JPS6031228A - ホトレジスト露光方法 - Google Patents
ホトレジスト露光方法Info
- Publication number
- JPS6031228A JPS6031228A JP58140839A JP14083983A JPS6031228A JP S6031228 A JPS6031228 A JP S6031228A JP 58140839 A JP58140839 A JP 58140839A JP 14083983 A JP14083983 A JP 14083983A JP S6031228 A JPS6031228 A JP S6031228A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- attracting
- glass mask
- mask
- glass
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体ウェハー及び、その他ウェハー状の物
への、両面パターン形成方法に係や、光感光性による、
ホトレジストＩコンタクト（密着〕露光方法に関するも
のである。
への、両面パターン形成方法に係や、光感光性による、
ホトレジストＩコンタクト（密着〕露光方法に関するも
のである。
半導体ウェハー及び、その他、ウエノ・−状の物へのメ
ホトレジストダ露光方法としては、プロジェクション法
（投影法）、コンタクト法（密着法）による間接的な紫
外光露光と、電子ビーム等による、ホトレジストへの直
接的な露光等が上げられるが、本発明は、コンタクト法
の〆両面露光に関する発明である〇 一般的に、コンタクト法によるＩホトレジスト露光方法
としては、ハードコンタクト、ソフトコンタクト法とに
分けられ、％に、／Ｘ−ドコンタクト法は、微測パター
ン形成に適している。又、ソフトコンタクト法は片面露
光のみに適用し、両面露光は出来ない。コンタクト法に
よる、ノ・−ドコンタクト露光は、第１図に示す保に、
ウニ／・−ｄを上・下のガラスマスクｂ、ｃに目合せを
行ないウェハーｄ ｋ 、上、下ガラスマスクｂ、ｃに
サンドエッチ状に、はさんで、固定いガラスマスク周囲
の吹き出し口ｆよシ、不活性ガスを吹き付けながら、紫
外光（多重波長）に、ｌ：Ｌ ウニ／％ ｄ上のホトレ
ジストにガラスマスクパターンを、露光する。第３図Ａ
にステージａ断面図と平面図を示しである。ガラスマス
ク吸着系路ｇはステー２８表面で開口部周囲を囲む吸着
穴りが設けられている。
ホトレジストダ露光方法としては、プロジェクション法
（投影法）、コンタクト法（密着法）による間接的な紫
外光露光と、電子ビーム等による、ホトレジストへの直
接的な露光等が上げられるが、本発明は、コンタクト法
の〆両面露光に関する発明である〇 一般的に、コンタクト法によるＩホトレジスト露光方法
としては、ハードコンタクト、ソフトコンタクト法とに
分けられ、％に、／Ｘ−ドコンタクト法は、微測パター
ン形成に適している。又、ソフトコンタクト法は片面露
光のみに適用し、両面露光は出来ない。コンタクト法に
よる、ノ・−ドコンタクト露光は、第１図に示す保に、
ウニ／・−ｄを上・下のガラスマスクｂ、ｃに目合せを
行ないウェハーｄ ｋ 、上、下ガラスマスクｂ、ｃに
サンドエッチ状に、はさんで、固定いガラスマスク周囲
の吹き出し口ｆよシ、不活性ガスを吹き付けながら、紫
外光（多重波長）に、ｌ：Ｌ ウニ／％ ｄ上のホトレ
ジストにガラスマスクパターンを、露光する。第３図Ａ
にステージａ断面図と平面図を示しである。ガラスマス
ク吸着系路ｇはステー２８表面で開口部周囲を囲む吸着
穴りが設けられている。
前記の様な、ハードコンタクト法による両面回合せ露光
においては、微細パターン形成精度は上がるが、第４図
に示すガラスマスクｂ、ｃの消耗が早く、ガラスマスク
ｂ、ｃとウェハー６間の着脱の際、ガラスマスクｂ、ｃ
ヘウェハーｄが、くっついてし玉う等、マスク離れが悪
い。又、ウェハーｄにソリがある場合百合せ後の、ガラ
