JPS5985104A - 発振装置 - Google Patents
発振装置Info
- Publication number
- JPS5985104A JPS5985104A JP57194387A JP19438782A JPS5985104A JP S5985104 A JPS5985104 A JP S5985104A JP 57194387 A JP57194387 A JP 57194387A JP 19438782 A JP19438782 A JP 19438782A JP S5985104 A JPS5985104 A JP S5985104A
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- JP
- Japan
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- capacitor
- transistor
- base
- layer
- emitter
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1203—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1231—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、ＩＣ（集積回路）に共振回路を外付してな
る発振装置の改良に関する。
る発振装置の改良に関する。
ＩＣ（つ′！！、シ集積回路）は、種々の電子装動１に
適用されそれらのｌＪＳ型化ならびに低消費電力化に貢
献している。このことは、例えばラジオ受信機の分野に
おいて顕著であり、■ｃに共振回路を外付するだけでラ
ジオ受信機の大部分が構成し得るようになっているもの
もある。
適用されそれらのｌＪＳ型化ならびに低消費電力化に貢
献している。このことは、例えばラジオ受信機の分野に
おいて顕著であり、■ｃに共振回路を外付するだけでラ
ジオ受信機の大部分が構成し得るようになっているもの
もある。
ところで、ラジオ受信機の局部発振部のようにＩＣ化さ
れた発振装置は、り１１えは第１図に示されるように構
成されるものである。
れた発振装置は、り１１えは第１図に示されるように構
成されるものである。
すなわち、工０１１において、エミッタが接地されるト
ランジスタＱは、コレクタベース間”’ 問オｊ： Ｕ
ベース−エミッタ間にそれソｎ 逆バイアスとされる
ダイオードＤ１およびＤ２による寄生キャパシタＣｊｔ
およびＣｊ２が介挿接続されている。このトランジスタ
Ｑは、ベースおよびコレクタがそれぞれ外部接続用の端
子Ｔ１およびＴ２に接続さ几、これらの端子Ｔ１および
Ｔ２相互間にコンデンサＣ，，Ｃ２およびコイルＬで構
成される共振回路が介挿拵和゛己されるこことにより発
振動作をなすようになっている。
ランジスタＱは、コレクタベース間”’ 問オｊ： Ｕ
ベース−エミッタ間にそれソｎ 逆バイアスとされる
ダイオードＤ１およびＤ２による寄生キャパシタＣｊｔ
およびＣｊ２が介挿接続されている。このトランジスタ
Ｑは、ベースおよびコレクタがそれぞれ外部接続用の端
子Ｔ１およびＴ２に接続さ几、これらの端子Ｔ１および
Ｔ２相互間にコンデンサＣ，，Ｃ２およびコイルＬで構
成される共振回路が介挿拵和゛己されるこことにより発
振動作をなすようになっている。
なお、泥１図甲、抵抗Ｒ２゜Ｒ，、Ｒ４はトランジスタ
Ｑのベースバイアスを与えるものである。また、端子Ｔ
、は電蝕Ｖ に抜けされトＣ ランジスタＱのコレクタおよび共振回路に動作で１＋、
流を供給するようになっている。そして、寄生キャパシ
タＣｊｚは発振装置の帰還用コンデンサとなるものであ
る。
Ｑのベースバイアスを与えるものである。また、端子Ｔ
、は電蝕Ｖ に抜けされトＣ ランジスタＱのコレクタおよび共振回路に動作で１＋、
流を供給するようになっている。そして、寄生キャパシ
タＣｊｚは発振装置の帰還用コンデンサとなるものであ
る。
ところＣ１ダイオードによる寄生キャパシタＣｊ１およ
びＣ，ｈは、従来第２図に示すようにして得るようにな
