JPS5986292A - セラミツク多層配線基板の製造方法 - Google Patents
セラミツク多層配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS5986292A JPS5986292A JP19624582A JP19624582A JPS5986292A JP S5986292 A JPS5986292 A JP S5986292A JP 19624582 A JP19624582 A JP 19624582A JP 19624582 A JP19624582 A JP 19624582A JP S5986292 A JPS5986292 A JP S5986292A
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- Japan
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- insulating
- conductive paste
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の属する技術分野
本発明はセラミック多層配線基板において、絶縁層をは
さんで上下に存在する配線導体部を電気的に接続させる
ビアの形成方法忙関する。
さんで上下に存在する配線導体部を電気的に接続させる
ビアの形成方法忙関する。
従来技術
ビアの形成は絶縁層に開口部をつくるピアホールの工程
とこの開口部に導体層を形成するビアフィルの工程と忙
分けられる。
とこの開口部に導体層を形成するビアフィルの工程と忙
分けられる。
従来の代表的なビアの形成方法は、あらかじめパターン
化されたスクリーンを用いて厚膜ペーストを印刷、乾燥
、焼成するいわゆる厚膜スクリーン印刷法である。この
方法軸（すなわちピアホールを有する絶縁層をスクリー
ン印刷で形成、焼成したのち、スクリーンを用いてピア
ホール部に形成できることから広く用いられてきた方法
である。しかしながらこの方法ではパターンがスクリー
ンにより形成されるため、微小なビアパターン形成には
不向きである。量産レベルで考えた場合ピアホールおよ
びビアフィルの大きさは２５０μｍ０（ミクロン平方）
程度がほぼ限界である。これよシ小さなビアを形成する
方法として、感光性レジＣ０ＮＦＥＲＥＮＣＥＣＩＰｌ
ｔＯＣＥＥＤＩＮＵＳ（７１＠ｉ文１’ｃＯＭＢＩＮＡ
ＴＩＯＮＯＦ ＴＨＩＣＫ ＦＩＬＭ ＤＩＥＬＥ
ＣＴＲｄＣ／ＴＨＩＮ１ｉ”ＩＬＭ Ｃ０ＮＤＵＣＴＯ
ＩＬ ＦＯＲＦＩＮＥ ＰＡＴ’ｌ”ＥＲＮＦＯｌｌＭ
ＡＴＩＯＮ ＯＦ ＭＵＬＴＩ−ＬＡＹＥＲ５ＵＢＳ
Ｔ几ＡＴＥＪにおいては、絶縁ペースト上に感光性レジ
ストを塗布し、露光、現像により絶縁ペーストおよび感
光性レジスφにピアホールを形成し、その後ビアフィル
として導体ペーストをうめ込む工法が述べられている。
化されたスクリーンを用いて厚膜ペーストを印刷、乾燥
、焼成するいわゆる厚膜スクリーン印刷法である。この
方法軸（すなわちピアホールを有する絶縁層をスクリー
ン印刷で形成、焼成したのち、スクリーンを用いてピア
ホール部に形成できることから広く用いられてきた方法
である。しかしながらこの方法ではパターンがスクリー
ンにより形成されるため、微小なビアパターン形成には
不向きである。量産レベルで考えた場合ピアホールおよ
びビアフィルの大きさは２５０μｍ０（ミクロン平方）
程度がほぼ限界である。これよシ小さなビアを形成する
方法として、感光性レジＣ０ＮＦＥＲＥＮＣＥＣＩＰｌ
ｔＯＣＥＥＤＩＮＵＳ（７１＠ｉ文１’ｃＯＭＢＩＮＡ
ＴＩＯＮＯＦ ＴＨＩＣＫ ＦＩＬＭ ＤＩＥＬＥ
ＣＴＲｄＣ／ＴＨＩＮ１ｉ”ＩＬＭ Ｃ０ＮＤＵＣＴＯ
ＩＬ ＦＯＲＦＩＮＥ ＰＡＴ’ｌ”ＥＲＮＦＯｌｌＭ
ＡＴＩＯＮ ＯＦ ＭＵＬＴＩ−ＬＡＹＥＲ５ＵＢＳ
Ｔ几ＡＴＥＪにおいては、絶縁ペースト上に感光性レジ
ストを塗布し、露光、現像により絶縁ペーストおよび感
光性レジスφにピアホールを形成し、その後ビアフィル
として導体ペーストをうめ込む工法が述べられている。
この方法ではピアホールの形成にフソ
オト膣ケグ２フィ技術を用いていること、およびピアホ
ール部に導体ペーストをうめ込むセルフアライメント技
術であることなど、微小ビアに適した方法である。レジ
ストの揮類や絶縁層の厚さにも依存するが１００μｍ０
程度のとアまで形成可能である。この方法の問題点は絶