スマスクｂ、Ｃと、ウェハーｄの固定の除目合せズレ等
が発生する等のｌ欠点がある。しかしながら、微細パタ
ーン精度を上げるには、コンタクト法によるホトレジス
ト露ツＬ、をとらざろう得ないのが現状である。
においては、微細パターン形成精度は上がるが、第４図
に示すガラスマスクｂ、ｃの消耗が早く、ガラスマスク
ｂ、ｃとウェハー６間の着脱の際、ガラスマスクｂ、ｃ
ヘウェハーｄが、くっついてし玉う等、マスク離れが悪
い。又、ウェハーｄにソリがある場合百合せ後の、ガラ
スマスクｂ、Ｃと、ウェハーｄの固定の除目合せズレ等
が発生する等のｌ欠点がある。しかしながら、微細パタ
ーン精度を上げるには、コンタクト法によるホトレジス
ト露ツＬ、をとらざろう得ないのが現状である。
よって、木兄ψ」方法による、ウェハーのホトレジスト
へのガラスマスクパターン露光方法は、前記欠点を改碧
し、目合せズレ及び、ガラスマスクへのウェハー着脱性
を良くする方法全提供するものである。
へのガラスマスクパターン露光方法は、前記欠点を改碧
し、目合せズレ及び、ガラスマスクへのウェハー着脱性
を良くする方法全提供するものである。
本発明による、半導体ウェハー及び、その他、ウェハー
状の両面Ｉホトレジストへのｌガラスマスクパターン露
光方法は、第２図に示す様に、片側のガラスマスク吸着
ステージｅへ、ガラスマスク１（、ウェハーｄの各々の
適性位置に、ガラスマスク吸着穴と、ウェハー吸着穴を
設け、ガラスマスク吸着系路ｉと、ウェハー吸着系路ｊ
とを分離し、別々に吸着動作が出来る構造とし、ウェハ
ー吸着穴は、ウェハー吸着とｌエアー吹出しと両方の機
能を持った構造とする。この詳細を第３図Ｂの断面図お
よび平面図に示した。これに対する反対（ｆｌのガラス
マスク吸着ステージｔ′は、従来構造とすることにより
、目合せ露光の基本的な作業については、変らず、多少
、ソリの発生しているウェハーに対する目合せ露光も、
第４図Ｂに示すようにガラスマスクにのウェハー吸着穴
ｍより、ウェハーがガラスマスクに吸着固定する（ガラ
スマスクにとウェファ−ｄとの関係は第５図に示す）こ
とにより、ガラスパターンとウェハーパターンの目合せ
ズレを無くシ、又、ガラスマスクよりのウェハー着脱も
、ガラスマスクのウェハー吸着穴の、吸着、エアー吹出
しにより、容易になり、目合せ作業能率向上、及び、目
合せ歩留向上が大いに期待できる。又、ガラスマスクへ
のウェハー吸着穴の配置は、ウェハーパターン配置に応
じて配置すればよい。
状の両面Ｉホトレジストへのｌガラスマスクパターン露
光方法は、第２図に示す様に、片側のガラスマスク吸着
ステージｅへ、ガラスマスク１（、ウェハーｄの各々の
適性位置に、ガラスマスク吸着穴と、ウェハー吸着穴を
設け、ガラスマスク吸着系路ｉと、ウェハー吸着系路ｊ
とを分離し、別々に吸着動作が出来る構造とし、ウェハ
ー吸着穴は、ウェハー吸着とｌエアー吹出しと両方の機
能を持った構造とする。この詳細を第３図Ｂの断面図お
よび平面図に示した。これに対する反対（ｆｌのガラス
マスク吸着ステージｔ′は、従来構造とすることにより
、目合せ露光の基本的な作業については、変らず、多少
、ソリの発生しているウェハーに対する目合せ露光も、
第４図Ｂに示すようにガラスマスクにのウェハー吸着穴
ｍより、ウェハーがガラスマスクに吸着固定する（ガラ
スマスクにとウェファ−ｄとの関係は第５図に示す）こ
とにより、ガラスパターンとウェハーパターンの目合せ
ズレを無くシ、又、ガラスマスクよりのウェハー着脱も
、ガラスマスクのウェハー吸着穴の、吸着、エアー吹出
しにより、容易になり、目合せ作業能率向上、及び、目
合せ歩留向上が大いに期待できる。又、ガラスマスクへ
のウェハー吸着穴の配置は、ウェハーパターン配置に応
じて配置すればよい。
第１図は、従来方法における両面コンタクト法のホトレ
ジスト露光時の構成を、断面図で示し、第２図は、本発
明の一実施例における、両面コンタクト法のホトレジス
ト露光時の構成断面図を示す。第３図Ａは従来の又同図
