JPS6364920B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6364920B2 JPS6364920B2 JP57196245A JP19624582A JPS6364920B2 JP S6364920 B2 JPS6364920 B2 JP S6364920B2 JP 57196245 A JP57196245 A JP 57196245A JP 19624582 A JP19624582 A JP 19624582A JP S6364920 B2 JPS6364920 B2 JP S6364920B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- paste
- conductive paste
- insulating paste
- photocurable
- insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
発明の属する技術分野
本発明はセラミツク多層配線基板において、絶
縁層をはさんで上下に存在する配線導体部を電気
的に接続させるビアの形成方法に関する。
縁層をはさんで上下に存在する配線導体部を電気
的に接続させるビアの形成方法に関する。
従来技術
ビアの形成は絶縁層に開口部をつくるビアホー
ルの工程とこの開口部に導体層を形成するビアフ
イルの工程とに分けられる。
ルの工程とこの開口部に導体層を形成するビアフ
イルの工程とに分けられる。
従来の代表的なビアの形成方法は、あらかじめ
パターン化されたスクリーンを用いて厚膜ペース
トを印刷、乾燥、焼成するいわゆる厚膜スクリー
ン印刷法である。この方法（すなわちビアホール
を有する絶縁層をスクリーン印刷で形成、焼成し
たのち、スクリーンを用いてビアホール部に導体
ペーストを印刷、焼成する方法）では、その工程
が比較較的簡単であり、容易に多層パターンが形
成できることから広く用いられてきた方法であ
る。しかしながらこの方法ではパターンがスクリ
ーンにより形成されるため、微小なビアパターン
形成には不向きである。量産レベルで考えた場合
ビアホールおよびビアフイルの大きさは250μm□
（ミクロン平方）程度がほぼ限界である。これよ
り小さなビアを形成する方法として、感光性レジ
ストと厚膜ペーストを組みあわせる方法がある。
例えば1980年のINTERNATIONAL
MICROELECTRO CONFERENCEの
PROCEEDINGSの論文「COMBINATION OF
THICK FILM DIELECTRIC／THIN FILM
CONDUCTOR FOR FINE PATTERN
FORMATION OF MULTI−LAYER
SUBSTRATE」においては、絶縁ペースト上に
感光性レジストを塗布し、露光、現像により絶縁
ペーストおよび感光性レジストにビアホールを形
成し、その後ビアフイルとして導体ペーストをう
め込む工法が述べられている。この方法ではビア
ホールの形成にフオトリソグラフイ技術を用いて
いること、およびビアホール部に導体ペーストを
うめ込むセルフアライメント技術であることな
ど、微小ビアに適した方法である。レジストの種
類や絶縁層の厚さにも依存するが100μm□程度の
ビアまで形成可能である。この方法の問題点は絶
縁ペーストとその上に形成する感光性レジストと
の密着力の許容範囲が狭いということである。密
着が弱すぎると感光性レジストの現像時に、感光
性レジストと絶縁ペーストの現像時に、感光性レ
ジストと絶縁ペーストとの間がはがれてしまう。
また密着が強すぎると、導体ペーストをうめ込ん
だ感光性レジストを絶縁ペーストから剥離する時
に、なかなか剥離しなかつたり、絶縁ペーストの
一部も一緒に剥離されてしまつたりする。したが
つてこの密着力をコントロールすることが重要で
あるとともにまた困難な点でもある。さらに、絶
縁層の上に、感光性レジストを形成するために、
レジストのための塗布、露光、現像および剥離な
どの工程が加わつており、工程が複雑になるとい
う欠点もある。
パターン化されたスクリーンを用いて厚膜ペース
トを印刷、乾燥、焼成するいわゆる厚膜スクリー
