JPS598425A - Ｉ↑２ｌ素子からなる波形整形回路 - Google Patents
Ｉ↑２ｌ素子からなる波形整形回路Info
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- JPS598425A JPS598425A JP57116169A JP11616982A JPS598425A JP S598425 A JPS598425 A JP S598425A JP 57116169 A JP57116169 A JP 57116169A JP 11616982 A JP11616982 A JP 11616982A JP S598425 A JPS598425 A JP S598425A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/04—Shaping pulses by increasing duration; by decreasing duration
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/027—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of logic circuits, with internal or external positive feedback
- H03K3/033—Monostable circuits
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ鵞Ｌ（工ｎｔｓｇｒａｔｒ４ 工ｎｇ＠ａｔ
ｉｏｎ Ｌｏｇｉｏ）素子からなる論理回路に適した波
形整形回路に関する。
ｉｏｎ Ｌｏｇｉｏ）素子からなる論理回路に適した波
形整形回路に関する。
本発明の波形整形回路は半導体集積回路化が容易な工！
Ｌ素子からなる学安定マルチバイブレータを二個組み合
せて形成された構造を有している。
Ｌ素子からなる学安定マルチバイブレータを二個組み合
せて形成された構造を有している。
そして、個々に単安定マルチバイブレータの出力波形を
得ることができると共に夫々の出力波形のパルス中を合
成した出力波形を得ることができる論理回路に好適な波
形整形回路に係る。
得ることができると共に夫々の出力波形のパルス中を合
成した出力波形を得ることができる論理回路に好適な波
形整形回路に係る。
本発明の主な目的は工２Ｌ素子からなる波形整形回路を
提供するにある。
提供するにある。
也の目的は二個の工２ Ｌ素子からなる単安定マルチバ
イブレータからなる波形整形回路を促供するにある。
イブレータからなる波形整形回路を促供するにある。
更にまだ曲の目的は工！Ｌ素子からなる二個の単安定マ
ルチバイブレータからの夫々の出力波形のパルス中を合
成した出力波形を得ることのできる波形整形回路を提供
するにある。
ルチバイブレータからの夫々の出力波形のパルス中を合
成した出力波形を得ることのできる波形整形回路を提供
するにある。
本発明の波形整形回路は上述の如き目的ｔ！−速成する
ようになされており、その詳細について以下に図面に基
づき説明する。
ようになされており、その詳細について以下に図面に基
づき説明する。
筆１図（は本発明の波形整形回路の概要を説明する為の
説明図でちる。Ａ、Ｂ！叶嘔安定マルチバイブレータ、
１はトリガーパルス、り入力４子、３！は出力端子、４
，５は充装置を行うコンデンサ、Ｔはトランジスタであ
る。トリがパルスが入力端子１に入力さくすると、雫安
定マルチバイブレータＡのコンデンサ４・Ｌ充電が開始
さ１ｔて出力、皮形が得られる。同時にトランジスタＴ
７うぶオン犬態となりコンデンサ５の充電が開始される
のを阻止する。
説明図でちる。Ａ、Ｂ！叶嘔安定マルチバイブレータ、
１はトリガーパルス、り入力４子、３！は出力端子、４
，５は充装置を行うコンデンサ、Ｔはトランジスタであ
