JPS5982700A - 半導体外部記憶装置のバツクアツプ装置 - Google Patents
半導体外部記憶装置のバツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS5982700A JPS5982700A JP57191904A JP19190482A JPS5982700A JP S5982700 A JPS5982700 A JP S5982700A JP 57191904 A JP57191904 A JP 57191904A JP 19190482 A JP19190482 A JP 19190482A JP S5982700 A JPS5982700 A JP S5982700A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage device
- external storage
- data
- semiconductor external
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/14—Error detection or correction of the data by redundancy in operations
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Power Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は計算機システムに設けられる半導体外部記憶装
置に係り、特に、停電時等に半導体外部記憶装置の記憶
内容を保存するための７マツクアツプ装置に関する。
置に係り、特に、停電時等に半導体外部記憶装置の記憶
内容を保存するための７マツクアツプ装置に関する。
計算機システムに設けられる外部記憶装置として半導体
メモリｇ子等から成る揮発性の半導体外部記憶装置を用
いた場合には、磁気によって記憶する不揮発性の外部記
憶共ｆ？’ｉ？を用いた場合とけ異なυ、計算機システ
ムに供給される電源が遮断されると、半導体メモリに格
納された内容（データ）が揮発してしまい計１Ｔ機シス
テムの内容に支障をきたす欠点があった。そこで、従来
ではこの半導体外部記憶装ｆＭｔにノζツクアップ装置
（補助記憶装置を含む）を組合せて、電源遮断時等の事
故時に半導体外部記憶装置に記憶されたデータをバック
アップ装置に退避させて記憶内容の消失を防止していた
。
メモリｇ子等から成る揮発性の半導体外部記憶装置を用
いた場合には、磁気によって記憶する不揮発性の外部記
憶共ｆ？’ｉ？を用いた場合とけ異なυ、計算機システ
ムに供給される電源が遮断されると、半導体メモリに格
納された内容（データ）が揮発してしまい計１Ｔ機シス
テムの内容に支障をきたす欠点があった。そこで、従来
ではこの半導体外部記憶装ｆＭｔにノζツクアップ装置
（補助記憶装置を含む）を組合せて、電源遮断時等の事
故時に半導体外部記憶装置に記憶されたデータをバック
アップ装置に退避させて記憶内容の消失を防止していた
。
第１図は従来この極の半導体外部記憶装りのバックアッ
プ装置の一例を示す構成図である。半導体メモリＩＦｉ
ノマツファメモリ２人を有するバルクコントローラ２を
介して不揮発性の補助記憶装置（磁気ディスク勢）３に
接１９ｉされている。前記半導体メモリ１及び補助記憶
装置３は電源喪失時バッテリ４を電源とし、このバッテ
リ４はバルクコントローラ２によってオン・オフ制御さ
れている。
プ装置の一例を示す構成図である。半導体メモリＩＦｉ
ノマツファメモリ２人を有するバルクコントローラ２を
介して不揮発性の補助記憶装置（磁気ディスク勢）３に
接１９ｉされている。前記半導体メモリ１及び補助記憶
装置３は電源喪失時バッテリ４を電源とし、このバッテ
リ４はバルクコントローラ２によってオン・オフ制御さ
れている。
マタ、バルクコントローラ２は複数のＣＰＵ（主メモリ
を含む中央処理装置）５に接続されている。
を含む中央処理装置）５に接続されている。
バックアップ装置はバルクコントローラ２と不揮発性の
補助記憶装置３及びバッテリ４とから構成され、ＣＰＵ
５、半導体メモリ１等の計算機システムの図示されない
電源が停電した思合、ノ々ルクコントローラ２け半導体