Ｂは本発明の一実施例によるガラスマスク吸着ステージ
の断面図及び平面図、第４図Ａは従来の又同図Ｂは本発
明の一実施例に用いるガラスマスクの平面図、第５図は
本発明の一実施例によるガラスマスクステージとガラス
マスク、ウェハーの接触状態の構成を示す断面図および
平面図である。 ａ・・・・−上側のガラスマスク吸着ステージ、ｂ・・
・・・・上側のガラスマスク、Ｃ・・−・・・下側のガ
ラスマスク、ｄ・・・・・・ウェハー、ｅ・・・・・・
下側のガラスマスク吸着ステージ、ｆ・・・・・・不活
性ガス吹出しノズル、ｇ・・・・・・ガラスマスク吸着
系路、ｈ・・・・・・ガラスマスク吸着溝、！・・・・
・・本発明の一実施例における下側のガラスマスク吸着
ステージ、ｊ・・・・・・ウエノ・−吸着系路、ｋ・・
・・・・本発明の一実施例における下側ガラスマスク。 ゛・、−゛′
ジスト露光時の構成を、断面図で示し、第２図は、本発
明の一実施例における、両面コンタクト法のホトレジス
ト露光時の構成断面図を示す。第３図Ａは従来の又同図
Ｂは本発明の一実施例によるガラスマスク吸着ステージ
の断面図及び平面図、第４図Ａは従来の又同図Ｂは本発
明の一実施例に用いるガラスマスクの平面図、第５図は
本発明の一実施例によるガラスマスクステージとガラス
マスク、ウェハーの接触状態の構成を示す断面図および
平面図である。 ａ・・・・−上側のガラスマスク吸着ステージ、ｂ・・
・・・・上側のガラスマスク、Ｃ・・−・・・下側のガ
ラスマスク、ｄ・・・・・・ウェハー、ｅ・・・・・・
下側のガラスマスク吸着ステージ、ｆ・・・・・・不活
性ガス吹出しノズル、ｇ・・・・・・ガラスマスク吸着
系路、ｈ・・・・・・ガラスマスク吸着溝、！・・・・
・・本発明の一実施例における下側のガラスマスク吸着
ステージ、ｊ・・・・・・ウエノ・−吸着系路、ｋ・・
・・・・本発明の一実施例における下側ガラスマスク。 ゛・、−゛′
Claims (1)
- 薄板に光感光性により、ホトレジストの両面目合せ露光
′と行なう方法において、ガラスマスクに薄板吸着用穴
を設け、該ガラスマスクの吸着穴及び吸着系路はガラス
マスク吸着用と、ウェハー吸着用と別系列に分離して設
け、前記マスクに薄板を吸着させ、上・下ガラスマスク
を前記薄板に密着させて両面目合せ露光を行なうことを
特徴とするホトレジスト露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140839A JPS6031228A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | ホトレジスト露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58140839A JPS6031228A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | ホトレジスト露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6031228A true JPS6031228A (ja) | 1985-02-18 |
Family
ID=15277910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58140839A Pending JPS6031228A (ja) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | ホトレジスト露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6031228A (ja) |
-
1983
- 1983-08-01 JP JP58140839A patent/JPS6031228A/ja active Pending
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