ン印刷法である。この方法（すなわちビアホール
を有する絶縁層をスクリーン印刷で形成、焼成し
たのち、スクリーンを用いてビアホール部に導体
ペーストを印刷、焼成する方法）では、その工程
が比較較的簡単であり、容易に多層パターンが形
成できることから広く用いられてきた方法であ
る。しかしながらこの方法ではパターンがスクリ
ーンにより形成されるため、微小なビアパターン
形成には不向きである。量産レベルで考えた場合
ビアホールおよびビアフイルの大きさは250μm□
（ミクロン平方）程度がほぼ限界である。これよ
り小さなビアを形成する方法として、感光性レジ
ストと厚膜ペーストを組みあわせる方法がある。
例えば1980年のINTERNATIONAL
MICROELECTRO CONFERENCEの
PROCEEDINGSの論文「COMBINATION OF
THICK FILM DIELECTRIC／THIN FILM
CONDUCTOR FOR FINE PATTERN
FORMATION OF MULTI−LAYER
SUBSTRATE」においては、絶縁ペースト上に
感光性レジストを塗布し、露光、現像により絶縁
ペーストおよび感光性レジストにビアホールを形
成し、その後ビアフイルとして導体ペーストをう
め込む工法が述べられている。この方法ではビア
ホールの形成にフオトリソグラフイ技術を用いて
いること、およびビアホール部に導体ペーストを
うめ込むセルフアライメント技術であることな
ど、微小ビアに適した方法である。レジストの種
類や絶縁層の厚さにも依存するが100μm□程度の
ビアまで形成可能である。この方法の問題点は絶
縁ペーストとその上に形成する感光性レジストと
の密着力の許容範囲が狭いということである。密
着が弱すぎると感光性レジストの現像時に、感光
性レジストと絶縁ペーストの現像時に、感光性レ
ジストと絶縁ペーストとの間がはがれてしまう。
また密着が強すぎると、導体ペーストをうめ込ん
だ感光性レジストを絶縁ペーストから剥離する時
に、なかなか剥離しなかつたり、絶縁ペーストの
一部も一緒に剥離されてしまつたりする。したが
つてこの密着力をコントロールすることが重要で
あるとともにまた困難な点でもある。さらに、絶
縁層の上に、感光性レジストを形成するために、
レジストのための塗布、露光、現像および剥離な
どの工程が加わつており、工程が複雑になるとい
う欠点もある。
発明の目的
本発明の目的は光硬化性絶縁ペーストを用いて
ビアホールを形成し、その上から導体ペーストを
ビアホールにうめ込んでビアフイルとし、その後
絶縁ペースト上に残つた余分の導体ペーストを除
去する工法を用いることにより、上記欠点を解決
し、簡単な工程でビアの形成を可能にする方法を
提供することにある。
ビアホールを形成し、その上から導体ペーストを
ビアホールにうめ込んでビアフイルとし、その後
絶縁ペースト上に残つた余分の導体ペーストを除
去する工法を用いることにより、上記欠点を解決
し、簡単な工程でビアの形成を可能にする方法を
提供することにある。
また本発明の他の目的は、O2＋CF4のプラズマ
アツシヤーにより、絶縁ペースト上の導体ペース
トの除去を容易にした方法を提供することにあ
る。
アツシヤーにより、絶縁ペースト上の導体ペース
トの除去を容易にした方法を提供することにあ
る。
また本発明の他の目的は100μm□（ミクロン平
方）以下の微小なビアの形成方法を提供すること
にある。
方）以下の微小なビアの形成方法を提供すること
にある。
発明の構成
本発明の方法は、セラミツク基板の表面に光硬
化性絶縁ペーストを印刷、乾燥する第１の工程
と、 露光および現像により、前記光硬化性絶縁ペー
ストの所望の部分をとりのぞき開口部を形成する
第２の工程と、 基板の周辺部をおおうステンシルスクリーンを
用いて導体ペーストを前記開口部にうめ込む第３
の工程と、 前記開口部以外の光硬化性絶縁ペーストに付着
した導体ペーストを除去する第４の工程と、 前記光硬化性絶縁ペーストおよび前記開口部に
うめ込まれた導体ペーストを焼成し、絶縁層およ
び導体層とする第５の工程とを含むことを特徴と
する。
化性絶縁ペーストを印刷、乾燥する第１の工程
