JPS59155131A - 密着露光方法 - Google Patents
密着露光方法Info
- Publication number
- JPS59155131A JPS59155131A JP59005563A JP556384A JPS59155131A JP S59155131 A JPS59155131 A JP S59155131A JP 59005563 A JP59005563 A JP 59005563A JP 556384 A JP556384 A JP 556384A JP S59155131 A JPS59155131 A JP S59155131A
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- Japan
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- mask
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明に１例えば各種半導体装置を製造する場合に使
用されるマスクアライナに関し、特にマスクアライナに
おいて、露光用マスクに対して半導体ウェハを密着させ
たり、露光用マスクから半導体ウェハを分離したりする
ためのウェハ密着・分離機構の改良に関する。
用されるマスクアライナに関し、特にマスクアライナに
おいて、露光用マスクに対して半導体ウェハを密着させ
たり、露光用マスクから半導体ウェハを分離したりする
ためのウェハ密着・分離機構の改良に関する。
従来、この種のウェハ密着・分離機構としては、ウェハ
チャック本体に多数の通気孔を設け、マスクに半導体ウ
ニノ・を密着させる際には上記通気孔から圧縮ガスを吹
上げ、マスクからウニノーを分離する際には上記通気孔
を介してウェハを吸引するものが知られているうまた、
この種の機構において、マスクにウェハを密着させる場
合に、一層厳密な密着状態を得たいときは、ウニノ・を
取囲む所定空間糾減圧状態下において大気圧による密着
力補強を行なったり、あるいはウェハチャックとマスク
との間に機械的外力を付加したりすることも知られてい
る。
チャック本体に多数の通気孔を設け、マスクに半導体ウ
ニノ・を密着させる際には上記通気孔から圧縮ガスを吹
上げ、マスクからウニノーを分離する際には上記通気孔
を介してウェハを吸引するものが知られているうまた、
この種の機構において、マスクにウェハを密着させる場
合に、一層厳密な密着状態を得たいときは、ウニノ・を
取囲む所定空間糾減圧状態下において大気圧による密着
力補強を行なったり、あるいはウェハチャックとマスク
との間に機械的外力を付加したりすることも知られてい
る。
しかるに、従来のウェハ密着・分離機構で汀、かかる密
着力補強手段をとってもなおマスクとウェハとの間に特
にウェハ中央部で十分な密着状態を形成するのが困難で
あった。すなわち、マスクアライメントの対象となる半
導体ウェハは通常その表面が鏡面研磨され且つホトレジ
スト剤でおおわれており、鏡面研磨されたウェハ表面は
中央部に比べ周辺部が１０μｍ位高（凹凸状になってい
るのが普通である。このようなウェハをウェハチャック
によりほぼ一様な吹上げ圧力でマスクに対して押圧する
と、ウニノ・周辺部がホトレジスト剤を介してマスク面
に優先的に密着し、ウニノ・中央部とマスク面との間に
はガスが閉じこめられ、空隙ができる、この空隙はウニ
ノ・周辺部がマ゛スクに密着しているために、いわば封
止された状態にあるので、吹上げ圧力を単純に増大させ
ただけでは。
着力補強手段をとってもなおマスクとウェハとの間に特
にウェハ中央部で十分な密着状態を形成するのが困難で
あった。すなわち、マスクアライメントの対象となる半
導体ウェハは通常その表面が鏡面研磨され且つホトレジ
スト剤でおおわれており、鏡面研磨されたウェハ表面は
中央部に比べ周辺部が１０μｍ位高（凹凸状になってい
るのが普通である。このようなウェハをウェハチャック
によりほぼ一様な吹上げ圧力でマスクに対して押圧する
と、ウニノ・周辺部がホトレジスト剤を介してマスク面
に優先的に密着し、ウニノ・中央部とマスク面との間に
はガスが閉じこめられ、空隙ができる、この空隙はウニ
ノ・周辺部がマ゛スクに密着しているために、いわば封
止された状態にあるので、吹上げ圧力を単純に増大させ
ただけでは。
消滅させるのが困難なものであった。従って、ウェハと
マスクとの密着度が特にウニノ・中央部において低下し
てしまい、このため、マスクツくターンの解像不良が発
生していた。
マスクとの密着度が特にウニノ・中央部において低下し
てしまい、このため、マスクツくターンの解像不良が発
生していた。
また、上記したマスクーラエフ＼間の空隙はマスクから
ウェハを分離するのを妨げるように作用していたので、
従来のウニノ・密着・分離機構ではウェハ分離作業も容
易でなかったつすなわち、ウェハチャックによりほぼ一
様な吸引力でウニノーをマスクから引離そうとすると、
主としてウニノーの中央部が先にマスク面から離れ、前
述の空隙に相当する部分に減圧部が形成されるため、い
わゆるスティッキング現象が起こる。このためウニノー
チャフによる吸引力だけではウニノ・分離が困難なこと
がしばしばであった。
ウェハを分離するのを妨げるように作用していたので、
従来のウニノ・密着・分離機構ではウェハ分離作業も容
易でなかったつすなわち、ウェハチャックによりほぼ一
