JPS595503Y2 - 不活性ガスア−ク溶接装置のシ−ルドガス被包構造 - Google Patents
不活性ガスア−ク溶接装置のシ−ルドガス被包構造Info
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- JPS595503Y2 JPS595503Y2 JP13067380U JP13067380U JPS595503Y2 JP S595503 Y2 JPS595503 Y2 JP S595503Y2 JP 13067380 U JP13067380 U JP 13067380U JP 13067380 U JP13067380 U JP 13067380U JP S595503 Y2 JPS595503 Y2 JP S595503Y2
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- Arc Welding In General (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はTIG、MIG、Co2溶接などにおいて、
溶接個所とその周辺部を覆うシールドガスを、水もしく
は強風から保護するシールドガス被包構造に関する。
溶接個所とその周辺部を覆うシールドガスを、水もしく
は強風から保護するシールドガス被包構造に関する。
TIG、MIG、CO2などの不活性ガスアーク溶接を
、水中もしくは強風下において行う場合、溶接個所およ
びその周辺部、つまり、不活性ガスが噴出するトーチの
先端と、母材との間に形成される高熱空間内に、水また
は強風が浸入して、上記の不活性ガス雰囲気が破壊され
る事態を防止するため、従来、第8図のように、トーチ
本体20の内側ノズル20 Hに形成した環状の不活性
ガス通路21の外周に、多数の金属細線を細隙性を保有
させてスカート状に集束したシールドガス被包層22を
設けたものが知られている。
、水中もしくは強風下において行う場合、溶接個所およ
びその周辺部、つまり、不活性ガスが噴出するトーチの
先端と、母材との間に形成される高熱空間内に、水また
は強風が浸入して、上記の不活性ガス雰囲気が破壊され
る事態を防止するため、従来、第8図のように、トーチ
本体20の内側ノズル20 Hに形成した環状の不活性
ガス通路21の外周に、多数の金属細線を細隙性を保有
させてスカート状に集束したシールドガス被包層22を
設けたものが知られている。
上記のシールドガス被包層22を設けた溶接装置を用い
ることによって、高熱空間23内のシールドガスは、シ
ールドガス被包層22によって外部から隔離保護される
ため、たとえば水中で溶接を行う場合、上記高熱空間2
3に水が浸入して、内部の不活性ガス雰囲気が破壊され
たり、強風下で溶接を行う場合に、高熱空間内部の不活
性ガス雰囲気が吹き飛ばされるような事態を防止して適
正な溶接を行うことができる。
ることによって、高熱空間23内のシールドガスは、シ
ールドガス被包層22によって外部から隔離保護される
ため、たとえば水中で溶接を行う場合、上記高熱空間2
3に水が浸入して、内部の不活性ガス雰囲気が破壊され
たり、強風下で溶接を行う場合に、高熱空間内部の不活
性ガス雰囲気が吹き飛ばされるような事態を防止して適
正な溶接を行うことができる。
しかしながら、上記従来の構成では、母材が薄板で開先
が浅い場合にしか適用できず、母材が厚板で開先が深い
場合には、この深い開先の深部までシールドガス被包層
22を形成する金属線が入り難く、開先内部に向けて噴
出したシールドガスの被包効果が悪くなって適正溶接が
できなくなる問題がある。
が浅い場合にしか適用できず、母材が厚板で開先が深い
場合には、この深い開先の深部までシールドガス被包層
22を形成する金属線が入り難く、開先内部に向けて噴
出したシールドガスの被包効果が悪くなって適正溶接が
できなくなる問題がある。
この考案は上記の問題に鑑みなされたもので、開先の深
い厚板母材を溶接する場合でも、シールドガスを適確に
被包して適正溶接を行うことができる不活性ガスアーク
溶接装置のシールドガス被包構造を提供することを目的
とする。
い厚板母材を溶接する場合でも、シールドガスを適確に
被包して適正溶接を行うことができる不活性ガスアーク
溶接装置のシールドガス被包構造を提供することを目的
とする。
以下、この考案の一実施例を図面にしたがって説明する
。
。
第1図および第2図は、この考案を適用したMIG溶接
装置を例示するものであり、同図において、1はMIG
溶接トーチ本体で、中心部のコンタクトチップ2に電極
2aが摺動自在に嵌合されており、コンタクトチップ2
の外周に環状のガス通路3が形成され、この環状のガス
通路3の出口がらアルゴンやヘリウムなどの不活性ガス
が連続流として矢印a方向に噴出するようになっている
。
装置を例示するものであり、同図において、1はMIG
溶接トーチ本体で、中心部のコンタクトチップ2に電極
2aが摺動自在に嵌合されており、コンタクトチップ2
の外周に環状のガス通路3が形成され、この環状のガス
通路3の出口がらアルゴンやヘリウムなどの不活性ガス
が連続流として矢印a方向に噴出するようになっている
。
上記トーチ本体1は、内側ノズル1aと外側ノズル1b
によって構成されており、内側ノズル1aは外側ノズル
1bに対してその先端部が突没自在に自在に嵌合されて
いる。
によって構成されており、内側ノズル1aは外側ノズル
1bに対してその先端部が突没自在に自在に嵌合されて
いる。
4は環状部材を示す。
この環状部材4は、外側ノズル1bの先端内周に、たと
えば螺合することによって取り付けられ、下向き開口の
環状溝5を形成しており、この環状溝5にシールドガス
被包層6の基端部6aを嵌入するとともに、環状部材4
の延出部4bに固定リング7を外嵌(たとえば螺着)す
ることによって、シールドガス被包層6を外側ノズル1
bの内周、すなわち内側ノズル1aの環状のガス通路3
の外周に固定している。
えば螺合することによって取り付けられ、下向き開口の
環状溝5を形成しており、この環状溝5にシールドガス
被包層6の基端部6aを嵌入するとともに、環状部材4
の延出部4bに固定リング7を外嵌(たとえば螺着)す
ることによって、シールドガス被包層6を外側ノズル1
bの内周、すなわち内側ノズル1aの環状のガス通路3
の外周に固定している。
上記シールドガス被包層6は、直径0.03〜0.3m
mの、たとえばステンレス、銅、黄銅などの耐海水性の
極細で柔軟かつ弾性を有す金属線(ワイヤ)を横断面積
1cm2当り200〜1000本の密度で細隙性を保有
させてスカート状に集束して形成されている。
mの、たとえばステンレス、銅、黄銅などの耐海水性の
極細で柔軟かつ弾性を有す金属線(ワイヤ)を横断面積
1cm2当り200〜1000本の密度で細隙性を保有
させてスカート状に集束して形成されている。
8.8は互いに対向して設けられたl対の開先内シール
ドガス被包層で、この被包層6も、たとえばステンレス
、銅、黄銅などの耐海水性の極細で柔軟かつ弾性を有す
金属線を横断面積1cm2当り200〜1000本の密
度で細隙性をもたせて刷毛状に集束して形成され、その
基端部8aは、たとえば外側ノズル1bに外環した外側
環状体9の溝9aに嵌入固定されている。
ドガス被包層で、この被包層6も、たとえばステンレス
、銅、黄銅などの耐海水性の極細で柔軟かつ弾性を有す
金属線を横断面積1cm2当り200〜1000本の密
度で細隙性をもたせて刷毛状に集束して形成され、その
基端部8aは、たとえば外側ノズル1bに外環した外側
環状体9の溝9aに嵌入固定されている。
10はシールドガスの流入通路11.11は開先12を
存して対向する母材である。
存して対向する母材である。
上記構成において、溶接を行う場合は、上記第1図およ
び第2図に示すように、母材11,11の表面にシール
ドガス被包層6の先端部を当接させるとともに、開先1
2内シ一ルドガス被包層8,8を開先12の内面に当接
する状態に嵌入したのち、開先12に沿ってトーチ本体
1を走行移動させればよい。
び第2図に示すように、母材11,11の表面にシール
ドガス被包層6の先端部を当接させるとともに、開先1
2内シ一ルドガス被包層8,8を開先12の内面に当接
する状態に嵌入したのち、開先12に沿ってトーチ本体
1を走行移動させればよい。
この場合、トーチ本体1の環状のガス通路3から不活性
ガス流が溶接個所およびその周辺を被包するように噴出
する。
ガス流が溶接個所およびその周辺を被包するように噴出
する。
しかして、環状のガス通路3から母材11,11の表面
上に噴出した不活性ガスは、シールドガス被包層6によ
って被包されるから、外部すなわち海水や強風から隔離
保護され、細隙を通過して水中の場合は小気泡として放
出され、海水の浸入を防ぐ、また、上記環状のガス通路
3から開先12内に噴出した不活性ガスは開先内シール
ドガス被包層6によって被層され、上記母材11.11
の表面に噴出した不活性ガスと同様に海水や強風から隔
離保護され、溶接個所とその周辺部つまり高熱空間13
を完全な不活性ガス雰囲気にして適正溶接を可能にする
。
上に噴出した不活性ガスは、シールドガス被包層6によ
って被包されるから、外部すなわち海水や強風から隔離
保護され、細隙を通過して水中の場合は小気泡として放
出され、海水の浸入を防ぐ、また、上記環状のガス通路
3から開先12内に噴出した不活性ガスは開先内シール
ドガス被包層6によって被層され、上記母材11.11
の表面に噴出した不活性ガスと同様に海水や強風から隔
離保護され、溶接個所とその周辺部つまり高熱空間13
を完全な不活性ガス雰囲気にして適正溶接を可能にする
。
開先12内の溶接が進行して、ビード14が順次形成さ
れ、開先12が浅くなって行くにしたがい、第4図およ
び第5図で示す如く、開先内シールドガス被包層8,8
をビード14の表面および開先12の内面に当接するよ
うに適宜切断(この切断作業は手鎖によって容易に行う
ことができる。
れ、開先12が浅くなって行くにしたがい、第4図およ
び第5図で示す如く、開先内シールドガス被包層8,8
をビード14の表面および開先12の内面に当接するよ
うに適宜切断(この切断作業は手鎖によって容易に行う
ことができる。
)しながら溶接を行うことで、開先12の深浅にかかわ
らず開先内シールドガス被包層8,8により開先12内
に噴出したシールドガスを保護して高熱空間13の不活
性ガス雰囲気を保つことができ、適正溶接を可能にする
。
らず開先内シールドガス被包層8,8により開先12内
に噴出したシールドガスを保護して高熱空間13の不活
性ガス雰囲気を保つことができ、適正溶接を可能にする
。
一方、コンタクトチップ2から電極2aが突出する長さ
lは、溶接ビードの心振れや電極(ワイヤ)2 aの溶
融速度に影響するから、開先12内の溶接層数が増加し
ても上記突出長さlを変化させないために、内側ノズル
1aを第3図ないし第5図で明らかなように上昇移動さ
せることができる。
lは、溶接ビードの心振れや電極(ワイヤ)2 aの溶
融速度に影響するから、開先12内の溶接層数が増加し
ても上記突出長さlを変化させないために、内側ノズル
1aを第3図ないし第5図で明らかなように上昇移動さ
せることができる。
他方、開先12がさらに深い場合には、開先内シールド
ガス被・色層8,8が長くなり、その結果集束厚さを増
大しなければ金属線の腰が弱くなって折曲し易くなり、
開先12内のシールドガスを適正に被包し得なくなるけ
れど、実際上集束厚さを増大することは、トーチ本体1
の外形が大きくなって使用し難くなるため、第6図およ
び第7図において明示するように、開先内シールドガス
被包層8゜8の外面に、ステンレス鋼板、銅板、黄銅板
などの耐海水性の薄板で形成した補強板15を、1〜−
−チ本体1の軸方向に往復移動可能に設定することによ
って、上記の腰折れを防止して開先12内のシールドガ
スを被包できる。
ガス被・色層8,8が長くなり、その結果集束厚さを増
大しなければ金属線の腰が弱くなって折曲し易くなり、
開先12内のシールドガスを適正に被包し得なくなるけ
れど、実際上集束厚さを増大することは、トーチ本体1
の外形が大きくなって使用し難くなるため、第6図およ
び第7図において明示するように、開先内シールドガス
被包層8゜8の外面に、ステンレス鋼板、銅板、黄銅板
などの耐海水性の薄板で形成した補強板15を、1〜−
−チ本体1の軸方向に往復移動可能に設定することによ
って、上記の腰折れを防止して開先12内のシールドガ
スを被包できる。
上記両波色層6,8.8の内面を、上述の素材に代えて
、たとえば炭素繊維で形成することによって、さらに十
分な耐熱性と、スパッタ付着防止性の向上が期待できる
。
、たとえば炭素繊維で形成することによって、さらに十
分な耐熱性と、スパッタ付着防止性の向上が期待できる
。
なお、上記実施例においては、開先内シールドガス被包
層8,8を、シールドガス被包層6の外側に設けた例に
ついて説明しているけれど、この考案はこれに限定され
るものではなく、開先内シールドガス被包層8,8をシ
ールドガス被包層6の内側に設けても上記実施例と同様
の効果を奏する。
層8,8を、シールドガス被包層6の外側に設けた例に
ついて説明しているけれど、この考案はこれに限定され
るものではなく、開先内シールドガス被包層8,8をシ
ールドガス被包層6の内側に設けても上記実施例と同様
の効果を奏する。
さらに、MIG溶接についてのみのべているけれど、T
IG、CO2およびプラズマ溶接などに適用可能である
ことはいうまでもない。
IG、CO2およびプラズマ溶接などに適用可能である
ことはいうまでもない。
以上説明したように、この考案は開先内シールドガス被
包層を母材の開先内に嵌入し、しかも、ビードの形成に
よって開先が浅くなり、その横断面形状が変化するのに
追従して、開先内シールドガス被包層を切断するように
構成しているから、開先内に噴出したシールドガスを適
確に被包し得、水中溶接時における水の開先内部への浸
入や強風下溶接時における風の開先内浸入を防止して適
正に溶接を行い得ることができる利点がある。
