと、閉ループユと並列に入る負荷抵抗R
Lとから成っており、更に入出力分離機能の確実化のた
め、上記改良特許出願に見られるように、制御端子Pc
と一方の共通線路乃至接地側回路電流端子PEとの間に
並列入力抵抗用が抱かされることが多い。
こうした基本ゲートは昨今では電流注入型四接合閉ルー
プゲート、略して4JLゲートと普通名称化される程、
良く知られているが、その動作閾値曲線は、回路電流な
ig、制御電流なityとし、夫々の値な大文字で表し
てI。+ ICとすれば、第2図示のようK、どちらの
電流な先に流しておくかというシーケンスの相違により
、異なるカーブC−C′又はc−c″1描くものとなる
。
プゲート、略して4JLゲートと普通名称化される程、
良く知られているが、その動作閾値曲線は、回路電流な
ig、制御電流なityとし、夫々の値な大文字で表し
てI。+ ICとすれば、第2図示のようK、どちらの
電流な先に流しておくかというシーケンスの相違により
、異なるカーブC−C′又はc−c″1描くものとなる
。
即ち、先に回路電流iyk流してから制御電流trk流
すというシーケンスでは、制御電流零の時のゲート/乃
至閉ループコの最大臨界電流rocmar から制御電
流irの増大と共に臨界電流locが単調に低減乃至下
降する単調下降カーブCが得られ、やがて回路電流が成
る値I。rrninより小さくなると、制御電流itの
大きさIcの如何に係らず、電圧状態へのスイッチケ起
こさせ得ない横圧寝た図示破線のカーブC“に至る。
すというシーケンスでは、制御電流零の時のゲート/乃
至閉ループコの最大臨界電流rocmar から制御電
流irの増大と共に臨界電流locが単調に低減乃至下
降する単調下降カーブCが得られ、やがて回路電流が成
る値I。rrninより小さくなると、制御電流itの
大きさIcの如何に係らず、電圧状態へのスイッチケ起
こさせ得ない横圧寝た図示破線のカーブC“に至る。
一方、先に制御電流’rk流しておいてから回路電流す
を流すシーケンスでは、制御電流icが先のシーケンス
で値I。c min の時の値ICC以下の時には、
同様の単調下降カーブCK沿うが、この値Icc f越
すと、ゲート/&電圧状態にスイッチさせるに安する回
路電流りに再び、より大きな値を要するカーブ部分C′
が表れる。
を流すシーケンスでは、制御電流icが先のシーケンス
で値I。c min の時の値ICC以下の時には、
同様の単調下降カーブCK沿うが、この値Icc f越
すと、ゲート/&電圧状態にスイッチさせるに安する回
路電流りに再び、より大きな値を要するカーブ部分C′
が表れる。
先の7−ケンスでは、破線部分C“は動作に用いず、後
者のシーケンスでは画部分c 、 c’ 1共に用いる
ことが一般的で、部分Cは共通であるから、昨今では、
この種ゲートの閾値曲線と言う場合には、第2図中に実
線で示す曲線c −c’のみが描かれることが多い。
者のシーケンスでは画部分c 、 c’ 1共に用いる
ことが一般的で、部分Cは共通であるから、昨今では、
この種ゲートの閾値曲線と言う場合には、第2図中に実
線で示す曲線c −c’のみが描かれることが多い。
而して、カーブC′とCI+の間乃至カーブC′以下の
領域αは、一般にゝ不感帯″と呼ばれている。
領域αは、一般にゝ不感帯″と呼ばれている。
これは、tg→icのシーケンスでは、電圧状態にスイ
ッチしていた筈なのに、シーケンスなiC→りと逆にし
たがために電圧状態ヘスイツチしない、言わば感じない
領域となったことから名付けられている。
ッチしていた筈なのに、シーケンスなiC→りと逆にし
たがために電圧状態ヘスイツチしない、言わば感じない
領域となったことから名付けられている。
何故、このようなシーケンスの相違により不感帯が現れ
るかに就いては、本発明とは直接の関係はないため、詳
しくは他に譲るが、簡単に言うと、制御電流itの特定
の値ICCは、閉ループa中の左ブランチ中の両液合部
J、 ’+ 、y、 Q共に電圧状態にスイッチさせる
時の臨界電流値な意味し、このようになると、制御電流
iCは入力抵抗Rt中な専ら流れ、回路直流りとは独立
な系となるため、回路電流すが単独で残っている右ブラ
ンチ2R中の両液合部Ja 、J4 k共にスイッチさ
せるには、す→icのシーケンスでは両電流の相剰によ
りこれ等シスイツチさせていたのに比して、制御電流i
cの助けのない分だけ、大きな電流値な要するのである
。
るかに就いては、本発明とは直接の関係はないため、詳
しくは他に譲るが、簡単に言うと、制御電流itの特定
の値ICCは、閉ループa中の左ブランチ中の両液合部
J、 ’+ 、y、 Q共に電圧状態にスイッチさせる
時の臨界電流値な意味し、このようになると、制御電流
iCは入力抵抗Rt中な専ら流れ、回路直流りとは独立
な系となるため、回路電流すが単独で残っている右ブラ
ンチ2R中の両液合部Ja 、J4 k共にスイッチさ