縁ペーストとその上に形成する感光性レジストとの密着
力の許容範囲が狭いということである。密着か弱すぎる
と感光性レジストの現像時に、感光性レジストと絶縁ペ
ーストとの間がはがれてしまう。またｖＪ着が強ずぎる
と、導体ペーストをうめ込んだ後に感光性レジストを絶
縁ペーストから剥離する時に、なかなか剥離しなかった
シ、絶縁ペーストの一部も一緒に剥離されてしまったシ
する。したがってこの密着力をコントロールすることが
重要であるとともにまた困難な点でもある。さらに、絶
縁層の上に、感光性レジストを形成するために、レジス
トのための塗布、露光、現像および剥離などの工程が加
わっており、工程が複雑になるという欠点もある。
ール部に導体ペーストをうめ込むセルフアライメント技
術であることなど、微小ビアに適した方法である。レジ
ストの揮類や絶縁層の厚さにも依存するが１００μｍ０
程度のとアまで形成可能である。この方法の問題点は絶
縁ペーストとその上に形成する感光性レジストとの密着
力の許容範囲が狭いということである。密着か弱すぎる
と感光性レジストの現像時に、感光性レジストと絶縁ペ
ーストとの間がはがれてしまう。またｖＪ着が強ずぎる
と、導体ペーストをうめ込んだ後に感光性レジストを絶
縁ペーストから剥離する時に、なかなか剥離しなかった
シ、絶縁ペーストの一部も一緒に剥離されてしまったシ
する。したがってこの密着力をコントロールすることが
重要であるとともにまた困難な点でもある。さらに、絶
縁層の上に、感光性レジストを形成するために、レジス
トのための塗布、露光、現像および剥離などの工程が加
わっており、工程が複雑になるという欠点もある。
発明の目的
本発明の目的は光硬化性絶縁ペーストを用いてピアホー
ルを形成し、その上から導体ペーストをピアホールにう
め込んでビアフィルとし、その後絶縁ペースト上に残っ
た余分の導体ペーストを除去する工法を用いることによ
シ、上記欠点を解決し、簡単な工程でビアの形成を可能
にする方法を提供することにある。
ルを形成し、その上から導体ペーストをピアホールにう
め込んでビアフィルとし、その後絶縁ペースト上に残っ
た余分の導体ペーストを除去する工法を用いることによ
シ、上記欠点を解決し、簡単な工程でビアの形成を可能
にする方法を提供することにある。
また本発明の他の目的は、Ｑ、＋ＣＦ４のプラズマアッ
シャ−によシ、絶縁ペースト上の導体ペーストの除去を
容易にした方法を提供することにある。
シャ−によシ、絶縁ペースト上の導体ペーストの除去を
容易にした方法を提供することにある。
また本発明の他の目的は１００μｍ０（ミクロン平方）
以下の微小なビアの形成方法を提供することにある。
以下の微小なビアの形成方法を提供することにある。
発明の構成
本発明の方法は、セラミック基板の表面に光硬化性絶縁
ペーストを印刷、乾燥する第１の工程と、露光および現
像によシ、前記光硬化性絶縁ペーストの所望の部分をと
シのぞき開口部を形成する第２の工程と、 基板の周辺部をおおうステンシルスクリーンを用いて導
体ペーストを前記開口部にうめ込む第３の工程と、 前記開口部以外の光硬化絶縁ペーストに付着した導体ペ
ーストを除去する第４の工程と、前記光硬化性絶縁ペー
ストおよび前記開口部にうめ込まれた導体ペーストを焼
成し、絶縁層および導体層とする第５の工程とを含む仁
とを特徴とする。
ペーストを印刷、乾燥する第１の工程と、露光および現
像によシ、前記光硬化性絶縁ペーストの所望の部分をと
シのぞき開口部を形成する第２の工程と、 基板の周辺部をおおうステンシルスクリーンを用いて導
体ペーストを前記開口部にうめ込む第３の工程と、 前記開口部以外の光硬化絶縁ペーストに付着した導体ペ
ーストを除去する第４の工程と、前記光硬化性絶縁ペー
ストおよび前記開口部にうめ込まれた導体ペーストを焼
成し、絶縁層および導体層とする第５の工程とを含む仁
とを特徴とする。
本発明の実施の態様としての方法は、上記発明の第４の
工程において、０．＋ＣＦ、のガスプラズマアッシャ−
を用いることによシ、導体ペーストの有機バインダ成分
を燃焼させ絶縁ペーストから導体ペーストを除去しやす
くした方法を含むことを特徴とする。
工程において、０．＋ＣＦ、のガスプラズマアッシャ−
を用いることによシ、導体ペーストの有機バインダ成分
を燃焼させ絶縁ペーストから導体ペーストを除去しやす
くした方法を含むことを特徴とする。
発明の実施例
次に本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第１図を参照すると、アルミナ基板１の表面に光硬化性
