JPS5934668A - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
薄膜太陽電池の製造方法Info
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- JPS5934668A JPS5934668A JP57143998A JP14399882A JPS5934668A JP S5934668 A JPS5934668 A JP S5934668A JP 57143998 A JP57143998 A JP 57143998A JP 14399882 A JP14399882 A JP 14399882A JP S5934668 A JPS5934668 A JP S5934668A
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- chambers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/10—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass the devices comprising amorphous semiconductor material
- H10F71/107—Continuous treatment of the devices, e.g. roll-to roll processes or multi-chamber deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜太陽電池の製造方法１・〔関し、更に詳シ
、り（まシリコン薄膜をクロー放′出、プラズマ分解法
で可撓性フィルム上に連仕的に堆積させる方法の改良に
係る。
、り（まシリコン薄膜をクロー放′出、プラズマ分解法
で可撓性フィルム上に連仕的に堆積させる方法の改良に
係る。
非晶質或いは微結晶シリコン太陽電池は、単結晶型シリ
コン太陽電池に比し安価に作成し得るため近年特に注目
されている。一般的には基板としてステンレス鋼、ガラ
ス等の安価な材料が用いられ、これらの基板の上にホウ
素をドープしたｐｍ非晶質シリコンＭｉ （ｐ ｊｍ
） 、純非晶質シリコン１？ｌＪ （ｉ ｎ ）及びリ
ンをドープしたｎ型非晶質シリコン層（ｎ層）を順次あ
るいはこの逆に、積層したｐｉｎ構造あるいはｎ ＋
ｐ 構造がとられることが多い。基板が可撓性フィルム
となった場合でも本質的な構造は変らず、代表的な太陽
電池の構造を第１図に模式的に示す。
コン太陽電池に比し安価に作成し得るため近年特に注目
されている。一般的には基板としてステンレス鋼、ガラ
ス等の安価な材料が用いられ、これらの基板の上にホウ
素をドープしたｐｍ非晶質シリコンＭｉ （ｐ ｊｍ
） 、純非晶質シリコン１？ｌＪ （ｉ ｎ ）及びリ
ンをドープしたｎ型非晶質シリコン層（ｎ層）を順次あ
るいはこの逆に、積層したｐｉｎ構造あるいはｎ ＋
ｐ 構造がとられることが多い。基板が可撓性フィルム
となった場合でも本質的な構造は変らず、代表的な太陽
電池の構造を第１図に模式的に示す。
第１（２）のイ１４造４１ において、可撓性フィルム
１にステンレス鋼をスパッタさせて形成された下部電極
層２の上に順次プラズマ反応で形成されたｎ −、ｉ
−、ｐ−シリコン層３，４．５が積層され、透明電極膜
６から電力を取り出すためのアルミニウムあるい（よパ
ラジウムで構成される収集電極７が形成される。が〜る
Ｊｊ４成をとる太陽田、池の製造上留意すべき点は、ｎ
１１＜ｊ ｌ Ｐ層のドーピング量が確実に制御さ
れかつ１１ノ費、１層。
１にステンレス鋼をスパッタさせて形成された下部電極
層２の上に順次プラズマ反応で形成されたｎ −、ｉ
−、ｐ−シリコン層３，４．５が積層され、透明電極膜
６から電力を取り出すためのアルミニウムあるい（よパ
ラジウムで構成される収集電極７が形成される。が〜る
Ｊｊ４成をとる太陽田、池の製造上留意すべき点は、ｎ
１１＜ｊ ｌ Ｐ層のドーピング量が確実に制御さ
れかつ１１ノ費、１層。
ｐ層の各層作成時に不要カスの浸入あるいは不要ガスに
よる汚染を防止することである、ステンレス鋼、ガラス
等の硬質材を基板として用いる場合は一般的に基板寸法
が小さいため基板の移動には別途の搬送手段に取りつげ
た状態で行なわれ、搬送手段による基板の移動も間歇的
となる場合が多い。か〜る場合はｎ１ζコ、ｉ層、ｐ層
の反応室を分離独立させるル）るいは特開昭５６−１１
４３８７号公報に示される様にｎ ／ｆ’ｌ＋１層、ｐ