様な吸引力でウニノーをマスクから引離そうとすると、
主としてウニノーの中央部が先にマスク面から離れ、前
述の空隙に相当する部分に減圧部が形成されるため、い
わゆるスティッキング現象が起こる。このためウニノー
チャフによる吸引力だけではウニノ・分離が困難なこと
がしばしばであった。
この発明の目的は、上記した従来技術の難点を克服し、
マスクとウェハとの間に十分な密着状態を容易に形成で
きるとともにマスクからのウニノー分離を簡単且つスム
ーズに達成できる新規なマスクアライナを提供すること
にある。
マスクとウェハとの間に十分な密着状態を容易に形成で
きるとともにマスクからのウニノー分離を簡単且つスム
ーズに達成できる新規なマスクアライナを提供すること
にある。
この発明の特徴の一つは、ウェハの中央部を吹上又は吸
引するための第１の通気孔群と、ウニノ＼の周辺部を吹
上又は吸引するための第２の通気孔群とをウェハチャッ
ク本体に設け、ウニへの密着及び／又は分離にあたり上
記第１の通気孔群による吹上密着操作及び／又は吸引分
離操作と上記第２の通気孔群による同様の操作とを相互
に独立に制御しつるようにした点にある。ここで、「通
気孔群」なる用語は本来的に多数の通気孔の一群を意味
するが、本願明細書中ではそのような本来の意味の他に
、ウェハの中央部又は周辺部に対応して所定パターン（
例、リング状）で連続的に形成された外観上１１１５の
通気孔をも含む意味で使用するう この発明の特徴の一つによれば、ウェハの中央部と周辺
部とに対して別個に吹上密着操作又は吸引分離操作をほ
どこすことができ、しかもその際の密着力又は吸引力の
強さなどは別個に調整できる。このため、制御態様が豊
富になり、ウニノーの寸法、形状、特性などに適合した
密着・分離操作が可能になる１例えば、マスクに対して
ウニノ１を密着させる場合には、第１の通気孔群を介し
て行なう吹上密着操作を、第２の通気孔群を介して行な
う同様の操作より優先させるように制御を行うことがで
きる。このような制御方式をとると、ウェハの中央部が
周辺部より先にマスク面に密着するので、マスク−ウェ
ハ間に空隙が形成されることがなくなり、ウェハ全体と
して十分な密着状態を得ることができる。従ってマスク
パターンの解像不良は大幅に減少するウ一方、マスクか
らウェハを分離する場合には、第２過気孔群を介して行
なう吸引分離操作を、第１通気孔群を′介して行なう同
様な操作よりも優先させるように制御を行なうことがで
きる。このような制御方式をとると５ウエハの周辺部が
中央部より先にマスク面から離れるので、マスク−ウェ
ハ間に減圧部が形成されることがなくなり、ウェア１分
ｌＩＩは簡単且つスムーズに行われる。
引するための第１の通気孔群と、ウニノ＼の周辺部を吹
上又は吸引するための第２の通気孔群とをウェハチャッ
ク本体に設け、ウニへの密着及び／又は分離にあたり上
記第１の通気孔群による吹上密着操作及び／又は吸引分
離操作と上記第２の通気孔群による同様の操作とを相互
に独立に制御しつるようにした点にある。ここで、「通
気孔群」なる用語は本来的に多数の通気孔の一群を意味
するが、本願明細書中ではそのような本来の意味の他に
、ウェハの中央部又は周辺部に対応して所定パターン（
例、リング状）で連続的に形成された外観上１１１５の
通気孔をも含む意味で使用するう この発明の特徴の一つによれば、ウェハの中央部と周辺
部とに対して別個に吹上密着操作又は吸引分離操作をほ
どこすことができ、しかもその際の密着力又は吸引力の
強さなどは別個に調整できる。このため、制御態様が豊
富になり、ウニノーの寸法、形状、特性などに適合した
密着・分離操作が可能になる１例えば、マスクに対して
ウニノ１を密着させる場合には、第１の通気孔群を介し
て行なう吹上密着操作を、第２の通気孔群を介して行な
う同様の操作より優先させるように制御を行うことがで
きる。このような制御方式をとると、ウェハの中央部が
周辺部より先にマスク面に密着するので、マスク−ウェ
ハ間に空隙が形成されることがなくなり、ウェハ全体と
して十分な密着状態を得ることができる。従ってマスク
パターンの解像不良は大幅に減少するウ一方、マスクか
らウェハを分離する場合には、第２過気孔群を介して行
なう吸引分離操作を、第１通気孔群を′介して行なう同
様な操作よりも優先させるように制御を行なうことがで
きる。このような制御方式をとると５ウエハの周辺部が
中央部より先にマスク面から離れるので、マスク−ウェ
ハ間に減圧部が形成されることがなくなり、ウェア１分
ｌＩＩは簡単且つスムーズに行われる。
以下、添付図面を参照してこの発明の一実施例を説明す
る。図において、１０はウニノーチャック本体であり、
これには、半導体ウニノ・１２の中央部を吹上・吸引す
るための第１の通気孔群１０ａと、ウェハ１２の周辺部
を吹上・吸引するための第２の通気孔群１０ｂとが設け
られている。ウェハ１２の密着・分離の対象となる露光
用マスク１４は、適当なガラス板からなり、その下面（
ウェハ密着面）にはクロム（Ｃｒ ）などからなる適宜
のパターンが被着されている。マスク１４の上方には１
図示しない露光用光源が配置され、ウェハ１２の表面に
塗布したホトレジスト剤をマスク１４を介して照射する
ようになっているうウニノ１１２は、露光処理に先立っ
てマスク１４の下面に密着され、露光処理後にマスク１
４から分離される。
る。図において、１０はウニノーチャック本体であり、
これには、半導体ウニノ・１２の中央部を吹上・吸引す
