JPS5965465A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5965465A JPS5965465A JP57175741A JP17574182A JPS5965465A JP S5965465 A JPS5965465 A JP S5965465A JP 57175741 A JP57175741 A JP 57175741A JP 17574182 A JP17574182 A JP 17574182A JP S5965465 A JPS5965465 A JP S5965465A
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- JP
- Japan
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- region
- emitter
- vapor
- forming
- base
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
- H10D48/30—Devices controlled by electric currents or voltages
- H10D48/32—Devices controlled by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H10D48/34—Bipolar devices
- H10D48/345—Bipolar transistors having ohmic electrodes on emitter-like, base-like, and collector-like regions
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Ｎ、ＰＮｌ−ランジスタとＰ Ｎ ｊ）ラン
ジスタを備えた半導体集積回路装置（以下ＩＣという）
における、ＰＮＰ トランジスタの高ｈｌｉ’ｌｉ：化
を図った新規な半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
ジスタを備えた半導体集積回路装置（以下ＩＣという）
における、ＰＮＰ トランジスタの高ｈｌｉ’ｌｉ：化
を図った新規な半導体装置の製造方法に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
ＩＣでは、ＰＮＰトランジスタとして、一般に横型ＰＮ
Ｐ ）ランジスタがよく用いられているが、近年、Ｐ
Ｎ Ｐ／Ｎ Ｐ ＮコンプリメンタリＩＣには、第１図
に示す、工、ミッタ、ベース、コレクタ３重拡散法にお
い、て、１はＰ型半導体基板、２はＮ−型埋込層、３は
戸型埋込コレクタ領域、４はＰ＋ｎ、６はＮ−型エピタ
キシャル層、６はＰ型分離層、７はＰ−型コレクタ領域
、８はＮ型ベース領域、９は１型エミッタ領域、１０は
ｎ＋型ベースコンタクト領域、１１は保護被膜、１２は
電極である。
Ｐ ）ランジスタがよく用いられているが、近年、Ｐ
Ｎ Ｐ／Ｎ Ｐ ＮコンプリメンタリＩＣには、第１図
に示す、工、ミッタ、ベース、コレクタ３重拡散法にお
い、て、１はＰ型半導体基板、２はＮ−型埋込層、３は
戸型埋込コレクタ領域、４はＰ＋ｎ、６はＮ−型エピタ
キシャル層、６はＰ型分離層、７はＰ−型コレクタ領域
、８はＮ型ベース領域、９は１型エミッタ領域、１０は
ｎ＋型ベースコンタクト領域、１１は保護被膜、１２は
電極である。
通常、上記縦型ＰＮＰ）ランジスタのｎ ベースコンタ
クト領域１０は、ＰＮＰ）ランシスタノエミッタ領域？
形成後に、ＮＰＮトランジスタのエミッタ領域形成と同
時に形成する。そこで、ＰＮＰ）ランジスタのエミッタ
領域９上の酸化膜は、上記ベースコンタクト領域１０形
成用不純物に対するマスク効果を持たせるために、一般
１ｃ２０００〜３０００人の厚さを必要とする０その結
果、一般ＫＰＮＰ ’ｒトランジスタエミッタ用不純物
には、ボロンが使われるが、このボロンが、ベースコン
タクトの拡散時に形成される上記２０００〜３０００へ
の酸化膜に吸収されＰＮＰ ）ランジスタのエミッタ領
域９を、高濃度不純物領域とすることが難かしくこのた
めに、ＰＮＰ ）ランジスタはｈＦＥを高くすることが
困難である。
クト領域１０は、ＰＮＰ）ランシスタノエミッタ領域？
形成後に、ＮＰＮトランジスタのエミッタ領域形成と同
時に形成する。そこで、ＰＮＰ）ランジスタのエミッタ
領域９上の酸化膜は、上記ベースコンタクト領域１０形
成用不純物に対するマスク効果を持たせるために、一般
１ｃ２０００〜３０００人の厚さを必要とする０その結
果、一般ＫＰＮＰ ’ｒトランジスタエミッタ用不純物
には、ボロンが使われるが、このボロンが、ベースコン
タクトの拡散時に形成される上記２０００〜３０００へ
の酸化膜に吸収されＰＮＰ ）ランジスタのエミッタ領
域９を、高濃度不純物領域とすることが難かしくこのた
めに、ＰＮＰ ）ランジスタはｈＦＥを高くすることが
困難である。
また、従来法ではＰＮＰ ）ランジスタのエミッタ領域