絶縁ペースト２が印刷乾燥されている。
絶縁ペースト２が印刷乾燥されている。
光硬化性絶縁ペーストは、アルミナ粒子ＡＩ、０．と、
二酸化シリコンＳｉＯ□ を主成分とするガラス粒子よ
りなる無機成分と、メチルメタクリレートを主成分とす
る有機樹脂にアクリレート系の光架橋剤（商品名Ａ−４
Ｇ）などからなる有機成分とからなる。
二酸化シリコンＳｉＯ□ を主成分とするガラス粒子よ
りなる無機成分と、メチルメタクリレートを主成分とす
る有機樹脂にアクリレート系の光架橋剤（商品名Ａ−４
Ｇ）などからなる有機成分とからなる。
次に第２図を参照すると、前記光硬化性絶縁ペースト２
の所望の部分のペーストがと９のぞかれ開口部３が形成
されている。これがピアホールと呼ばれるものである。
の所望の部分のペーストがと９のぞかれ開口部３が形成
されている。これがピアホールと呼ばれるものである。
このピアホールの形成は、図示されていないガラスマス
クを通して露光したのち、１−１−１）リクロルエタン
液を用いて現像することによりなされる。このときに形
成されるピアホールの可能な大きさは、光硬化性絶縁ペ
ーストの解像性に依存するが本実施例で用いたものは、
最小５０〜８０μｍ０（ミクロン平方）までが形成でき
る。これは従来のスクリーン印刷法や、絶縁ペーストと
感光性レジストを組みあわせた方法と比べて、１／４〜
１／２の大きさである。第３図を参照すると、図示され
ていないステンシルスクリーンを用いて導体ペーストが
絶縁ペースト２表面に印刷される。導体ペースト４は、
絶縁ペースト表面にもごく薄く残るが、ピアホール３の
部分にはうめ込まれてビアフィル５となる。光硬化性絶
縁ペースト２の表面はかなシ平滑であシ、導体ペースト
の式壇４はビアフィル部のペースト量と比べ少量である
。また基板の周辺部はステンシルスクリーンでカバーさ
れるために導体ペーストは付着していない。このように
、ステンシルスクリーンを用いることによシ、ビアフィ
ルの必要な領域のみに導体ペーストをうめ込むことが可
能になる。
クを通して露光したのち、１−１−１）リクロルエタン
液を用いて現像することによりなされる。このときに形
成されるピアホールの可能な大きさは、光硬化性絶縁ペ
ーストの解像性に依存するが本実施例で用いたものは、
最小５０〜８０μｍ０（ミクロン平方）までが形成でき
る。これは従来のスクリーン印刷法や、絶縁ペーストと
感光性レジストを組みあわせた方法と比べて、１／４〜
１／２の大きさである。第３図を参照すると、図示され
ていないステンシルスクリーンを用いて導体ペーストが
絶縁ペースト２表面に印刷される。導体ペースト４は、
絶縁ペースト表面にもごく薄く残るが、ピアホール３の
部分にはうめ込まれてビアフィル５となる。光硬化性絶
縁ペースト２の表面はかなシ平滑であシ、導体ペースト
の式壇４はビアフィル部のペースト量と比べ少量である
。また基板の周辺部はステンシルスクリーンでカバーさ
れるために導体ペーストは付着していない。このように
、ステンシルスクリーンを用いることによシ、ビアフィ
ルの必要な領域のみに導体ペーストをうめ込むことが可
能になる。
第４図を参照すると、光硬化性絶縁ペースト表面に残っ
た導体ペーストが除去されている。これには、スコッチ
プライトを用いた研摩装置が用いられる。光硬化性絶縁
ペーストのごく表面も一緒に除去することによシ、導体
ペーストの除去は完全になる。
た導体ペーストが除去されている。これには、スコッチ
プライトを用いた研摩装置が用いられる。光硬化性絶縁
ペーストのごく表面も一緒に除去することによシ、導体
ペーストの除去は完全になる。
またピアホール部にうめ込まれた導体ペースト５は、仁
の研摩工程では除去されずに残っている。
の研摩工程では除去されずに残っている。
第５図を参照すると、光硬化性絶縁ペースト２とビアフ
ィルの導体ペースト５とが焼成され、それぞれ絶縁層２
′と導体層５′とになっている。以上説明したように、
本発明では感光性レジストを用いる仁となくピア形・成
が容易に行なえるとともに、微小なピアの形成が可能で
ある。第６図を参照すると本発明の第２の実施例は次の
ようにして実施される。すなわち、光硬化性絶縁ペース
ト２０表面に導体ペースト４が伺漸している状態でＯ，
＋−ＣＦ４混合ガスによるプラズマアッシャ−が行なわ
れる。
ィルの導体ペースト５とが焼成され、それぞれ絶縁層２
′と導体層５′とになっている。以上説明したように、
