JPS6233348A - 光学的記録媒体 - Google Patents
光学的記録媒体Info
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- JPS6233348A JPS6233348A JP60172647A JP17264785A JPS6233348A JP S6233348 A JPS6233348 A JP S6233348A JP 60172647 A JP60172647 A JP 60172647A JP 17264785 A JP17264785 A JP 17264785A JP S6233348 A JPS6233348 A JP S6233348A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザビームを照射して局部的に加熱し、その
加熱部に穴もしくは凹部又は凸部を形成することによっ
て記録する光学記録用媒体に関するものである。
加熱部に穴もしくは凹部又は凸部を形成することによっ
て記録する光学記録用媒体に関するものである。
（従来の技術）
基板上に形成された薄膜にレーザビームを照射して、ピ
ットを形成するようにした光学的記録用媒体として、従
来よりＴｅを使用することが知られている。Ｔｅは低融
点、低熱伝導度を有する為に、上記方法による記録にお
いて高い感度を示す。しかし、Ｔｅは酸化きれ易く、酸
化されると透明になシ記録が出来なくなるという問題が
ある。
ットを形成するようにした光学的記録用媒体として、従
来よりＴｅを使用することが知られている。Ｔｅは低融
点、低熱伝導度を有する為に、上記方法による記録にお
いて高い感度を示す。しかし、Ｔｅは酸化きれ易く、酸
化されると透明になシ記録が出来なくなるという問題が
ある。
の等がある（たとえば、特開昭Ｊ’ ｊ −Ｊ’／／θ
に号公報、特開昭ｊ１”−！ヌ３３／号公報度、特開昭
ｊ７−タ１３タダ号公報）。
に号公報、特開昭ｊ１”−！ヌ３３／号公報度、特開昭
ｊ７−タ１３タダ号公報）。
Ｔｅを合金化したものではＴｅ ０８合金が耐酸化性に
優れた膜として知られている。これはＴｅ、Ｓｅの蒸看
あるいはＴｅＳｅ合金ターゲットのスパッタリングによ
り得ることができる。
優れた膜として知られている。これはＴｅ、Ｓｅの蒸看
あるいはＴｅＳｅ合金ターゲットのスパッタリングによ
り得ることができる。
しかし、上記方法により得られたＴｅ Ｂｅ合金薄膜は
サブミクロンオーダーの結晶粒径をもち、書生信号のノ
イズが大きいという難点をもつ、この結晶粒径を小さく
する為に、工ｎ、 ８１１、ｐｂ。
サブミクロンオーダーの結晶粒径をもち、書生信号のノ
イズが大きいという難点をもつ、この結晶粒径を小さく
する為に、工ｎ、 ８１１、ｐｂ。
Ｂ１、Ｓｌ）等の第三元素の添加が効果があることが知
られている。（％公昭Ｊター３６３！６ ）本発明者ら
は、このようなＴｅを中心上する系についてさらに種々
検討した結果、経時安定性が優れかつ蒸着法、スパッタ
リング法で問題となる結晶粒径を抑えた記録媒体を得、
本発明に到達した。
られている。（％公昭Ｊター３６３！６ ）本発明者ら
は、このようなＴｅを中心上する系についてさらに種々
検討した結果、経時安定性が優れかつ蒸着法、スパッタ
リング法で問題となる結晶粒径を抑えた記録媒体を得、
本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は、基板上に金属の弗化カルコ
ゲンガスによる反応性スパッタリング膜を形成させてな
る光学的記録媒体にある。
ゲンガスによる反応性スパッタリング膜を形成させてな
る光学的記録媒体にある。
（発明の構成）
ます、本発明に係る記録媒体の基板としては、ガラス、
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック
、又はアルミニウム等の金属が挙げられ、その厚みは一
般に／〜八へ朋程度から選ばれる。
アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等のプラスチック
、又はアルミニウム等の金属が挙げられ、その厚みは一
般に／〜八へ朋程度から選ばれる。
本発明においては、この基板上に金属の弗化カルコゲン
ガスによる反応性スパッタリング族を形成させる。