メモリ１内のデータを禎助記１急装証３に退避（保存）
させる。この際半導体メモリ１、補助舵イは装置３はバ
ッテリ４をｊｄθ：、芝として動作する。計算イでシス
テムへの’ｌｉｔ Ｍ −／′Ｊ票シリ＋ｊ Ｌ ｉ、
＝ ｔｌ、’？ ｋよ、バルクコントローラ２はこれを
検出して補助記憶装置３に保存（ＳＡＶＥ）ｌ、た記憶
内容ケ半辱体メモリ１に復元（１１，Ｅ８’Ｌ”ＯＲＥ
）する。
補助記憶装置３及びバッテリ４とから構成され、ＣＰＵ
５、半導体メモリ１等の計算機システムの図示されない
電源が停電した思合、ノ々ルクコントローラ２け半導体
メモリ１内のデータを禎助記１急装証３に退避（保存）
させる。この際半導体メモリ１、補助舵イは装置３はバ
ッテリ４をｊｄθ：、芝として動作する。計算イでシス
テムへの’ｌｉｔ Ｍ −／′Ｊ票シリ＋ｊ Ｌ ｉ、
＝ ｔｌ、’？ ｋよ、バルクコントローラ２はこれを
検出して補助記憶装置３に保存（ＳＡＶＥ）ｌ、た記憶
内容ケ半辱体メモリ１に復元（１１，Ｅ８’Ｌ”ＯＲＥ
）する。
〔背貝技（４「の問題点〕
上記のようクヨ従来のバックアップ装置では、半導体メ
モリ１の記憶データを抽助記°１．り装置３に退避させ
て保存する際に、第２図に示す如く半導体メモリ１に記
１．ハされているデータを常に補助記憶装置３の特定の
先頭番地の特定のエリアに保存するため、補助記憶装置
３のデータ保存エリアを指定することができなく、異な
った時点の半導体メモリ１に記ｔハされている複数のデ
ータを同一の補助記憶装置３に保存できない欠点があり
、半導体メモリ１の記憶データを多重的に処理すること
ができなかった。
モリ１の記憶データを抽助記°１．り装置３に退避させ
て保存する際に、第２図に示す如く半導体メモリ１に記
１．ハされているデータを常に補助記憶装置３の特定の
先頭番地の特定のエリアに保存するため、補助記憶装置
３のデータ保存エリアを指定することができなく、異な
った時点の半導体メモリ１に記ｔハされている複数のデ
ータを同一の補助記憶装置３に保存できない欠点があり
、半導体メモリ１の記憶データを多重的に処理すること
ができなかった。
本発明の目的は、上記の欠点に鑑み、半導体外部記憶装
置に記憶されている複数の異なる時点のデータを１個の
ｈｉｊ助記憶装置に退避させ−Ｃ保存することができる
半導体外部記憶装置のバックアップ装置を提供すること
にある。
置に記憶されている複数の異なる時点のデータを１個の
ｈｉｊ助記憶装置に退避させ−Ｃ保存することができる
半導体外部記憶装置のバックアップ装置を提供すること
にある。
本発明は、生メモリを含むＣ１） Ｕの指令に基づき、
半導体外部記憶装置と主メモリとの間のデータ転送を制
御するバルクコントローラにより、半導体外部記憶装置
の記憶データを不揮発性の補助記憶装置に保存する半導
体外部記憶装置のバックアップ装置において、バルクコ
ントローラに保存領域指定装置を付設し、半４体外部記
憶装置の記憶データをバルクコントローラを介して補助
記憶装置に保存させる腺に、＋ｒＲ助記憶装置の記憶エ
リアの先頭番地を保存領域指定装置によシ指定し、指定
されたエリアにデータを保存するして、半導体外部記憶
装置の異なる時間の複数の記憶データを同一の補助記憶
装置の各エリアに保存することによシ、上記目的を達成
する。
半導体外部記憶装置と主メモリとの間のデータ転送を制
御するバルクコントローラにより、半導体外部記憶装置
の記憶データを不揮発性の補助記憶装置に保存する半導
体外部記憶装置のバックアップ装置において、バルクコ
ントローラに保存領域指定装置を付設し、半４体外部記
憶装置の記憶データをバルクコントローラを介して補助
記憶装置に保存させる腺に、＋ｒＲ助記憶装置の記憶エ
リアの先頭番地を保存領域指定装置によシ指定し、指定
されたエリアにデータを保存するして、半導体外部記憶
装置の異なる時間の複数の記憶データを同一の補助記憶
装置の各エリアに保存することによシ、上記目的を達成
する。
以下本発明の一実す譜と・ＩＩを従来例と同部品は同’
ｉｆｆ合を用い−Ｃ図面に従って説明する。第３図は木
兄１ヅ１の半導体外部記憶装置のバックアップ装はの一
実施例を示す構成図である。半導体メモリ１はバッファ
メモリ２Ａを有するバルクコントローラ２及び保存領域
指定装置６を介し−Ｃ例えば、磁気ディスク、磁気Ｐラ