本発明では感光性レジストを用いる仁となくピア形・成
が容易に行なえるとともに、微小なピアの形成が可能で
ある。第６図を参照すると本発明の第２の実施例は次の
ようにして実施される。すなわち、光硬化性絶縁ペース
ト２０表面に導体ペースト４が伺漸している状態でＯ，
＋−ＣＦ４混合ガスによるプラズマアッシャ−が行なわ
れる。
１０分間程度のアッシャ−処理で導体ペースト４および
光硬化性絶縁ペーストの表面部２′のそれぞれの有機バ
インダ成分が燃焼し、ペーストの無機成分粒子を結ひつ
ける力がなくなるため、ペーストはごく弱い力で容易に
除去が可能になる。除去の方法としては、基板を回転し
ながらナイロン等のブラシで軽くこするスピンスフ２バ
ー装置を利用したシ、烏圧で純水をふきつける方法など
かある。第７図にはこうして光硬化性絶縁ペーストの表
面部および導体ペーストを除去した後の状態が示されて
いる。第６図の状態においては、ピアホール部にうめ込
まれた導体ペースト５は中央部がくほんだ形状となるが
プラス１アッシャ−を用いて導体ペースト４を除去する
工程において、絶縁ペーストの表面部２“も−緒に除去
される。したがって、第７図に示されるようにピアホー
ル部５も含めて絶縁ペースト２の表面全体が平滑になる
。
光硬化性絶縁ペーストの表面部２′のそれぞれの有機バ
インダ成分が燃焼し、ペーストの無機成分粒子を結ひつ
ける力がなくなるため、ペーストはごく弱い力で容易に
除去が可能になる。除去の方法としては、基板を回転し
ながらナイロン等のブラシで軽くこするスピンスフ２バ
ー装置を利用したシ、烏圧で純水をふきつける方法など
かある。第７図にはこうして光硬化性絶縁ペーストの表
面部および導体ペーストを除去した後の状態が示されて
いる。第６図の状態においては、ピアホール部にうめ込
まれた導体ペースト５は中央部がくほんだ形状となるが
プラス１アッシャ−を用いて導体ペースト４を除去する
工程において、絶縁ペーストの表面部２“も−緒に除去
される。したがって、第７図に示されるようにピアホー
ル部５も含めて絶縁ペースト２の表面全体が平滑になる
。
第８図を参照すると、この後絶縁ペースト２とピアホー
ル部導体ペースト５とが焼成されて、それぞれ絶縁層２
と導体層５′になることは第１の実施例と同じである。
ル部導体ペースト５とが焼成されて、それぞれ絶縁層２
と導体層５′になることは第１の実施例と同じである。
プラズマアッシャ−を用いることによって導体ペースト
の除去が非常に容易になること、およびプラズマアッシ
ャ−の時１ｕｊをかえることによシ、絶縁層表面の親有
機バインダ部分（第７図の２〃）の厚さを任意の値に制
御できることが本実施例の利点である。
の除去が非常に容易になること、およびプラズマアッシ
ャ−の時１ｕｊをかえることによシ、絶縁層表面の親有
機バインダ部分（第７図の２〃）の厚さを任意の値に制
御できることが本実施例の利点である。
発明の効果
本発明には光硬化性絶縁ペーストを用いてピアホールを
形成し、その上から導体ペーストをピアホールに埋込ん
でビアフィルとし、その後絶縁ペースト上に残った余分
の導体ペーストを除去する工法を用いることにより、簡
単な工程で微細なビアを形成できるという効果がある。
形成し、その上から導体ペーストをピアホールに埋込ん
でビアフィルとし、その後絶縁ペースト上に残った余分
の導体ペーストを除去する工法を用いることにより、簡
単な工程で微細なビアを形成できるという効果がある。
第１図から第５図までは本発面の第１の実施例を示す。
程断面図であシ第６図から第８図までは本発明の第２の
実施例を示す工程断面図である。 第１図から第８図において、１ ・・・アルミナ基板、
２ 光硬化性絶縁ペースト、２′・ 絶縁層、２“
光硬化性絶縁ペースト表面部、３ ピアホール、４
・・・導体ペースト残ヨ査、５ ・・ビアフィルの導体
ペースト、５′ 導体層。 Ｚ７ 図 、→ Ｚ ２図 第 ３ 図 、佇 ｙ；４ 図 ６′ Ｚ５回 篤 ６図 Ｓ４ 第 ７図 ５ 斌 ６図 、・
実施例を示す工程断面図である。 第１図から第８図において、１ ・・・アルミナ基板、
２ 光硬化性絶縁ペースト、２′・ 絶縁層、２“
光硬化性絶縁ペースト表面部、３ ピアホール、４
・・・導体ペースト残ヨ査、５ ・・ビアフィルの導体
ペースト、５′ 導体層。 Ｚ７ 図 、→ Ｚ ２図 第 ３ 図 、佇 ｙ；４ 図 ６′ Ｚ５回 篤 ６図 Ｓ４ 第 ７図 ５ 斌 ６図 、・
Claims (1)
