JPS595485A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は磁気バブルメモリデバイスに係り、特に回転駆
動磁界の大きさに負の温度依存性を持たせる（駆動磁界
が温度上昇に伴ない減少する）ために駆動コイルの寸法
を温度に対し可逆的に変え得るように構成した磁気バブ
ルメモリデバイスに関するものである。

技術の背景 第１図にホールド磁界を一足とした場合のスタートスト
ップ動作に着目した磁気バブルメモリデバイスの動作マ
ージンの温度特性の一例を示す。

図中、実線の曲線は高駆動磁界の温度特性を、点線の曲
線は低駆動磁界の温度特性をそれぞれ示している。なお
、図の直１ｖｌｌｉｌＡはバイアスマグネットの温度特
性を示す。図に明らかなように、チップ温度が０℃以下
の低温側では、バブルが伝播しにくくなるため低駆動高
バイアス側が不安定になる。

−万、チップ温度が８０℃以上の高温側では、メモリの
動作に不可欠なスタートストップ特性が高駆動高バイア
ス側で不安定になシ、かつ情報（バブル）読み出し時に
必要なリプリケータの動作が高駆動低バイアス側で不安
定になる。

従来技術と問題点 このような特性を有する磁気バブルメモリデバイスにお
いては、従来はバブルを伝播させるための駆動磁界を温
度に対しほぼ一定の状態にして使用していたため、デバ
イスの正常動作領域が第１図に斜線で示した範囲に制限
されるという欠点があった。

発明の目的 本発明は上述の欠点を解決するだめのもので、コイルを
駆動する駆動磁界の大きさに負の温度依存性を持たせる
ことによって、低温側でのバブル動作マージン上限特性
、および高温側でのバブル動作マージン上限・下限特性
全改良して従来より広い温度範囲で安定動作を行えるよ
うにした磁気バブルメモリデバイスを提供することを目
的としている。

発明の構成 本発明では、上述の目的を達成するため、磁気バブルチ
ップが搭載された基板に嵌挿され互いに直交する２つの
コイルと上記基板との間隙内に、これらをモールドする
樹脂より熱膨張係数が大きい樹脂を充填して構成されて
いる。

発明の実施例 以下、第２図乃至第４図に関連して本発明の詳細な説明
する。

本発明では、駆動コイルによシ発生する駆動磁界ＨＲが
、コイルの寸法、特に厚さｔにほぼ反比例して変化し、
また駆動電圧Ｖが一定のときコイルのインダクタンスＬ
に対してもほぼ反比例して変化することを利用している
。すなわち、ＨＲｃｃ　ｔ−”・Ｌ−１−ｔ、利用して
いる。次にこの原理を第２図および第３図により説明す
る。

第２図に示すように、磁気バブルチップ１が搭載された
基板２と、該基板２に嵌挿されたコイル３との間に、後
に基板２．コイル３を覆ってモールドされる樹脂より熱
膨張係数がずっと大きい樹脂（例えば不活性ガスが含ま
れた泡状のシリコーン樹脂）４を充填しておくと、コイ
ル３の厚さｔは常温よりの温度上昇に伴な１第３図に点
線で示すように大きくなり、温度下降に伴ない第３図に
実線で示すように小さくガる。コイルの厚さｔは通常約
２ｍｍ（ＸコイルとＹコイルとで多少異なる）であり、
そのうちの約駒チが樹脂４によシ充填されているとする
。樹脂４を不活性ガスが含まれた泡状のシリコーン樹脂
とすれば、その熱膨張係数は２Ｘ１０”Ｊ。ｇで、この
場合チップ温度が常温から関℃変化すると、コイルの厚
さｔは コイルインダクタンスＬとｔとはほぼＬｏ：ｔの関係に
ｌ、・イΔ駆動するだめの三角波駆動回路の電源電圧Ｖ
が一定のとき、Ｖキ４ｆＬＩｍ（＝一定〕、Ｈｎ　匡ｒ
ｍ’　ｔ−’よＦ）　Ｈｌｚ　ｃｃＬ−’ｔ７’＝　ｔ
　”　トｆｘる。従って、駆動磁界ＨＲは関℃の温度上
昇に対し１０　％も減少する。ここで、ｆは駆動周波数
、Ｉｒ１１は三角波のピーク電流を表わしている。

このように、樹脂４を充填しておくことにより、低温側
では駆動磁界ＨＲが増加し、高温側ではＨＲが減少する
ので第１図に斜＃を記入した正常動作領域が拡大し、特
性の改善が期待できる。また、駆動磁界は平面方向では
一様に変化するので、チップ特性等によりホールド磁界
の方向が変化しても、同じような方法によシ特性改善が
期待できる。なお、第２図では一万のコイルのみを示し
、第３図では基板を省略している。

次に上述の原理を実現する本発明に係る磁気バブルメモ
リデバイスの要部製造要領を第４図により説明する。

まず、第４図（ａ）に示すように、磁気バブルチップ１
１が搭載されたセラミック基板１２に、Ｘコイル１３お
よびＸコイル１４を嵌挿する。

次に、第４図（ｂ）に示すように、基板１２とコイル１
３　、１４との間隙内にＮ２等の不活性ガス中でかきま
ぜたジャンクションコーティングレジンと呼ばれるシリ
コーン樹脂（泡状になっている）１５を注入し、約１５
０℃で熱硬化させる。この樹脂１５の熱膨張係数はせい
ぜい５　ｘｌＯ−”ｙＪｅｇ程度であるが、Ｎ２ガスの
それは約４　Ｘｌ０−”　Ｊｅｇと大きく、両者を混合
することにより実質的に２　Ｘ　１０　”　ｙｄｏ一度
の熱膨張係数のものが得られる。

次に、第４図（Ｃ）に示すように、これら全体を熱膨張
係数”−５”４ｇ　　程度のエポキシ系樹脂Ｉ６により
モールドする。

なお、詳細図示を省略したが、実際には、樹脂１６によ
るモールドは枠内で行われ、また樹脂１６によるモール
ドの上下には該樹脂加熱硬化前に保磁力ｎｃが小さい磁
気的にソフトなホモジナイザを介してＨｃが大きいハー
ドなバイアスマグネットを基板をはさみ装着して磁気バ
ブルメモリデバイスが形成される。

このように基板１２とコイル１３　、１４との間隙内に
熱膨張係数が大きい泡状シリコーン樹脂１５を充填して
おくことによって、前述のようにコイルの寸法（厚さ）
が温度に対し可逆的に変化し、その結果、駆動磁界が温
度上昇に伴ない減少するため、動作特性が改善される。

また、第４図（ｂｌのシリコーン樹脂１５の充填工程は
、チップ表面の保役も兼ねており、チップのパッケージ
ング工程が複雑になることはない。

さらに、シリコーン樹脂１５にＮ２ガスが混合されてい
ることによりシリコーン樹脂１５充填部の熱伝導率は小
さくなるが、コイル１３　、１４の熱は殆んど樹脂１６
のモールドより放散されるので、チップ温度上昇の問題
は生じない。

発明の効果 以上述べたように本発明によれば、複雑なパッケージン
グ工程を必要とせずに駆動コイル内に熱膨張係数が大き
い樹脂を充填するだけでデバイスの低温側および高温側
での動作特性を同時に改善することができるので、デバ
イスの使用温度範囲が拡大され、より苛酷な環境におけ
る信頼性が保証できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は磁気バブルメモリデバイスの温度特性を示すグ
ラフ、第２図乃至第４図は本発明に係る磁気バブルメモ
リデバイスの実施例を示すもので、第２図および第３図
は原理説明図、第４図（ａ）、（ｂ）。 （Ｃ）は磁気バブルメモリデバイス製造工程図である。 図中、１１は磁気バブルチップ、１２はセラミック基板
、１３はＸコイル、１４はＸコイル、１５はモールド用
樹脂よシずつと大きい膨張係数を有する泡状のシリコー
ン樹脂、　１６はモールド用のエポキシ系位ｊ月旨であ
る。 第　１　図 第２図 第３図 第　４　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 磁気バブルチップが搭載された基板に互いに直交する２
   つのコイルを嵌挿し、これらを樹脂によりモールドして
   なるパッケージを有する磁気バブルメモリデバイスにお
   いて、前記各コイルと前記基板との間隙内に、前記モー
   ルド用樹脂よシ熱膨張係数が大きい樹脂を充填し、前記
   コイルによシ発生する駆動磁界の大きさに負の温度依存
   性を持たせるように構成したことを特徴とする磁気バブ
   ルメモリデバイス。