JPS5969975A - 半導体装置作製方法 - Google Patents
半導体装置作製方法Info
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- JPS5969975A JPS5969975A JP57181872A JP18187282A JPS5969975A JP S5969975 A JPS5969975 A JP S5969975A JP 57181872 A JP57181872 A JP 57181872A JP 18187282 A JP18187282 A JP 18187282A JP S5969975 A JPS5969975 A JP S5969975A
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- Japan
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- semiconductor
- conductivity type
- oxide
- atmosphere
- phosphorus
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/121—The active layers comprising only Group IV materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体特に反射防止膜の機能を有する透光
性導電膜がその直下の５０〜ｓｏｏ′Ａの厚さの半導体
とは逆導電型の半導体層の不純物供給源丑たｄこの半導
体と一体化機能を有ぜしめた光電変換装置に関する。
性導電膜がその直下の５０〜ｓｏｏ′Ａの厚さの半導体
とは逆導電型の半導体層の不純物供給源丑たｄこの半導
体と一体化機能を有ぜしめた光電変換装置に関する。
本発明は単結晶半導体上に透明導電膜を形成するに際し
、この透明導電膜のシート抵抗を従来の工ＴＯ（酸化ス
ズがｌＯ重量係以下例えば５φ を添加することにより、約ｘ／１００ Ｋ下げることが
できたことを見出すとともに、このＩＴＯ中のリンの一
部が半導体中に拡散添加されて、その直下の半導体層を
Ｎ型化するとともに、このＮ型半導体層と工Ｔｏとの界
面に従来より知られた電流の流れをＩＩＥ（する絶縁膜
（Ｓ ｉ Ｏｘ）を作るのではなく、リンガラス化せし
めることにより、そこでのオーム接触抵抗を下げ、さら
に高信頼性をＮ型半導体層が５０〜８００＾好ましくは
１００−半導体層を作ることができるようになったこと
を特徴としている。
、この透明導電膜のシート抵抗を従来の工ＴＯ（酸化ス
ズがｌＯ重量係以下例えば５φ を添加することにより、約ｘ／１００ Ｋ下げることが
できたことを見出すとともに、このＩＴＯ中のリンの一
部が半導体中に拡散添加されて、その直下の半導体層を
Ｎ型化するとともに、このＮ型半導体層と工Ｔｏとの界
面に従来より知られた電流の流れをＩＩＥ（する絶縁膜
（Ｓ ｉ Ｏｘ）を作るのではなく、リンガラス化せし
めることにより、そこでのオーム接触抵抗を下げ、さら
に高信頼性をＮ型半導体層が５０〜８００＾好ましくは
１００−半導体層を作ることができるようになったこと
を特徴としている。
従来半導体装置％Ｉｇ−光電変換装置において、透明導
電膜は単に基板半導体でペテロ接合を構成するための、
または反射防止膜を力・ねた導電性電極としてのみ用い
られていた。
電膜は単に基板半導体でペテロ接合を構成するための、
または反射防止膜を力・ねた導電性電極としてのみ用い
られていた。
しかしかかる構造においては、酸化スズ、酸化インジュ
ーム、ＩＴＯ等の透光性絶縁物と基板との間に屈折率小
さいＳｉＯｘがそれぞれの４４大ｇ イ〒 がンセして形成されてし寸っていた。このＳｉＯｘは屈
折率が小さいため、この形成により量産化された反射防
止膜もズレを生じ、反射が増大しさらにこの透明導電膜
（以下単にＣＴＦという）への光照射によって発生して
いたキャリアの電極への移動を防げ、結果として変換効
率の低下をもたらしてし寸っていた。
ーム、ＩＴＯ等の透光性絶縁物と基板との間に屈折率小
さいＳｉＯｘがそれぞれの４４大ｇ イ〒 がンセして形成されてし寸っていた。このＳｉＯｘは屈
折率が小さいため、この形成により量産化された反射防