ガスによる反応性スパッタリング族を形成させる。
金属としてはＴｅ、Ｂｅ、 Ｂｉあるいはこれらの合金
等のターゲットが挙げられるが、好適には’ｒｅあるい
はＴｅを主体とする金属ターゲットが挙げられる。
等のターゲットが挙げられるが、好適には’ｒｅあるい
はＴｅを主体とする金属ターゲットが挙げられる。
用いる弗化カルコゲンガスとしては、ＳＦ６、ｓｅ、Ｆ
’、、ＳｅＦ４、ｓｅＦ、、Ｔｅａ、 等弗化カルコ
ゲナイドが挙けられるが、ＳｅＦ６ が一般的である。
’、、ＳｅＦ４、ｓｅＦ、、Ｔｅａ、 等弗化カルコ
ゲナイドが挙けられるが、ＳｅＦ６ が一般的である。
本発明に係る記録用媒体は、例えば金檎ターゲットとし
てＴｅ、弗化カルコゲンとして８ｅＦ。
てＴｅ、弗化カルコゲンとして８ｅＦ。
を用いる場合、真空容器中に８ｅＰ、及びＡｒを導入し
、Ｔｅターゲットをスパッタリングして、基板上にＴｅ
−ＳｅＦ、反応性スパッタリング族を形成させること
により得られる。
、Ｔｅターゲットをスパッタリングして、基板上にＴｅ
−ＳｅＦ、反応性スパッタリング族を形成させること
により得られる。
スパッタリングに際しては、７ＩＩＪ周阪法、直流法又
はそれらのマグネトロン方式の常法によることができる
。
はそれらのマグネトロン方式の常法によることができる
。
基板温度は、室温ないし基板の軟化点未満に保持される
。、薄膜の厚みは、通＠ｒｏＡ〜／μ程度、好ましくは
コ０θ〜／、０ＯＯＡ程度である。
。、薄膜の厚みは、通＠ｒｏＡ〜／μ程度、好ましくは
コ０θ〜／、０ＯＯＡ程度である。
本発明に係る６ｃ録媒体においては、反応性スパッタリ
ング膜として、さらＫｍ性向上のため、金属−弗化カル
コゲン−有機化合物膜とすることができる。
ング膜として、さらＫｍ性向上のため、金属−弗化カル
コゲン−有機化合物膜とすることができる。
すなわち、上記、弗化カルコゲンに加え、さらに有機化
合物をガス（有機ガスという）として真空′４器内に尋
人口Ｔｅターゲットをスパッタリングし、基板上に金属
−弗化カルコゲン・有機ガス反応性スパッタリング膜を
形成させることにより本発明に係る記録媒体を得ること
ができる。
合物をガス（有機ガスという）として真空′４器内に尋
人口Ｔｅターゲットをスパッタリングし、基板上に金属
−弗化カルコゲン・有機ガス反応性スパッタリング膜を
形成させることにより本発明に係る記録媒体を得ること
ができる。
上記第３の原料としての有機化合物としては、従来、有
機放ｘｉ合膜を形成させるのに用いられているものが好
適に１史用される。
機放ｘｉ合膜を形成させるのに用いられているものが好
適に１史用される。
たとえば、好適にはベンゼン、スチレン、クロロベンゼ
ン等のベンゼンないしベンゼンｖＩ導体、ヘキサメチル
ジシロキサン等の含ケイ素化合物、エチレン等のオレフ
ィン化合物、メタン等のパラフィン類、ピリジン等のピ
リジン類、ジメチルホルムアミド等のアミド類のＮｆｉ
有化金化合物げられる。また、ジメチルテルル、ジエチ
ルテルル等のアルキル化金為等も使用しうる。
ン等のベンゼンないしベンゼンｖＩ導体、ヘキサメチル
ジシロキサン等の含ケイ素化合物、エチレン等のオレフ
ィン化合物、メタン等のパラフィン類、ピリジン等のピ
リジン類、ジメチルホルムアミド等のアミド類のＮｆｉ
有化金化合物げられる。また、ジメチルテルル、ジエチ
ルテルル等のアルキル化金為等も使用しうる。
以下、図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
第１図は本発明に係る光学記録媒体の製造のための装置
の一例（（ａ） ：高周波（ＲＦ）法、（ｂ） ：直流
（ＤＣ）法）であり、図中（１３は反応容器、（２）は
弗化カルコゲン、（及び有機ガス）及びＡｒガス導入口
、（３）は基板、（４）は金属ターゲット、（５）は電
極、（６）はシャッター、（７）は排気口である。
の一例（（ａ） ：高周波（ＲＦ）法、（ｂ） ：直流
（ＤＣ）法）であり、図中（１３は反応容器、（２）は
弗化カルコゲン、（及び有機ガス）及びＡｒガス導入口
、（３）は基板、（４）は金属ターゲット、（５）は電
極、（６）はシャッター、（７）は排気口である。
金属−弗化カルコゲン反応性スパッタリング膜の作製は
反応容器（１）を／ ０−６Ｔｏｒｒ台まで排気した後
、弗化カルコゲンガス（及び有機ガス）及びＡｒガスを
導入口（２）よυ導入し反応容器の内圧をｊｘ １０−