ム、磁気テープ等の不揮発性補助記憶装置ｉＺ ３にＡ
続されている。前記半導体メモリ１及び補助記・；、・
ぷ装置３０ユ計３’＋”Ｃ４’ｊ！システムの電源喪失
時パラ、アリ４と電源とし、このバッテリ４はバルクコ
ントローラ２によってオン・オフ制御されている。また
、バルクコントローラ２は複数のＣＰＵ（主メモリを含
む中央処理装置）５に接続されている。このように本実
施例のバックアップ装置は従来例のそれと略同（−Ａの
構成を有しているが、その異なる所はバルクコントロー
ラ２に保存領域指定装Ｎ６を付設した所にある。
ｉｆｆ合を用い−Ｃ図面に従って説明する。第３図は木
兄１ヅ１の半導体外部記憶装置のバックアップ装はの一
実施例を示す構成図である。半導体メモリ１はバッファ
メモリ２Ａを有するバルクコントローラ２及び保存領域
指定装置６を介し−Ｃ例えば、磁気ディスク、磁気Ｐラ
ム、磁気テープ等の不揮発性補助記憶装置ｉＺ ３にＡ
続されている。前記半導体メモリ１及び補助記・；、・
ぷ装置３０ユ計３’＋”Ｃ４’ｊ！システムの電源喪失
時パラ、アリ４と電源とし、このバッテリ４はバルクコ
ントローラ２によってオン・オフ制御されている。また
、バルクコントローラ２は複数のＣＰＵ（主メモリを含
む中央処理装置）５に接続されている。このように本実
施例のバックアップ装置は従来例のそれと略同（−Ａの
構成を有しているが、その異なる所はバルクコントロー
ラ２に保存領域指定装Ｎ６を付設した所にある。
次に本実施例の動作について説明する。ＣＰ’Ｕ５の指
令に基づきバルクコントローラ２は半導体メモｖ３と主
メモリの間のデータ転送を制御する。
令に基づきバルクコントローラ２は半導体メモｖ３と主
メモリの間のデータ転送を制御する。
ＣＰＵ５からの自動保存（Ｓ）ＬＶＥ）命令によバある
いはバルクコントローラ２に備えられた手動保存命令に
より、半栃体メ七り１の記憶データをバルクコントロー
ラ２を介して補助記憶装置３に格納保存する。この際、
保存領域指定装置６は、補助記憶装置３のデータを保存
すべきエリアの先頭番地を指定する機能を有しているた
め、バルクコントローラ２はこの保存領域指定装置６の
状態を監視し、その指定に基づき補助記憶装置３の該当
するエリアに半導体メモリ１の記憶データを格納保存す
る。この動作はｋ Ｉ・７４：＋ａ ｙスデムの電源喪
失等とｔまかかわシなく行なわイする。
いはバルクコントローラ２に備えられた手動保存命令に
より、半栃体メ七り１の記憶データをバルクコントロー
ラ２を介して補助記憶装置３に格納保存する。この際、
保存領域指定装置６は、補助記憶装置３のデータを保存
すべきエリアの先頭番地を指定する機能を有しているた
め、バルクコントローラ２はこの保存領域指定装置６の
状態を監視し、その指定に基づき補助記憶装置３の該当
するエリアに半導体メモリ１の記憶データを格納保存す
る。この動作はｋ Ｉ・７４：＋ａ ｙスデムの電源喪
失等とｔまかかわシなく行なわイする。
停″Ｌｄ及び電源縁断時等の電源喪失時には、この電源
喪失をバルクコントローラ２が検出し、ベラテリ４をオ
ンして励１′μ状悪とすると共に、保存領域指定装置６
０指冗先頭番地に基づいて補助記°１意装置３の対応す
るエリアに半導体メモリ１の記憶データを格納保存する
。第４図は上記保存領域指定装置６の働きを示すもので
、半導体メモリ１の記憶データが補助記憶装置３の記憶
エリアａ−１〜ａ −ｎの中の指定されたエリアに格納
保存される。
喪失をバルクコントローラ２が検出し、ベラテリ４をオ
ンして励１′μ状悪とすると共に、保存領域指定装置６
０指冗先頭番地に基づいて補助記°１意装置３の対応す
るエリアに半導体メモリ１の記憶データを格納保存する
。第４図は上記保存領域指定装置６の働きを示すもので
、半導体メモリ１の記憶データが補助記憶装置３の記憶
エリアａ−１〜ａ −ｎの中の指定されたエリアに格納
保存される。
第５図は本実施例の保存動作を示したチャート図である
。１０で計算イ浅システムの停電、電源断による電源喪
失をバルクコントローラ２が検出すると、２ツテリ４を
オンとすると共に、保存領域指定装置６の指令先頭番地
に基づいて、１２で半導体メモリ１の記憶データを補助
記憶装置３の該当エリアに格納する。また、ＣＰＵ５の
保存命令によって自動的にバルクコントローラ２が作動
