JPS5980949A - 樹脂封止半導体装置 - Google Patents

樹脂封止半導体装置

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Publication number
JPS5980949A
JPS5980949A JP58118320A JP11832083A JPS5980949A JP S5980949 A JPS5980949 A JP S5980949A JP 58118320 A JP58118320 A JP 58118320A JP 11832083 A JP11832083 A JP 11832083A JP S5980949 A JPS5980949 A JP S5980949A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
tab
semiconductor substrate
semiconductor device
corner
Prior art date
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Pending
Application number
JP58118320A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeo Amagi
滋夫 天城
Masahiro Kitamura
北村　允宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS5980949A publication Critical patent/JPS5980949A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
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    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体基板全体を樹脂でモールドしたＩＣ，Ｌ
ＳＩ等の樹脂封止半導体装置の構造に係る。
樹脂でモールドする半導体装置の構造は第１図に示すよ
うになっており、半導体基板２を金属板よりなるタブ３
に固着した状態で樹脂１によりつりんでいる。このモー
ルド樹脂１と半導体基板２、タブ３０線膨張係数が異る
ため各構成材には温度変化に伴う熱応力が生じる。ここ
に使用されている金属板製タブ３は第１図に示すリード
４と共に一枚の金属板より型打ち抜き加工により形成さ
れる。このためタブの一方の側の角部には第２図に示す
ように鋭い角のバリ６が残っている。従来技術において
は半導体基板をバリ６が残る面に対し反対側の面に固着
した後、樹脂でモールドしていた。このためタブの周辺
部に高い応力集中が起ることとなり、モールドレジンに
破断個所７が生じ易かった。
本発明の目的は樹脂でモールドした半導体装置において
モールド樹脂の破壊を防廿することにある。
本発明は、樹脂でモールドした半導体装置のタブ近傍に
生じる応力を解析した結果なされたものである。本発明
に従うと、タブの角部に生じる高い応力を低減する手段
として第３図に示すようにタブ３のバリ６のような鋭い
角を周辺に持っタブ面へ半導体基板２が固着される。
金属板よりタブ３、リードフレーム乞作り出す最も低価
格で量産性の高い加工法は型打ち抜き法である。この加
工法によれば打ち抜かれた板の側面と表面および裏面と
なす角のうち一方はバリ６のような鋭い角となり、他方
は金属の塑性流動に伴い曲面状になる。そこで、この曲
面状になった角ケ半導体基板が固着される面に対して反
対側に位置させれば、応力集中ン低減できる。
また、バリ６のような鋭い角部な半導体基板が固着され
る側に位置させれば、弾性率が高い半導体装置の近くに
バリ６があるため、バリ６による高い応力集中を防止す
ることができる。このためタブのバリ取り作業、角を丸
める作業が不要となる。
本発明の実施例を第３図、第４図によって説明する。
半導体基板２はタブ３のバリが出ている側に固着され、
モールド樹脂１によって全体がモールドされている。こ
のタブ３の半導体基板Ｚ固着した面に対して反対側の角
の曲率半径Ｒは０．０２１１１である。本実施例におけ
るタブの角部の応力と従来品の角部の応力を比較すると
、本実施例の方が従来品より３割近く低減していること
がわかった。
本発明によれば半導体装置におけるタブ３の角部に生じ
る応力集中を軽減できるのでモールド樹脂の破壊を防止
できる。第３図に図示のように、タブ３の鋭い角部６が
ある面から樹脂表面までの距離Ｌ１が、タブ３０反対面
から樹脂表面（裏面）までの距離り、よりも大きい場合
は、半導体装置の信頼度が同上する。すなわち樹脂の応
力集中しやすい部分から樹脂表面までの距離が大きくな
ることによって、万−樹脂中に局部的な破壊が生じたと
しても、その破壊が樹脂表面にまで達することが起りに
くくなる。その結果、封止樹脂外からの汚染に対して半
導体基板を充分に保護できるようＫなる。
また、型打ち抜き加工したタブのバリ取りあるいは角の
丸め作業が不要となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は樹脂モールドによりパッケージしたＬＳＩの部
分断面斜視図、第２図は従来品の断面図、第３図は本発
明の実施例の断面図、第４図は本発明の実施例の部分断
面図である。 １・・・モールド樹脂、２・・・半導体基板、３・・・
タブ、４・・・リードフレーム、５・・・引出し線、６
・・・ばり、７・・・破断個所。 第　　１　　図 グ 第　　２　図 第３図 第　　４　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、半導体基板を金属板よりなるタブの上に固着し、上
    記タブ及び上記半導体基板を樹脂で封止した樹脂封止半
    導体装置であって、上記タブはその主面に対してはｙ直
    交する側面と、上記主面と側面との間で鋭い角となる角
    部と、上記主面の反対側の面と上記側面との間でゆるい
    曲面状にされた角部とを持ち、上記半導体基板は上記主
    面に固着されてなることを特徴とする樹脂封止半導体装
    置。
JP58118320A 1983-07-01 1983-07-01 樹脂封止半導体装置 Pending JPS5980949A (ja)

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JP58118320A JPS5980949A (ja) 1983-07-01 1983-07-01 樹脂封止半導体装置

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JPS5980949A true JPS5980949A (ja) 1984-05-10

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ID=14733746

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JP58118320A Pending JPS5980949A (ja) 1983-07-01 1983-07-01 樹脂封止半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008016714A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Sanyo Electric Co Ltd フレームパッケージ型半導体レーザ装置
JP2008016715A (ja) * 2006-07-07 2008-01-24 Sanyo Electric Co Ltd フレームパッケージ型半導体レーザ装置
JP2008021754A (ja) * 2006-07-12 2008-01-31 Sanyo Electric Co Ltd フレームパッケージ型半導体レーザ装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS554985A (en) * 1978-06-27 1980-01-14 Nec Kyushu Ltd Lead frame for semiconductor device
JPS5524694A (en) * 1979-08-09 1980-02-21 Eastman Kodak Co Fluorescent analysis for bilirubin

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