せるには、す→icのシーケンスでは両電流の相剰によ
りこれ等シスイツチさせていたのに比して、制御電流i
cの助けのない分だけ、大きな電流値な要するのである
。
尚また、こうした基本ゲートでは、先に少し触れたよう
に、本来的なt1→icのシーケンスにおいて、電流利
得G−出力電流値I。tLt/入力電流値ICを大きく
採るため、即ち、両軍流軸IQ +Icな、夫々に相対
目盛な付したように同一スケールとすれば、カーブ部分
CtD傾きす45°す、上のなるぺ〈大きな#Aきとす
るために、左ブランチ中の接合部J、 、 J、の臨界
電流値I。I+IO2に対し、右ブランチ中の接合部J
3. J4のそれ■03゜ro+はル倍、一般にn =
= 2〜3に採るように投首1されている。
に、本来的なt1→icのシーケンスにおいて、電流利
得G−出力電流値I。tLt/入力電流値ICを大きく
採るため、即ち、両軍流軸IQ +Icな、夫々に相対
目盛な付したように同一スケールとすれば、カーブ部分
CtD傾きす45°す、上のなるぺ〈大きな#Aきとす
るために、左ブランチ中の接合部J、 、 J、の臨界
電流値I。I+IO2に対し、右ブランチ中の接合部J
3. J4のそれ■03゜ro+はル倍、一般にn =
= 2〜3に採るように投首1されている。
Iol = I(H”’ 1/I’L ”
I。3 −1/ル ” IO4: ル 〉 1・
・・・・・・・・(1) この関係は、また、不感帯αな作るためにも必要である
。
I。3 −1/ル ” IO4: ル 〉 1・
・・・・・・・・(1) この関係は、また、不感帯αな作るためにも必要である
。
これに加えて、上式では、各ブランチ中の接合部J、と
J、、J、とJ4の各臨界電流値相互が互いに等しいこ
とが示されているが、これは、まさしく、従来の否定論
理ゲート動作原理やその他のアンド、オア回路等々にお
いては常識的事項乃至は必要な事項である。
J、、J、とJ4の各臨界電流値相互が互いに等しいこ
とが示されているが、これは、まさしく、従来の否定論
理ゲート動作原理やその他のアンド、オア回路等々にお
いては常識的事項乃至は必要な事項である。
更に、既述した既出願中では、基本的なり→icのシー
ケンスによる肯定的なスイッチング動作なのみ説明の対
象としているため、不感帯αに就いては触れられていな
いが、シーケンス依存性による不感)骨形成能な内在さ
せていることは、その後の学会発表や刊行物記載による
までもなく、当業者には自明の理となっている。
ケンスによる肯定的なスイッチング動作なのみ説明の対
象としているため、不感帯αに就いては触れられていな
いが、シーケンス依存性による不感)骨形成能な内在さ
せていることは、その後の学会発表や刊行物記載による
までもなく、当業者には自明の理となっている。
ともかくも、このような基本ゲート/に対しては、次の
ような動作が可能となってくる。
ような動作が可能となってくる。
先に、回路電流iyk、第2図中の矢印Aで示すように
、制御電流値IC=00時のゲート/乃至閉ループλの
最大臨界電流fffI Ior mrtxよりは小さな
値IAまで流しておいてから、例えば値Iceを越える
値IC−l1lにまで制御電流icを流していくと、矢
印Bにて示すように、最終動作点P、即ち矢印A、Bに
よるベクトル的な加算点PK至る以前に、点αで示すよ
うに、カーブ部分Cな横切るため、ゲート/は電圧状態
にスイッチしく以下、単にスイッチと記す)、回路電流
りは出力電流1oLLtとして出力負荷抵抗RLに流れ
る。
、制御電流値IC=00時のゲート/乃至閉ループλの
最大臨界電流fffI Ior mrtxよりは小さな
値IAまで流しておいてから、例えば値Iceを越える
値IC−l1lにまで制御電流icを流していくと、矢
印Bにて示すように、最終動作点P、即ち矢印A、Bに
よるベクトル的な加算点PK至る以前に、点αで示すよ
うに、カーブ部分Cな横切るため、ゲート/は電圧状態
にスイッチしく以下、単にスイッチと記す)、回路電流
りは出力電流1oLLtとして出力負荷抵抗RLに流れ
る。
然し、逆に、制御電流Ick矢印Cで示すように先と同
じ値Inまで流しておいてから、回路電流iyk先と同
じ値IAKまで矢印りで示すように増加していっても、
最終動作点Pは同じであるにも係らず、不感帯a内での
電流値変化にしか過ぎないため、ゲー)/はスイッチす
ることがなく、従って負荷抵抗RLに出力電流が現れる
ことはない。
じ値Inまで流しておいてから、回路電流iyk先と同
じ値IAKまで矢印りで示すように増加していっても、
最終動作点Pは同じであるにも係らず、不感帯a内での
電流値変化にしか過ぎないため、ゲー)/はスイッチす
ることがなく、従って負荷抵抗RLに出力電流が現れる
ことはない。
このような基本ゲートに対して、従来の既述した否定論
理回路は、周辺抵抗網や入力信号線路中に直列に介挿す