して同様の手順に従って半導体メモリ１の記憶データを
補助記憶装置３１Ｃ保存する。更に１１で、バルクコン
トローラ２に備えられた図示されない手動スイッチを操
作して、保存命令をバルクコントローラ２に与え、手動
で上記保存動作を行なうこともできる。
。１０で計算イ浅システムの停電、電源断による電源喪
失をバルクコントローラ２が検出すると、２ツテリ４を
オンとすると共に、保存領域指定装置６の指令先頭番地
に基づいて、１２で半導体メモリ１の記憶データを補助
記憶装置３の該当エリアに格納する。また、ＣＰＵ５の
保存命令によって自動的にバルクコントローラ２が作動
して同様の手順に従って半導体メモリ１の記憶データを
補助記憶装置３１Ｃ保存する。更に１１で、バルクコン
トローラ２に備えられた図示されない手動スイッチを操
作して、保存命令をバルクコントローラ２に与え、手動
で上記保存動作を行なうこともできる。
一方、補助記憶装置３の保存データを半導体メモリ１へ
復元（几Ｆ、５ＴＯＲＥ）する場合は、ＣＰＵ５の復元
命令によυ自動的に、あるいはバルクコントローラ２の
手動操作による復元命令により手動的に、補助記憶装置
３に保存されているデータがバルクコントローラ２を介
して半導体メモリ１に復元される。この際、バルクコン
トローラ２Ｆｉ保存領域指定装置６の状態を監視してそ
の指定先頭番地に基づき補助記憶装ｒｆ１３の対応する
記憶エリアに格納されたデータが半導体メモリ１′に復
元される。
復元（几Ｆ、５ＴＯＲＥ）する場合は、ＣＰＵ５の復元
命令によυ自動的に、あるいはバルクコントローラ２の
手動操作による復元命令により手動的に、補助記憶装置
３に保存されているデータがバルクコントローラ２を介
して半導体メモリ１に復元される。この際、バルクコン
トローラ２Ｆｉ保存領域指定装置６の状態を監視してそ
の指定先頭番地に基づき補助記憶装ｒｆ１３の対応する
記憶エリアに格納されたデータが半導体メモリ１′に復
元される。
また、電源の復帰あるいは投入時で：・よ、バルクコン
トロー５２がこれを検出した後、バルクコントローラ２
は、保存領域指定装置６の状態を監視しその指定する先
頭番地に基づき、補助記憶装置３の対応する記憶エリア
に格納されたデータを半導体メモリｌに復元する。第４
図は補助記憶装置３の指定されたエリアから半導体メモ
リ１ヘデータが復元される状態を示している。
トロー５２がこれを検出した後、バルクコントローラ２
は、保存領域指定装置６の状態を監視しその指定する先
頭番地に基づき、補助記憶装置３の対応する記憶エリア
に格納されたデータを半導体メモリｌに復元する。第４
図は補助記憶装置３の指定されたエリアから半導体メモ
リ１ヘデータが復元される状態を示している。
第６図は本実施例の復元動作を示したチャート図である
。１０でＷ’ｌ算様システムの電源の復帰あるいは投入
をノマルクコントローラ２が検出すると１．２ルクコン
トローラ２は保存領域指定装置６０指冗先頭番地に基づ
いて、１２で補助記憶装Ｈ″ｔ３の該描エリアに格納さ
れているデータを半導体メモリ１に復元する。また、Ｃ
ＰＵ５の復元命令によって自動的に、２ルクコントロー
ラ２が作動して同様の手順に従って補助記憶装置３の保
存データが半導体メモリ１へ復元されろ。更に、１１で
バルクコントローラ２に備えられた手動スイッチを操作
して復元命令をノマルクコントローラ２に与え、手動で
上記復元動作を行なうこともできる。
。１０でＷ’ｌ算様システムの電源の復帰あるいは投入
をノマルクコントローラ２が検出すると１．２ルクコン
トローラ２は保存領域指定装置６０指冗先頭番地に基づ
いて、１２で補助記憶装Ｈ″ｔ３の該描エリアに格納さ
れているデータを半導体メモリ１に復元する。また、Ｃ
ＰＵ５の復元命令によって自動的に、２ルクコントロー
ラ２が作動して同様の手順に従って補助記憶装置３の保
存データが半導体メモリ１へ復元されろ。更に、１１で
バルクコントローラ２に備えられた手動スイッチを操作
して復元命令をノマルクコントローラ２に与え、手動で
上記復元動作を行なうこともできる。
本実′ｈｉ例によれば、バルクコントローラ２に保存領
域指定装置６を付設し、バルクコントローラ２が半導体
メモリ１の記憶データを補助記憶装置ｉ２３に保存する
際に、この保存領域指定装置６によって指定された先頭
番地に該当する補助記憶装置３の記憶エリアに半導体メ