とＮＰＮ）ランジスタのエミ・ツタ領域を、別々に形成
するため、ＰＮＰ 、ＮＰｌを各）ランジスタ間の特性
のバラツキを少さくすることが難かしい、等の問題があ
る。
とＮＰＮ）ランジスタのエミ・ツタ領域を、別々に形成
するため、ＰＮＰ 、ＮＰｌを各）ランジスタ間の特性
のバラツキを少さくすることが難かしい、等の問題があ
る。
発明の目的
本発明は、かかる問題点に鑑みなされたもので、ＰＮＰ
）ランジスタのエミッタ領域を高不純物濃度に制御よ
く形成でき、かつＰＮＰ、ＮＰＮ各トランジスタのエミ
ッタを一度の拡散により形成できる、新規な半導体装置
の製造方法を提供するものである。
）ランジスタのエミッタ領域を高不純物濃度に制御よ
く形成でき、かつＰＮＰ、ＮＰＮ各トランジスタのエミ
ッタを一度の拡散により形成できる、新規な半導体装置
の製造方法を提供するものである。
発明の構成
本発明はトランジスタのエミッタ領域開口部を設けた後
、この開口部にエミッタ不純物を蒸着し、そして前記エ
ミッタ領域開口部上に前記エミッタ不純物を吸収するこ
となく、またベースコンタクト領域形成用不純物に対す
るマスクとなる第２の絶縁膜を形成した後、ベースコン
タクト領域形成用の開口部を形成し、このベースコンタ
クト開口部に不純物を蒸着した後、両不純物を同時拡散
し、エミッタ領域、ベースコンタクト領域を同時形成す
るものである。
、この開口部にエミッタ不純物を蒸着し、そして前記エ
ミッタ領域開口部上に前記エミッタ不純物を吸収するこ
となく、またベースコンタクト領域形成用不純物に対す
るマスクとなる第２の絶縁膜を形成した後、ベースコン
タクト領域形成用の開口部を形成し、このベースコンタ
クト開口部に不純物を蒸着した後、両不純物を同時拡散
し、エミッタ領域、ベースコンタクト領域を同時形成す
るものである。
実施例の説明
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳述する。
第２図（、）〜（Ｃ）は、本発明の一実施例の製造工程
断面図である。同図は第１図の一部に対応する部分を示
したもので、同一番号は同一部分を示す。まず、Ｎ型ベ
ース領域８内に、通常の熱酸化法により、酸化膜１１ａ
を形成した後、上記酸化膜１１ａを選択的にエッチ除去
し、ＰＮＰトランジスタのエミッタ形成領域を開口する
。次に、Ｐ型不純物例えば、ボロン９を上記エミ・ノ形
成領域に、公知の方法により蒸着し、蒸着領域１３を形
成する（第２図ａ）。
断面図である。同図は第１図の一部に対応する部分を示
したもので、同一番号は同一部分を示す。まず、Ｎ型ベ
ース領域８内に、通常の熱酸化法により、酸化膜１１ａ
を形成した後、上記酸化膜１１ａを選択的にエッチ除去
し、ＰＮＰトランジスタのエミッタ形成領域を開口する
。次に、Ｐ型不純物例えば、ボロン９を上記エミ・ノ形
成領域に、公知の方法により蒸着し、蒸着領域１３を形
成する（第２図ａ）。
次に、第２の絶縁膜１４例えば、ＣＶＤ法による無添加
硅酸ガラス（ＮＳＧ）膜３０００人を全面に形成した後
、写真食刻技術により、ベースコンタクト部を開口し、
公知の蒸着法によりリンを蒸着し、蒸着領域１５を形成
する（第２図ｂ）ｏここで、第２の絶縁膜１４として他
に、窒化硅素膜、多結晶シリコン等を用いても良い０ この後、通常の酸化雰囲気中、１０６０°Ｃ前後の温度
で上記ボロンおよびリンを蒸着領域１３．１５から同時
拡散し、エミッタ領域９およびベース・コンタクト領域
１０を形成する。最後に、写真食刻技術を用いて、エミ
ッタ、ベース、コレクタの各コンタクト部を開口し、周
知の方法で電極形成を行う。ここで、１２Ｅ、１２Ｂ、
１２Ｃは、トランジスタのエミッタ電極、ベース電極、
およびコレクタ電極である（第２図Ｃ）０ 本発明の方法によれば、通常の酸化雰囲気中でも、ＮＳ
Ｃ膜１４により、熱酸化膜の成長が抑ｆｌｉｌｌされ、
また、エミッタ領域９とベースコンタクト領域１０を同
時に形成することにより、エミ・ツタ領域９形成のため
の拡散時間が減少し、このエミッタ領域９の形成の拡散
時に形成される熱酸化膜がなくなることにより、熱酸化
膜中へのボロンの吸収がその分だけ減少し、従来法に比
べ、約３倍の表面濃度を有するエミッタ電極９を得るこ
とができる。例えば、拡散深さ１．６μｍ、表面濃度が
従来の５．Ｘ１０ ｃｍ に対し、１．５ Ｘ １
０２０ａｎ−３である。
硅酸ガラス（ＮＳＧ）膜３０００人を全面に形成した後
、写真食刻技術により、ベースコンタクト部を開口し、
公知の蒸着法によりリンを蒸着し、蒸着領域１５を形成
する（第２図ｂ）ｏここで、第２の絶縁膜１４として他
に、窒化硅素膜、多結晶シリコン等を用いても良い０ この後、通常の酸化雰囲気中、１０６０°Ｃ前後の温度
で上記ボロンおよびリンを蒸着領域１３．１５から同時
拡散し、エミッタ領域９およびベース・コンタクト領域
１０を形成する。最後に、写真食刻技術を用いて、エミ
ッタ、ベース、コレクタの各コンタクト部を開口し、周
知の方法で電極形成を行う。ここで、１２Ｅ、１２Ｂ、
１２Ｃは、トランジスタのエミッタ電極、ベース電極、
およびコレクタ電極である（第２図Ｃ）０ 本発明の方法によれば、通常の酸化雰囲気中でも、ＮＳ