- （１）セラミック基板の表面に光硬化性絶縁ペーストを
印刷、乾燥する第１の工程と、 露 音光および現像によ如、前記光硬化性絶縁ペーストの所
望の１部分なとシのぞき開口部を形成する第２の工程と
、 基板の周辺部をおおうステンシルスクリーンを用い、導
体ペーストを前記開口部にうめ込む第３の工程と、 前記開口部以外の前記光硬化性絶縁ペースト表面に付着
した導体ペーストを除去する第４の工程と、 前記光硬化性絶縁ペーストおよび前記開口部にうめ込ま
れた導体ペーストを焼成し、絶縁層および導体層とする
第５の工程とを有することを特徴とするセラミック多層
配線基板の製造方法。 ■ 前記第４の工程において、前記光硬化性絶縁ペース
トの表面に付着した導体ペースト中の有機バインダ成分
を酸素とフッ化炭素の混合ガスプラズマによシ燃焼させ
除去しやすくしたことを特徴とする特許請求範囲第１項
記載のセラミック多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19624582A JPS5986292A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19624582A JPS5986292A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986292A true JPS5986292A (ja) | 1984-05-18 |
| JPS6364920B2 JPS6364920B2 (ja) | 1988-12-14 |
Family
ID=16354598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19624582A Granted JPS5986292A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986292A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611237A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Canon Electronics Inc | シ−トコイルの製造方法 |
| JPH04283946A (ja) * | 1991-03-12 | 1992-10-08 | Nec Corp | セラミックグリーンシート上での微細配線パターンの形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785293A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Nippon Electric Co | Method of producing hihg density multilayer circuit board |
| JPS57196244A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP19624582A patent/JPS5986292A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785293A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Nippon Electric Co | Method of producing hihg density multilayer circuit board |
| JPS57196244A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611237A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Canon Electronics Inc | シ−トコイルの製造方法 |
| JPH04283946A (ja) * | 1991-03-12 | 1992-10-08 | Nec Corp | セラミックグリーンシート上での微細配線パターンの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6364920B2 (ja) | 1988-12-14 |
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