モリ１のブータラ保存することができるため、半導体メ
モリ１に記憶されている被数の異なる時点のデータを補
助記憶装置３の異なる記憶エリアにそれぞれ格納するこ
とができ、１個の補助記憶装ｒＮ３に複数の異なる時点
のデータを保存することができ、データの多重処理を可
能とすることができる。また、自動及び手動による半導
体メモリ１の記憶データの保存並びに自動及び手動によ
る半導体メモリ１へのデータの復元を行なうことができ
ろ。従って、ディスク系の外部記憶装置が持つメカニカ
ルロス時間の全くない高速度且つ茜信頼性の半導体メモ
リ１の利点を十分に活かし、計算機システム全体の高速
化及び高信頼性を笑現することができる。
域指定装置６を付設し、バルクコントローラ２が半導体
メモリ１の記憶データを補助記憶装置ｉ２３に保存する
際に、この保存領域指定装置６によって指定された先頭
番地に該当する補助記憶装置３の記憶エリアに半導体メ
モリ１のブータラ保存することができるため、半導体メ
モリ１に記憶されている被数の異なる時点のデータを補
助記憶装置３の異なる記憶エリアにそれぞれ格納するこ
とができ、１個の補助記憶装ｒＮ３に複数の異なる時点
のデータを保存することができ、データの多重処理を可
能とすることができる。また、自動及び手動による半導
体メモリ１の記憶データの保存並びに自動及び手動によ
る半導体メモリ１へのデータの復元を行なうことができ
ろ。従って、ディスク系の外部記憶装置が持つメカニカ
ルロス時間の全くない高速度且つ茜信頼性の半導体メモ
リ１の利点を十分に活かし、計算機システム全体の高速
化及び高信頼性を笑現することができる。
以上記述した如く本発明の半導体外部記憶装置の／ぐツ
クアップ装置によれば、半導体外部記憶装置の記憶デー
タを補助記ｔは装置の任意の記憶エリアに格納保存する
ことにより、半導体外部記憶装置装置に記憶されている
複数の異なる時点のデータを１個の記憶装置に退避式せ
て保存し得ろ効果がある。
クアップ装置によれば、半導体外部記憶装置の記憶デー
タを補助記ｔは装置の任意の記憶エリアに格納保存する
ことにより、半導体外部記憶装置装置に記憶されている
複数の異なる時点のデータを１個の記憶装置に退避式せ
て保存し得ろ効果がある。
第１図は従来の半導体外部記憶装置のｄツクアップ装置
の一例を示す構成図、第２図は従来の半導体メモリと補
助記憶装置との間のデータの保存、復元方式を示す説明
図、第３図は本発明の半導体外部記憶装置の、ｊ ツク
アップ装置の一実Ｍ５．例を示す構成図、第４図は本実
施例の半導体メモリと補助記憶４Ｑ ｉｉ′Ｊの間のデ
ータの保存、後元方式を示す説明図、第５図は本実施例
の保存動作を示すチャート図、第６図は本実施例の復元
動作を示すチャート図である。 １・・・半導体メモリ ２・・・７マルクコントローラ
３・・・ｊ；Ｉｉ助記１意装置 ４・・・バッテリ ５
・・・ＣＰＵ６・・・保存＜、、−１ｊ２Ｊｊ指冨装散
。 代［里人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名
） 第１図 Ａ 第２図 第３図 第４図
の一例を示す構成図、第２図は従来の半導体メモリと補
助記憶装置との間のデータの保存、復元方式を示す説明
図、第３図は本発明の半導体外部記憶装置の、ｊ ツク
アップ装置の一実Ｍ５．例を示す構成図、第４図は本実
施例の半導体メモリと補助記憶４Ｑ ｉｉ′Ｊの間のデ
ータの保存、後元方式を示す説明図、第５図は本実施例
の保存動作を示すチャート図、第６図は本実施例の復元
動作を示すチャート図である。 １・・・半導体メモリ ２・・・７マルクコントローラ
３・・・ｊ；Ｉｉ助記１意装置 ４・・・バッテリ ５
・・・ＣＰＵ６・・・保存＜、、−１ｊ２Ｊｊ指冨装散
。 代［里人 弁理士 則 近 憲 佑（ほか１名
） 第１図 Ａ 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１，）主メモリを含む中央処理装置の指令に基づき、
半導体外部記憶装置と主メモリとの間のデータ転送を制
御する・マルクコントローラにより、電源喪失時にバッ
テリー等から電源を供給して半導体外部記憶装置の記憶
データを不抑発性の補助記憶装置に保存し、電源復帰時
に保存したデータを半導体外部記憶装置に復元する半導