っている。
びＣ，ｈは、従来第２図に示すようにして得るようにな
っている。
つまり、トランジスタＱが形成される同一のＰ型半導体
基板１２には、高（不純物ン濃度の埋め込み層であるＮ
層１３、低濃度の拡散層であるＮ’−７慎１４、高濃
度の拡散層であるＰ＋層１５、Ｎ 層１６によフトラン
ジスタが形成されるようになっている。そして、このト
ランジスタのコレクタ、ベース、エミッタとなるぐＪ＠
１３、Ｐ＋ 増１５・、Ｎ＋ 層１６は、図示しないが
それぞれ例えばアルミニウムである各別の金）Ａパター
ン１フＩｌｌｊ、１９によって対応的にトランジスタＱ
のコレクタ、エミッタ、ベースに汲αされるようになっ
ている。
基板１２には、高（不純物ン濃度の埋め込み層であるＮ
層１３、低濃度の拡散層であるＮ’−７慎１４、高濃
度の拡散層であるＰ＋層１５、Ｎ 層１６によフトラン
ジスタが形成されるようになっている。そして、このト
ランジスタのコレクタ、ベース、エミッタとなるぐＪ＠
１３、Ｐ＋ 増１５・、Ｎ＋ 層１６は、図示しないが
それぞれ例えばアルミニウムである各別の金）Ａパター
ン１フＩｌｌｊ、１９によって対応的にトランジスタＱ
のコレクタ、エミッタ、ベースに汲αされるようになっ
ている。
したがって、トランジスタＱのコレクターエミッタ間に
は、Ｎ″″層１４とＰ ｍ１５が逆バイアスされて生ず
る寄生キャパシタ （つまりＰＮ汲絖容蓋） ＣＪｔが
介挿εへ トランジスタＱのベース−エミッタ間にｉｒ
：ｉＮ ル１６とＰ 層が逆バイアスさｉＬで生ずる
を生キャパシタＣｊｙが介紳延扛ることになる。
は、Ｎ″″層１４とＰ ｍ１５が逆バイアスされて生ず
る寄生キャパシタ （つまりＰＮ汲絖容蓋） ＣＪｔが
介挿εへ トランジスタＱのベース−エミッタ間にｉｒ
：ｉＮ ル１６とＰ 層が逆バイアスさｉＬで生ずる
を生キャパシタＣｊｙが介紳延扛ることになる。
なお、第２図中、２０はアイソレーション用のＰ 層で
あ−９，２１ばＳｉｎ、でなる酸化絶縁ｊ漣であり、２
２は金属パターン１８と共通接続される金属パターンで
ある。
あ−９，２１ばＳｉｎ、でなる酸化絶縁ｊ漣であり、２
２は金属パターン１８と共通接続される金属パターンで
ある。
このような構造によれは、Ｎ）ｍ１３およびＮ一層１４
と半導体蟇１ｕおよびＰ 層１７との間が逆バイアスさ
れることにより生ずる寄生容量が電源Ｖ。Ｃおよび接地
１ｈ」に介挿されることに匁り、第１図の発振装置に影
響を及ぼさない点を％徴とするものである。
と半導体蟇１ｕおよびＰ 層１７との間が逆バイアスさ
れることにより生ずる寄生容量が電源Ｖ。Ｃおよび接地
１ｈ」に介挿されることに匁り、第１図の発振装置に影
響を及ぼさない点を％徴とするものである。
しかしながら、第２図の構造によればベースーエミツＪ
）ｔＭＪの接合を逆バイアスで使用するので、その朗圧
が低くリーク電流が大きくなる場合がある。このため、
Ｐ１豪１５、Ｎ ノ？２１６（つまりベース−エミッタ
間接合）によるタイオード−Ｄ、は、カソードに大きな
発振振１１肝が虫じると、胆力向電流が流れ第１図の発
振装置の異常動作の派内となるものである。甘た、第２
図の金属パターン１８および１９が接舷ざｎ、るＰ＋触
は、ｘｑ−を蛤１５およびＮ＋治１６にそ７しぞれの電
位レベルによυチャネル幅が変化するピンチ抵抗となる
ので、はらつきが大きくなる０このようなことから、第
１図の発振装置は光分な侶籾性を供し得るものでおると
は否えなかった。
）ｔＭＪの接合を逆バイアスで使用するので、その朗圧
が低くリーク電流が大きくなる場合がある。このため、
Ｐ１豪１５、Ｎ ノ？２１６（つまりベース−エミッタ
間接合）によるタイオード−Ｄ、は、カソードに大きな
発振振１１肝が虫じると、胆力向電流が流れ第１図の発
振装置の異常動作の派内となるものである。甘た、第２
図の金属パターン１８および１９が接舷ざｎ、るＰ＋触
は、ｘｑ−を蛤１５およびＮ＋治１６にそ７しぞれの電
位レベルによυチャネル幅が変化するピンチ抵抗となる
ので、はらつきが大きくなる０このようなことから、第
１図の発振装置は光分な侶籾性を供し得るものでおると
は否えなかった。
この発明は上記の点に＆’Ｒｉみてなざｊ、たもので、
例えは帰還用コンデンサにＩ Ｃｖｃ内販されるリ−り
検認が少いキャパシタを用い、ＩＣに共振回路を外部接
続することにより侮成され、光分な信頼性を供しづｑる
ようにしたきわめて良好な発振装置を提供することを目
的とする。
例えは帰還用コンデンサにＩ Ｃｖｃ内販されるリ−り
検認が少いキャパシタを用い、ＩＣに共振回路を外部接
続することにより侮成され、光分な信頼性を供しづｑる
ようにしたきわめて良好な発振装置を提供することを目
的とする。
この発明は、ν；」えはｍ２図にＶいて高濃度の拡散層
であるＰ 層Ｊ６に一イ化絶縁、膜２１を介して金属パ
ターン１９をＩ”ｌ：足口１］槓を有して対向せしめリ
ーク電流の少い内ｊ女キャパ゛シタを材成し、金属パタ
ーン１９を第１図のトランジスタＱのベースにワ（・続
せＬ２めると共にＰ 層１６を金λらパターン１８を介
し、て１−ランシスタＱのエミッタに接近′完するよう
にしたことを特σとするものである。
であるＰ 層Ｊ６に一イ化絶縁、膜２１を介して金属パ
ターン１９をＩ”ｌ：足口１］槓を有して対向せしめリ
ーク電流の少い内ｊ女キャパ゛シタを材成し、金属パタ
ーン１９を第１図のトランジスタＱのベースにワ（・続
せＬ２めると共にＰ 層１６を金λらパターン１８を介
し、て１−ランシスタＱのエミッタに接近′完するよう
にしたことを特σとするものである。
以下図面を参Ｉｅ、ｔ してこのうへψｊの一実施例に
ついて詳細に話１明する。
ついて詳細に話１明する。
第３図は、この発す、にょるつＬ振装置を示す回路図で
ｐ、る。但し、第３図中、第１図と同一部分にＩ′ｉ同
一符号を付し−Ｃその説す］を♀ゴ略する。
ｐ、る。但し、第３図中、第１図と同一部分にＩ′ｉ同
一符号を付し−Ｃその説す］を♀ゴ略する。
すなわち、ｍＪ’Ｎ弓トランジスク（，１０ヘースーエ
ミッタ間には、該トランジスタＱが形成される十壱体九
釈してお（／１てｈ〒定の高碌変拡散層に酸化帖縁膜を
介し７５「ボ［ｊｌ状を有して対［川ぜしめた金属パタ
ーンでなるＭＯＳ（金鵜−臥化杷緑ｊ莫−半導体）キャ
パシタＣが弁挿接軟されるよＯ８ うになつ−Ｃいる０つ菫り、前言己トランジスタＱは、
ベースに上記ＭＯＳキャパシタＣの金Ｏ８ 用パターン倶ヨＭ、ｅｔａｌが接続され、エミッタに上
記ＭＯＳキャパシタの所定の商義厭拡敢層１−．：ｌが
接続σれてなるものである。
ミッタ間には、該トランジスタＱが形成される十壱体九
釈してお（／１てｈ〒定の高碌変拡散層に酸化帖縁膜を
介し７５「ボ［ｊｌ状を有して対［川ぜしめた金属パタ
ーンでなるＭＯＳ（金鵜−臥化杷緑ｊ莫−半導体）キャ
パシタＣが弁挿接軟されるよＯ８ うになつ−Ｃいる０つ菫り、前言己トランジスタＱは、
ベースに上記ＭＯＳキャパシタＣの金Ｏ８ 用パターン倶ヨＭ、ｅｔａｌが接続され、エミッタに上
記ＭＯＳキャパシタの所定の商義厭拡敢層１−．：ｌが
接続σれてなるものである。
そして、上ｆｊＬ ）ｒｌｏ ３キヤパシグＣに、前Ｏ
８ 記半尋体基板２しノにおい一’：、ｔ”Ｉんは第４しＩ
に示される如く形成Ｇ ｉするようになっている。但し
、第４図中、第２凶と１ｂ」−節分には同一符号を付。
８ 記半尋体基板２しノにおい一’：、ｔ”Ｉんは第４しＩ
に示される如く形成Ｇ ｉするようになっている。但し
、第４図中、第２凶と１ｂ」−節分には同一符号を付。
してその１、明を省屹する。
つ丑り、前記午尋体基板昌のＰ／脅１５には、＆Ｓ２図
のＮ＋層が形成されう”、酸化絶縁膜２１を介しＰ＞＋
定面１１１１有するように形成される前記金属パターン
ノ９が対向せしめられるようになっているものでちる。
のＮ＋層が形成されう”、酸化絶縁膜２１を介しＰ＞＋
定面１１１１有するように形成される前記金属パターン
ノ９が対向せしめられるようになっているものでちる。
そして、８１Ｊ６己各金メへパターン１７．１８゜１９
は、旭２図と同様し、）示し７ないが前記トランジスタ
のコレクタ、エミッタ、ベースに効応的に接続されるも
のである。
は、旭２図と同様し、）示し７ないが前記トランジスタ
のコレクタ、エミッタ、ベースに効応的に接続されるも
のである。
すなわち、上記のよう７２：杭、成を侃えた発振装置は
、帰還用コンデンサにリーク′１１１流の少いＭＯＳキ
ャパシタＣＭ。８を用いたことにより、第１図の装置の
ようにｚ’ｉ”ｇ 遠用コンデンサのリーク′ｉ＋、：
流がづＬ振動作に影響を与えろことがなく、捷だトラン
ジースフ（コのベースに大きな発」辰中１゛、“１が生
じても開側なく安定に動作するものである。
、帰還用コンデンサにリーク′１１１流の少いＭＯＳキ
ャパシタＣＭ。８を用いたことにより、第１図の装置の
ようにｚ’ｉ”ｇ 遠用コンデンサのリーク′ｉ＋、：
流がづＬ振動作に影響を与えろことがなく、捷だトラン
ジースフ（コのベースに大きな発」辰中１゛、“１が生
じても開側なく安定に動作するものである。
また、半ｉ）体幇板月（（おいて、Ｐ＋ｉｆ； １５は
Ｎ 層１６が形ｈ（ユされないので、ピンチ抵抗を形成
することがない。さらに、へｆＯＳキャパシタＣＭｏ８
は、その４・１ず造がら靜五・、各１、−のばらつきが
きわめて少いといった特徴金有している。
Ｎ 層１６が形ｈ（ユされないので、ピンチ抵抗を形成
することがない。さらに、へｆＯＳキャパシタＣＭｏ８
は、その４・１ず造がら靜五・、各１、−のばらつきが
きわめて少いといった特徴金有している。
したがって、第３図の光振装貢は、きわめて安定に動作
し、充分な１バわ４ ｔｆ ｋ供し得るものである。
し、充分な１バわ４ ｔｆ ｋ供し得るものである。
ところで、第５［随（「ヨ、他の実施例・と示すもので
、第３区における抵抗上（２〜Ｒ３およびコンデンサＣ
２を除去しコルピッツ形の”ｊ６ 振’Ａ １１ソを七
ｑ ｊ５兄したものである。この装置に計いても８９４
図と同様に稀“成てれるＭ、、ＯＳキャパシタＣＭｏ８
が用いられるものでらり、第３図の装を□と同様の効果
を得ることができるものである。但し、第５図中、第３
凶と同一部分（では同−付−号を符してその説明を省略
するものとする。
、第３区における抵抗上（２〜Ｒ３およびコンデンサＣ
２を除去しコルピッツ形の”ｊ６ 振’Ａ １１ソを七
ｑ ｊ５兄したものである。この装置に計いても８９４
図と同様に稀“成てれるＭ、、ＯＳキャパシタＣＭｏ８
が用いられるものでらり、第３図の装を□と同様の効果
を得ることができるものである。但し、第５図中、第３
凶と同一部分（では同−付−号を符してその説明を省略
するものとする。
その他、柚々の変形や適用ｉ−ｉこの失明の要旨を逸脱
しない崩）囲で可詣であることは≧−う迄もない。
しない崩）囲で可詣であることは≧−う迄もない。
以上ｋ）・述したよう（てこのう゛６甲］：・こよＩ］
、（グ、ψ；ｊえは帰還用コンデンサにＩＣに内蔵さ几
るリークＪ’ｖ ｌＱｉが少いキャパシタ化用い、ＩＣ
に共振回路に外部接続することにＬす格成さ７１、ヅＬ
分な化顧性を供し得るようにしたきわめてｊ辺好７′ｉ
：兄振甚ｌＩイ全提供することができる。
、（グ、ψ；ｊえは帰還用コンデンサにＩＣに内蔵さ几
るリークＪ’ｖ ｌＱｉが少いキャパシタ化用い、ＩＣ
に共振回路に外部接続することにＬす格成さ７１、ヅＬ
分な化顧性を供し得るようにしたきわめてｊ辺好７′ｉ
：兄振甚ｌＩイ全提供することができる。
第１図は従来の兄振装・置の・；３、我を示す回路図、
第１２図は抛１図の装置のり１１）遠用コンデンサの構
造を示す１「面スＷＪ３図しｔこの発り」に係る光振装
置の一笑弛例金示すＩすｌ Ｌ”（６ｔ！）」、第４図
は第３図の装置の留部の構成を示す断四図、第５図は他
の失Ｋｉτ１１を示す回路図である。 Ｌ土・・・ＩＣ，Ｑ・・トランジスタ、ＤＩ Ｉ Ｄ２
・・・ダイオード、ｃ、ｈ 、ＣＪ２ ・・・寄生キ
ャバ′シタ、Ｒ，〜Ｒ，・・・抵抗、Ｔ１＊ Ｔ ２−
・９ｍ子、ＣＩ＋Ｃ２・コンデンサ、Ｌ・・・コイル、
１２・・・半専体基板、１３・Ｎ＋バー、（セ））め込
みＪ♂・り）、Ｊ４・・・Ｎ−ノ曽 、 ｌ ５
・ ・ Ｐ ” Ｊｕ ％ ノ ６ ・
Ｎ＋ ノ脅 、 １７．１８１９．２２−金植パター
ン、２ｏ −Ｐ＋ＩＨ１２ノーにｙ化水−昼じ′０ 出！／３（人体１１人 弁理士 ？、１ 乙−武
舷第１図 第２図 第３図 第４ 図
第１２図は抛１図の装置のり１１）遠用コンデンサの構
造を示す１「面スＷＪ３図しｔこの発り」に係る光振装
置の一笑弛例金示すＩすｌ Ｌ”（６ｔ！）」、第４図
は第３図の装置の留部の構成を示す断四図、第５図は他
の失Ｋｉτ１１を示す回路図である。 Ｌ土・・・ＩＣ，Ｑ・・トランジスタ、ＤＩ Ｉ Ｄ２
・・・ダイオード、ｃ、ｈ 、ＣＪ２ ・・・寄生キ
ャバ′シタ、Ｒ，〜Ｒ，・・・抵抗、Ｔ１＊ Ｔ ２−
・９ｍ子、ＣＩ＋Ｃ２・コンデンサ、Ｌ・・・コイル、
１２・・・半専体基板、１３・Ｎ＋バー、（セ））め込
みＪ♂・り）、Ｊ４・・・Ｎ−ノ曽 、 ｌ ５
・ ・ Ｐ ” Ｊｕ ％ ノ ６ ・
Ｎ＋ ノ脅 、 １７．１８１９．２２−金植パター
ン、２ｏ −Ｐ＋ＩＨ１２ノーにｙ化水−昼じ′０ 出！／３（人体１１人 弁理士 ？、１ 乙−武
舷第１図 第２図 第３図 第４ 図
Claims (1)
- トランジスタおよび該トランジスタのコレクターエミッ
タ間に介挿接続される寄生キャパシタが共に形成される
半導体基板と、前記トランジスタのコレクタベース間に
外部接続によシ介挿される共振回路と、上記半導体基板
の所定の高濃度拡散層上に酸化絶縁膜を介して金属パタ
ーンを対向せしめてなる内蔵キャパシタとを備え、前記
金属パターンを前記トランジスタのベースに接続すると
共に、前記所定の高濃度拡散層を前記トランジスタのエ
ミッタに接続してなることを特徴とする発振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194387A JPS5985104A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | 発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57194387A JPS5985104A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | 発振装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5985104A true JPS5985104A (ja) | 1984-05-17 |
Family
ID=16323747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57194387A Pending JPS5985104A (ja) | 1982-11-05 | 1982-11-05 | 発振装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5985104A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5448490A (en) * | 1977-08-06 | 1979-04-17 | Philips Nv | Semiconductor |
| JPS56144571A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Nec Home Electronics Ltd | Capacitor in semiconductor integrated circuit |
-
1982
- 1982-11-05 JP JP57194387A patent/JPS5985104A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5448490A (en) * | 1977-08-06 | 1979-04-17 | Philips Nv | Semiconductor |
| JPS56144571A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Nec Home Electronics Ltd | Capacitor in semiconductor integrated circuit |
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