る。トリがパルスが入力端子１に入力さくすると、雫安
定マルチバイブレータＡのコンデンサ４・Ｌ充電が開始
さ１ｔて出力、皮形が得られる。同時にトランジスタＴ
７うぶオン犬態となりコンデンサ５の充電が開始される
のを阻止する。
コンデンサ４の光透が終了すると、トランジスタＴがオ
フ状態と、ケリ、コンデンサ５．・ζ充電が開始され、
波形整形がなされる。そしＣ１出力端子２からは単安定
マルチバイブレータＡ、Ｂ：’）夫々の出力・皮形の合
成された波形ｔ−得る。また、出力端子６からは学友定
マルチノ（イブレータＡ、Ｂの夫々の出力波形のパルス
巾の加算された波形が出力される。
フ状態と、ケリ、コンデンサ５．・ζ充電が開始され、
波形整形がなされる。そしＣ１出力端子２からは単安定
マルチバイブレータＡ、Ｂ：’）夫々の出力・皮形の合
成された波形ｔ−得る。また、出力端子６からは学友定
マルチノ（イブレータＡ、Ｂの夫々の出力波形のパルス
巾の加算された波形が出力される。
次に、第２１図パでよって本発明に係る工２Ｌ素子おら
なる波形整形回路の−み施例゛・でついで説明する。ｈ
ｒｒｒｘ２ＬＩＲ子８〜１５とコンデンサ４によって形
吠され九嘆安定マルチノ（イブレータであり、３はＩｔ
ＬＸ子１５〜２０とコンデンサ５から形成された単安
定マルチバイブレータである。入力端子１は工鵞Ｌ素子
７を介して夫々工２Ｌ素子８゜１５の入力端に接続され
、夫々の嘔安定マルチノ（イブレータＡ、Ｂに信号が伝
送される。単安定マルチバイブレータＡは、Ｉｔ Ｌ素
子日の出力端が工鵞Ｌ素子９０入力端とｌ ’Ｌ素子１
３の出力端に接続され、。工２Ｌ素子９の出力端の一つ
が工２Ｌ素子１３の入力端と１鵞り素子１２の出力端間
に接続される。工ｚＬ素子９の他の出力端は工２Ｌ累子
１０の入力端に接続され、その出力端が工ｚＬ素子１１
０入力端に接続される。そして、工ｚＬ素子１１の出力
端と１１ Ｌ素子１２０入力端にコンデンサ４の一端が
接続されている。また、単安定マルチバイブレータＢは
、単安定イルチノ（イブレータと同一の構成からなる。
なる波形整形回路の−み施例゛・でついで説明する。ｈ
ｒｒｒｘ２ＬＩＲ子８〜１５とコンデンサ４によって形
吠され九嘆安定マルチノ（イブレータであり、３はＩｔ
ＬＸ子１５〜２０とコンデンサ５から形成された単安
定マルチバイブレータである。入力端子１は工鵞Ｌ素子
７を介して夫々工２Ｌ素子８゜１５の入力端に接続され
、夫々の嘔安定マルチノ（イブレータＡ、Ｂに信号が伝
送される。単安定マルチバイブレータＡは、Ｉｔ Ｌ素
子日の出力端が工鵞Ｌ素子９０入力端とｌ ’Ｌ素子１
３の出力端に接続され、。工２Ｌ素子９の出力端の一つ
が工２Ｌ素子１３の入力端と１鵞り素子１２の出力端間
に接続される。工ｚＬ素子９の他の出力端は工２Ｌ累子
１０の入力端に接続され、その出力端が工ｚＬ素子１１
０入力端に接続される。そして、工ｚＬ素子１１の出力
端と１１ Ｌ素子１２０入力端にコンデンサ４の一端が
接続されている。また、単安定マルチバイブレータＢは
、単安定イルチノ（イブレータと同一の構成からなる。
そして、単安定マルチバイブレータＡ、Ｂの特徴ある接
続について説明すると、単安定マルチバイブレータＡの
工ＩＬ素子９の出力端は工１Ｌ素子２１を介して、単安
定マルチバイブレータＢの工２ Ｌｍ子１６の出力端と
工２ Ｌ素子１７の入力端の接続点′て接続される。ま
た、工鵞Ｌ素子１６の出力端は工２Ｌ素子２２の入力端
に接続され、Ｉ２ Ｌ素子２２の出力端の一つは出力端
子３に接続され、他の出力端は工２Ｌ素子１４０入力端
に接続される。そして、■２Ｌ素子１０の出力端の一つ
は工２Ｌ素子１４の出力端に接続されるとともＫＩ２
ＩＪ素子６０入力端て接続され、工ｚ Ｌ素子６の出力
端は出力）禰子２に接続される。
続について説明すると、単安定マルチバイブレータＡの
工ＩＬ素子９の出力端は工１Ｌ素子２１を介して、単安
定マルチバイブレータＢの工２ Ｌｍ子１６の出力端と
工２ Ｌ素子１７の入力端の接続点′て接続される。ま