るジョセフソン接合部等の追加構成な施すことにより、
カーブ部分Cを第2図中のカーブ部分Ciのように寝か
せ、最大ゲート臨界電流値I。c’ mtzx k予定
のゲート’に流値IAより下回らせたものである。
理回路は、周辺抵抗網や入力信号線路中に直列に介挿す
るジョセフソン接合部等の追加構成な施すことにより、
カーブ部分Cを第2図中のカーブ部分Ciのように寝か
せ、最大ゲート臨界電流値I。c’ mtzx k予定
のゲート’に流値IAより下回らせたものである。
このようにすれば、回路電流乃至ゲート74流すなタイ
ミング電流it、制御電流ioな入力信号電流ipと考
え、例えば各電流値IT + Ig + I、ttt=
0ヤ論理六〇”、II−IA 、 Ig=L+り論理S
S 1 Nとすれば、入力信号論理XXO“の時にタイ
ミング電流が矢印Aで示すようK”ll’に立ち上がる
と、この矢印へのみで、変更したカーブ部分C2を越え
るからIOしt =;= (S 1 //となり、一方
、信号論理ゝ1 //の時K(即ち矢印Cで示すバイア
ス下で)、タイミング電流がSS 1 /7に立ち上が
っても、それは矢印Cから不感帯内矢印りの経路である
ので、IoLLt =: ’ 0 ”となり、目的の否
定論理が採れることに/する。
ミング電流it、制御電流ioな入力信号電流ipと考
え、例えば各電流値IT + Ig + I、ttt=
0ヤ論理六〇”、II−IA 、 Ig=L+り論理S
S 1 Nとすれば、入力信号論理XXO“の時にタイ
ミング電流が矢印Aで示すようK”ll’に立ち上がる
と、この矢印へのみで、変更したカーブ部分C2を越え
るからIOしt =;= (S 1 //となり、一方
、信号論理ゝ1 //の時K(即ち矢印Cで示すバイア
ス下で)、タイミング電流がSS 1 /7に立ち上が
っても、それは矢印Cから不感帯内矢印りの経路である
ので、IoLLt =: ’ 0 ”となり、目的の否
定論理が採れることに/する。
しかし、同じく、この第2図が示すように、このような
不感帯利用の回路では、否定論理に係る出力ゲインQI
^/I、に化体して考えると顕らかなように、第2図示
の相対スケールは実際の素子でも大体これに即していて
、ゲインは寧ろロスとなりさえする。即ち否定論理、7
)動作感度はかなり低くなりh″−ちだったのである。
不感帯利用の回路では、否定論理に係る出力ゲインQI
^/I、に化体して考えると顕らかなように、第2図示
の相対スケールは実際の素子でも大体これに即していて
、ゲインは寧ろロスとなりさえする。即ち否定論理、7
)動作感度はかなり低くなりh″−ちだったのである。
このような実情の°下に、以下、本発明による否定論理
回路に就き説明する。
回路に就き説明する。
本発明の否定論理回路のへ物的〃な構成、即ち、目に見
える乃至図面に記すことのできる構成子部分は、第1図
示の基本ゲートと全く同様で良く、後述するが、場合に
よっては入力抵抗Ri k省いて、より簡単化しても入
出力分離機能な損なわないで回路として満足される。
える乃至図面に記すことのできる構成子部分は、第1図
示の基本ゲートと全く同様で良く、後述するが、場合に
よっては入力抵抗Ri k省いて、より簡単化しても入
出力分離機能な損なわないで回路として満足される。
本発明における構成上の特徴部分は1.h11仰端子P
cのあるブランチ、この場き、左ブランチコL中の両ジ
ョセフソ/接合素子JI + J2 f)臨界電流値■
。工+ IO2の関係において、 ■6+ (1o2ee*es*s** i2)としたこ
とKある。
cのあるブランチ、この場き、左ブランチコL中の両ジ
ョセフソ/接合素子JI + J2 f)臨界電流値■
。工+ IO2の関係において、 ■6+ (1o2ee*es*s** i2)としたこ
とKある。
従って、従来の常識的な既述の(1)式、上、本発明で
は下記(3)式のよう九意図的に変えられている。
は下記(3)式のよう九意図的に変えられている。
1(B ) I(B ”” 1/rL” IO3”’
1/’・IO4; ル〉1・・・・・・・・・(3) また、この(3)式に併記のように、従来、ルの値は少
くとも1な越え、実際には2m3程度なければならなか
ったのに対し、本発明では後述の所からも顕らかなよう
に、それは必須ではなく、ルは1であっても良い。
1/’・IO4; ル〉1・・・・・・・・・(3) また、この(3)式に併記のように、従来、ルの値は少
くとも1な越え、実際には2m3程度なければならなか
ったのに対し、本発明では後述の所からも顕らかなよう
に、それは必須ではなく、ルは1であっても良い。
このような臨界電流値関係(2)は、第3図のような本
発明否定論理動作原理に係る特徴的/r領域by作るた
めに必要なものである。
発明否定論理動作原理に係る特徴的/r領域by作るた
めに必要なものである。
即ち、本発明では、上述した、また、第3図にも併示の