Ｃ膜１４により、熱酸化膜の成長が抑ｆｌｉｌｌされ、
また、エミッタ領域９とベースコンタクト領域１０を同
時に形成することにより、エミ・ツタ領域９形成のため
の拡散時間が減少し、このエミッタ領域９の形成の拡散
時に形成される熱酸化膜がなくなることにより、熱酸化
膜中へのボロンの吸収がその分だけ減少し、従来法に比
べ、約３倍の表面濃度を有するエミッタ電極９を得るこ
とができる。例えば、拡散深さ１．６μｍ、表面濃度が
従来の５．Ｘ１０ ｃｍ に対し、１．５ Ｘ １
０２０ａｎ−３である。
発明の効果
以上述べた、本発明の方法によれば、高濃度エミッタ領
域が形成出来、従来法比べ、約２倍のｈＦＥを持つＰＮ
Ｐ ）ランジスタを実現することが出来る。また、ＰＮ
ＰトランジスタとＮＰＮトランジスタの各エミッタを同
時拡散、形成できるためＰＮＰ、ＮＰＮ各トシトランジ
ス２間性のノくラツキが減少する等の利点を有し、半導
体集積回路、特性ＰＮＰ、ＮＰＮコンプリメンタリ−集
積回路の高性能化に大きく寄与するものである。
域が形成出来、従来法比べ、約２倍のｈＦＥを持つＰＮ
Ｐ ）ランジスタを実現することが出来る。また、ＰＮ
ＰトランジスタとＮＰＮトランジスタの各エミッタを同
時拡散、形成できるためＰＮＰ、ＮＰＮ各トシトランジ
ス２間性のノくラツキが減少する等の利点を有し、半導
体集積回路、特性ＰＮＰ、ＮＰＮコンプリメンタリ−集
積回路の高性能化に大きく寄与するものである。
第１図は、従来のＩＣにおける縦型ＰＮＰ）ランジスタ
の一例を示す断面図、第２図ａ −Ｃは、本発明の一実
施例による製造工程断面図である。 ３・・・・・・エピタキシャル層、８・・・・ベース領
域、白 ・・エミッタ領域、１ｏ・ ・・・ベースコン
タクト領域、１３・・・・・エミッタ形成用蒸着領域、
１４・・・ＮＳＣ膜、１５・・・・・ベースコンタクト
形成用蒸着領域。
の一例を示す断面図、第２図ａ −Ｃは、本発明の一実
施例による製造工程断面図である。 ３・・・・・・エピタキシャル層、８・・・・ベース領
域、白 ・・エミッタ領域、１ｏ・ ・・・ベースコン
タクト領域、１３・・・・・エミッタ形成用蒸着領域、
１４・・・ＮＳＣ膜、１５・・・・・ベースコンタクト
形成用蒸着領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基板の主表面に形成されたベース領域上の第１の
絶縁膜に、エミッタ領域形成用開口部を□ 設ける工程と、エミッタ形成用不純物を前記エミッタ領
域形成用開口部に蒸着する工程と、前記エミッタ領域形
成用開口部上に第２の絶縁膜を形成した後この第２の絶
縁膜にベースコンタクト領域形成のための開口部を設け
る工程と、前記ベースコンタクト開口部に、ベースコン
タクト形成用不純物を蒸着した後、前記エミッタ形成用
及びベースコンタクト形成用不純物を同時拡散する工程
とからなることる特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175741A JPS5965465A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57175741A JPS5965465A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5965465A true JPS5965465A (ja) | 1984-04-13 |
Family
ID=16001434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57175741A Pending JPS5965465A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5965465A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230372A (ja) * | 1985-04-19 | 1987-02-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路の製造方法 |
| JPS62214662A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 縦型ｐｎｐトランジスタの製造方法 |
-
1982
- 1982-10-06 JP JP57175741A patent/JPS5965465A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6230372A (ja) * | 1985-04-19 | 1987-02-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体集積回路の製造方法 |
| JPS62214662A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 縦型ｐｎｐトランジスタの製造方法 |
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