止膜もズレを生じ、反射が増大しさらにこの透明導電膜
（以下単にＣＴＦという）への光照射によって発生して
いたキャリアの電極への移動を防げ、結果として変換効
率の低下をもたらしてし寸っていた。
本発明はかかる欠点を除去したもので、結果として３１
１１ｍの７オトセンサを製造した場合、２０゜５％とい
う高い変換効率をＡＭＩ （１００ｍＷ／ｃｍＬ）で得
ることができるようになった。
１１ｍの７オトセンサを製造した場合、２０゜５％とい
う高い変換効率をＡＭＩ （１００ｍＷ／ｃｍＬ）で得
ることができるようになった。
さらに本発明はかかるＣＴＦがそのシート抵抗を１／１
０−１／１０００と下げるため、この上面にあった補助
電極の間隙も従来５ｍｍ位であったものを５ｃｍ以上ま
たは全く除去してしまうことも可能となった。その結果
’１ １０ｃｍ”のソーラーセルにおいても同様に２０
．２％という高い効率を得ることができた。
０−１／１０００と下げるため、この上面にあった補助
電極の間隙も従来５ｍｍ位であったものを５ｃｍ以上ま
たは全く除去してしまうことも可能となった。その結果
’１ １０ｃｍ”のソーラーセルにおいても同様に２０
．２％という高い効率を得ることができた。
以下に図面に従って本発明の実施例を記す。
実施例１
第１図（Ａ）は実施例のたて断面図が示されているＯ
図面において半導体（１）は（１００）面を有するシリ
コン単結晶であり、ＰまたはＮ型である。′またはこの
上面の透明導電膜（２）Ｋは、ホウ素またはリンがそれ
ぞれ対応して０．０１〜３重量係添加されたスズ、イン
ジューム、アンチモン捷たはそれらの混合物、例えば工
ＴＯ，ＳｎＯ，よりなり、この下１１ ＫはとのＣＴＦ
と同一形状を有して５０〜８００＾好ましくは１００−
２０ＯＡの深さく厚さ）の逆導電型の半導体層（４）が
設けられている。
コン単結晶であり、ＰまたはＮ型である。′またはこの
上面の透明導電膜（２）Ｋは、ホウ素またはリンがそれ
ぞれ対応して０．０１〜３重量係添加されたスズ、イン
ジューム、アンチモン捷たはそれらの混合物、例えば工
ＴＯ，ＳｎＯ，よりなり、この下１１ ＫはとのＣＴＦ
と同一形状を有して５０〜８００＾好ましくは１００−
２０ＯＡの深さく厚さ）の逆導電型の半導体層（４）が
設けられている。
この半導体層の製造方法は、例えばＰ型半導体（３ＡＣ
ｍ）基板上に例えはリンが添加された工ＴＯを電子−ヒ
ーム真空蒸着法により５００〜９００Åの厚さ例えば７
００＾に形成した。この後６００〜９００’Ｃの詰ｉＶ
一度例えば７５０°ＣＫで窒化雰囲気例えばアンモニア
また（ｄ窒素（でて加熱した。すると１５分、２時間、
８時間にてリンが１％添加されている場？、５０大、２
０ｏｉ、 ６００λの厚さに不純物が拡散し、Ｎ型半導
体層を形成することができた。寸だ他方、半導体がＮ型
（２０−４０ｔｔｃ ｎ９ Ｋあっては、ホウ素か添加
された一酸化スズを電子ビーム蒸Ｍ法により５００〜９
０献の厚さ例えば’７００＾に形成した。
ｍ）基板上に例えはリンが添加された工ＴＯを電子−ヒ
ーム真空蒸着法により５００〜９００Åの厚さ例えば７
００＾に形成した。この後６００〜９００’Ｃの詰ｉＶ
一度例えば７５０°ＣＫで窒化雰囲気例えばアンモニア
また（ｄ窒素（でて加熱した。すると１５分、２時間、
８時間にてリンが１％添加されている場？、５０大、２
０ｏｉ、 ６００λの厚さに不純物が拡散し、Ｎ型半導
体層を形成することができた。寸だ他方、半導体がＮ型
（２０−４０ｔｔｃ ｎ９ Ｋあっては、ホウ素か添加
された一酸化スズを電子ビーム蒸Ｍ法により５００〜９
０献の厚さ例えば’７００＾に形成した。
この後酸化雰囲気例えば空気中にて３００−’７００°
Ｃ例えば４００°ＣＫて加熱処理を施し、この−酸化ス
ズを二酸化スズに変成して、さらにこの時リンを半導体
との界面に偏析させた。次（／（６００〜ｉｏｏ°Ｃの
窒化または不活性気体雰囲気にて熱処理を′７５０°Ｃ
で行なうことにより、ホウ素をＮ型半導体中Ｋ ５０〜
８００大の厚さに拡散させることができた。
Ｃ例えば４００°ＣＫて加熱処理を施し、この−酸化ス
ズを二酸化スズに変成して、さらにこの時リンを半導体
との界面に偏析させた。次（／（６００〜ｉｏｏ°Ｃの
窒化または不活性気体雰囲気にて熱処理を′７５０°Ｃ
で行なうことにより、ホウ素をＮ型半導体中Ｋ ５０〜