ようK、本来的に存在する不感帯a?利用するものでは
なく、もつと小さな信号入力電流(制御電流)値範囲に
おいて、従来の単調下降カーブCの部分に意図的にピー
ク部分C1な作ることにより、意図的な不感領域by作
り、この領域な否定論理動作に利用するものである。
ようK、本来的に存在する不感帯a?利用するものでは
なく、もつと小さな信号入力電流(制御電流)値範囲に
おいて、従来の単調下降カーブCの部分に意図的にピー
ク部分C1な作ることにより、意図的な不感領域by作
り、この領域な否定論理動作に利用するものである。
制御端子Pcと接地乃至共通線路端子P0との間のジョ
セフソン接合部J、の臨界電流値1ot k、同じブラ
ンチ中の他方の接合部J、のそれ■。1より大きくする
ことにより、何故、この意図的な不感領域すが生まれる
かに就いては次のように説明できる。
セフソン接合部J、の臨界電流値1ot k、同じブラ
ンチ中の他方の接合部J、のそれ■。1より大きくする
ことにより、何故、この意図的な不感領域すが生まれる
かに就いては次のように説明できる。
各ジョセフソン接合部J、〜J4が、夫々、単体のジョ
セフソン接合素子で構成されているとすると、周知のよ
うに、各素子の両端には、印加電流値工、〜■4の大き
さに応じた位相差θ、〜θ4が生じており、θ1〜θ4
が(2m−i)π/2 ; m ”” 1 )2、・・
・、簡単にm = 1としてπ/2=90’になると電
圧状態にスイッチする。逆に言うと、各印加電流喧I、
〜I4が各臨界電流イ直I。、〜IO4に至った時の素
子両端位相差はπ/2である。これを式で表すと次のよ
うになる。
セフソン接合素子で構成されているとすると、周知のよ
うに、各素子の両端には、印加電流値工、〜■4の大き
さに応じた位相差θ、〜θ4が生じており、θ1〜θ4
が(2m−i)π/2 ; m ”” 1 )2、・・
・、簡単にm = 1としてπ/2=90’になると電
圧状態にスイッチする。逆に言うと、各印加電流喧I、
〜I4が各臨界電流イ直I。、〜IO4に至った時の素
子両端位相差はπ/2である。これを式で表すと次のよ
うになる。
II = IOI 崗θ1
12=I1画θ。
I3””I(13廊θ3
I4 = I64 gInθ4 ・・・11
@・・・・(4)一方、閉ルーグーの回路電流端子Pa
、Pgがら見て、左右両プラ/チの両端位相差θL、
θRはループ条件から等しく、各ブランチコL 、 、
2Rの各両端位相差θ5.θRは、夫々のブランチ中の
素子J、 、 J、とJ8. J40位相差の和である
から、次の式な記すことができる。
@・・・・(4)一方、閉ルーグーの回路電流端子Pa
、Pgがら見て、左右両プラ/チの両端位相差θL、
θRはループ条件から等しく、各ブランチコL 、 、
2Rの各両端位相差θ5.θRは、夫々のブランチ中の
素子J、 、 J、とJ8. J40位相差の和である
から、次の式な記すことができる。
θ、=θ、+02
θ、=θ、十θ4
θL=θ翼 ・・曇・・・・・・(5)
次に、制御電流icがない時、即ち、制御電流値Ic−
00時に閉ループに流すゲート電流値なIo(0)と表
し、その左ブランチ成分、右ブランチ成分の各値なIG
’t、 ([1) 、 IGR(0)と表すと、Ia
jO) = IGL(0) + IGR(0)、−膜化
して Ia = IGL + IGRsme++s会壽
*e (6)である。
次に、制御電流icがない時、即ち、制御電流値Ic−
00時に閉ループに流すゲート電流値なIo(0)と表
し、その左ブランチ成分、右ブランチ成分の各値なIG
’t、 ([1) 、 IGR(0)と表すと、Ia
jO) = IGL(0) + IGR(0)、−膜化
して Ia = IGL + IGRsme++s会壽
*e (6)である。
今、既述の(2)式において、ル〉lとすると、ゲート
1流値工G(0)の増加に伴い、先づ最初にスイッチす
るのは、最も臨界゛電流値の小さな素子J、である。
1流値工G(0)の増加に伴い、先づ最初にスイッチす
るのは、最も臨界゛電流値の小さな素子J、である。
素子J、がスイッチする時のIC+(0)の左ブランチ
成分IGL(0)は、当然I。、と等しくなる。しかし
、先の(2)式から、素子J2に関しては、この時のI
oL(0)は素子J2の臨界電流値Iotには至ってお
らず、IQL (0)/IOI! < 1であるので、
この素子J2の両端位相差θ2(0)は90°未満であ
る。従って、左ブランチ両端位相θLは(5)式より、
この時、θL(0)〈180°である。
成分IGL(0)は、当然I。、と等しくなる。しかし
、先の(2)式から、素子J2に関しては、この時のI
oL(0)は素子J2の臨界電流値Iotには至ってお
らず、IQL (0)/IOI! < 1であるので、
この素子J2の両端位相差θ2(0)は90°未満であ
る。従って、左ブランチ両端位相θLは(5)式より、