た、工鵞Ｌ素子１６の出力端は工２Ｌ素子２２の入力端
に接続され、Ｉ２ Ｌ素子２２の出力端の一つは出力端
子３に接続され、他の出力端は工２Ｌ素子１４０入力端
に接続される。そして、■２Ｌ素子１０の出力端の一つ
は工２Ｌ素子１４の出力端に接続されるとともＫＩ２
ＩＪ素子６０入力端て接続され、工ｚ Ｌ素子６の出力
端は出力）禰子２に接続される。
さて、第２図の波形歪形回路の動作について第４図に基
づき説明する。
づき説明する。
入力端子１から第４図ａの９口きＬレベルのトリガパル
スａが入力され、工２Ｌ素子７の出力端から反転したＨ
レベルのトリガーパルスが単安定マルチバイブレータＡ
、Ｅに入力される。Ｉ２ Ｌ素子８０入力端にＨレベル
のトリガパルスが入力されると、Ｘ” Ｌ素子９０入
力端はＬレベルとなり、その出力端はＨレベルとなる。
スａが入力され、工２Ｌ素子７の出力端から反転したＨ
レベルのトリガーパルスが単安定マルチバイブレータＡ
、Ｅに入力される。Ｉ２ Ｌ素子８０入力端にＨレベル
のトリガパルスが入力されると、Ｘ” Ｌ素子９０入
力端はＬレベルとなり、その出力端はＨレベルとなる。
そして、工２Ｌ素子１０の出力端はＬレベルとなり工２
Ｌ素子１１の出力端＋ｄ Ｐルベルと々る。また、Ｉ２
Ｌ素子９のＩｉ′１カ端がＨレベルであるので、工”
Ｌｍ子１３の出力端はＬレベルに設定される。従って
、トリガパルスが入力された後のＩ２ Ｌ素子８の出力
レベルはＬレベルであるが、その出力端がＬレベルに設
定されているので、工２Ｌ素子９の出力端の出力はＨレ
ベルに保持されている。そして、コンデンサ４のｂ点の
電位はトリガパルスａが入力されるとＬレベルからＨレ
ベルに反転する。即ち、コンデンサ４の充ｍｔ荷が放電
した状態にあり、工２Ｌ素子１１の出力端のｂ点の電位
がＨレベルに反転するから、Ｉ” ＬＸ子１２のインジ
ェクタ電流が充１１流としてコンデンサ４に流れ込み、
第４図すの如くｂ点の″電位は上昇してＨレベルとなる
。すると、Ｉ２ Ｌ素子１２の出力端の電位はＬレベル
となり、工２ Ｌ素子１３の出力端はＬレベルからＨレ
ベルに反転する。従って、ロック状態てあったＩｔ Ｌ
素子９の出力端はＨレベルからＬレベルに反転する。第
４図Ｃに示すようにＩ”Ｌ素子９の出力端Ｃの出力波形
はコンデンサ４の充電時間ＴＩに相当するパルス巾を有
する波形が出力される。また Ｉｔ Ｌ素子９の出力は
工２Ｌ素子２１を介して、第安定マルチバイブレータＢ
に入力されている。
Ｌ素子１１の出力端＋ｄ Ｐルベルと々る。また、Ｉ２
Ｌ素子９のＩｉ′１カ端がＨレベルであるので、工”
Ｌｍ子１３の出力端はＬレベルに設定される。従って
、トリガパルスが入力された後のＩ２ Ｌ素子８の出力
レベルはＬレベルであるが、その出力端がＬレベルに設
定されているので、工２Ｌ素子９の出力端の出力はＨレ
ベルに保持されている。そして、コンデンサ４のｂ点の
電位はトリガパルスａが入力されるとＬレベルからＨレ
ベルに反転する。即ち、コンデンサ４の充ｍｔ荷が放電
した状態にあり、工２Ｌ素子１１の出力端のｂ点の電位
がＨレベルに反転するから、Ｉ” ＬＸ子１２のインジ
ェクタ電流が充１１流としてコンデンサ４に流れ込み、
第４図すの如くｂ点の″電位は上昇してＨレベルとなる
。すると、Ｉ２ Ｌ素子１２の出力端の電位はＬレベル
となり、工２ Ｌ素子１３の出力端はＬレベルからＨレ
ベルに反転する。従って、ロック状態てあったＩｔ Ｌ
素子９の出力端はＨレベルからＬレベルに反転する。第
４図Ｃに示すようにＩ”Ｌ素子９の出力端Ｃの出力波形
はコンデンサ４の充電時間ＴＩに相当するパルス巾を有
する波形が出力される。また Ｉｔ Ｌ素子９の出力は
工２Ｌ素子２１を介して、第安定マルチバイブレータＢ
に入力されている。
次に、単安定マルチバイブレータＢの説明に入る。単安
定マルチバイブレータＡと同様にトリ力パルス＆が工２
Ｌ素子７を介して工！Ｌ素子１５に入力されると、工２