層の反応室にシャッター等の手段を設け、該シャッター
の開閉により各反応室を確実に分間できて、各層形成時
の不要ガスのυ人あるいは汚染が防止できる。
よる汚染を防止することである、ステンレス鋼、ガラス
等の硬質材を基板として用いる場合は一般的に基板寸法
が小さいため基板の移動には別途の搬送手段に取りつげ
た状態で行なわれ、搬送手段による基板の移動も間歇的
となる場合が多い。か〜る場合はｎ１ζコ、ｉ層、ｐ層
の反応室を分離独立させるル）るいは特開昭５６−１１
４３８７号公報に示される様にｎ ／ｆ’ｌ＋１層、ｐ
層の反応室にシャッター等の手段を設け、該シャッター
の開閉により各反応室を確実に分間できて、各層形成時
の不要ガスのυ人あるいは汚染が防止できる。
然しなから可続性フィルムを基板として用いる場合、工
業的生産のためには可続性フィルムは長尺の連続的な状
態で供されるのが巧常であり、可撓性フィルム自体が搬
送・」・段となる。かかる場合、０層、ｉ層、ｐ層を形
成する反応室を夫々独立して設ｉＩ’Ｊ−してプラズマ
反応を実施するにしてもＥＪ撓性フィルムが走行するに
必要な最低限の開口部が各反応室には必要となり、これ
らの開口部を皿じて可続性フィルムは各反応基金てに亘
って連続的に走行し、上記開口部の寸法を極力狭めても
各反応室間のガスの移動は防ぎえず、このため各反応室
内のガス成分に変化が生じ、太１ｉｄ）電池の特性劣化
をもたらす。特に反応室同番て圧力差がある場合特性劣
化が顕著になる。
業的生産のためには可続性フィルムは長尺の連続的な状
態で供されるのが巧常であり、可撓性フィルム自体が搬
送・」・段となる。かかる場合、０層、ｉ層、ｐ層を形
成する反応室を夫々独立して設ｉＩ’Ｊ−してプラズマ
反応を実施するにしてもＥＪ撓性フィルムが走行するに
必要な最低限の開口部が各反応室には必要となり、これ
らの開口部を皿じて可続性フィルムは各反応基金てに亘
って連続的に走行し、上記開口部の寸法を極力狭めても
各反応室間のガスの移動は防ぎえず、このため各反応室
内のガス成分に変化が生じ、太１ｉｄ）電池の特性劣化
をもたらす。特に反応室同番て圧力差がある場合特性劣
化が顕著になる。
本発明はか〜る欠点を解消すべく鋭意検討の結果なされ
たもので、 上述の各シリコン層を形成する反応室を夫々成するガλ
を連続的に供給しながら、緩衝室を経由して各反応室を
連続的に走行する可撓付フィルムの上にシリコン薄１ｉ
ωを形成することを特徴とするもので、その目的とする
所は特性の優れた太１ソ！電池な動量よく安価Ｋ 、］
ｆ 梁的に製造する方法を提供することにある。
たもので、 上述の各シリコン層を形成する反応室を夫々成するガλ
を連続的に供給しながら、緩衝室を経由して各反応室を
連続的に走行する可撓付フィルムの上にシリコン薄１ｉ
ωを形成することを特徴とするもので、その目的とする
所は特性の優れた太１ソ！電池な動量よく安価Ｋ 、］
ｆ 梁的に製造する方法を提供することにある。
以下本発す」を図面を参照しｌＫから、更に詳しく説明
するが、図面は本発明の一実施態様を示すにすぎず、本
発明を制限す２）ものではない。
するが、図面は本発明の一実施態様を示すにすぎず、本
発明を制限す２）ものではない。
尚、第２図、第３図に示す反応（・ハの前後に更に下部
Ｍｌ、極層極層用成用応室（例えばスパッター室）や、
透明電極Ｒｉや収集電極形成用の反応室を加えて全てを
一貫製造することもできる。
Ｍｌ、極層極層用成用応室（例えばスパッター室）や、
透明電極Ｒｉや収集電極形成用の反応室を加えて全てを
一貫製造することもできる。
第２図は本発明実施例としてのＩ’Ｊ Ｍ装置ｉＲを示
し、可セ：１性フィルムを基板として用いた連続的に太
ｒ＃電池を１！！造する概ツ２を示すものである。
し、可セ：１性フィルムを基板として用いた連続的に太
ｒ＃電池を１！！造する概ツ２を示すものである。
可撓性フ・ｆルノ、十に下部型ｊ、′ＡＩｉ′″Ｉを形
成させたｉＪ撓付性基板フィルム１１ポビン１２に巻き
とられた状態で巻出し室１３に設ｊ；ｉ、され巻出しロ
ール１４を介して巻き出され、ｌ１ｈｊθこ反応室１５
ａ。
成させたｉＪ撓付性基板フィルム１１ポビン１２に巻き
とられた状態で巻出し室１３に設ｊ；ｉ、され巻出しロ
ール１４を介して巻き出され、ｌ１ｈｊθこ反応室１５
ａ。
１５ｂ、１５ｃｌＣ送り出され、１′ｒシリコン八・ｊ
のｆｉｌ績した可撓性薄膜１６として、利取りロール１
７を介して巻取り室１８内でポビン１９に巻きとられる
。可佛性薄膜１６は巻取り室１８より取り出され、第１
図に示される透明導電膜６及び収集１に極７を被着させ
て太陽電池の素材として供される。