この時、θL(0)〈180°である。
一方、同じ(5)式から、θL(0)=θR(0)であ
るので、θR(0)< 1800.従ってθ5(o)、
θ4(0)<90° となっている。そのため、この時
の右プラーンチ電流値成分工隷(0)は画素子J、 、
J4の臨界電流値■。l+IO2以下となっている。
るので、θR(0)< 1800.従ってθ5(o)、
θ4(0)<90° となっている。そのため、この時
の右プラーンチ電流値成分工隷(0)は画素子J、 、
J4の臨界電流値■。l+IO2以下となっている。
こうした条件下での両ブランチ成分和としてのゲート電
流ro(o)の値がゲート/としての閾値電流値I。c
(0)として第3図中のIc Ia右カーブ表れてく
るのである。
流ro(o)の値がゲート/としての閾値電流値I。c
(0)として第3図中のIc Ia右カーブ表れてく
るのである。
然るに、制御電流icが素子J、に流入していくと、先
のように素子J、がスイッチする時のゲート電流左ブラ
ンチ成分値I(IL (IC)はIGL (0)と同じ
工。、であっても、素子J、の印加電流値I、がI2
= Ic + I(IL (IC)となるため、素子J
、の位相差θt(XC)は、その分、90°に近づいて
行くことになる。
のように素子J、がスイッチする時のゲート電流左ブラ
ンチ成分値I(IL (IC)はIGL (0)と同じ
工。、であっても、素子J、の印加電流値I、がI2
= Ic + I(IL (IC)となるため、素子J
、の位相差θt(XC)は、その分、90°に近づいて
行くことになる。
従って、(5)式により、右ブランチ中の画素子J、
、 J、の位相差θ3(Ic)’+04(IC)もその
増えた分だけ、夫々90°、計180°に近づいていく
べく、夫々の印加電流値I、 、 I4を増加させ、結
局は右ブランチ成分l0R(IC)が増えていくことに
なる。
、 J、の位相差θ3(Ic)’+04(IC)もその
増えた分だけ、夫々90°、計180°に近づいていく
べく、夫々の印加電流値I、 、 I4を増加させ、結
局は右ブランチ成分l0R(IC)が増えていくことに
なる。
そのため、(6)式より、IoL’(Ic ) + I
GR(IC) としてのゲート/への印加電流、乃至
はゲート/としての閾値電流値工。。は、先の場合より
制御電流icが増えるに連れ、その変化率に応じて大き
くなっていく。
GR(IC) としてのゲート/への印加電流、乃至
はゲート/としての閾値電流値工。。は、先の場合より
制御電流icが増えるに連れ、その変化率に応じて大き
くなっていく。
これが、第3図にてIQ切片から上向き傾斜の部分CW
となって表れているのである。
となって表れているのである。
而して、F記から顕らかなように、素子J、がスイッチ
する時K、素子J、の両端位相差も90゜となっている
ようにする制御電流値Is””Ipが与えられれば、ル
ープ条件から右ブランチ中の画素子J3. J、も両端
位相差90°となり、従って、この時のゲート/の閾値
電流■。c (Ip )は最大rot mα、rになる
ことが判かる。この点が第3図にてピーク点乃至単峰極
大点CPとして与えられている。
する時K、素子J、の両端位相差も90゜となっている
ようにする制御電流値Is””Ipが与えられれば、ル
ープ条件から右ブランチ中の画素子J3. J、も両端
位相差90°となり、従って、この時のゲート/の閾値
電流■。c (Ip )は最大rot mα、rになる
ことが判かる。この点が第3図にてピーク点乃至単峰極
大点CPとして与えられている。
1直IP以七の制御電流(面領域では、不感諧形成領域
に至るまでは、総ての素子J、〜J、が両端位相差90
°というゲートスイッチング動作な採るだめ、ゲート閾
値曲線はこの領域では従前と同様に単調に下降するカー
ブαとなる。
に至るまでは、総ての素子J、〜J、が両端位相差90
°というゲートスイッチング動作な採るだめ、ゲート閾
値曲線はこの領域では従前と同様に単調に下降するカー
ブαとなる。
このようにして、本発明によれば、IO切片Ioc(0
)よりも大きな回路電流値でもゲー)kスイッチさせる
ことのない、言わば負性閾値領域とも呼べる意図的な不
感領域すを作ることができ、これにより、満足な否定論
理な採れるのである。
)よりも大きな回路電流値でもゲー)kスイッチさせる
ことのない、言わば負性閾値領域とも呼べる意図的な不
感領域すを作ることができ、これにより、満足な否定論
理な採れるのである。
第1図示の物的構成で、但し上述した本発明の各臨界電
流値1■係な各接合部間に持たせたゲート/を否定論理
ゲートとするため、回路電流端子PG&タイミング入力
端子Tとして、また、制御電流端子Pck信号入力端子
Sとして、それぞれ引き出し、回路電流器、qなタイミ
ング電流it、制御電流ick信号人力1ttht5と