３〜．ｔ ｘ ／（１７−１４Ｔｏｔｒとなるようこし
、金属ターゲット表面をプリスパッタリングする。安定
化したならシャッターを開け、基板上に金属−弗化カル
コゲン（−有機化合物）反応性スパッタリング族を形成
する。
反応容器（１）を／ ０−６Ｔｏｒｒ台まで排気した後
、弗化カルコゲンガス（及び有機ガス）及びＡｒガスを
導入口（２）よυ導入し反応容器の内圧をｊｘ １０−
３〜．ｔ ｘ ／（１７−１４Ｔｏｔｒとなるようこし
、金属ターゲット表面をプリスパッタリングする。安定
化したならシャッターを開け、基板上に金属−弗化カル
コゲン（−有機化合物）反応性スパッタリング族を形成
する。
本発明に係る記録用媒体は上記のように基板上に、上記
反応性スパッタリング族を形成させてなるか、さらに基
板と堆積膜の間に記録感度の向上、基板表面の改質、孔
形状の向上等（７） ｆｃめに下引層を設けることもで
き、さらには、記録媒体の保論のために堆積膜上に保強
族を設けることもできる。
反応性スパッタリング族を形成させてなるか、さらに基
板と堆積膜の間に記録感度の向上、基板表面の改質、孔
形状の向上等（７） ｆｃめに下引層を設けることもで
き、さらには、記録媒体の保論のために堆積膜上に保強
族を設けることもできる。
得られた膜が半導体レーザの波長で十分な吸収を示すよ
うに、Ｔｅ等の金属含有量は！θ〜？！容量チ以上であ
るのが好オしい。
うに、Ｔｅ等の金属含有量は！θ〜？！容量チ以上であ
るのが好オしい。
金属と弗化カルコゲンとの二成分糸の場合には残部すな
わちｊ〜夕θ容証％が弗化カルコゲンとなり、金属、弗
化カルコゲン及び有機化合物の三成分系の場合には残部
すなわち！〜！θ容量チ容量化カルコゲンと有機化合物
からなるのが艮い。この三成分糸の場合には有機化合物
が弗化カルコゲンよ）多くｆまれているのが好ましい。
わちｊ〜夕θ容証％が弗化カルコゲンとなり、金属、弗
化カルコゲン及び有機化合物の三成分系の場合には残部
すなわち！〜！θ容量チ容量化カルコゲンと有機化合物
からなるのが艮い。この三成分糸の場合には有機化合物
が弗化カルコゲンよ）多くｆまれているのが好ましい。
本発明に係る光学的記録用媒体は、光ディス１り記録媒
体として有用であり、レーザービームを照射して加熱す
ることにより、穴をあけ、もしくは凹又は凸部を形成さ
せて、記録を行なうことができる。
体として有用であり、レーザービームを照射して加熱す
ることにより、穴をあけ、もしくは凹又は凸部を形成さ
せて、記録を行なうことができる。
（実施例）
以下、実施例により本発明を更に拝しく説明するが、本
発明が実施例のみにＰＲ定これるものでな込ことは勿論
のことである。
発明が実施例のみにＰＲ定これるものでな込ことは勿論
のことである。
実施例／
第１図（ａ）に示すスパッタリング装置を用いて、予め
洗浄したポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）又は
ポリカーボネート樹脂（ｐｃ）基板を真空屋にセットし
て室内を： ／ Ｘ ／ ０−” Ｔｏｒｒまで排気し
た後、アルゴンをコｏ ｃａｍ、 ５１３ＦＱをｒ ｃ
ａｍ流して案内圧力を”：： ｊ ｘ ／ ０−” Ｔ
ｏｒｒにして極間距離を／Ｑｎ高周波（ＲＦ）パワーを
！θＷで／ｊ秒間反応性スパッタしたところ込ずれも膜
厚ニーＪ−ＯＡのｓｅ１？ｌ、 Ｔθスパッタ膜が得
られた。
洗浄したポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）又は
ポリカーボネート樹脂（ｐｃ）基板を真空屋にセットし
て室内を： ／ Ｘ ／ ０−” Ｔｏｒｒまで排気し
た後、アルゴンをコｏ ｃａｍ、 ５１３ＦＱをｒ ｃ
ａｍ流して案内圧力を”：： ｊ ｘ ／ ０−” Ｔ
ｏｒｒにして極間距離を／Ｑｎ高周波（ＲＦ）パワーを
！θＷで／ｊ秒間反応性スパッタしたところ込ずれも膜
厚ニーＪ−ＯＡのｓｅ１？ｌ、 Ｔθスパッタ膜が得
られた。
この膜を♂３θｎｍ、ＱｍＷ出力の半纏体レーザーを用
いて記録したところ、ＰＭＭＡ基孜上に堆積した膜は、
パルス巾ＪｏＯｎ６ｅｃで、ＰＣ基板上に堆積した膜は
パルス巾２ｊＯｎθθＣでビット（開孔）が形成された
。
いて記録したところ、ＰＭＭＡ基孜上に堆積した膜は、
パルス巾ＪｏＯｎ６ｅｃで、ＰＣ基板上に堆積した膜は
パルス巾２ｊＯｎθθＣでビット（開孔）が形成された
。