るための第１の通気孔群１０ａと、ウェハ１２の周辺部
を吹上・吸引するための第２の通気孔群１０ｂとが設け
られている。ウェハ１２の密着・分離の対象となる露光
用マスク１４は、適当なガラス板からなり、その下面（
ウェハ密着面）にはクロム（Ｃｒ ）などからなる適宜
のパターンが被着されている。マスク１４の上方には１
図示しない露光用光源が配置され、ウェハ１２の表面に
塗布したホトレジスト剤をマスク１４を介して照射する
ようになっているうウニノ１１２は、露光処理に先立っ
てマスク１４の下面に密着され、露光処理後にマスク１
４から分離される。
ウェハ１２のマスク１４に対する密着操作及びウェハ１
２のマスク１４からの分離操作は次のような機構で行わ
れる。切換装置１６ｒｒ、制御系１８からの切換指令に
より配管２０．２２に窒素（Ｎ、）からなる圧縮ガスを
供給するか又は配管２０．２２を真空ＶＡＣでひくかを
切換制卸するものである。配管２０はその途中に電磁弁
２４がｆｆけられており、ウェハチャック本体１０の第
１通気孔群１０ａに接続されている。配管２２はその途
中に電磁弁２６が設けられており、ウェハチャック本体
１０の第２通気孔群１０ｂに接続されている。電磁弁２
４．２６Ｈいずれも制御系１８からの制御信号に応じて
作動するものである。
２のマスク１４からの分離操作は次のような機構で行わ
れる。切換装置１６ｒｒ、制御系１８からの切換指令に
より配管２０．２２に窒素（Ｎ、）からなる圧縮ガスを
供給するか又は配管２０．２２を真空ＶＡＣでひくかを
切換制卸するものである。配管２０はその途中に電磁弁
２４がｆｆけられており、ウェハチャック本体１０の第
１通気孔群１０ａに接続されている。配管２２はその途
中に電磁弁２６が設けられており、ウェハチャック本体
１０の第２通気孔群１０ｂに接続されている。電磁弁２
４．２６Ｈいずれも制御系１８からの制御信号に応じて
作動するものである。
マスク１４に対してウェハ１２を密着させる場合には、
まず、切換装置１６により配管２０゜２２へのＮ２圧着
ガスを流すようにし、電磁弁２４を開いた後、所定時間
（例えば、２〜３秒）後に電磁弁２６を開（ように制御
系１８により制御する。このようにすると、破線で示す
ようにウェハ１２の中央部が先にマスク面に密着し、中
央部のガスが周辺側へ追いだされて後にウニノ・１２０
周辺部がマスク面に密着するようになり、このため、ウ
ニノ′−１２はその中央部にガス残り又は空隙を生ずる
ことなく全面的にマスク１４に密着する。従って、この
ような良好な密着状態の下では。
まず、切換装置１６により配管２０゜２２へのＮ２圧着
ガスを流すようにし、電磁弁２４を開いた後、所定時間
（例えば、２〜３秒）後に電磁弁２６を開（ように制御
系１８により制御する。このようにすると、破線で示す
ようにウェハ１２の中央部が先にマスク面に密着し、中
央部のガスが周辺側へ追いだされて後にウニノ・１２０
周辺部がマスク面に密着するようになり、このため、ウ
ニノ′−１２はその中央部にガス残り又は空隙を生ずる
ことなく全面的にマスク１４に密着する。従って、この
ような良好な密着状態の下では。
高い解像度でマスクパターン焼付（露光）処理を行なう
ことができる。なお、上記の吹上密着操作時においては
、密着力を補強するため、真空又は大気圧の力や外部か
らの機械力を併用してもよ〜）。
ことができる。なお、上記の吹上密着操作時においては
、密着力を補強するため、真空又は大気圧の力や外部か
らの機械力を併用してもよ〜）。
次に、マスク１４からウニノＳ１２を分離する場合にハ
１、切換装置１６により配管側を真空ＶＡＣにつなぐよ
うにし、こんどは電磁弁２６を開（Ｓた後、所定時間後
に電磁弁２４を開くように制御系１８により制御する。
１、切換装置１６により配管側を真空ＶＡＣにつなぐよ
うにし、こんどは電磁弁２６を開（Ｓた後、所定時間後
に電磁弁２４を開くように制御系１８により制御する。
このようにすると、破線で示すようにウニノＳ１２の周
辺部が先にマスク１４から離れて中央部へのガス流通を
うながし、し力）る後にウニノ・１２の中央部がマスク
１４から離れるようになり、ウニノーｉｌｌ：全体とし
てスムーズにマスク１４から分離される。従って、従来
のようにステ（ツキング現象をひきおこすことなく容易
にウェハ分離を達成することができる。
辺部が先にマスク１４から離れて中央部へのガス流通を
うながし、し力）る後にウニノ・１２の中央部がマスク
１４から離れるようになり、ウニノーｉｌｌ：全体とし
てスムーズにマスク１４から分離される。従って、従来
のようにステ（ツキング現象をひきおこすことなく容易
にウェハ分離を達成することができる。
なお、以上の実゛施例の説明において、ウニ／Ｓチャッ
ク本体１０に形成した通気孔群１０ａ又は１０ｂはウェ
ハ１２側からみて連結したパターンをもつ１つの通気孔
であってもよく、また、密着・分離操作時の密着力又は
吸引力は中央通気孔側と周辺通気孔側とで異なるように
制御してもよい。
ク本体１０に形成した通気孔群１０ａ又は１０ｂはウェ
ハ１２側からみて連結したパターンをもつ１つの通気孔
であってもよく、また、密着・分離操作時の密着力又は
吸引力は中央通気孔側と周辺通気孔側とで異なるように
制御してもよい。
図は、この発明の一実施例によるマスクアライナのウェ
ハ密着・分離機構を示す断面図である。 １０・・・ウェハチャック本体、１０ａ・・・第１通気
孔群、１０ｂ・・・第２通気孔群、１２・・・半導体ウ
ニノ・。 １４・・・露光用マスク。