８００大の厚さに拡散させることができた。
これらＮ型半導体層はそれ自体はシート抵抗が５〜８ユ
％を有し、丑たＰ型においては２０〜３「％であった。
％を有し、丑たＰ型においては２０〜３「％であった。
しかしＴＣＦの値が１％≧仄例えば０．３％であるため
、浅いＰＮ接合を得ることができ、短波長光がこの半導
体層での吸収損失を少なくできるに加えて、電極として
のシート抵抗がＴＯＦの１扼以下であるため、大電力用
にも可能であるという特徴を有する。
、浅いＰＮ接合を得ることができ、短波長光がこの半導
体層での吸収損失を少なくできるに加えて、電極として
のシート抵抗がＴＯＦの１扼以下であるため、大電力用
にも可能であるという特徴を有する。
実施例２
この実施例は第１図（Ｂ）にそのたて断面図が示されて
おシ、光電変換装置を作製した場合である〇 半導体は例えばＰ型１ｆＬｃｍを用いた。隼９造方法は
第２図に示される工程と同様である。
おシ、光電変換装置を作製した場合である〇 半導体は例えばＰ型１ｆＬｃｍを用いた。隼９造方法は
第２図に示される工程と同様である。
図面において、半導体（１）はＰ型半導体（３）とＮ型
半導体（４）とを有し、この単層体上面ＫＣＴＦ（５）
がリンが０．０１〜３係例えばＯ０３係添加された厚さ
一７００′Ａで設けられている。さらに上面に補助電極
（８）を有し、裏面のオーム接触電極（７）とは半導体
（１）の周辺をとりかこむ酸化珪素絶縁膜（６）Ｋより
絶縁され、チャネルリークを少なくしている。
半導体（４）とを有し、この単層体上面ＫＣＴＦ（５）
がリンが０．０１〜３係例えばＯ０３係添加された厚さ
一７００′Ａで設けられている。さらに上面に補助電極
（８）を有し、裏面のオーム接触電極（７）とは半導体
（１）の周辺をとりかこむ酸化珪素絶縁膜（６）Ｋより
絶縁され、チャネルリークを少なくしている。
半導体層は１５０λであり、表面のリンの不純物濃度は
＜； ＸＩＯ” ａｍ’を有していた。
＜； ＸＩＯ” ａｍ’を有していた。
ＡＭＩ（１０）の光を照射した時、この真性面積２５ｃ
ｍＬＫて変換効率２０．１％（電圧０．６３Ｖ、電流３
９ｒｎＡ／ｃｍ−）を得ることができた。
ｍＬＫて変換効率２０．１％（電圧０．６３Ｖ、電流３
９ｒｎＡ／ｃｍ−）を得ることができた。
実施例３
ｌｉ
実施例２と同様の構造を有するが、Ｖ−ＯＴＦ（５）と
半導体（４）との間に５〜２０大の厚さの半絶縁体層が
不純物拡散を行なう際、酸化雰囲気で６００−’′ＩＯ
ＯｏＣで加熱したため形成されてしまった。
半導体（４）との間に５〜２０大の厚さの半絶縁体層が
不純物拡散を行なう際、酸化雰囲気で６００−’′ＩＯ
ＯｏＣで加熱したため形成されてしまった。
そのためこの第１図（０）の構造においては効率は１８
．８チと最大であった。
．８チと最大であった。
実施例４
第２図は本発明の半導体装置の製造工程を示すたて断面
図を示す。
図を示す。
図面において（Ａ）はＰ型半導体はｉｆ、 １４ ｊｉ
５〜１０才４・・ ｒＬＣｍ厚さ２００μであり、これを酸化を培枦冨捕気
で１１５０′Ｏで行なうことによシタ素人りの酸化珪素
（２）を約２０００λの厚さに形成した。さらにその後
この上面および裏面を−ｌ＆ｔ ／ｊｉの選択エツチン
グによシ窓あけし、半導体表面を露呈（３）させた。
５〜１０才４・・ ｒＬＣｍ厚さ２００μであり、これを酸化を培枦冨捕気
で１１５０′Ｏで行なうことによシタ素人りの酸化珪素
（２）を約２０００λの厚さに形成した。さらにその後
この上面および裏面を−ｌ＆ｔ ／ｊｉの選択エツチン
グによシ窓あけし、半導体表面を露呈（３）させた。
この後この上面にリンの添加された工ＴＯを電子ビーム
蒸着法で形成した。この後この半導体を実施例２と同様
に加熱処理をしてＮ型半導体層を形成した。さらに裏面
にはスクリーン印刷法によシアルミニューム（７）を約
２５μの厚さに印刷せしめた後、６００’Ｃ！の加熱酸
化処理にてブのＢＥＩＦ用のＰ金属層（３）を形成した
。
蒸着法で形成した。この後この半導体を実施例２と同様
に加熱処理をしてＮ型半導体層を形成した。さらに裏面
にはスクリーン印刷法によシアルミニューム（７）を約
２５μの厚さに印刷せしめた後、６００’Ｃ！の加熱酸
化処理にてブのＢＥＩＦ用のＰ金属層（３）を形成した
。
かくしてＡＭＩで変換効率１９％を得ることかでき グ
ζ、。
ζ、。
実施例５