と、 露光および現像により、前記光硬化性絶縁ペー
ストの所望の部分をとりのぞき開口部を形成する
第２の工程と、 基板の周辺部をおおうステンシルスクリーンを
用いて導体ペーストを前記開口部にうめ込む第３
の工程と、 前記開口部以外の光硬化性絶縁ペーストに付着
した導体ペーストを除去する第４の工程と、 前記光硬化性絶縁ペーストおよび前記開口部に
うめ込まれた導体ペーストを焼成し、絶縁層およ
び導体層とする第５の工程とを含むことを特徴と
する。
本発明の実施の態様としての方法は、上記発明
の第４の工程において、O2＋CF4のガスプラズマ
アツシヤーを用いることにより、導体ペーストの
有機バインダ成分を燃焼させ絶縁ペーストから導
体ペーストを除去しやすくした方法を含むことを
特徴とする。
の第４の工程において、O2＋CF4のガスプラズマ
アツシヤーを用いることにより、導体ペーストの
有機バインダ成分を燃焼させ絶縁ペーストから導
体ペーストを除去しやすくした方法を含むことを
特徴とする。
発明の実施例
次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図を参照すると、アルミナ基板１の表面に
光硬化性絶縁ペースト２が印刷乾燥されている。
光硬化性絶縁ペーストは、アルミナ粒子Al2O3
と、二酸化シリコンSiO2を主成分とするガラス
粒子よりなる無機成分と、メチルメタクリレート
を主成分とする有機樹脂にアクリレート系の光架
橋剤（商品名Ａ−4G）などからなる有機成分と
からなる。本ペーストに光が当ると有機成分が架
橋反応し、重合して１―１―１トリクロルエタン
に不溶となる。光が当らない部分は重合せず１―
１―１トリクロルエタンに可溶である。したがつ
て、１―１―１トリクロルエタンを印刷されたこ
の絶縁ペースト上にスプレーすると光が当つた部
分が残り、光が当らなかつた部分が除去される。
この特性はちようどネガタイプのフオトレジスト
と同じである。次にこの絶縁ペーストを900℃程
度で焼成すると有機成分は完全に燃焼し、無機成
分のみが残る。無機成分のガラス粒子は軟化し、
アルミナ粒子間に入り込みちみつな無機絶縁層と
なる。このように、フオトリソグラフイー技術を
用いてビアホールパターンを有する絶縁層を形成
できるのが光硬化性絶縁ペーストの特徴である。
光硬化性絶縁ペースト２が印刷乾燥されている。
光硬化性絶縁ペーストは、アルミナ粒子Al2O3
と、二酸化シリコンSiO2を主成分とするガラス
粒子よりなる無機成分と、メチルメタクリレート
を主成分とする有機樹脂にアクリレート系の光架
橋剤（商品名Ａ−4G）などからなる有機成分と
からなる。本ペーストに光が当ると有機成分が架
橋反応し、重合して１―１―１トリクロルエタン
に不溶となる。光が当らない部分は重合せず１―
１―１トリクロルエタンに可溶である。したがつ
て、１―１―１トリクロルエタンを印刷されたこ
の絶縁ペースト上にスプレーすると光が当つた部
分が残り、光が当らなかつた部分が除去される。
この特性はちようどネガタイプのフオトレジスト
と同じである。次にこの絶縁ペーストを900℃程
度で焼成すると有機成分は完全に燃焼し、無機成
分のみが残る。無機成分のガラス粒子は軟化し、
アルミナ粒子間に入り込みちみつな無機絶縁層と
なる。このように、フオトリソグラフイー技術を
用いてビアホールパターンを有する絶縁層を形成
できるのが光硬化性絶縁ペーストの特徴である。
次に第２図を参照すると、前記光硬化性絶縁ペ
ースト２の所望の部分のペーストがとりのぞかれ
開口部３が形成されている。これがビアホールと
呼ばれるものである。このビアホールの形成は、
図示されていないガラスマスクを通して露光した
のち、１―１―１トリクロルエタン液を用いて現
像することによりなされる。このときに形成され
るビアホールの可能な大きさは、光硬化性絶縁ペ
ーストの解像性に依存するが本実施例で用いたも
のは、最小50〜80μm□（ミクロン平方）までが形
成できる。これは従来のスクリーン印刷法や、絶
縁ペーストと感光性レジストを組みあわせた方法
と比べて、1/4〜1/2の大きさである。第３図を参
照すると、図示されていないステンシルスクリー