ハ密着・分離機構を示す断面図である。 １０・・・ウェハチャック本体、１０ａ・・・第１通気
孔群、１０ｂ・・・第２通気孔群、１２・・・半導体ウ
ニノ・。 １４・・・露光用マスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハチャックに、ウェハの中央部を吹上するため
の第１の通気孔群と、前記ウェハの周辺部を吹上するた
めの第２の通気孔群とを設け、露光用マスクに対して前
記ウェハを密着させる際には。 前記第４通気孔群を介して行なう吹上密着操作を。 前記第２通気孔群な介して行なう吹上密着操作より優先
させるようにしたことを特徴とする密着露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005563A JPS59155131A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 密着露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005563A JPS59155131A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 密着露光方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14708677A Division JPS5480086A (en) | 1977-12-09 | 1977-12-09 | Mask aligner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155131A true JPS59155131A (ja) | 1984-09-04 |
Family
ID=11614668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59005563A Pending JPS59155131A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 密着露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155131A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61252633A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-10 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハとマスクとの密着装置 |
| JPS61252632A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-10 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハとマスクとの密着方法 |
| JPS63148622A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
| FR2629605A1 (fr) * | 1988-03-29 | 1989-10-06 | Francou Marc | Procede de fabrication de composants micro-electroniques semi-conducteurs en microlithographie par contact dur, et composants micro-electroniques semi-conducteurs correspondants |
-
1984
- 1984-01-18 JP JP59005563A patent/JPS59155131A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61252633A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-10 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハとマスクとの密着装置 |
| JPS61252632A (ja) * | 1985-05-02 | 1986-11-10 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ウエハとマスクとの密着方法 |
| JPS63148622A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Fujitsu Ltd | 気相成長装置 |
| FR2629605A1 (fr) * | 1988-03-29 | 1989-10-06 | Francou Marc | Procede de fabrication de composants micro-electroniques semi-conducteurs en microlithographie par contact dur, et composants micro-electroniques semi-conducteurs correspondants |
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