この実施例は実施例４の変形である。即ち第２図（Ｂ）
の工程が完了した後、まず裏面にアルミニュームをスク
リーン印刷法で形成した。この後これを６５０″ＯＣ窒
素雰囲気にて加熱処理をして裏面側に第２図（Ｄ＞に示
されているＰＩ７；金属層をＢＳＥ’効果を得るため形
成した。この後これら全体を１／ｌ０ＨＦ□ｐ ：（＜
ｒニー丑：ｌし、慾（３）土に形成された２０〜５０
″Ａの酸化珪素を除去した。この後リンが添加された工
ＴＯを電子ビーム蒸九法により７ｏＯ′Ａの厚さに形成
し、さらＫ ３００６Ｃの酸化雰囲気にて加熱処理をし
た後、さらＫ ６００−９００°Ｃ例えば９００’Ｃ！
の温度の窒素または不活性気体雰囲気にて約１分加熱を
して、半導体（４）を１００λの厚さに形成させた。そ
の後は第２図（Ｄ） Ｋ示される光電変換装置において
５ｃｒｎ’にて２０．５係の真性効率を得ることができ
た。
の工程が完了した後、まず裏面にアルミニュームをスク
リーン印刷法で形成した。この後これを６５０″ＯＣ窒
素雰囲気にて加熱処理をして裏面側に第２図（Ｄ＞に示
されているＰＩ７；金属層をＢＳＥ’効果を得るため形
成した。この後これら全体を１／ｌ０ＨＦ□ｐ ：（＜
ｒニー丑：ｌし、慾（３）土に形成された２０〜５０
″Ａの酸化珪素を除去した。この後リンが添加された工
ＴＯを電子ビーム蒸九法により７ｏＯ′Ａの厚さに形成
し、さらＫ ３００６Ｃの酸化雰囲気にて加熱処理をし
た後、さらＫ ６００−９００°Ｃ例えば９００’Ｃ！
の温度の窒素または不活性気体雰囲気にて約１分加熱を
して、半導体（４）を１００λの厚さに形成させた。そ
の後は第２図（Ｄ） Ｋ示される光電変換装置において
５ｃｒｎ’にて２０．５係の真性効率を得ることができ
た。
実施例に
の実施例は実施例４の変形である。即ち、実施例４にて
（Ｂ）の工程が完了した後、’ｌ？に不純物の添加され
ていない工ＴｏをプラズマＯＶＤ法または電子ビーム蒸
着法により５００〜９００人の厚さに形成した。この後
これらをフオスヒンがプラズマ化されて導入されている
雰囲気（ヘリューム中にフオスヒンを０．１％添加した
混合ガス）に浸すことにより、リンのプラズマイオン注
入（Ｐ工υを行なった。この時裏面にはリンが添加され
ないようにマスクをする必要がある。さらにこれらをと
り出した後、空気中４００°ｃＫて加熱処理をして工Ｔ
ｃ（５）のプラズマ損傷による白だくを除去し、この
後不活性ガス中にて加熱処理をして半導体層（４）を半
分単結晶化した。
（Ｂ）の工程が完了した後、’ｌ？に不純物の添加され
ていない工ＴｏをプラズマＯＶＤ法または電子ビーム蒸
着法により５００〜９００人の厚さに形成した。この後
これらをフオスヒンがプラズマ化されて導入されている
雰囲気（ヘリューム中にフオスヒンを０．１％添加した
混合ガス）に浸すことにより、リンのプラズマイオン注
入（Ｐ工υを行なった。この時裏面にはリンが添加され
ないようにマスクをする必要がある。さらにこれらをと
り出した後、空気中４００°ｃＫて加熱処理をして工Ｔ
ｃ（５）のプラズマ損傷による白だくを除去し、この
後不活性ガス中にて加熱処理をして半導体層（４）を半
分単結晶化した。
さらに実施例４とは逆に裏面の電極を形成し第２図（Ｄ
）のたて断面図を得た。
）のたて断面図を得た。
変換効率はＡＭＩ Ｋで１８係であった。
実施例７
この実施例は第１図（Ａ）のたて断面図を得るために用
いられたもので、工ＴＯＫリンの添加量によりこのＣＴ
Ｆのシート抵抗の変化特性を調べた場合を曲線（１］）
Ｋ示す。図面において３％以上添加すると、ＣＴＦの透
過率か低くなったため、結果として領域（＋＞）が本発
明にとつで最適な不純物添加量であった。
いられたもので、工ＴＯＫリンの添加量によりこのＣＴ
Ｆのシート抵抗の変化特性を調べた場合を曲線（１］）
Ｋ示す。図面において３％以上添加すると、ＣＴＦの透
過率か低くなったため、結果として領域（＋＞）が本発
明にとつで最適な不純物添加量であった。
実施例８
この実施例は酸化スズ中にリンを同時に添力１３した際
の特性である。即ち一酸化スズ中に五酸化リンを第３図
曲線（１２に示されるように添加しこれを４００’Ｏの
加熱にてＯＴＦを形成したものである。
の特性である。即ち一酸化スズ中に五酸化リンを第３図
曲線（１２に示されるように添加しこれを４００’Ｏの
加熱にてＯＴＦを形成したものである。