包層を母材の開先内に嵌入し、しかも、ビードの形成に
よって開先が浅くなり、その横断面形状が変化するのに
追従して、開先内シールドガス被包層を切断するように
構成しているから、開先内に噴出したシールドガスを適
確に被包し得、水中溶接時における水の開先内部への浸
入や強風下溶接時における風の開先内浸入を防止して適
正に溶接を行い得ることができる利点がある。
第1図はこの考案を適用した不活性ガスアーク溶接装置
の一部正面図、第2図は同側面図、第3図ないし第5図
は使用状態の説明図、第6図および第7図は補強板取付
と動作状態を示す説明図、第8図は従来例の一部断面図
である。 1・・・・・・トーチ本体、1a・・・・・・内側ノズ
ル、1b・・・・・・外側ノズル、3・・・・・・不活
性ガス通路、4・・・・・・環状部材、6・・・・・・
シールドガス被包層、8,8・・・・・・開先内シール
ドガス被包層、11.11・・・・・・母材、12・・
・・・・開先、15・・・・・・補強板。
の一部正面図、第2図は同側面図、第3図ないし第5図
は使用状態の説明図、第6図および第7図は補強板取付
と動作状態を示す説明図、第8図は従来例の一部断面図
である。 1・・・・・・トーチ本体、1a・・・・・・内側ノズ
ル、1b・・・・・・外側ノズル、3・・・・・・不活
性ガス通路、4・・・・・・環状部材、6・・・・・・
シールドガス被包層、8,8・・・・・・開先内シール
ドガス被包層、11.11・・・・・・母材、12・・
・・・・開先、15・・・・・・補強板。
Claims (1)
- 外側ノズルと内側ノズルとで形成されるトーチ本体の不
活性ガス通路の外周に多数の極細で柔軟かつ弾性を有す
る金属線を細隙性を保有させてスカート状に集束したシ
ールドガス被包層を形成してなる不活性、ガスアーク溶
接装置において、上記シールドガス被包層の外側もしく
は内側に互いに対向してそれぞれの先端部が母材の開先
内面に当接する状態に嵌入されかつ開先の深さ変化に対
応して当接可能に上記先端部を切断し得る極細で柔軟か
つ弾性を有す金属細線を細隙性を保有させて刷毛状に集
束した開先内シールドガス被包層を設け、上記シールド
ガス被包層の基端部は外側ノズルの先端内周部に取り付
けた環状部材に固定し、かつ内側ノズルを外側ノズルに
対して突没自在に嵌合するとともに上記開先内シールド
ガス被包層の外面にトーチ本体の軸方向に往復移動可能
な補強板を設定してなることを特徴とする不活性ガス溶
接装置のシールドガス被包構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13067380U JPS595503Y2 (ja) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | 不活性ガスア−ク溶接装置のシ−ルドガス被包構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13067380U JPS595503Y2 (ja) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | 不活性ガスア−ク溶接装置のシ−ルドガス被包構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57132775U JPS57132775U (ja) | 1982-08-18 |
| JPS595503Y2 true JPS595503Y2 (ja) | 1984-02-18 |
Family
ID=29924286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13067380U Expired JPS595503Y2 (ja) | 1980-09-12 | 1980-09-12 | 不活性ガスア−ク溶接装置のシ−ルドガス被包構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS595503Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5538921B2 (ja) * | 2010-01-21 | 2014-07-02 | バブ日立工業株式会社 | 水中溶接装置 |
-
1980
- 1980-09-12 JP JP13067380U patent/JPS595503Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57132775U (ja) | 1982-08-18 |
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