体外部記憶装置のバックアップ装置において、バルクコ
ントローラは前記保存領域指定装置が指定する補助記憶
装置が有する記憶エリアの先頭番地に基づいて、該当の
記憶エリアに半導体外部記憶装置の記憶データを転送保
存し、また、補助記憶装置りの保存データを半導体外部
記憶装置に復元させる際に、バルクコントローラは前記
保存領域指定装置が指定する先頭番地の記憶エリアに格
納されている保存データを半導体外部記憶装置に転送復
元することを特徴どする半導体外部記憶装置の、バック
アップ装置。 （２，）中央処理装置が保存、復元命令をバルクコント
ローラに与えて、半導体外部記憶装置とｔ＋ｌｉ助記憶
装置間でのデータの保存、復元を自動的に行ない、・々
ルクコントローラに備えられている手動スイッチを操作
して、半導体外部記憶装置と補助記１、ハ装置間でのデ
ータの保存、復元を手動で行なうことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体外部記憶装置のバックア
ップ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191904A JPS5982700A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 半導体外部記憶装置のバツクアツプ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191904A JPS5982700A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 半導体外部記憶装置のバツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5982700A true JPS5982700A (ja) | 1984-05-12 |
Family
ID=16282378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57191904A Pending JPS5982700A (ja) | 1982-11-02 | 1982-11-02 | 半導体外部記憶装置のバツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5982700A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246451A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Sharp Corp | 小型情報処理装置 |
| JPH0512139A (ja) * | 1991-06-29 | 1993-01-22 | Sega Enterp Ltd | ホツトスタートシステム |
| US7654904B2 (en) | 2002-11-15 | 2010-02-02 | Nintendo Co., Ltd. | Game machine, backup control program of game data and backup control method |
-
1982
- 1982-11-02 JP JP57191904A patent/JPS5982700A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246451A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Sharp Corp | 小型情報処理装置 |
| JPH0512139A (ja) * | 1991-06-29 | 1993-01-22 | Sega Enterp Ltd | ホツトスタートシステム |
| US7654904B2 (en) | 2002-11-15 | 2010-02-02 | Nintendo Co., Ltd. | Game machine, backup control program of game data and backup control method |
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