ンを用いて導体ペーストが絶縁ペースト２表面に
印刷される。導体ペースト４は、絶縁ペースト表
面にもごく薄く残るが、ビアホール３の部分には
うめ込まれてビアフイル５となる。光硬化性絶縁
ペースト２の表面はかなり平滑であり、導体ペー
ストの残渣４はビアフイル部のペースト量と比べ
少量である。また基板の周辺部はステンシルスク
リーンでカバーされるために導体ペーストは付着
していない。このように、ステンシルスクリーン
を用いることにより、ビアフイルの必要な領域の
みに導体ペーストをうめ込むことが可能になる。
ースト２の所望の部分のペーストがとりのぞかれ
開口部３が形成されている。これがビアホールと
呼ばれるものである。このビアホールの形成は、
図示されていないガラスマスクを通して露光した
のち、１―１―１トリクロルエタン液を用いて現
像することによりなされる。このときに形成され
るビアホールの可能な大きさは、光硬化性絶縁ペ
ーストの解像性に依存するが本実施例で用いたも
のは、最小50〜80μm□（ミクロン平方）までが形
成できる。これは従来のスクリーン印刷法や、絶
縁ペーストと感光性レジストを組みあわせた方法
と比べて、1/4〜1/2の大きさである。第３図を参
照すると、図示されていないステンシルスクリー
ンを用いて導体ペーストが絶縁ペースト２表面に
印刷される。導体ペースト４は、絶縁ペースト表
面にもごく薄く残るが、ビアホール３の部分には
うめ込まれてビアフイル５となる。光硬化性絶縁
ペースト２の表面はかなり平滑であり、導体ペー
ストの残渣４はビアフイル部のペースト量と比べ
少量である。また基板の周辺部はステンシルスク
リーンでカバーされるために導体ペーストは付着
していない。このように、ステンシルスクリーン
を用いることにより、ビアフイルの必要な領域の
みに導体ペーストをうめ込むことが可能になる。
第４図を参照すると、光硬化性絶縁ペースト表
面に残つた導体ペーストが除去されている。これ
には、スコツチブライトを用いた研摩装置が用い
られる。スコツチブライトは住友3M社の商品名
であるが、研摩を目的としたブラシの一種であ
る。この研摩装置では、自転する円板状のテーブ
ルに基板を固定し、上からスコツチブライトが下
がつてきて基板表面を研摩するしくみになつてい
る。基板はテーブルと一緒に回転するため表面が
スコツチブライトとこすれて研摩がおこなわれ
る。回転数は毎分５〜20回転程度である。光硬化
性絶縁ペーストのごとく表面も一緒に除去するこ
とにより、導体ペーストの除去は完全になる。ま
たビアホール部にうめ込まれた導体ペースト５
は、この研摩工程では除去されずに残つている。
面に残つた導体ペーストが除去されている。これ
には、スコツチブライトを用いた研摩装置が用い
られる。スコツチブライトは住友3M社の商品名
であるが、研摩を目的としたブラシの一種であ
る。この研摩装置では、自転する円板状のテーブ
ルに基板を固定し、上からスコツチブライトが下
がつてきて基板表面を研摩するしくみになつてい
る。基板はテーブルと一緒に回転するため表面が
スコツチブライトとこすれて研摩がおこなわれ
る。回転数は毎分５〜20回転程度である。光硬化
性絶縁ペーストのごとく表面も一緒に除去するこ
とにより、導体ペーストの除去は完全になる。ま
たビアホール部にうめ込まれた導体ペースト５
は、この研摩工程では除去されずに残つている。
第５図を参照すると、光硬化性絶縁ペースト２
とビアフイルの導体ペースト５とが焼成され、そ
れぞれ絶縁層２′と導体層５′とになつている。以
上説明したように、本発明では感光性レジストを
用いることなくビア形成が容易に行なえるととも
に、微小なビアの形成が可能である。第６図を参
照すると本発明の第２の実施例は次のようにして
実施される。すなわち、光硬化性絶縁ペースト２
の表面に導体ペースト４が付着している状態で
O2＋CF4混合ガスによるプラズマアツシヤーが行
なわれる。O2とCF4とのガスの混合比は１：１で
ある。アツシヤーは通常の円筒形プラズマアツヤ
ー装置が用いられる。条件は、ガス圧が0.1〜
1torr、RFパワーが300W〜500W、温度が70〜
100℃程度である。10分間程度のアツシヤー処理
