JPS5957790A - エネルギ−情報記録用膜体の形成方法 - Google Patents
エネルギ−情報記録用膜体の形成方法Info
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- JPS5957790A JPS5957790A JP57168621A JP16862182A JPS5957790A JP S5957790 A JPS5957790 A JP S5957790A JP 57168621 A JP57168621 A JP 57168621A JP 16862182 A JP16862182 A JP 16862182A JP S5957790 A JPS5957790 A JP S5957790A
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- sputtering
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- B41M5/24—Ablative recording, e.g. by burning marks; Spark recording
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、光、熱等のエネルギービームを照射される
とき穴もしくは凹凸を形成］、情報を記録させるエネル
ギー情報記録用膜体の形成方法に係り、Ｉｊ′Ｉに膜体
が１１（融点金属の反応性スパッタリングにより形成さ
ｔｌ、る際、低融点金属ターゲット表面に反応性スパッ
タリングの間反応生成物ｋ ｊ（１’ ４’＋’ｉさせ
ず、薄膜を再現性良好に得させるよう改良さｉまたエネ
ルギー情報ｉ［４録用ル゛さ休の形成方法にある。
とき穴もしくは凹凸を形成］、情報を記録させるエネル
ギー情報記録用膜体の形成方法に係り、Ｉｊ′Ｉに膜体
が１１（融点金属の反応性スパッタリングにより形成さ
ｔｌ、る際、低融点金属ターゲット表面に反応性スパッ
タリングの間反応生成物ｋ ｊ（１’ ４’＋’ｉさせ
ず、薄膜を再現性良好に得させるよう改良さｉまたエネ
ルギー情報ｉ［４録用ル゛さ休の形成方法にある。
１発明の技術的背貝とその問題点〕
低ｈｉｊｌ１点金用を反応性スパッタリングさせてエネ
ルギー情報例えば光学的情報ｉ？１録用膜用膜体成する
１１１合の技術的問題として、メタン（（Ｊｌ、）、エ
タン（Ｃ４Ｔ１６）々どのスパッタガス稗ヲ用いて記録
用膜体ｅＪＩＪ成するとき、低融点金属ターゲット表面
に反応生成物が反応性スパッタリングの時間経過ととも
にに次堆積され、こ１７につれて１１か形成凍鹿が小さ
くなって最後に姓とＡ２ど＋＋Ｓ形成がで六力（なるこ
とが上げらｉｌろ。こ、のように膜彫成神１１Ｙが反応
（’ｌ＝ｌニスバッタ変化することに基因り１．で、記
録用膜体の絹成れ安宇七ず再現性のある薄膜がイ１．＋
ら力。
ルギー情報例えば光学的情報ｉ？１録用膜用膜体成する
１１１合の技術的問題として、メタン（（Ｊｌ、）、エ
タン（Ｃ４Ｔ１６）々どのスパッタガス稗ヲ用いて記録
用膜体ｅＪＩＪ成するとき、低融点金属ターゲット表面
に反応生成物が反応性スパッタリングの時間経過ととも
にに次堆積され、こ１７につれて１１か形成凍鹿が小さ
くなって最後に姓とＡ２ど＋＋Ｓ形成がで六力（なるこ
とが上げらｉｌろ。こ、のように膜彫成神１１Ｙが反応