置き替えて動作な説明する。各電流値、レベルと論理値
との対応として、制御電流値IB=OQ論理値気0〃、
l5=IPを論理値ゝ1〃とし、タイミング電流値Tt
も、タイミング入力有りを論哩六1〃と゛して、これk
I丁= Ih : Ioc(0) < Ih < I
or (Ip)望ましくはl5−(Ioc(0) +
Ioc(Ip ) )/2 とし、タイミング論理六
〇IなIT−0とする。
流値1■係な各接合部間に持たせたゲート/を否定論理
ゲートとするため、回路電流端子PG&タイミング入力
端子Tとして、また、制御電流端子Pck信号入力端子
Sとして、それぞれ引き出し、回路電流器、qなタイミ
ング電流it、制御電流ick信号人力1ttht5と
置き替えて動作な説明する。各電流値、レベルと論理値
との対応として、制御電流値IB=OQ論理値気0〃、
l5=IPを論理値ゝ1〃とし、タイミング電流値Tt
も、タイミング入力有りを論哩六1〃と゛して、これk
I丁= Ih : Ioc(0) < Ih < I
or (Ip)望ましくはl5−(Ioc(0) +
Ioc(Ip ) )/2 とし、タイミング論理六
〇IなIT−0とする。
タイミング電流itが論理SS 1 //に立ち上がっ
た時に、入力信号論理がSS 01であると、電流値の
変化はLr’1QII上での矢印Eでのみ示すタイミン
グ電流itのみの変化となるため、当該タイミング電流
立ち上がりの過渡状態で、上述したIT軸上のゲート閾
値電流値foc(0)な越え、ゲートなスイッチさせる
ことになり、出力電流iou、tが負荷抵抗RLに表れ
る、つまり出力論理11“どなる。
た時に、入力信号論理がSS 01であると、電流値の
変化はLr’1QII上での矢印Eでのみ示すタイミン
グ電流itのみの変化となるため、当該タイミング電流
立ち上がりの過渡状態で、上述したIT軸上のゲート閾
値電流値foc(0)な越え、ゲートなスイッチさせる
ことになり、出力電流iou、tが負荷抵抗RLに表れ
る、つまり出力論理11“どなる。
一方、タイミング屯I麓itの立ち北かり以前に信号入
力がゝl〃となっていた時には1、矢印Fで示されるよ
うに、予じめ点■2までベイアスされている状態で矢印
Gで示すよう処タイミング電流1直ITが増加していく
経路となるため、両者のベクトル的な和による動作点P
pは、本発明で意図的に形成した不感領域す内に留まり
、従ってゲート出力論理は*0〃である。
力がゝl〃となっていた時には1、矢印Fで示されるよ
うに、予じめ点■2までベイアスされている状態で矢印
Gで示すよう処タイミング電流1直ITが増加していく
経路となるため、両者のベクトル的な和による動作点P
pは、本発明で意図的に形成した不感領域す内に留まり
、従ってゲート出力論理は*0〃である。
このように、否定論理が確実に採れることが証されたが
、特K、両軸IT 、III IC相対スケールな同一
スケールで示す所からも判かるように、第2図示の従来
の場o K比して、取扱う入力信号電流レベルは低い値
の範囲内であり、結局、本発明の否定論理回路はゲイン
が高い、乃至は高入力感度な持つことが判がる。
、特K、両軸IT 、III IC相対スケールな同一
スケールで示す所からも判かるように、第2図示の従来
の場o K比して、取扱う入力信号電流レベルは低い値
の範囲内であり、結局、本発明の否定論理回路はゲイン
が高い、乃至は高入力感度な持つことが判がる。
これな具体的に実証する一列が第4図示の閾値曲線であ
る。
る。
第4図示の揚重は、望ましい臨界電流値相対比な採った
一例で、各素子J1〜J4の臨界間流値な次のように設
定したものであるう IO,= 0.05 mA Ioz = 0.10 mA Ios 、I64 = 0.15 FFIA、’、
(3)式においてル=3 この場合、Ioc(0) = 0.18 mA 、
Ioc(Ip)” Tocmax= 0.20 mA
となるので、論理’1’7)時の各電流” + ts
iQ 7 す’グL/ ヘルf夫h O,19mA、
0.05mAに設定すれば、信号論理に応じて併記の
矢印Eか矢印F 、 G、7)いづれかの経路に選択的
に沿う動作となる。
一例で、各素子J1〜J4の臨界間流値な次のように設
定したものであるう IO,= 0.05 mA Ioz = 0.10 mA Ios 、I64 = 0.15 FFIA、’、
(3)式においてル=3 この場合、Ioc(0) = 0.18 mA 、
Ioc(Ip)” Tocmax= 0.20 mA
となるので、論理’1’7)時の各電流” + ts
iQ 7 す’グL/ ヘルf夫h O,19mA、
0.05mAに設定すれば、信号論理に応じて併記の
矢印Eか矢印F 、 G、7)いづれかの経路に選択的
に沿う動作となる。
内、動作余裕な独立疋考えると、1丁に関しては±0.
01mAで約±5俤、Isに就いてはbK関して正負均