で導体ペースト４および光硬化性絶縁ペーストの
表面部２″のそれぞれの有機バインダ成分が燃焼
し、ペーストの無機成分粒子を結びつける力がな
くなるため、ペーストはごく弱い力で容易に除去
が可能になる。除去の方法としては、基板を回転
しながらナイロン等のブラシで軽くこするスピン
スクラバー装置を利用したり、高圧で純水をふき
つける方法などがある。第７図にはこうして光硬
化性絶縁ペーストの表面部および導体ペーストを
除去した後の状態が示されている。第６図の状態
においては、ビアホール部にうめ込まれた導体ペ
ースト５は中央部がくぼんだ形状となるがプラズ
マアツシヤーを用いて導体ペースト４を除去する
工程において、絶縁ペーストの表面部２″も一緒
に除去される。したがつて、第７図に示されるよ
うにビアホール部５も含めて絶縁ペースト２の表
面全体が平滑になる。
とビアフイルの導体ペースト５とが焼成され、そ
れぞれ絶縁層２′と導体層５′とになつている。以
上説明したように、本発明では感光性レジストを
用いることなくビア形成が容易に行なえるととも
に、微小なビアの形成が可能である。第６図を参
照すると本発明の第２の実施例は次のようにして
実施される。すなわち、光硬化性絶縁ペースト２
の表面に導体ペースト４が付着している状態で
O2＋CF4混合ガスによるプラズマアツシヤーが行
なわれる。O2とCF4とのガスの混合比は１：１で
ある。アツシヤーは通常の円筒形プラズマアツヤ
ー装置が用いられる。条件は、ガス圧が0.1〜
1torr、RFパワーが300W〜500W、温度が70〜
100℃程度である。10分間程度のアツシヤー処理
で導体ペースト４および光硬化性絶縁ペーストの
表面部２″のそれぞれの有機バインダ成分が燃焼
し、ペーストの無機成分粒子を結びつける力がな
くなるため、ペーストはごく弱い力で容易に除去
が可能になる。除去の方法としては、基板を回転
しながらナイロン等のブラシで軽くこするスピン
スクラバー装置を利用したり、高圧で純水をふき
つける方法などがある。第７図にはこうして光硬
化性絶縁ペーストの表面部および導体ペーストを
除去した後の状態が示されている。第６図の状態
においては、ビアホール部にうめ込まれた導体ペ
ースト５は中央部がくぼんだ形状となるがプラズ
マアツシヤーを用いて導体ペースト４を除去する
工程において、絶縁ペーストの表面部２″も一緒
に除去される。したがつて、第７図に示されるよ
うにビアホール部５も含めて絶縁ペースト２の表
面全体が平滑になる。
第８図を参照すると、この後絶縁ペースト２と
ビアホール部導体ペースト５とが焼成されて、そ
れぞれ絶縁層２′と導体層５′になることは第１の
実施例と同じである。プラズマアツシヤーを用い
ることによつて導体ペーストの除去が非常に容易
になること、およびプラズマアツシヤーの時間を
かえることにより、絶縁層表面の脱有機バインダ
部分（第７図の２″）の厚さを任意の値に制御で
きることが本実施例の利点である。
ビアホール部導体ペースト５とが焼成されて、そ
れぞれ絶縁層２′と導体層５′になることは第１の
実施例と同じである。プラズマアツシヤーを用い
ることによつて導体ペーストの除去が非常に容易
になること、およびプラズマアツシヤーの時間を
かえることにより、絶縁層表面の脱有機バインダ
部分（第７図の２″）の厚さを任意の値に制御で
きることが本実施例の利点である。
発明の効果
本発明には光硬化性絶縁ペーストを用いてビア
ホールを形成し、その上から導体ペーストをビア
ホールに埋込んでビアフイルとし、その後絶縁ペ
ースト上に残つた余分の導体ペーストを除去する
工法を用いることにより、簡単な工程で微細なビ
アを形成できるという効果がある。
ホールを形成し、その上から導体ペーストをビア
ホールに埋込んでビアフイルとし、その後絶縁ペ
ースト上に残つた余分の導体ペーストを除去する
工法を用いることにより、簡単な工程で微細なビ
アを形成できるという効果がある。
第１図から第５図までは本発面の第１の実施例
を示す。程断面図であり第６図から第８図までは
本発明の第２の実施例を示す工程断面図である。 第１図から第８図において、１……アルミナ基
板、２……光硬化性絶縁ペースト、２′……絶縁
層、２″……光硬化性絶縁ペースト表面部、３…