Ｌ素子１５の出力端はＬレベルとなり、工ｔ Ｌ素子１
６の出力端がＨレベルになるが、単安定マルチバイブレ
ータＡによって、ＩＩ Ｌ素子２１を介し工２Ｌ素子１
６の出力端の一つがＬレベルに設定されている。従って
、ＩＬＬ素子１７の出力端は■レベルとなり、工２Ｌ素
子１Ｂの出力端はＬレベルとなる。また、工２ Ｌ素子
１６の他の出力端はＨレベルであるので、■ＩＬ素子２
０の出力端はＬレベルに設定され、工２Ｌ素子１６はフ
ック状態となる。コンデンサ５のｄ点の電位は１２ Ｌ
素子１８の出力端がＬレベルに設定されているので、コ
ンデンサ５の充電々荷は放電状態にある。そして、輌安
定マルチバイブレータＡから工２Ｌ素子２１を介して工
２ Ｌｍ子１６と１７の接結へのレベルｆ Ｌレヘルカ
Ｉ−） Ｈｖ ヘルとすると、１２ Ｌ素子１７の出力
レベルはＬレベルとなり、１２ Ｌ素子１８の出力端、
即ち、ｄ点のレベルはＨレベルとなるので、工２ Ｌ！
子１９のインジェクタ電流がコンデンサ５に充我々流と
して流れ込み、第４図ｄの如く６点のＮ、位は次第に上
昇しＨレベルとなる。そして、Ｔ、ｔ Ｌ素子１９の
出力端はＬレベルとなり、工２Ｌ素子２０の出力端はｇ
レベルとなる。従って、工２ ＬＸ子１６のロック状態
が解除される。そして、Ｉｆ Ｌ素子２２の出力波形、
即ら、出力端子３の出力波形はトリガパルスａが入力さ
れると同時に工２ ＬＸ子１６の出力端がＨレベルに設
定保持されるので、１２ Ｌ素子２２の出力端はコンデ
ンサ５のｄ点の成立がＲレベルになるまでの期間Ｌレベ
ルに保持される（第４・図＠）。この工ｔＬ素子２２の
出力端がＬレベルに保持される切間は、単安定マルチパ
イプレークＡ、Ｂのコンデンサ４．５の充電時間（ＴＩ
＋Ｔｚ）に相当する。工２Ｌ素子６の出力ｙＨＸ＝ｒｙ
ち、出力”ｊｉ 子２ ハ、工２Ｌ電子２２．１４と工
２ 丁、素子１ｎからの合成された出力波形が出。
定マルチバイブレータＡと同様にトリ力パルス＆が工２
Ｌ素子７を介して工！Ｌ素子１５に入力されると、工２
Ｌ素子１５の出力端はＬレベルとなり、工ｔ Ｌ素子１
６の出力端がＨレベルになるが、単安定マルチバイブレ
ータＡによって、ＩＩ Ｌ素子２１を介し工２Ｌ素子１
６の出力端の一つがＬレベルに設定されている。従って
、ＩＬＬ素子１７の出力端は■レベルとなり、工２Ｌ素
子１Ｂの出力端はＬレベルとなる。また、工２ Ｌ素子
１６の他の出力端はＨレベルであるので、■ＩＬ素子２
０の出力端はＬレベルに設定され、工２Ｌ素子１６はフ
ック状態となる。コンデンサ５のｄ点の電位は１２ Ｌ
素子１８の出力端がＬレベルに設定されているので、コ
ンデンサ５の充電々荷は放電状態にある。そして、輌安
定マルチバイブレータＡから工２Ｌ素子２１を介して工
２ Ｌｍ子１６と１７の接結へのレベルｆ Ｌレヘルカ
Ｉ−） Ｈｖ ヘルとすると、１２ Ｌ素子１７の出力
レベルはＬレベルとなり、１２ Ｌ素子１８の出力端、
即ち、ｄ点のレベルはＨレベルとなるので、工２ Ｌ！
子１９のインジェクタ電流がコンデンサ５に充我々流と
して流れ込み、第４図ｄの如く６点のＮ、位は次第に上
昇しＨレベルとなる。そして、Ｔ、ｔ Ｌ素子１９の
出力端はＬレベルとなり、工２Ｌ素子２０の出力端はｇ
レベルとなる。従って、工２ ＬＸ子１６のロック状態
が解除される。そして、Ｉｆ Ｌ素子２２の出力波形、
即ら、出力端子３の出力波形はトリガパルスａが入力さ
れると同時に工２ ＬＸ子１６の出力端がＨレベルに設
定保持されるので、１２ Ｌ素子２２の出力端はコンデ
ンサ５のｄ点の成立がＲレベルになるまでの期間Ｌレベ
ルに保持される（第４・図＠）。この工ｔＬ素子２２の
出力端がＬレベルに保持される切間は、単安定マルチパ
イプレークＡ、Ｂのコンデンサ４．５の充電時間（ＴＩ
＋Ｔｚ）に相当する。工２Ｌ素子６の出力ｙＨＸ＝ｒｙ
ち、出力”ｊｉ 子２ ハ、工２Ｌ電子２２．１４と工
２ 丁、素子１ｎからの合成された出力波形が出。
力される。そして、Ｉ２Ｌ末子１４の１８力端がＨレベ
