JPS5984453A - 薄型半導体装置 - Google Patents

薄型半導体装置

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JPS5984453A
JPS5984453A JP57193879A JP19387982A JPS5984453A JP S5984453 A JPS5984453 A JP S5984453A JP 57193879 A JP57193879 A JP 57193879A JP 19387982 A JP19387982 A JP 19387982A JP S5984453 A JPS5984453 A JP S5984453A
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JP
Japan
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wire
semiconductor device
thin
printed circuit
type semiconductor
Prior art date
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Application number
JP57193879A
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English (en)
Inventor
Hirofumi Nakajima
中島　宏文
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプリント回路基板に直接半導体素子を実装する
ようにした半導体装置において、装置厚の薄さを要求さ
れる半導体装置に関するものである。
従来、薄さを要求される腕時計には半導体素子をプリン
ト回路基板に直接エポキシ樹脂で固着し、基板上に形成
したリードと半導体素子の電極パッドとの間にワイヤボ
ンディングを施して樹脂で封止した半導体装置が使用さ
れてきた。第１図は従来のデジタル時計等に使用されて
きた半導体装置の断面図であり、プリント基板１１の上
に半導体素子１２が搭載され、金属細線１３によって半
導体ペレットの電極パッドと前記プリント基板１１の上
に形成されたリード１４とが結ばれている。
半導体素子１２と金属細線１３、リード１４は樹脂１５
によってコーディングされて湿度や機械的衝撃から保護
されている。このような構造の場合、プリント基板厚が
Ｏ１５〜１．Ｏｍｍ、半導体素子側０．３〜０．６　ｍ
ｍ　、さらに金属細線の高さが０．１５〜０．３５ｍｍ
であり、半導体装置の総厚は樹脂でコーティング后１〜
２　ｎｕｎとなる。このような従来の半導体装置は半導
体素子以外に液晶表示体や受動素子をも基板上に搭載す
る為にある程度の機械的強度を要求され、基板の厚さを
薄くすることは困難であった。
ところが、最近になってキャッシュカード等に使われて
いる磁気カードのかわりにＩＣをカードの中に埋め込ん
だＩＣカードが提案されている。
このようなカード状の製品に対しては、半導体装置とし
て総厚が０．３〜０．７　ｍｍを要求されている。
本発明はかかる状況を鑑み、最大限の薄さを有する薄型
半導体装置を提供しようとするものである。
本発明の半導体装置はプリント回路基板の一部に半導体
ベレットを直接固着し、基板上に形成したリードと半導
体ベレットの電極パッドとの間にワイヤボンディングを
施すようにした半導体装置において前記半導体素子の厚
さがたとえば１００〜２５０μに薄く加工され、かつプ
リント基板にたとえば１００〜２００μの耐熱性フ・ｆ
ルムを使用し、ワイヤボンディングされた金線が滑らか
ら曲線を描かずに途中でワイヤ形状が変形し、意図的に
ワイヤ高さが低くされていることを特徴とする薄型半導
体装置である。
次に本発明を実施例により説明する。第２図が本発明に
よる半導体装置の実施例の断面図である。
厚さが１００〜２００μのガラスエポキシフィルムのプ
リント回路基板２１に貫通孔を開けて銅箔２２を貼りつ
け、該銅箔上に半導体ベレット２３を搭載して金属細線
２４でワイヤボンディングを行なう。前記半導体素子は
通常３００〜５００μｍ８度であるが、薄型化の為に裏
面研磨又は裏面研削加工によって１００〜２５０μの範
囲迄薄く加工されている。また、ワイヤボンディングさ
れた金線は、通常ワイヤ高さが０．１５〜０．３５ｍｍ
であるが、ワイヤを意図的に変形させることによって高
さを低く管理している。
実施例によれば、第３図に示すように、金属細線３１を
ワイヤボンディング后、プレス治具３２によって押えつ
けてワイヤ高さを低くしたものである。このようにして
構成した実施例による半導体装置は銅箔２２が約２０μ
、半導体素子２３が約１８０μ、ワイヤ２４の高さが１
５０μであり、樹脂コーティング后総厚が３７０μの薄
型半導体装置をつくることができた。即ち、本発明によ
る薄型半導体装置によればキャッシュカードへのＩＯの
実装も非常に容易であり、応用の広さと、社会への貢献
が期待される。
なお、実施例においては、ワイヤ修正層の形状として第
２図を特に記したが、ワイヤの変形形状を制限するもの
ではなく、例えば、第４図（ａ）のように金属配線の半
導体素子側のワイヤ根元を傾かせてワイヤ高さを低くす
る方法や、第４図（ｔｉ）のように金属配線のリード側
をつぶすことによってワイヤ高さを低くする方法も含む
ことはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の腕時計用半導体装置の断面図、第２図は
本発明による薄型半導体装置の実施例を示す断面図、第
３図は本発明による薄型半導体装置のワイヤを変形させ
る方法を示す断面図、第４図は本発明のワイヤ変形の方
法を示す他の方法を示す断面図である。 尚、図において、１１．２１はプリント回路基板、１２
．２３は半導体素子、１３，２４．３１は金属細線、１
４はリニド、１５は樹脂、２２は銅箔、３２はプレス治
具である。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　プリント回路基板の一部に半導体素子を固着
    し、基板上に形成したリードと半導体素子の電極バット
    との間はワイヤボンディングを施すようにした半導体装
    置において前記半導体素子は薄く加工され、かつプリン
    ト回路基板耐熱性フィルムを使用し、ワイヤボンディン
    グされた金線が滑らかな曲線ではなく、途中でワイヤ形
    状が変形してワイヤ高さを低くしていることを特徴とす
    る薄型半導体装置。
  2. （２）半導体素子は厚さが１００μ〜２２０μの範囲に
    薄く加工されていることを特徴とする特許請求の範囲第
    （１）項記載の薄型半導体装置。
  3. （３）耐熱性フィルムの厚さは１００μ〜２００μであ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項または第
    （２）項記載の薄型半導体装置。
JP57193879A 1982-11-04 1982-11-04 薄型半導体装置 Pending JPS5984453A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62166065U (ja) * 1986-04-11 1987-10-21
KR100295927B1 (ko) * 1997-04-09 2001-08-07 포만 제프리 엘 칩패키지구조
US6759597B1 (en) * 1998-02-02 2004-07-06 International Business Machines Corporation Wire bonding to dual metal covered pad surfaces
JP2007150103A (ja) * 2005-11-29 2007-06-14 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2013149927A (ja) * 2012-01-23 2013-08-01 Sharp Corp 発光装置および発光装置の製造方法

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