更に、これらのサンプルを６０℃、ｒＯ％ＲＨの雰囲気
で／夕月間保存したところ、ｒｊＯｎｒｎでの光反射率
（３ｏ％程度）は保存前後で変化がなかった。
で／夕月間保存したところ、ｒｊＯｎｒｎでの光反射率
（３ｏ％程度）は保存前後で変化がなかった。
実施例−
子め洗浄したＰＭＭＡｌ ＰＣ基板を真空室にセットし
て室内を’：： ／ Ｘ ／ ０−’ Ｔｏｒｒ ｉで
排気した後、Ａｒを一〇ｃｃｍ流し、Ｘ窒呈内圧力を！
Ｘ ／ ０−” Ｔｏｒｒにして、極間距離♂Ｏｕｒｎ
にてＲＦパワー！ＯＷで１分、Ｔｅターゲットをプリβ
スパッタする。
て室内を’：： ／ Ｘ ／ ０−’ Ｔｏｒｒ ｉで
排気した後、Ａｒを一〇ｃｃｍ流し、Ｘ窒呈内圧力を！
Ｘ ／ ０−” Ｔｏｒｒにして、極間距離♂Ｏｕｒｎ
にてＲＦパワー！ＯＷで１分、Ｔｅターゲットをプリβ
スパッタする。
その後、Ａｒ 、！θｃｃｔｎ、六弗化硫黄（ＳＦ、
＞ ｗｊ ｃｃｍ、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（
ＤＭＦ）を、分圧比でコ、４ Ｘ ／ ０−’ Ｔｏｒ
ｒ 、真空室内に導入し、真を室内全圧力をｊ Ｘ ／
０−’ Ｔｏｒｒにする。
＞ ｗｊ ｃｃｍ、 Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（
ＤＭＦ）を、分圧比でコ、４ Ｘ ／ ０−’ Ｔｏｒ
ｒ 、真空室内に導入し、真を室内全圧力をｊ Ｘ ／
０−’ Ｔｏｒｒにする。
極間距履ｒＯｍＲ，ＲＰパワーｒＯｗにて’ｒｅターゲ
ットを一！秒スパッタして、＝３０ＯＡのＳＦ、 、
ＤＭ Ｆ−Ｔｅスパッタ厭を得た。
ットを一！秒スパッタして、＝３０ＯＡのＳＦ、 、
ＤＭ Ｆ−Ｔｅスパッタ厭を得た。
この膜を、Ｊ’ｊ０ｎｍ、４ｔｍＷ出力の半纏体し一ザ
ーを用すて記録特性を調べたところ、ＰＭＭＡ基板上に
堆積した膜は、パルス巾２０ｏｎｅｓｃで、ＰＯ基叛上
に堆積した膜はパルス巾２！０ｎ ＢｅＱでビット（開
孔）が形成された。
ーを用すて記録特性を調べたところ、ＰＭＭＡ基板上に
堆積した膜は、パルス巾２０ｏｎｅｓｃで、ＰＯ基叛上
に堆積した膜はパルス巾２！０ｎ ＢｅＱでビット（開
孔）が形成された。
更に、これらの堆積膜を１０℃、１０％ＲＨの雰囲気で
／ケ月保存したところ、♂３θｎｍでの光反射率は、保
存前後で変化がなかった。
／ケ月保存したところ、♂３θｎｍでの光反射率は、保
存前後で変化がなかった。
（発明の効果）
本発明に係る記録用媒体は、０７Ｎ比、ビット形状、コ
ントラスト、経時安定性にすぐれる。
ントラスト、経時安定性にすぐれる。
また、金栖ターゲットと反応性ガスによるスパッタで容
易に、効率よく膜が形成されるという、プロセス上の利
点も有する。
易に、効率よく膜が形成されるという、プロセス上の利
点も有する。
第１図（ａ）、（１））は、本発明に係る記録媒体の製
造のための一例を示す（（ａｌＲＦ法、（ｂ）Ｄｃ法）
。 図中（１）は、反応容器、（２）はガス尋人口、（３）
は基板、（４）は金属ターゲット、（５）は成極をそれ
ぞれ示す。
造のための一例を示す（（ａｌＲＦ法、（ｂ）Ｄｃ法）
。 図中（１）は、反応容器、（２）はガス尋人口、（３）
は基板、（４）は金属ターゲット、（５）は成極をそれ
ぞれ示す。
Claims (2)
- （１）金属を弗化カルコゲンガスにより反応性スパッタ
リングし、基板上に薄膜を形成させてなる光学的記録媒
体。 - （２）弗化カルコゲンガスに有機ガスを併用することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的記録媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172647A JPH0678032B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 光学的記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60172647A JPH0678032B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 光学的記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233348A true JPS6233348A (ja) | 1987-02-13 |