等で最大の動作余裕な与えるピークCP下の値IPに対
して正負側で非対称であるが、小さな方の正領域側でも
絶対値レベルが小さいことから20係程度は採れている
し、負領域側では100チとなっている。
01mAで約±5俤、Isに就いてはbK関して正負均
等で最大の動作余裕な与えるピークCP下の値IPに対
して正負側で非対称であるが、小さな方の正領域側でも
絶対値レベルが小さいことから20係程度は採れている
し、負領域側では100チとなっている。
尚、こうした記述から判かるように、利得や動作余裕は
、上向き傾斜のカーブ部分QtF)#きが強い程、犬き
く採れて望ましいことになる。
、上向き傾斜のカーブ部分QtF)#きが強い程、犬き
く採れて望ましいことになる。
そのためには、この第4図示の実際的な例のように、左
ブランチの接合部J、の臨界電流値I。。
ブランチの接合部J、の臨界電流値I。。
と右ブランチの接合部J3. J4のそれIO3t I
O4との既述の(3)式中の倍率ルに就いては、ルー3
程度が望ましいことになる。
O4との既述の(3)式中の倍率ルに就いては、ルー3
程度が望ましいことになる。
但し、本発明の動作原理からすれば、否定論理動作その
ものに関してはル=1であっても満足される。また、左
ブランチの接合部J2の臨界電流Iozと右ブランチの
接合部J3. J、のぞれros + IO4とは同
程度であっても良い。
ものに関してはル=1であっても満足される。また、左
ブランチの接合部J2の臨界電流Iozと右ブランチの
接合部J3. J、のぞれros + IO4とは同
程度であっても良い。
また、上述[7た説明においては、各接合部J。
〜J4は、それぞれが単体のジョセフノン接合素子から
成る場合に就いて説明したが、各接合部は並列、直列、
並直列等の複数の単体素子の組み合せで成っていて良く
、要は各接合部とし′〔ぞねそれの臨界電流値I。l
= IO4が規定乃至設計できれば良い。
成る場合に就いて説明したが、各接合部は並列、直列、
並直列等の複数の単体素子の組み合せで成っていて良く
、要は各接合部とし′〔ぞねそれの臨界電流値I。l
= IO4が規定乃至設計できれば良い。
ところで、上述した閾値曲線による本発明の動作な、定
性的に各接合部J、〜J4のスイッチング順序を追い乍
ら説明すると、第1図示の構成は更に簡単化、即ち入力
抵抗RLケも省略しても否定論理動作が確保されること
が判かる。
性的に各接合部J、〜J4のスイッチング順序を追い乍
ら説明すると、第1図示の構成は更に簡単化、即ち入力
抵抗RLケも省略しても否定論理動作が確保されること
が判かる。
第3.4図示において、入力信号論理ゝ0“の時のタイ
ミング電N、11の立ち上がりで矢印E処示すように該
電流itが閉ループス中に流入すると、IT<0)−I
。。(0)の点で接合部J、がスイッチする。
ミング電N、11の立ち上がりで矢印E処示すように該
電流itが閉ループス中に流入すると、IT<0)−I
。。(0)の点で接合部J、がスイッチする。
すると、当該I? (0)は殆ど右ブランチ、IR例与
えられ、もって接合部J、 、 J、がスイッチする。
えられ、もって接合部J、 、 J、がスイッチする。
これにより、タイミング電流i t (0)は出力゛電
流1outとして転流することになるが、このように入
力信号論理XX□ IIの否定論理な採る動作が完了し
た時点では、接合部J、は零電圧状態のままである。
流1outとして転流することになるが、このように入
力信号論理XX□ IIの否定論理な採る動作が完了し
た時点では、接合部J、は零電圧状態のままである。
そのため、その後に入力信号電流ipが入っても、この
電流isは当該接合部J、でシャントされ、アースに流
されるため、抵抗臆がなくとも、入出力分離は完全かつ
確実に行なわれるのである。
電流isは当該接合部J、でシャントされ、アースに流
されるため、抵抗臆がなくとも、入出力分離は完全かつ
確実に行なわれるのである。
従って、入力抵抗Ri k付すか付さないかは、本発明
要旨な離れた安全係数設計上の実際的な問題に留まり、
念のため付しておく等の設計は為されるかもしれないが
、必須ではない。
要旨な離れた安全係数設計上の実際的な問題に留まり、
念のため付しておく等の設計は為されるかもしれないが
、必須ではない。
以上のように、本発明によれば、最も基本的な電流注入
型閉ループジョセフソンスイッチングゲートに対して、
要すれば何等の物的な追加構成子な設けずとも、確実な
否定論理が採れ、臨界心流値設定はトンネル障壁層厚味
で設計できることから、平面形状に就いては肯定型のス
イッチングゲートと同一のマスクパター/を流用できる
等、設計、製置性にも優れる外、ゲイン乃至感度を採る
設計も容易、自由となる等、極めて顕著な効果な得られ
るものである。
型閉ループジョセフソンスイッチングゲートに対して、
要すれば何等の物的な追加構成子な設けずとも、確実な
否定論理が採れ、臨界心流値設定はトンネル障壁層厚味
で設計できることから、平面形状に就いては肯定型のス
イッチングゲートと同一のマスクパター/を流用できる
等、設計、製置性にも優れる外、ゲイン乃至感度を採る
設計も容易、自由となる等、極めて顕著な効果な得られ
るものである。
第1図は電流注入型閉ループジョセフソンスイッチング
ゲート乃至は本発明実施例の否定論理回路の基本的実施
例の物的な概略構成図、第2図は従・Kの肯定型、否定
型のゲート動作の一般的な説明図、第3図は本発明否定
論理回路の動作説明図、第4図は具体的−列の閾値曲線
図、である。 図中、/は全体としてのゲート乃至回路、コは閉ループ
、uLは左ブランチ、2B、ま右ブランチ、J、 、
J、 、 J3. J、はジョセフソン接合部、である
。 1G 第2図 (Ic) 第3図
ゲート乃至は本発明実施例の否定論理回路の基本的実施
例の物的な概略構成図、第2図は従・Kの肯定型、否定
型のゲート動作の一般的な説明図、第3図は本発明否定
論理回路の動作説明図、第4図は具体的−列の閾値曲線
図、である。 図中、/は全体としてのゲート乃至回路、コは閉ループ
、uLは左ブランチ、2B、ま右ブランチ、J、 、
J、 、 J3. J、はジョセフソン接合部、である
。 1G 第2図 (Ic) 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 四つのジョセフソン接合部な含んで成る閉ループと;該
閉ルーズの対向する二点に設けられ、該二点な界いに該
閉ループを左右ブランチに振り分け、各ブランチ中に二
つづつの上記ジョセフソン接合部とする一対の回路電流
端子と;一方のブランチ中の上記二つの接合部の間に設
けられた制御端子と;から成り、 上記一対の回路電流端子の一方なタイミング入力端子、
上記制御端子な信号入力端子として、それぞれ引き出す
と共に、上記制御端子と上記一方の回路電流端子間の上
記ジョセフソン接合部の臨界゛電流値に対して、上記制
御端子と上記一対の回路電流端子の他方との間のジョセ
フソン接合部の臨界°電流値な相対的に大きくし、もっ
て上記一対の回路電流端子間に接続された出力負荷抵抗
に北記人力信号論理の否定論理な得ることな特徴とする
ジョセフソン否定論理回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14279882A JPS5933932A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | ジヨセフソン否定論理回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14279882A JPS5933932A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | ジヨセフソン否定論理回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933932A true JPS5933932A (ja) | 1984-02-24 |
| JPS6347369B2 JPS6347369B2 (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=15323865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14279882A Granted JPS5933932A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | ジヨセフソン否定論理回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933932A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH068821A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-01-18 | Hitachi Ltd | 鉄道車両の車体 |
-
1982
- 1982-08-18 JP JP14279882A patent/JPS5933932A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH068821A (ja) * | 1993-03-18 | 1994-01-18 | Hitachi Ltd | 鉄道車両の車体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6347369B2 (ja) | 1988-09-21 |
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