ルであり、１１ Ｌ素子１０がＬレベル脅であるので
、Ｉ２ Ｌ素子乙の出力端の”電位はＩ２ Ｌ素子１０
によって決まる（ 、ＰＪ４図ｆ）。
ルであり、１１ Ｌ素子１０がＬレベル脅であるので
、Ｉ２ Ｌ素子乙の出力端の”電位はＩ２ Ｌ素子１０
によって決まる（ 、ＰＪ４図ｆ）。
次に第５図、でよって本発明の他の実施例Ｃあるｌ２Ｔ
Ｊ素子からなる波形整形回路に就いて説明する。・春５
図と第２図の実施列の相違点は工２Ｌ素子２１の出力端
が第２図の実１ｖｊに於ては、工２Ｌ素子１６の出力端
と工２Ｌ素子１７の入力端σこ接続されているの・ンこ
対し、第５図の実施例は工２Ｌ素−子１８の出力端に接
に児されている点に４）る。しかし、その動作は工２Ｌ
素−子１７．１８の入出力端のレベルが異なるだけで、
ちって、第４図に示された動作波形と同一出力波形を示
す。
Ｊ素子からなる波形整形回路に就いて説明する。・春５
図と第２図の実施列の相違点は工２Ｌ素子２１の出力端
が第２図の実１ｖｊに於ては、工２Ｌ素子１６の出力端
と工２Ｌ素子１７の入力端σこ接続されているの・ンこ
対し、第５図の実施例は工２Ｌ素−子１８の出力端に接
に児されている点に４）る。しかし、その動作は工２Ｌ
素−子１７．１８の入出力端のレベルが異なるだけで、
ちって、第４図に示された動作波形と同一出力波形を示
す。
尚、Ｉｔ Ｌｍ子１１．１９はコンデンサ４或いは５の
放眠作ｉ１１に、関与しており、枚重を容易にする為パ
て第６図に示すように出力）喘をマルチ電極２２に形成
することにより、コンデンサ４の放＊ｔＳ烏にすること
が可能である。
放眠作ｉ１１に、関与しており、枚重を容易にする為パ
て第６図に示すように出力）喘をマルチ電極２２に形成
することにより、コンデンサ４の放＊ｔＳ烏にすること
が可能である。
また、出力端子３からは単安定マルチパイブレータム、
Ｂの充電時間（Ｔ１＋Ｔｇ）に相当するＬレベルの出力
波形を得るが工！Ｌ素子２２の出力端に他のＩ” Ｌ素
子を接続すれば、（ＴＩ＋Ｔり時間のパルス巾の■レベ
ルの出力を得ることができることは明らかである。
Ｂの充電時間（Ｔ１＋Ｔｇ）に相当するＬレベルの出力
波形を得るが工！Ｌ素子２２の出力端に他のＩ” Ｌ素
子を接続すれば、（ＴＩ＋Ｔり時間のパルス巾の■レベ
ルの出力を得ることができることは明らかである。
熱論、工２Ｌ素子の出力端がＬレベルの出力を保持する
為には、外部から電流を引き込まねばならないことは明
らかである。
為には、外部から電流を引き込まねばならないことは明
らかである。
更にまた、工２Ｌ素子からなる波形整形回路はその任意
の工２Ｌ素子の出力端をｉルチ電極とすれば容易にその
部分の出力を取り出すことが可能である利点を有してお
り、工２Ｌ素子からなる波形整形回路等の論理回路に用
いることは、種々の機能を比較的簡単な回路によって形
成できる利点を有する。
の工２Ｌ素子の出力端をｉルチ電極とすれば容易にその
部分の出力を取り出すことが可能である利点を有してお
り、工２Ｌ素子からなる波形整形回路等の論理回路に用
いることは、種々の機能を比較的簡単な回路によって形
成できる利点を有する。
尚、第３図ａは工ＩＬ素子のシンボルマークであり、第
３図すは工！Ｌ素子の等価回路を示している。
３図すは工！Ｌ素子の等価回路を示している。
上述のように本発明に係る工ｔＬ素子からなる波形整形
回路は第１と第２の単安定マルチバイブレータから形成
され、第１の単安定マルチバイブレータが作動している
間、第２の単安定マルチバイブレータをロック状態に保
持し、窮１の単安定マルチバイブレータの動作終了後、
第２の単安定マルチバイブレータのロック状態を解除し
て作動セシメテオリ、第１と第２の単安定マルチバイブ
レータの夫々の出力と夫々の出方波形のパルス中を合成
したパルス中の出力波形を容易に得ることカテキる。ま
た、単安定マルチバイブレータのコンデンサの容量を変
えることによって、パルス中が変わることは明らかであ