のｆｉｌ績した可撓性薄膜１６として、利取りロール１
７を介して巻取り室１８内でポビン１９に巻きとられる
。可佛性薄膜１６は巻取り室１８より取り出され、第１
図に示される透明導電膜６及び収集１に極７を被着させ
て太陽電池の素材として供される。
ｎｒｆｉ、ｉ層、ｐ層をプラズマ反応で形成させるため
の反応室、即ち第１反応室１５ａ、第２反応室１５ｂ及
び第３反応室１５ｅが順回設置され、各反応１１５ａ、
１５ｂ、１５ｅＫは夫々排気糸２０ ａ、 ２０ ｂ
、 ２０ ｃ及びガスｄ７人手段２１ ａ、 ２
ｌ ｂ、 ２１ ｃが接続されている。
の反応室、即ち第１反応室１５ａ、第２反応室１５ｂ及
び第３反応室１５ｅが順回設置され、各反応１１５ａ、
１５ｂ、１５ｅＫは夫々排気糸２０ ａ、 ２０ ｂ
、 ２０ ｃ及びガスｄ７人手段２１ ａ、 ２
ｌ ｂ、 ２１ ｃが接続されている。
又各反応室１５ ａ、 １５ ｂ、 １５ ｃ内に
は夫々一対の’４極２２ａ：２３ａ、２２ｂ：２３ｂ。
は夫々一対の’４極２２ａ：２３ａ、２２ｂ：２３ｂ。
２２ｃ：２３ｃが組みこまれ、外部に１１１かれた高周
波電源２４ａ、２４ｂ、２４ｃに接続している。又巻出
し１１３及び巻取り室１８１Ｃは夫夫排気系２５．２６
が接続されている。巻出し室１３と第１反応室１５ａと
の間、第１反応室１５ａと第２反応室１５ｂとの間、第
２反応室１５ｂと第３反応室１５ｃとの間及びＥＪ３反
応室１５ｃと巻取り室１８との間には夫々緩衝室２７
ａ、 ２７ ｂ、 ２７ ｃ及び２７ｄが設置され
、各緩衝ｆｉ２７ａ、２７ｈ、２７ｃ、２７ｄｌＣは夫
々排気系２ ＲＡ 、 ２８１） 、 ２ ）＋
（！ 、 ２８ ｄが伝統され夫々独立に各れＥ （
：：ｌｌ室内の圧力が制御できイ）よう配慮されている
、。
波電源２４ａ、２４ｂ、２４ｃに接続している。又巻出
し１１３及び巻取り室１８１Ｃは夫夫排気系２５．２６
が接続されている。巻出し室１３と第１反応室１５ａと
の間、第１反応室１５ａと第２反応室１５ｂとの間、第
２反応室１５ｂと第３反応室１５ｃとの間及びＥＪ３反
応室１５ｃと巻取り室１８との間には夫々緩衝室２７
ａ、 ２７ ｂ、 ２７ ｃ及び２７ｄが設置され
、各緩衝ｆｉ２７ａ、２７ｈ、２７ｃ、２７ｄｌＣは夫
々排気系２ ＲＡ 、 ２８１） 、 ２ ）＋
（！ 、 ２８ ｄが伝統され夫々独立に各れＥ （
：：ｌｌ室内の圧力が制御できイ）よう配慮されている
、。
か匁る構成をとる製造装置ｊにより各シリコン層形成方
法を更に詳しく説明する。
法を更に詳しく説明する。
巻出し室１３にはＩＪト気系２５が、緩衝室２７８には
排気系２８ａが夫々接Ａ１１ｉ：されでいる。巻出し￥
１３での発生力′スは密封部からの漏洩ガス。
排気系２８ａが夫々接Ａ１１ｉ：されでいる。巻出し￥
１３での発生力′スは密封部からの漏洩ガス。
回持性基材１１内の溶解ガス及び可椋性基月１１表Ｉ＋
１１への吸着ガスが主たるもので、器壁への吸着ガスは
ボビン１２を巻出し室１３へ設置縁した後の初期状態の
み発生がみもれるので、排気系２５の排気容量は定常的
な党生カスＪ、（を勘果して決定される。排気系２５は
可に６性基旧１１に帰因する発生ガス導Ｉｈが綴仙ｊ３
ｄ２７ａを通じて第１反応室１５ａに入り、ｎ Ｊｉｓ
形成のためのプラズマ反応に悪影脅しない限り必破では
ないが、熊常上述の発生ガス種には孕気成分、水蒸気成
分が含まれ、このためには１）［基糸２５を設けること
が望ましい。又緩衝室２７ａの排気系２８ａはイｉ出し
室１３で異常放出ガスがあった場合排気糸２５のＪＪＦ
気昂−不足による巻出し冨１３の圧力十ケ１の影響を第
１反応室１５ａに及ぼさないためとボビン１２を巻出し
室１３へ設ｆ＆／ した伎の初期状態の排気時間を短縮
するため匠有効である。
１１への吸着ガスが主たるもので、器壁への吸着ガスは
ボビン１２を巻出し室１３へ設置縁した後の初期状態の
み発生がみもれるので、排気系２５の排気容量は定常的
な党生カスＪ、（を勘果して決定される。排気系２５は
可に６性基旧１１に帰因する発生ガス導Ｉｈが綴仙ｊ３
ｄ２７ａを通じて第１反応室１５ａに入り、ｎ Ｊｉｓ
形成のためのプラズマ反応に悪影脅しない限り必破では
ないが、熊常上述の発生ガス種には孕気成分、水蒸気成
分が含まれ、このためには１）［基糸２５を設けること
が望ましい。又緩衝室２７ａの排気系２８ａはイｉ出し
室１３で異常放出ガスがあった場合排気糸２５のＪＪＦ
気昂−不足による巻出し冨１３の圧力十ケ１の影響を第
１反応室１５ａに及ぼさないためとボビン１２を巻出し
室１３へ設ｆ＆／ した伎の初期状態の排気時間を短縮
するため匠有効である。