かくすることによシ透過率８咋以上を有するリンが添加
されたＯＴＦを得ることができた。
されたＯＴＦを得ることができた。
このＯＴＦは実力ｍ例１−６に用いることができること
はいうまでもない。
はいうまでもない。
本発明の実施例においては、ｃＴＦＫ添加する不純物と
してリンのみを示した。しがし１１１価の不純物である
ホウ素を用いてもよく、特に酸素過剰型のアクセプタＣ
ＴＦである酸化スズまたは酸化アンチモンにとっては、
ホウ素にアクセプタのｈ粂をＢｔ（させることができる
。そのため半導体をＮ型半導体とし、その上部Ｋ ＯＴ
Ｆに接してＰ型の半導体層を５ ｏ−ｓ ｏ ｏ＾と極
薄に作製することが可能である。
してリンのみを示した。しがし１１１価の不純物である
ホウ素を用いてもよく、特に酸素過剰型のアクセプタＣ
ＴＦである酸化スズまたは酸化アンチモンにとっては、
ホウ素にアクセプタのｈ粂をＢｔ（させることができる
。そのため半導体をＮ型半導体とし、その上部Ｋ ＯＴ
Ｆに接してＰ型の半導体層を５ ｏ−ｓ ｏ ｏ＾と極
薄に作製することが可能である。
第１図は本発明の半導体装置のたて断面図である。
第２図は本発明の半導体装置の製造工程を示す。
第３図は本発明に用いられる透光性導電膜にリンを添加
した場合のシート抵抗の変化を示す。
した場合のシート抵抗の変化を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、−導電型の半導体上に、該半導体と逆導電型を与え
る不純物を含むスズ、インジューム、アンチモンまたは
それらの混合物の酸化物を形成した後、前記半導体およ
び酸理をすることにより、または前記酸化雰囲気にて加
熱処理をした後前記窒化雰囲気にて窒化処理をすること
により、前記酸化物を透光性導電膜に変成するとともに
、該膜下の半導体中に不純物を５ＮＯＯ＾の厚さに添加
することによシ前記半導体の上部に逆導電型の半導体層
を形成する工程とを有す ３゜ることを特徴とする半
導体装置作製方法。 ２−導電型の半導体の表面にスズ、インジューム、アン
チモンまたはそれらの混合物の酸化物被膜を形成する工
程と、該半導体および酸化物被膜を前記半導体に逆導電
型を与える不純物気体を有するプラズマ雰囲気に浸すこ
とにより前記半導体および前記酸化物被膜中にホウ素、
リンまたはヒ素をプラズマイオン注入する工程と、この
工程ｌｌＪ は前記酸化をした後前記窒化雰囲気１≦万不活性気体雰
囲気にて加熱処理を施すことによシ、半導体の上部に逆
導電型の半導体層と、該半導体層上に前記半導体層と同
一不純物を有する透光性導電膜とが形成されたことを特
徴とする半導体作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181872A JPS5969975A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体装置作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57181872A JPS5969975A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体装置作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969975A true JPS5969975A (ja) | 1984-04-20 |
Family
ID=16108321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57181872A Pending JPS5969975A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 半導体装置作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969975A (ja) |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP57181872A patent/JPS5969975A/ja active Pending
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