る。このように比較的複雑な波形整形が簡単な回路によ
って達成し得る。
回路は第１と第２の単安定マルチバイブレータから形成
され、第１の単安定マルチバイブレータが作動している
間、第２の単安定マルチバイブレータをロック状態に保
持し、窮１の単安定マルチバイブレータの動作終了後、
第２の単安定マルチバイブレータのロック状態を解除し
て作動セシメテオリ、第１と第２の単安定マルチバイブ
レータの夫々の出力と夫々の出方波形のパルス中を合成
したパルス中の出力波形を容易に得ることカテキる。ま
た、単安定マルチバイブレータのコンデンサの容量を変
えることによって、パルス中が変わることは明らかであ
る。このように比較的複雑な波形整形が簡単な回路によ
って達成し得る。
また、本発明の波形整形回路は工２Ｌ素子からなる単安
定１ルチバイプレータから形成されているので、他のト
ランジスタ等の素子と同一のバイポーラプロセスによっ
て半導体集積回路として形成することが容易であり、安
価な回路装置を提供できる利点がある。
定１ルチバイプレータから形成されているので、他のト
ランジスタ等の素子と同一のバイポーラプロセスによっ
て半導体集積回路として形成することが容易であり、安
価な回路装置を提供できる利点がある。
殊疋、本発明の波形整形回路はＸ” Ｌ素子から形成す
る薇、二個の単安定マルチバイブレータによって形成す
る点、第一の単安定マルチパイブレークによって第二の
単安定マルチバイブレータの動作を阻止し、第一の単安
定マルチバイブレータの動作終了後に第二の単安定マル
チバイブレータの動作を開始する点、単安定マルチバイ
ブレータのコンデンサ容量によってパルス中を任意に設
定できると共に、同時に合成されたパルス中の出力を得
ることができる点等に特徴を有している。また、複雑な
パルス処理が可能であるにもかかわらず、比較的簡単な
回路によって波形整形が可能である％徴も有する。そし
て、副次的には、バイポーラプロセスによって形成でき
るので、１１０のトランジスタ回路との複合化が容易で
あり、安価な半導体集積回路装置を提供できる利点を有
する。また １１７．回路からなる論理回路に本発明の
波形整形回路を用いれば、パルス処理に於ける多用性を
得ることができる。
る薇、二個の単安定マルチバイブレータによって形成す
る点、第一の単安定マルチパイブレークによって第二の
単安定マルチバイブレータの動作を阻止し、第一の単安
定マルチバイブレータの動作終了後に第二の単安定マル
チバイブレータの動作を開始する点、単安定マルチバイ
ブレータのコンデンサ容量によってパルス中を任意に設
定できると共に、同時に合成されたパルス中の出力を得
ることができる点等に特徴を有している。また、複雑な
パルス処理が可能であるにもかかわらず、比較的簡単な
回路によって波形整形が可能である％徴も有する。そし
て、副次的には、バイポーラプロセスによって形成でき
るので、１１０のトランジスタ回路との複合化が容易で
あり、安価な半導体集積回路装置を提供できる利点を有
する。また １１７．回路からなる論理回路に本発明の
波形整形回路を用いれば、パルス処理に於ける多用性を
得ることができる。
第１図は本発明に係る工Ｎ Ｌ素子から々る波形整形回
路の概要を説明する為の図、ｑｃ２図は本発明の波形整
形回路の一実施例を示す回路図、第３図ａｉ工ｚｌ素子
のシンボルマークであす、第３図すはその等両回略図、
第４図は本発明の波形整形回路の動作図、第５図は本発
明の波形整形回路の他の実施例を示す回路図、第６図は
回路の一部を示す図である。 Ａ、Ｂ：単安定マルチバイブレータ ４．５；充放−コンデンサ ６〜２１：工２Ｌ素子 特許出願人 東光株式金社 第 １ 図 第３図ａ 第ＢＩＤｂ
路の概要を説明する為の図、ｑｃ２図は本発明の波形整
形回路の一実施例を示す回路図、第３図ａｉ工ｚｌ素子
のシンボルマークであす、第３図すはその等両回略図、
第４図は本発明の波形整形回路の動作図、第５図は本発
明の波形整形回路の他の実施例を示す回路図、第６図は