第１反応室１５ａには連続的にガス導入手段２１ａより
精籍に成分制御されたフォスフインを含むシランガス（
時には水素ガスあるいはアルゴンガスで希釈されて用い
られる場合もある）が尋人され、高周波電源２０ａが印
加された直＆２２ａ、２３ａ間でプラズマ分解をうけ、
ある所定温度に制御された電極２２ａと接触する可撓性
−Ｊｂ ４：ｔ １ｔが温められているため、分解され
たガスが優先的に可撓性基拐１１上に堆租する。Ｑｆ、
１反応％ １５ ａは排気系２０ａによりプラズマ分
解に最適な圧力に制御され、一方緩衝室２７ａの圧力も
排気系２８ａにより第１反応室１５ａの圧力と同様Ｉ（
１′σ月にカＶこ１１１す岬され、初伝系２８ａは緩（
４室２７ａのＸｉ’、Ｔ列部、１、す’ １Ｍｔ洩カス
、巻出し室１３よりυ人−（るカス及びｉ（’、 １反
応室１５ａよりυ人するカスを吸引１−１巻出し室１３
と第１反応室１５ａとイーガス移動の点で隔離役目を果
している。
精籍に成分制御されたフォスフインを含むシランガス（
時には水素ガスあるいはアルゴンガスで希釈されて用い
られる場合もある）が尋人され、高周波電源２０ａが印
加された直＆２２ａ、２３ａ間でプラズマ分解をうけ、
ある所定温度に制御された電極２２ａと接触する可撓性
−Ｊｂ ４：ｔ １ｔが温められているため、分解され
たガスが優先的に可撓性基拐１１上に堆租する。Ｑｆ、
１反応％ １５ ａは排気系２０ａによりプラズマ分
解に最適な圧力に制御され、一方緩衝室２７ａの圧力も
排気系２８ａにより第１反応室１５ａの圧力と同様Ｉ（
１′σ月にカＶこ１１１す岬され、初伝系２８ａは緩（
４室２７ａのＸｉ’、Ｔ列部、１、す’ １Ｍｔ洩カス
、巻出し室１３よりυ人−（るカス及びｉ（’、 １反
応室１５ａよりυ人するカスを吸引１−１巻出し室１３
と第１反応室１５ａとイーガス移動の点で隔離役目を果
している。
更に弔１反応室］５ａと話２反応？イ≦１５１）との間
には緩衝室２７））が設置〆１゛２−れ、該緩衝Ｍ２７
ｂには排気系２８ｂがｊ〈伏されている。該ＩＪト気系
２８１）により緩征１室２７ｂの圧力は第１反応室】５
ａ、第２反応室１５１）の圧力のい４れか低い方の圧力
にはｇ等しくある（・はわずかに低く制御され、このた
め可Ｉ、１つ性基４−４１１が第１反応室１５ａより第
２反応室＋５ｂへ走行しても第１反応室１５ａ内のカス
はＬＲ２反応室＋５ｂへオニ６動ぜず、第１反応室１５
ａと第２反応’ｚｄ １５ ｂはあたかも独立した反応
室としＣの挙動を示す。緩衝室２７ｂの圧力そのものは
上述の如く設定されるが、実用的にはＥＲ１反応室１５
ａと緩衝室２７ｂとの開口部２９及び緩衝室２７ｂとｔ
Ａ２反応室１５ｂとの開口部３ｏの大ぎさは装置製作時
にはｇ決定され必すしも反応実施時の最逸の寸法に設定
されているとは言えず反応栄件変化にも対応し難いので
、１１ω々の装置を何ら変更せず又装ｆ４そのものに高
４１′１度加工を要求しないよう配慮して装置ｉ製作費
を安価とするため第４図に示されるスリット４０を設置
するのが好適で、該スリット４０を用いると可撓性基材
１１の走行部に精密にスリット部の間隙４１を合致さし
える利点があるととも罠。
には緩衝室２７））が設置〆１゛２−れ、該緩衝Ｍ２７
ｂには排気系２８ｂがｊ〈伏されている。該ＩＪト気系
２８１）により緩征１室２７ｂの圧力は第１反応室】５
ａ、第２反応室１５１）の圧力のい４れか低い方の圧力
にはｇ等しくある（・はわずかに低く制御され、このた
め可Ｉ、１つ性基４−４１１が第１反応室１５ａより第
２反応室＋５ｂへ走行しても第１反応室１５ａ内のカス
はＬＲ２反応室＋５ｂへオニ６動ぜず、第１反応室１５
ａと第２反応’ｚｄ １５ ｂはあたかも独立した反応
室としＣの挙動を示す。緩衝室２７ｂの圧力そのものは
上述の如く設定されるが、実用的にはＥＲ１反応室１５
ａと緩衝室２７ｂとの開口部２９及び緩衝室２７ｂとｔ
Ａ２反応室１５ｂとの開口部３ｏの大ぎさは装置製作時
にはｇ決定され必すしも反応実施時の最逸の寸法に設定
されているとは言えず反応栄件変化にも対応し難いので
、１１ω々の装置を何ら変更せず又装ｆ４そのものに高
４１′１度加工を要求しないよう配慮して装置ｉ製作費
を安価とするため第４図に示されるスリット４０を設置
するのが好適で、該スリット４０を用いると可撓性基材
１１の走行部に精密にスリット部の間隙４１を合致さし
える利点があるととも罠。
第１反応室１５ａと第２反応室１５ｂとの圧力差が大き
い場合の緩衝室２７ａの圧力制御がやさしくなる利点も
有する。
い場合の緩衝室２７ａの圧力制御がやさしくなる利点も
有する。
ｎＩピ・ｉが堆Ａｈ Ｌ−た可撓性基材１１は緩衝室２