（’ｌ＝ｌニスバッタ変化することに基因り１．で、記
録用膜体の絹成れ安宇七ず再現性のある薄膜がイ１．＋
ら力。
にくい欠点を招く。そこでＣ［１，やＣ，ｔＴ、１万ス
を用いて反応性スパッタリング法によって角」１件のあ
る薄膜体金得るためにＣ」、−回薄謹を形成する毎にタ
ーゲット表面に堆積Ｉ−た反１ト、生成物を揚械的に１
咥去するか、又はアルゴン（Ａｒ）等不活＋ｌニー１ｊ
ス中でターゲットをプレスパツタリングして漬婦化１．
てから薄膜を形成するし２かかい。
を用いて反応性スパッタリング法によって角」１件のあ
る薄膜体金得るためにＣ」、−回薄謹を形成する毎にタ
ーゲット表面に堆積Ｉ−た反１ト、生成物を揚械的に１
咥去するか、又はアルゴン（Ａｒ）等不活＋ｌニー１ｊ
ス中でターゲットをプレスパツタリングして漬婦化１．
てから薄膜を形成するし２かかい。
〔発明の目的〕
この発明はこのようなエネルギー情報記録用膜体の形成
方法の欠点を除へ改けするもので、高感度でかつ長寿命
の先覚的情報記録用１１４ｊ体を安定にかつ再現性良好
に得させるよう改良されたエネルギー情報記録用腔体の
ｆｉ？成方法を提供するにある。
方法の欠点を除へ改けするもので、高感度でかつ長寿命
の先覚的情報記録用１１４ｊ体を安定にかつ再現性良好
に得させるよう改良されたエネルギー情報記録用腔体の
ｆｉ？成方法を提供するにある。
即ちとの発明＆：ｌ：（１）低融点金属を反応性スノく
・ツタリングさせて基板上にエネルギーＧ’を訓・シ記
０川［７，−住を形成する番・こあたり、スパッタリン
グ中のガス雰囲気が、不活性ガスＸと炭１及びｌヒ素を
含む反応性ガスＹとのガス混合比Ｘ／Ｙを１／４≦Ｘ／
Ｙ ＜ ４／１の１・１１．囲におくように選択され、
眸体形成な・Ｆ’＋ｆｔ？性良好にＩ２ているエネルギ
ー情報記録用膜０の形成方法、夕は（２）低１独点金屈
１ｔ、ｔテルル、ビスマス、亜鉛、カドミウム、インジ
ウム、アンチモン、鉛、代のうちいずれか−又は複数か
らなる金々４である八［ＩＥ（１１項に記載のエネルギ
ー悄４’ｌ’ Ｎｊｉ録用１］〆Ｖ体の形成方法、又目
（３）スパッタリング中のガス朴とし、て不活１・１ガ
スＸはアル−１ンから成り反応性ガスＹはメタン、エタ
ン、プロパン、エチレン、アセチレンのいずれか−又は
これらの泪、合ガスから々る前記（１）工百にｔ１１〕
載のエネルギー１１“１報記録用膜体のｊ［・☆成力法
にある。
・ツタリングさせて基板上にエネルギーＧ’を訓・シ記
０川［７，−住を形成する番・こあたり、スパッタリン
グ中のガス雰囲気が、不活性ガスＸと炭１及びｌヒ素を
含む反応性ガスＹとのガス混合比Ｘ／Ｙを１／４≦Ｘ／
Ｙ ＜ ４／１の１・１１．囲におくように選択され、
眸体形成な・Ｆ’＋ｆｔ？性良好にＩ２ているエネルギ
ー情報記録用膜０の形成方法、夕は（２）低１独点金屈
１ｔ、ｔテルル、ビスマス、亜鉛、カドミウム、インジ
ウム、アンチモン、鉛、代のうちいずれか−又は複数か
らなる金々４である八［ＩＥ（１１項に記載のエネルギ
ー悄４’ｌ’ Ｎｊｉ録用１］〆Ｖ体の形成方法、又目
（３）スパッタリング中のガス朴とし、て不活１・１ガ
スＸはアル−１ンから成り反応性ガスＹはメタン、エタ
ン、プロパン、エチレン、アセチレンのいずれか−又は
これらの泪、合ガスから々る前記（１）工百にｔ１１〕
載のエネルギー１１“１報記録用膜体のｊ［・☆成力法
にある。
このように＋７て形成さ１するエネルギー情報記釘・用
１ｐ体（・１１、高感度と長寿命とを兼ね備えるもので
ある。
１ｐ体（・１１、高感度と長寿命とを兼ね備えるもので
ある。
以下図面を用いとの発明の実旋１９＋１について、ボべ
ろ。
ろ。
第１図し１この例で形成されたエネルギーＲｉ卸記録用
ド（体のｉＪｉ而図面もム。図において基板（１）けこ
の例ではアクリルＩｓｌ ｎｉ￥櫂であみが、他の合成
和１脂仮又Ｖ１．ガラス板で八つ“ｔ゛もよい。（１′
ｆ報ｉｔｉ’、！の碕み１、＋１ Ｌ、方法によって適
宜選：１１’ｅする。この基板上にＣ及びＩＩを含有す
る低重“籾点金Ｐ薄脱のエネルギー情’Ｈｉ ｎｉ”＋
膜用１１直体（２）が７−゛ノｆ、さｔ ２ｏｏＸ −
＝ ５ｎｏｏ入 ｉ“ｐ ＋ｗ（（【７ておかメ１，１
いみ。ここで１低ト′１１点金厘ノーＬ７てシー１、Ｔ
ｅ １ｎ ｉ ％ Ｚｎ ％ Ｃｄ ｓ Ｔ ｎ ｓ
８ ｈ、Ｐｈ、Ｓｎ などもしくけこ〕１らの合金が
使用さｆｌ、る。
ド（体のｉＪｉ而図面もム。図において基板（１）けこ
の例ではアクリルＩｓｌ ｎｉ￥櫂であみが、他の合成
和１脂仮又Ｖ１．ガラス板で八つ“ｔ゛もよい。（１′
ｆ報ｉｔｉ’、！の碕み１、＋１ Ｌ、方法によって適
宜選：１１’ｅする。この基板上にＣ及びＩＩを含有す
る低重“籾点金Ｐ薄脱のエネルギー情’Ｈｉ ｎｉ”＋
膜用１１直体（２）が７−゛ノｆ、さｔ ２ｏｏＸ −
＝ ５ｎｏｏ入 ｉ“ｐ ＋ｗ（（【７ておかメ１，１
いみ。ここで１低ト′１１点金厘ノーＬ７てシー１、Ｔ
ｅ １ｎ ｉ ％ Ｚｎ ％ Ｃｄ ｓ Ｔ ｎ ｓ
８ ｈ、Ｐｈ、Ｓｎ などもしくけこ〕１らの合金が
使用さｆｌ、る。
例え＆Ｊ：’ｒｒをターゲットとし、ＣとｌＩヲ含む一
１１和炭化水素ＣＩＴ、又ｋｌ ＣｔｌＴｅガスの反応
性ガスと不活１′１ガスのＡｒとのン昆合ガスＪ七ｆ：
変えてスパッタす７）ことによυ、（ｊ及びＴＩを含む
７ｐ薄膜を光学情報ｉ１４炒用膜体（２）とじで形成１
．てみる。このＴｅ 書１ｆ’３中のＣ乃び■■６有μ
シ１、この＋４，１合Ａｒと（ｌ１４ｔ ＃−＆、ｆ
Ｃ，Ｏｎとの混合比ｆＫ−変えることによって制ＦＦＩ
Ｉす７・ことが出来る。沖： ２ ｐＸｌはこの１１六
合比が膜形成速度（Ｘ／ｎ、＋ ｒ＋ ）と相関的であ
ることを示１．ている。スパッタリング中のガスの分圧
比による膜形成速度（Ｘ／ｉｎ ｉ ｎ）は、不活性ガ
ス（Ｘ）ｉ−Ａｒと１７、反応性ガス（Ｙ） ｆ Ｃ１
０又けＣ，ＩＩ、にし、スパッタリング中の電流−電圧
を−ｅにするとガス分圧比Ｐｘ／ＰｙＯ比によって沖マ
リ、Ｐ Ｘ／’Ｐ Ｙ ＝ ０のときすなわちＣ１ｌ、
ＶはＣ，Ｈ，１００チのときの膜形成速度を最小に＋
２、Ｐｘ／Ｐｙ ＝■のときすなわちＡ、ｒ １００％
のときに事大にしている。
１１和炭化水素ＣＩＴ、又ｋｌ ＣｔｌＴｅガスの反応
性ガスと不活１′１ガスのＡｒとのン昆合ガスＪ七ｆ：
変えてスパッタす７）ことによυ、（ｊ及びＴＩを含む
７ｐ薄膜を光学情報ｉ１４炒用膜体（２）とじで形成１
．てみる。このＴｅ 書１ｆ’３中のＣ乃び■■６有μ
シ１、この＋４，１合Ａｒと（ｌ１４ｔ ＃−＆、ｆ
Ｃ，Ｏｎとの混合比ｆＫ−変えることによって制ＦＦＩ
Ｉす７・ことが出来る。沖： ２ ｐＸｌはこの１１六
合比が膜形成速度（Ｘ／ｎ、＋ ｒ＋ ）と相関的であ
ることを示１．ている。スパッタリング中のガスの分圧
比による膜形成速度（Ｘ／ｉｎ ｉ ｎ）は、不活性ガ
ス（Ｘ）ｉ−Ａｒと１７、反応性ガス（Ｙ） ｆ Ｃ１
０又けＣ，ＩＩ、にし、スパッタリング中の電流−電圧
を−ｅにするとガス分圧比Ｐｘ／ＰｙＯ比によって沖マ
リ、Ｐ Ｘ／’Ｐ Ｙ ＝ ０のときすなわちＣ１ｌ、
ＶはＣ，Ｈ，１００チのときの膜形成速度を最小に＋
２、Ｐｘ／Ｐｙ ＝■のときすなわちＡ、ｒ １００％
のときに事大にしている。
Ａ［とＣ１４又けＣ２Ｈ１１の混合比′（！−変えるこ
とにより、′１゛ｅ薄ｌｌＩ□ｈ中のＣ及びＨの含有量
を任童に制御でき、）Ｙ：学情報ａＩ−録用１（々体の
感度、寿命のＲと特性からＡｒとＣＩＴ４の混合比が決
まるのである。
とにより、′１゛ｅ薄ｌｌＩ□ｈ中のＣ及びＨの含有量
を任童に制御でき、）Ｙ：学情報ａＩ−録用１（々体の
感度、寿命のＲと特性からＡｒとＣＩＴ４の混合比が決
まるのである。
高周波スパッタ装置又は電流スパッタ装置を用いて前述
の１１＜Ｉを）形成するとへ、例えばＡｒとＣＩ？、の
混合比を選択しないと反応性スパッタリング中にＴｅの
ターゲット表面に反応生成物が堆積１．てターゲット表
面を偽゛實し膜形成速度をＳ：！、激に曽゛化させろ。
の１１＜Ｉを）形成するとへ、例えばＡｒとＣＩ？、の
混合比を選択しないと反応性スパッタリング中にＴｅの
ターゲット表面に反応生成物が堆積１．てターゲット表
面を偽゛實し膜形成速度をＳ：！、激に曽゛化させろ。
いまＡｒとＣ１１４の混合比を膏えたときのスパッタリ
ング時間（ｍｌｎ）と放＊、 ′＋ｌＣＩＥ（Ｖ ）の
関係１１図に示す。ここで放Ｎ、 １１］；圧（Ｖ）は
、ターゲット表面の変質及び反応性生成物の堆積計に比
例して高くなり、この霞化からターゲット表面の変り４
と反応生成物のＩＩ０積を汗ｆ ４（＃定することがで
きる。曲細イ辷、ｔ Ａ−ｒとＣ［（４のガス混合比Ｐ
Ａ、／Ｐｃｌ＋、 ＝−Ｍ （Ｃ１ｌ、 １００チ）の
条件に係るもので、放■、１１：ｆ、 Ｈ”、 （Ｖ
）はスパッタリング時間経過に七もなって」二層し、ス
タート時４５０ｖからスパッタリング時間：３０分子
５２０ Ｖ以上となり、１゛ｅのターゲット表面が碗゛
質していることを示している。ｄｌ＋ ＃−τゴけＰＡ
、／ＰＣＩ＋４＝ １．／４の条件のときの放電１（、
圧（Ｖ）の偽−化を、父曲Ｗ４ａハけＰＡ１／Ｐｃｎ、
＞４／ｌの条件のとＡの放＋ｌ？、 ′Ｉｌｔ圧（Ｖ）
の槙・化を示す。Ｃ１（４１（１０％に比較して放雷、
市、圧（Ｖ）の」二層は小さく ＴｅのターゲラＦ Ｎ
面の変質が少ないことを示し、ＰＡｒ／Ｐｃｕ、 〉４
となると＋１Ｉｅ（７） ターゲット表面の変質が殆ど
ないことが認められる。これ等のスパッタリングに使用
さｉまたｌ１ｌｅターゲツトは曲線イ例に係る表面色調
を灰色乃至黒色に、曲線口ｐＨに係る表面色ト１．ｔを
薄い灰色に、四紳ノ・例１マ係る刃面色調をＴｏ合金１
色に１−ている。？ Ｒ１１箱、圧（Ｖ）の変化はＴｅ
のターゲットの色囮女化に対応することが認められる。
ング時間（ｍｌｎ）と放＊、 ′＋ｌＣＩＥ（Ｖ ）の
関係１１図に示す。ここで放Ｎ、 １１］；圧（Ｖ）は
、ターゲット表面の変質及び反応性生成物の堆積計に比
例して高くなり、この霞化からターゲット表面の変り４
と反応生成物のＩＩ０積を汗ｆ ４（＃定することがで
きる。曲細イ辷、ｔ Ａ−ｒとＣ［（４のガス混合比Ｐ
Ａ、／Ｐｃｌ＋、 ＝−Ｍ （Ｃ１ｌ、 １００チ）の
条件に係るもので、放■、１１：ｆ、 Ｈ”、 （Ｖ
）はスパッタリング時間経過に七もなって」二層し、ス
タート時４５０ｖからスパッタリング時間：３０分子
５２０ Ｖ以上となり、１゛ｅのターゲット表面が碗゛
質していることを示している。ｄｌ＋ ＃−τゴけＰＡ
、／ＰＣＩ＋４＝ １．／４の条件のときの放電１（、
圧（Ｖ）の偽−化を、父曲Ｗ４ａハけＰＡ１／Ｐｃｎ、
＞４／ｌの条件のとＡの放＋ｌ？、 ′Ｉｌｔ圧（Ｖ）
の槙・化を示す。Ｃ１（４１（１０％に比較して放雷、
市、圧（Ｖ）の」二層は小さく ＴｅのターゲラＦ Ｎ
面の変質が少ないことを示し、ＰＡｒ／Ｐｃｕ、 〉４
となると＋１Ｉｅ（７） ターゲット表面の変質が殆ど
ないことが認められる。これ等のスパッタリングに使用
さｉまたｌ１ｌｅターゲツトは曲線イ例に係る表面色調
を灰色乃至黒色に、曲線口ｐＨに係る表面色ト１．ｔを
薄い灰色に、四紳ノ・例１マ係る刃面色調をＴｏ合金１
色に１−ている。？ Ｒ１１箱、圧（Ｖ）の変化はＴｅ
のターゲットの色囮女化に対応することが認められる。
また、Ａｒとｃ］１４の混合比舌・協えたとへのスパッ
タリング時間（＋旧「１）とｌ＋：ｌ＝” ｌ”ｚ成ｉ
虫度（シ′！ＩＩ Ｉ ｎ ）の関係？！−ｙｒｒ ４
ｒａ ｖこ示ず。第４１２１の曲糾いＣＦ、ＡｒとＣ
１（４混合比ＰＡｒ／Ｐｃｏ、 −” （（川。１００
％）σ； ’、＋”： ｆｌで、スパッタリングしたと
きのＨ５コ形ｌＪＩ岨度（Ａ／ｎ目口）の変化を示すも
ので、スパッタリング時間経通とと本に膜形成速度（Ｌ
’−＋ｎ）は低くなり、スパッタリング時間５０分では
膜形成ｉ・１も度（しｎ ｉ ｎ ） ｔＪ’、 １０
Ａ／ｍｉｎの程度にまで低下している。これに比較し
てＡｒと（”Ｈ，の混合比がＰＡｒ／Ｐｅｎ、 ＝ １
／４の条件のときの曲線ろと、ＰＡｒ／’ＣＩ＋４≧４
／１の条件のときの曲線はではスパッタリング時間（１
旧ｎ）が経過（７ても膜形成速ｊハ（し旧ｎ）の変化は
小きい。こ内ようにＡｒとＣ１ｌ、のガス混合比を制御
しなければＴｅのターゲットの汚染を招き安定した膜形
成速１ｍが１ｉｔらノ１なイカラＨ５１ｉｆｅ、 ノＣ
：及び［Ｉの含イ）ｈ：を不定にし Ｉｌｌ 、・系記
膜用形〜体の％ ｉｌおよび量産性に問題音とソめる。
タリング時間（＋旧「１）とｌ＋：ｌ＝” ｌ”ｚ成ｉ
虫度（シ′！ＩＩ Ｉ ｎ ）の関係？！−ｙｒｒ ４
ｒａ ｖこ示ず。第４１２１の曲糾いＣＦ、ＡｒとＣ
１（４混合比ＰＡｒ／Ｐｃｏ、 −” （（川。１００
％）σ； ’、＋”： ｆｌで、スパッタリングしたと
きのＨ５コ形ｌＪＩ岨度（Ａ／ｎ目口）の変化を示すも
ので、スパッタリング時間経通とと本に膜形成速度（Ｌ
’−＋ｎ）は低くなり、スパッタリング時間５０分では
膜形成ｉ・１も度（しｎ ｉ ｎ ） ｔＪ’、 １０
Ａ／ｍｉｎの程度にまで低下している。これに比較し
てＡｒと（”Ｈ，の混合比がＰＡｒ／Ｐｅｎ、 ＝ １
／４の条件のときの曲線ろと、ＰＡｒ／’ＣＩ＋４≧４
／１の条件のときの曲線はではスパッタリング時間（１
旧ｎ）が経過（７ても膜形成速ｊハ（し旧ｎ）の変化は
小きい。こ内ようにＡｒとＣ１ｌ、のガス混合比を制御
しなければＴｅのターゲットの汚染を招き安定した膜形
成速１ｍが１ｉｔらノ１なイカラＨ５１ｉｆｅ、 ノＣ
：及び［Ｉの含イ）ｈ：を不定にし Ｉｌｌ 、・系記
膜用形〜体の％ ｉｌおよび量産性に問題音とソめる。
次にｒ黒度７０℃、相対湿度８５チの雰囲気中で２００
時間経過後のこの記録用膜体の窓用、すなわちｆＪ命特
性を、スパッタリング中のＡｒとＣ１１４ガス１ｊｉ１
合比Ｐ Ａｒ／ｒ’ ｃ＋＋４０〜（ト）に対応させて
示す。尚感度は、記録延必要庁エネルギーの逆数の初期
値に対する変化で示１．である。Ａτ、Ｉ−（ＩＩ４の
ガス混合比がＰＡｒ／ｐｃ、、 ＞ ４／Ｉ ＪＵ、
上でもＡとき２００時間軒過経過と感度は劣化している
。時間とともに局部的な透明領域、シミを発生するため
である。こり１に対してＡｒとＣ１１，のガス混合比が
ＰＡｒ／Ｐｃｕ４＜ ４７１以下であると六にｌ’Ｔｉ
： ２０（１時間軒渦後もシミ１す）させず、一定の感
度を保持し２ており、内命の点で優ねている。
時間経過後のこの記録用膜体の窓用、すなわちｆＪ命特
性を、スパッタリング中のＡｒとＣ１１４ガス１ｊｉ１
合比Ｐ Ａｒ／ｒ’ ｃ＋＋４０〜（ト）に対応させて
示す。尚感度は、記録延必要庁エネルギーの逆数の初期
値に対する変化で示１．である。Ａτ、Ｉ−（ＩＩ４の
ガス混合比がＰＡｒ／ｐｃ、、 ＞ ４／Ｉ ＪＵ、
上でもＡとき２００時間軒過経過と感度は劣化している
。時間とともに局部的な透明領域、シミを発生するため
である。こり１に対してＡｒとＣ１１，のガス混合比が
ＰＡｒ／Ｐｃｕ４＜ ４７１以下であると六にｌ’Ｔｉ
： ２０（１時間軒渦後もシミ１す）させず、一定の感
度を保持し２ており、内命の点で優ねている。
それ故’Ｔ’ｅ＊ｌＩｌλ中にＣ及び１１を含有する１
“ｅ系薄１１への記録用膜体を反応性スパッタリング法
１ｒ Ｊ：すｆ１成するＫＣＪ上ｊボの、用台Ａｒであ
る不活性ガス（Ｘ）と、飽和炭化水素Ｃ１（４又＆Ｊ：
Ｃ２Ｔ（、である反応ｆｆガス（Ｙ）のガス混合比、
叩ち分１［：仕Ｐｘ／Ｐｙを１／４ ＜ ｐＡ、／ＰＣ
１１，、＜ ４／Ｉの範囲に限定しなけ）］ばなら々い
のである。要約ずれＶ」１、混合比のＦ限値をＰＡｒ／
Ｆ’ｃｏ、 ＝１／４にする理由ｔｉｔこの値Ｊ工１、
下では反応１′１．スパッタリング中に′ｒｅのターゲ
ット表面が匁−化（７て膜１ヒ成速度を安定にさぜす、
回じ組成のＴｅ系１１１１録用１１＋’Ａ体ケ得させず
、かつＩＩつ”を体形成速度を低下させてｍ産性を失う
ことにある１、また、混合比の上限をＰＡｒ／ｐｃ＋１
．−： ４／Ｉとする理由はＩ’＊ｒ／Ｐｃｎ、−４／
Ｉ以上となると記録用■・１体が劣化することにある。
“ｅ系薄１１への記録用膜体を反応性スパッタリング法
１ｒ Ｊ：すｆ１成するＫＣＪ上ｊボの、用台Ａｒであ
る不活性ガス（Ｘ）と、飽和炭化水素Ｃ１（４又＆Ｊ：
Ｃ２Ｔ（、である反応ｆｆガス（Ｙ）のガス混合比、
叩ち分１［：仕Ｐｘ／Ｐｙを１／４ ＜ ｐＡ、／ＰＣ
１１，、＜ ４／Ｉの範囲に限定しなけ）］ばなら々い
のである。要約ずれＶ」１、混合比のＦ限値をＰＡｒ／
Ｆ’ｃｏ、 ＝１／４にする理由ｔｉｔこの値Ｊ工１、
下では反応１′１．スパッタリング中に′ｒｅのターゲ
ット表面が匁−化（７て膜１ヒ成速度を安定にさぜす、
回じ組成のＴｅ系１１１１録用１１＋’Ａ体ケ得させず
、かつＩＩつ”を体形成速度を低下させてｍ産性を失う
ことにある１、また、混合比の上限をＰＡｒ／ｐｃ＋１
．−： ４／Ｉとする理由はＩ’＊ｒ／Ｐｃｎ、−４／
Ｉ以上となると記録用■・１体が劣化することにある。
この発明でターゲットはＩｌｌ ｅのみならず、低融点
全日のＢ Ｉ Ｎ Ｚｎ １ＣＨＩ、Ｉｎ、 Ｒｈ、
Ｐｂ、 Ｓｎなど又はこれらの合金から選択してよい。
全日のＢ Ｉ Ｎ Ｚｎ １ＣＨＩ、Ｉｎ、 Ｒｈ、
Ｐｂ、 Ｓｎなど又はこれらの合金から選択してよい。
反応性ガスはＣ１１，又はＣ２１１，１４てかぎらｈず
飽第１１炭化水素又は不飽オＩＩ炭化水素をもちいてよ
い。
飽第１１炭化水素又は不飽オＩＩ炭化水素をもちいてよ
い。
〔４１も１明の効、！ｔ〕
とのようなこの発明によればスパッタガス種の混合比を
適正に選択して反応性スパッタリングさせマいるために
感度および六命共に優れたエネルギー情報記に偵用膜体
ｒ再甥、性よくかつ安価で［Ｉ産的に１４させることが
できる。
適正に選択して反応性スパッタリングさせマいるために
感度および六命共に優れたエネルギー情報記に偵用膜体
ｒ再甥、性よくかつ安価で［Ｉ産的に１４させることが
できる。
第１図はこの発明の笑施例に係るエネルギー情報記録＋
１４膜体を示寸断′・面図 ？＋）２図計１雰囲気ガス
混合比と膜形成速度の関係を示１曲線図、第３図ｉｔ
Ｊｉ スｙＦＡ 合比によるスパッタリング時間と故′
市市ＩＦの関係を示す曲線図、第４図は雰囲気ガス混合
）［；によるスパッタリング時間々膜形成；中Ｉ＋１の
間係を示す曲紳図、ｊ１％ ５図け￥施例にｆ＊ ７．
貫１１録Ｊｔ口ト□′（体につい゛ｒ劣化、１４２騎後
のガス混、負１１シと感、 （ｆ（を示１−１ヅ１であ
る。 代１１１１人 ブｒ、ｒ’ｌ！−Ｊ： 、１）Ｆ十−
用第 １ 図 第 ２ 図 ＯＸ ｙ／ 努 〜 、ス６ツ７’？ａ７Ｊ’７５ｒＬｆ計１” （Ｔ’Ａｆ
ｃＨｔ−）第 ３ 図 ↓ ↑ １ ．１．−、−、、−、、、
−、、、、 ＋ 、 、、、、、、−、、、、、、、
、、、−ｊ −、−３０７）ｎ プＯｌ？
Ｄ メパッｙりン７’Ｎ月８ （垣ｉル） 第４図 寸 退 ｄＤ Ｉ、、０ ’？ＤＸパ
ッ７りン７”時％’ｌ （ｍｒｎ−）１．０
１４膜体を示寸断′・面図 ？＋）２図計１雰囲気ガス
混合比と膜形成速度の関係を示１曲線図、第３図ｉｔ
Ｊｉ スｙＦＡ 合比によるスパッタリング時間と故′
市市ＩＦの関係を示す曲線図、第４図は雰囲気ガス混合
）［；によるスパッタリング時間々膜形成；中Ｉ＋１の
間係を示す曲紳図、ｊ１％ ５図け￥施例にｆ＊ ７．
貫１１録Ｊｔ口ト□′（体につい゛ｒ劣化、１４２騎後
のガス混、負１１シと感、 （ｆ（を示１−１ヅ１であ
る。 代１１１１人 ブｒ、ｒ’ｌ！−Ｊ： 、１）Ｆ十−
用第 １ 図 第 ２ 図 ＯＸ ｙ／ 努 〜 、ス６ツ７’？ａ７Ｊ’７５ｒＬｆ計１” （Ｔ’Ａｆ
ｃＨｔ−）第 ３ 図 ↓ ↑ １ ．１．−、−、、−、、、
−、、、、 ＋ 、 、、、、、、−、、、、、、、
、、、−ｊ −、−３０７）ｎ プＯｌ？
Ｄ メパッｙりン７’Ｎ月８ （垣ｉル） 第４図 寸 退 ｄＤ Ｉ、、０ ’？ＤＸパ
ッ７りン７”時％’ｌ （ｍｒｎ−）１．０
Claims (3)
- （１）低融点金属を反応ゼ１゛スパッタリングさせて基
板上にエネルギー情報記録用１１ｑ体を形成するにあた
り、スパッタリング中のガス雰囲気が、不活性ガスＸと
炭素及び水素を含む反応ｆ７．１ガスＹとのガス混合比
ＶＹを１／４≦Ｘ／Ｙ ＜ ４／１の範囲におくように
成択さｆｌ−１膜体形成を百現件ｎ灯にしていることを
特徴とするエネルギー情報ＭｊＦ録用膜体の形成方法。 - （２）低融点金属ｔ」、テルル、ビスマス、亜鉛、カド
ミウム、インジウム、アンチｆ：ン、鉛、錫のうちいず
ハか一又一複数からなる金属であることを特徴とする特
ｎ’ｆ請求の範囲第１項に記載のエネルギー情＋ｌＪ
ｊｔｌＥ録用膜体用膜体方法。 - （３） スパッタリング中のガス神と１２で不活性ガ
スＸはアルゴンから成り反［Ｃ４、性ガスＹはメタン、
エタン、プロパン、エチレン、アセチレンのい、ずＪ］
か−又はこｔｌらの混合ガスからなることを／ｌｊｒ徴
とする特許請求の範囲第１項に記載のエネルギー情報記
録用膜体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168621A JPS5957790A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | エネルギ−情報記録用膜体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57168621A JPS5957790A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | エネルギ−情報記録用膜体の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957790A true JPS5957790A (ja) | 1984-04-03 |
| JPS6342594B2 JPS6342594B2 (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=15871449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57168621A Granted JPS5957790A (ja) | 1982-09-29 | 1982-09-29 | エネルギ−情報記録用膜体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957790A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61110348A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-28 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
| JPS6233348A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
-
1982
- 1982-09-29 JP JP57168621A patent/JPS5957790A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61110348A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-28 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
| JPS6233348A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学的記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6342594B2 (ja) | 1988-08-24 |
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