…ビアホール、４……導体ペースト残渣、５……
ビアフイルの導体ペースト、５′……導体層。
を示す。程断面図であり第６図から第８図までは
本発明の第２の実施例を示す工程断面図である。 第１図から第８図において、１……アルミナ基
板、２……光硬化性絶縁ペースト、２′……絶縁
層、２″……光硬化性絶縁ペースト表面部、３…
…ビアホール、４……導体ペースト残渣、５……
ビアフイルの導体ペースト、５′……導体層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミツク基板の表面に光硬化性絶縁ペース
トを印刷、乾燥する第１の工程と、 露光および現像により、前記光硬化性絶縁ペー
ストの所望の部分をとりのぞき開口部を形成する
第２の工程と、 基板の周辺部をおおうステンシルスクリーンを
用い、導体ペーストを前記開口部にうめ込む第３
の工程と、 前記開口部以外の前記光硬化性絶縁ペースト表
面に付着した導体ペーストを除去する第４の工程
と、 前記光硬化性絶縁ペーストおよび前記開口部に
うめ込まれた導体ペーストを焼成し、絶縁層およ
び導体層とする第５の工程とを有することを特徴
とするセラミツク多層配線基板の製造方法。 ２ 前記第４の工程において、前記光硬化性絶縁
ペーストの表面に付着した導体ペースト中の有機
バインダ成分を酸素とフツ化炭素の混合ガスプラ
ズマにより燃焼させ除去しやすくしたことを特徴
とする特許請求範囲第１項記載のセラミツク多層
配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19624582A JPS5986292A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19624582A JPS5986292A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5986292A JPS5986292A (ja) | 1984-05-18 |
| JPS6364920B2 true JPS6364920B2 (ja) | 1988-12-14 |
Family
ID=16354598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19624582A Granted JPS5986292A (ja) | 1982-11-09 | 1982-11-09 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5986292A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS611237A (ja) * | 1984-06-13 | 1986-01-07 | Canon Electronics Inc | シ−トコイルの製造方法 |
| JP2800446B2 (ja) * | 1991-03-12 | 1998-09-21 | 日本電気株式会社 | セラミックグリーンシート上での微細配線パターンの形成方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5785293A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Nippon Electric Co | Method of producing hihg density multilayer circuit board |
| JPS57196244A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic receptor |
-
1982
- 1982-11-09 JP JP19624582A patent/JPS5986292A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5986292A (ja) | 1984-05-18 |
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