| JPH0678032B2 JPH0678032B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=15945760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60172647A Expired - Lifetime JPH0678032B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 光学的記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678032B2 (ja) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589232A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
| JPS5957790A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-03 | Toshiba Corp | エネルギ−情報記録用膜体の形成方法 |
| JPS59146461A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-22 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS59148156A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-24 | エヌ・ベ−・フイリップス・フル−イランペンファブリケン | 光学的読取可能情報デイスクの製造方法 |
| JPS59162092A (ja) * | 1984-01-20 | 1984-09-12 | Canon Inc | 記録媒体 |
| JPS6064894A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | レ−ザ−記録材料 |
| JPS60124290A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学記録媒体の製造方法 |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP60172647A patent/JPH0678032B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589232A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | Toshiba Corp | 光学的情報記録媒体 |
| JPS5957790A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-03 | Toshiba Corp | エネルギ−情報記録用膜体の形成方法 |
| JPS59148156A (ja) * | 1983-02-04 | 1984-08-24 | エヌ・ベ−・フイリップス・フル−イランペンファブリケン | 光学的読取可能情報デイスクの製造方法 |
| JPS59146461A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-22 | Canon Inc | 光学的記録媒体 |
| JPS6064894A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | レ−ザ−記録材料 |
| JPS60124290A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学記録媒体の製造方法 |
| JPS59162092A (ja) * | 1984-01-20 | 1984-09-12 | Canon Inc | 記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0678032B2 (ja) | 1994-10-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |