JPS5986252A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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Publication number
JPS5986252A
JPS5986252A JP57196209A JP19620982A JPS5986252A JP S5986252 A JPS5986252 A JP S5986252A JP 57196209 A JP57196209 A JP 57196209A JP 19620982 A JP19620982 A JP 19620982A JP S5986252 A JPS5986252 A JP S5986252A
Authority
JP
Japan
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power source
type impurity
diode
wirings
power supply
Prior art date
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Pending
Application number
JP57196209A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyuki Miyazaki
信行 宮崎
Zenzo Oda
善造 小田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPS5986252A publication Critical patent/JPS5986252A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H10D89/611—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using diodes as protective elements

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電源間に寄生ダイオード以外のダイオードを設
けることにより、逆方向Ｋ１１Ｉ源を接続した時に素子
が破壊されることを防ぐ半導体集積回路に関するもので
ある。
従来の半導体集積回路を第１図に示す。１０１はアルミ
配線、１０２は高濃度のＰ型不純物拡散領域、１０３は
高濃度のＮ型不純物拡散領域、１０４は低濃度のＰ型不
純物拡散領域、１０５はＮ型基板を示している。このよ
うな従来構造の半導体集積回路に於ては、誤って通常動
作状態と逆方向に電源電圧を印加した場合、１０４と１
０５の接合は順方向となり電源間に大電流が流れる。こ
の大電流により電源のアルミ配線が溶解し断線を引き起
こす。
本発明はかかる欠点を除去したもので、その目的は誤っ
て逆方向にｉ！源を接続した場合に於ても素子が破壊さ
れないようにすることである。
以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第２図、第３図は本発明による保護回路の構造を示す。
２０１．３０２は高電源側のアルミ配線、２０２，３０
１は低電源側のアルミ配線、２０３．３０４は高濃度の
Ｐ型不純物拡散領域、２０４．３０３は高濃度のＮ型不
純物拡散領域、２０５．６０５はＮ型基板、３０６は低
濃度のＰ型不純物拡散領域を示している。このような保
護ダイオードは出来るだけ電源パッドの近くに作り込み
、大電流による電源アルミ配線の溶解が起こるこ七を避
ける為拠、２０１．２０２，３０１．３０２のアルミ配
線幅は太くしなければならない。
第４図は保護回路を含む電源まわりの平面構造を示す。
４０１は低電源側のパッド、４０２は高電源側のパッド
、４０６は高濃度のＰ型不純物拡散領域、４０４は高濃
度のＮ型不純物領域、４０５．４０６，４０７，４０８
はアルミ配線、４０９は低濃度のＰ型不純物領域である
。４０５，４０６は保護ダイオードまでのアルミ配線で
あり、内部回路へ電源を供給する為の配線４０７，４０
８と比較し太くなっている。
以上のように本発明によれば、誤って逆方向に電源を接
続した場合に於ても、電源パッド近くに設けられた保護
ダイオードに過大電流が吸収され、内部回路に流れ込む
電流を抑えることが出来る。
これにより内部回路が破壊されるのを防ぐことが出来る
。実際この保護ダイオードを含む集積回路を試作し、単
玉乾電池４本を直列に繋ぎ逆方向に印加した実験を行な
い、ＩＣが破壊されないという効果が確認されている。
本発明は半導体集積回路に広く適用できる。
特に携帯用機器に使用されるＭＯ８集積回路に於て、そ
の効果は顕著である。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体集積回路。 第２図、第３図は本発明による保護ダイオードの構造。 第４図は保護回路を含む電源まわりの平面構造。 １０１．２０１，２０２，３０１，３０２，４０５．４
０６，４０７，４０８はアルミ配線。 １０２．１０３，２０３，２０４，３０３．３０４．４
０３，４０４は高濃度不純物拡散領域。 １０４．３０６，４０９は低濃度不純物拡散領域。 １０５．２０５，３０５は基板。 ４０１．４０２は電源パッド。 ４１０は内部回路。 以　　上

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）電源の極性とは逆方向のダイオードを電源パッド
    と内部回路の中間に設け、電源パッドがらそのダイオー
    ドまでの電源配線の太さを内部回路の電源配線より太く
    したことを特徴とする半導体集積回路。
  2. （２）　　該電源間に設けられた逆方向ダイオードが、
    高濃度のＰ型不純物と低濃度のＮ型不純物より形成され
    た特許請求の範囲第１項記載の半導体集積回路。
  3. （３）　　該電源間に設けられた逆方向ダイオードが、
    高濃度のＮ型不純物と低濃度のＰ型不純物より形成され
    た特許請求の範囲第１項記載の半導体集積回路。
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