７ｂを経て、３ｊ（２反応室１５ｂに入り、ガス導入手
段２１ｂより導入されたシランガス（水素ガス。
７ｂを経て、３ｊ（２反応室１５ｂに入り、ガス導入手
段２１ｂより導入されたシランガス（水素ガス。
アルゴンガス等で布釈されて用いられる場合もある）が
第１反応室１５ａ内と同様にプラズマ分解を受けて１層
としてｎ）曽の上に堆積される。
第１反応室１５ａ内と同様にプラズマ分解を受けて１層
としてｎ）曽の上に堆積される。
緩衝室２７ｃも緩衝室２７ ｂと同４，１ｚの作用効果
をもたりし、第２反応室１５ｂはあたかも独立した反応
室としての・す動を示″Ｊ、、ｉｌ＋逓）△堆積せしめ
られた一丁撓喧牛錆材ｔｔｌ’！先菫１東Ｊぎ２７ｃを
経て、紀３反応室１５’ｃでジボラ／を含む７ランガス
（水素カス、フルゴノガスでイ１）釈されて用いられる
場合もある）がグラスマ分解な覚り−て９層として可撓
性基材１１にｊ’ｉｉｉ （￥（し可ト、３性れす膜１
６となり巻取り室１ｓ 「＞３のボビン１９」二に巻き
とられてゆく。緩衝室２７ｃはｆ、！１倫室２７翫）と
、緩衝％２７ｄは緩（４ｉ ’ｔ（ｉ ２７ ａと、ｎ
Ｊ’ （；２性基月１１あるいは可撓性薄膜１６の走１
ｆ力向が異なるのみで、全く口１じ作用効１１己を示す
。
をもたりし、第２反応室１５ｂはあたかも独立した反応
室としての・す動を示″Ｊ、、ｉｌ＋逓）△堆積せしめ
られた一丁撓喧牛錆材ｔｔｌ’！先菫１東Ｊぎ２７ｃを
経て、紀３反応室１５’ｃでジボラ／を含む７ランガス
（水素カス、フルゴノガスでイ１）釈されて用いられる
場合もある）がグラスマ分解な覚り−て９層として可撓
性基材１１にｊ’ｉｉｉ （￥（し可ト、３性れす膜１
６となり巻取り室１ｓ 「＞３のボビン１９」二に巻き
とられてゆく。緩衝室２７ｃはｆ、！１倫室２７翫）と
、緩衝％２７ｄは緩（４ｉ ’ｔ（ｉ ２７ ａと、ｎ
Ｊ’ （；２性基月１１あるいは可撓性薄膜１６の走１
ｆ力向が異なるのみで、全く口１じ作用効１１己を示す
。
ｎ）檗４．ｉＪ：パ、ｐ層は第１図にンＪくされイ・よ
うに夫々堆；ｈｖ厚さが異なり、可撓性基材１１の走行
速度が同一であるので、このためには高周波電源の出力
、電極の犬ぎさ、導入ガス祉、 ′１（ｉ極２２ ａ、
２２ ｂ、 ２２ ｃの温圧、火には各反応室の
圧力なＫｊ（節して実施する。
うに夫々堆；ｈｖ厚さが異なり、可撓性基材１１の走行
速度が同一であるので、このためには高周波電源の出力
、電極の犬ぎさ、導入ガス祉、 ′１（ｉ極２２ ａ、
２２ ｂ、 ２２ ｃの温圧、火には各反応室の
圧力なＫｊ（節して実施する。
以上の如く製造された可撓性７４膜１Ｇは各反応１程゛
じ不安カスによるンち染を受けることなく形成されるた
め、連続的に可撓性基Ｕ１１を走行させ、かつ〕丑統計
Ｊすなプラズマ分）・Ｊｆを見ｊ」ｉけ上連辿している
反応室で実施しているにもか〜わら丁、あたかも個々に
独立した反応室で得られる可撓性薄膜と同等の特性を有
するＴ３］撓性薄膜が得られる。
じ不安カスによるンち染を受けることなく形成されるた
め、連続的に可撓性基Ｕ１１を走行させ、かつ〕丑統計
Ｊすなプラズマ分）・Ｊｆを見ｊ」ｉけ上連辿している
反応室で実施しているにもか〜わら丁、あたかも個々に
独立した反応室で得られる可撓性薄膜と同等の特性を有
するＴ３］撓性薄膜が得られる。
第１図は可撓性晶相１１の表面をはｇ水平に保ち水平方
向九走行させ、各層の堆積方向を一ト向きとして、各反
応室内部に４４着する汚染物による汚宋を防止する構成
とされているが、可撓性基材１１０表面な画直に保ち水
平方向に走行させるあるいは垂直方向に走行させる構成
としてもよいことは勿論である。
向九走行させ、各層の堆積方向を一ト向きとして、各反
応室内部に４４着する汚染物による汚宋を防止する構成
とされているが、可撓性基材１１０表面な画直に保ち水
平方向に走行させるあるいは垂直方向に走行させる構成
としてもよいことは勿論である。
）４２図ははｇ平面状のｊｌｊ、１４２２ ａ、 ２
２ ｂ。
２ ｂ。
２２ｃ上を可撓性晶相１１が上りながら走行している実
施例を示ずが、ｔ＋Ｇ ３図に示すように回転する円筒
状’１ｉＱ３１ａ、３１ｂ、３１ ｃ上に可続性晶相１
１を密着させ、相対する円弧型電極３２ ａ、 ３２
ｂ、 ３２ ｃとの間でプラスマ分解を一、ら生さ
せて６７９１７層を形成′」Ｑことも可能でｊりり、こ
の場合でも谷緩衝室の作用効果は第２ｔＡに示されるも
のと（’Ｊ ’） ２す０．ｒい。以上はｐｉｎｔｌ＃
ｌｉ造で９０示したがｎｉｐ構造でも本質的に何ら変ら
ない。
施例を示ずが、ｔ＋Ｇ ３図に示すように回転する円筒