回路の一部を示す図である。 Ａ、Ｂ：単安定マルチバイブレータ ４．５；充放−コンデンサ ６〜２１：工２Ｌ素子 特許出願人 東光株式金社 第 １ 図 第３図ａ 第ＢＩＤｂ
Claims (1)
- 波形整形回路が工２Ｌ素子からなる第１と第２の単安定
マルチバイブレータとを含み、該第１と第２の単安定マ
ルチバイブレータに同時にトリガーパルスが印加され、
該第１の単安定マルチバイブレータに具えられた第１の
コンデンサの充電時間に得られる出力によって該第２の
単安定マルチバイブレータに＾見られた＄２のコンデン
サへの充電開始を阻止し、該第１のコンデンサの充電終
了時に該第２のコンデンサへの充電を開始することによ
って、該第１と第２の単安定マルチバイブレータの夫々
の出力波形のパルス中が合成された波形を得ることを特
徴とする工２Ｌ素子で形成された波形概形回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116169A JPS598425A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | Ｉ↑２ｌ素子からなる波形整形回路 |
| US06/510,169 US4587440A (en) | 1982-07-06 | 1983-07-01 | Waveform shaping circuit including I2 L element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57116169A JPS598425A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | Ｉ↑２ｌ素子からなる波形整形回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS598425A true JPS598425A (ja) | 1984-01-17 |
| JPH0252891B2 JPH0252891B2 (ja) | 1990-11-15 |
Family
ID=14680494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57116169A Granted JPS598425A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | Ｉ↑２ｌ素子からなる波形整形回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS598425A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50117356A (ja) * | 1974-02-28 | 1975-09-13 | ||
| JPS5773519A (en) * | 1980-10-24 | 1982-05-08 | Toko Inc | Retriggerable multivibrator |
-
1982
- 1982-07-06 JP JP57116169A patent/JPS598425A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50117356A (ja) * | 1974-02-28 | 1975-09-13 | ||
| JPS5773519A (en) * | 1980-10-24 | 1982-05-08 | Toko Inc | Retriggerable multivibrator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0252891B2 (ja) | 1990-11-15 |
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