状’１ｉＱ３１ａ、３１ｂ、３１ ｃ上に可続性晶相１
１を密着させ、相対する円弧型電極３２ ａ、 ３２
ｂ、 ３２ ｃとの間でプラスマ分解を一、ら生さ
せて６７９１７層を形成′」Ｑことも可能でｊりり、こ
の場合でも谷緩衝室の作用効果は第２ｔＡに示されるも
のと（’Ｊ ’） ２す０．ｒい。以上はｐｉｎｔｌ＃
ｌｉ造で９０示したがｎｉｐ構造でも本質的に何ら変ら
ない。
第４図に示される平板のスリット４Ｕの作用効果は上述
の如きものであるか、同様の作用効果をもたらすスリッ
ト形ＱＱ ＩＡ−、は第５図に示される如ぎりスリット
４２もあり、各反応室間σ）あるいは巻出し室、咎取り
室との間の圧力差が大きい」場合に好適であり、絵心１
室内への２々動ノノス二Ｉ□１を誠少せしめてよりねｎ
（な反応オ内のカス成分の制御を実施したい場合１．’
ｉｉ ６図の」、５にスリン１．４３を複数個以上設け
てもよ１．・。第７図（よ可撓性基羽１１の中間位１．
１ｊでの４１２持を考慮したロール状スリット４４ａ、
４４ｂ’？；採用しｔこ例で可撓性ｉ１．！ｉ 月１１
のＮＬ ’＋ｉｉｉに１゛１−ル４４ａ。
の如きものであるか、同様の作用効果をもたらすスリッ
ト形ＱＱ ＩＡ−、は第５図に示される如ぎりスリット
４２もあり、各反応室間σ）あるいは巻出し室、咎取り
室との間の圧力差が大きい」場合に好適であり、絵心１
室内への２々動ノノス二Ｉ□１を誠少せしめてよりねｎ
（な反応オ内のカス成分の制御を実施したい場合１．’
ｉｉ ６図の」、５にスリン１．４３を複数個以上設け
てもよ１．・。第７図（よ可撓性基羽１１の中間位１．
１ｊでの４１２持を考慮したロール状スリット４４ａ、
４４ｂ’？；採用しｔこ例で可撓性ｉ１．！ｉ 月１１
のＮＬ ’＋ｉｉｉに１゛１−ル４４ａ。
４５ａを接ガＩ；させ可抗性基オ）Ｊｌｌの空間位１イ
を’＋ｔｉｌｌ ？１ｔｌｌ Ｌ、ソレニ、幻向するｑ
／Ｌ ４４ ｂ １１Ｉ、Ｚｒ〜ｌ−Ｊ平板状部旧
４５ｂを極力可読性基材１１へ近りげＭ Ｈ窓内の圧力
制御を容易にする手段の例であ乞。
を’＋ｔｉｌｌ ？１ｔｌｌ Ｌ、ソレニ、幻向するｑ
／Ｌ ４４ ｂ １１Ｉ、Ｚｒ〜ｌ−Ｊ平板状部旧
４５ｂを極力可読性基材１１へ近りげＭ Ｈ窓内の圧力
制御を容易にする手段の例であ乞。
かくして本発明によれば、特性の優ねた太陽電池を効率
よく安価Ｋ Ｔ ＥＭ的に製造し７え、その効果は可（
へ、！性フィルノ、を基板とすることと相俟ってその寄
与するｊｖｒ犬である。尚、本発明の更なる好適な態様
として、 （１） 各反応室の両端に緩衝室が設けられ、反応室
間（Ｃ位！４ｔ Ｌない緩衝室にも反応室の排気系とは
独立の排気系を設けて作動せしめることを特徴とする本
発明方法。
よく安価Ｋ Ｔ ＥＭ的に製造し７え、その効果は可（
へ、！性フィルノ、を基板とすることと相俟ってその寄
与するｊｖｒ犬である。尚、本発明の更なる好適な態様
として、 （１） 各反応室の両端に緩衝室が設けられ、反応室
間（Ｃ位！４ｔ Ｌない緩衝室にも反応室の排気系とは
独立の排気系を設けて作動せしめることを特徴とする本
発明方法。
（１１） 各反応室が緩イ毎室近傍に排気口を有する
ことを’：Ｖ ６にとする本発明方法。
ことを’：Ｖ ６にとする本発明方法。
（＋１１１ 各緩衝室に少くとも１個のスリット部材
を設はしたことを特徴とする本発明方法 な植げることができる。
を設はしたことを特徴とする本発明方法 な植げることができる。
第１図は代表的なシリコン薄膜太陽電池の断ｎ１図、第
２図は平面状電極を有する製造装置の実施例、第３図は
円筒状電極を有する製造装置の実施例、第４〜第７１６
１は不完す１１のスリットの例を示す図である。 第１図中、ｌは司り、艷）≦１７・イルム、２は下部１
１シ極層、３，４．５はシリコン層、６（よ透明電４ヅ
、７ ａ、、７ ｂ、 ７ ｃは収集型４Φケ示ず、
。 第２図中、］ｌは？３］俳性、）、ｌｊ板フィルム、１
２はボビン、１３は巻出し室、１４は巻き出しロール、
ｌ ５ ａ、 １５ ｂ、 １５ ｃは反応室、１
６け司扛１性薄膜、１７は・ムーきルリロール、】８は
巻き取り室、１９はボビン、７．Ｏａ、２０ｂ。 ２０ｃけ排気系、２１ａ、２１ｂ、２］、ｃはカス導入
手段、２２ａ、２３ａ、２２ｂ、 ２ａｂ。 ２２ｃ、２３ｃは電極、２４ ａ、 ２４’ ｂ、
２４ｃ。 は高周波１１′１源、２５．２ｆｉは排気系、２７ａ。 ２７ ｂ、 ２７ ｃ、 ２７ ｄはｖ：物堅、２
８ａ。 ２８１）、２８ｃ、２８ｄは排気；４，２９．３０は開
口部を示す。 第３図中、３１ ａ、 ３ ｌ ｂ、 ３１ ｃは
円筒状電極、３２ ａ、 ３２ ｂ、 ３２ ｃは
円弧４’ｌ Ｔｂ ４ｍを示す。 第４図中、４０はスリット、４１は開口部を示す。 ｙ＜ ５図中、４２はスリットを示す。 ＩＴ ６ ｅ！４１中、４３ａ、４３ｂはスリットを示
す。 第７図中、４４ａ、４４ｂ及び４５ ａ、 ４５ｂは−
−ル状スリットを示す。 特ｔ’ｒ出願人 工業技術院長 石 坂 誠 −
２図は平面状電極を有する製造装置の実施例、第３図は
円筒状電極を有する製造装置の実施例、第４〜第７１６
１は不完す１１のスリットの例を示す図である。 第１図中、ｌは司り、艷）≦１７・イルム、２は下部１
１シ極層、３，４．５はシリコン層、６（よ透明電４ヅ
、７ ａ、、７ ｂ、 ７ ｃは収集型４Φケ示ず、
。 第２図中、］ｌは？３］俳性、）、ｌｊ板フィルム、１
２はボビン、１３は巻出し室、１４は巻き出しロール、
ｌ ５ ａ、 １５ ｂ、 １５ ｃは反応室、１
６け司扛１性薄膜、１７は・ムーきルリロール、】８は
巻き取り室、１９はボビン、７．Ｏａ、２０ｂ。 ２０ｃけ排気系、２１ａ、２１ｂ、２］、ｃはカス導入
手段、２２ａ、２３ａ、２２ｂ、 ２ａｂ。 ２２ｃ、２３ｃは電極、２４ ａ、 ２４’ ｂ、
２４ｃ。 は高周波１１′１源、２５．２ｆｉは排気系、２７ａ。 ２７ ｂ、 ２７ ｃ、 ２７ ｄはｖ：物堅、２
８ａ。 ２８１）、２８ｃ、２８ｄは排気；４，２９．３０は開
口部を示す。 第３図中、３１ ａ、 ３ ｌ ｂ、 ３１ ｃは
円筒状電極、３２ ａ、 ３２ ｂ、 ３２ ｃは
円弧４’ｌ Ｔｂ ４ｍを示す。 第４図中、４０はスリット、４１は開口部を示す。 ｙ＜ ５図中、４２はスリットを示す。 ＩＴ ６ ｅ！４１中、４３ａ、４３ｂはスリットを示
す。 第７図中、４４ａ、４４ｂ及び４５ ａ、 ４５ｂは−
−ル状スリットを示す。 特ｔ’ｒ出願人 工業技術院長 石 坂 誠 −
Claims (1)
- 彷数の異伝導型シリコンノ脅で構成されるＮ膜をグロー
放電プラズマ分解法で可（、／！性フィルム上１（堆積
させて薄膜太陽′電池を連続的に製造するに際し、上記
各シリコン層を夫々独立して形成せしめうるａ数の反応
室及び当該反応室間にあり当該反応室の排気系とは独立
した排気系を治する緩衝室によって一体的且つ連ｑ的に
（１′η成された反応′４１’ｌ中に上記可ａ ’＋ｉ
Ｋフィルノ、を連Ａ？ｉ’ｅ的に走行せしめ、当該２ξ
（１お室の４１１気系な作動させつつ各反応室において
Ｊ４伝導型シリコン層を形成せしめることを特徴どする
ｆａｒ膜太陽、に池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57143998A JPS5934668A (ja) | 1982-08-21 | 1982-08-21 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57143998A JPS5934668A (ja) | 1982-08-21 | 1982-08-21 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5934668A true JPS5934668A (ja) | 1984-02-25 |
Family
ID=15351930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57143998A Pending JPS5934668A (ja) | 1982-08-21 | 1982-08-21 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5934668A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3604894A1 (de) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Teijin Ltd., Osaka | Integrierte solarzellen und verfahren zu ihrer herstellung |
| US5378639A (en) * | 1992-07-24 | 1995-01-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin-film photovoltaic conversion device |
| US6620288B2 (en) | 2000-03-22 | 2003-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Substrate treatment apparatus |
| US6827787B2 (en) | 2000-02-10 | 2004-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conveyor device and film formation apparatus for a flexible substrate |
| US7594479B2 (en) | 2000-03-29 | 2009-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma CVD device and discharge electrode |
| JP2010163679A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物薄膜の成膜装置および成膜方法 |
| JP2011089165A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Kobe Steel Ltd | Ｃｖｄ成膜装置 |
| JP2013237884A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Toyota Motor Corp | プラズマ成膜装置 |
| JP2016020278A (ja) * | 2011-02-24 | 2016-02-04 | 株式会社ニコン | 基板処理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5743413A (en) * | 1980-05-19 | 1982-03-11 | Energy Conversion Devices Inc | Semiconductor element and method of producing same |
-
1982
- 1982-08-21 JP JP57143998A patent/JPS5934668A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5743413A (en) * | 1980-05-19 | 1982-03-11 | Energy Conversion Devices Inc | Semiconductor element and method of producing same |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE3604894A1 (de) * | 1985-02-15 | 1986-08-21 | Teijin Ltd., Osaka | Integrierte solarzellen und verfahren zu ihrer herstellung |
| US4697041A (en) * | 1985-02-15 | 1987-09-29 | Teijin Limited | Integrated solar cells |
| US5378639A (en) * | 1992-07-24 | 1995-01-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin-film photovoltaic conversion device |
| US6827787B2 (en) | 2000-02-10 | 2004-12-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conveyor device and film formation apparatus for a flexible substrate |
| US6916509B2 (en) | 2000-02-10 | 2005-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conveyor device and film formation apparatus for a flexible substrate |
| US7510901B2 (en) | 2000-02-10 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Conveyor device and film formation apparatus for a flexible substrate |
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