JPS599103B2 - 磁気バブルメモリ装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は欠陥ループを有する磁気バブルメモリを使用し
た磁気バブルメモリ装置に関するものである。

一般に磁気バブルメモリ素子には、回転磁界によつて磁
気バブルを転送するためのパターンが形成されている。

このパターンは読み出し書き込みの動作を行なうための
メジヤループと記憶用のマイナループとからなるが、通
常このマイナループは製造時にどうしてもいくつかの欠
陥ループができてしまう。このようにマイナループの中
に欠陥ループがある場合はこの欠陥ループを使用しない
ように回路でスキップして使用するようになつている。
このため欠陥ループを記憶しておくことが必要であり、
磁気バブルメモリ装置においてはこの欠陥ループの記憶
のために欠陥ループ記憶回路を用いている。第１図は欠
陥ループを有する磁気バブルメモリを用いた一般的な磁
気バブルメモリ装置のブロック回路図である。

直接周辺回路１０は、欠陥ループを有する磁気バブルメ
モリ１１と、この磁気バブルメモリ１１に回転磁界を与
えるための回転磁界駆動回路１２と、動作に必要なジエ
ネレートパルスなどを発生するためのパルス電流を磁気
バブルメモリ１１に供給するパルス電流発生回路１３と
、磁気バブルメモリ１１からの出力を読みとるセンスア
ンプ回路１４となどから構成される。この直接周辺回路
１０は磁気バブルメモリを直接操作する各回路からなつ
ている。一方、間接周辺回路２０は、外部から書き込み
データＤ７を入力し外部に読み出しデータＤ２を出力す
るデータレジスタ２１と、データレジスタ２１からの書
き込み情報でパルス電流発生回路１３を制御しセンスア
ンプ回路１４からの読み出し信号でデータレジスタ２１
を制御する書き込み読み出しタイミング回路２２と、基
本のクロック信号を発生するクロック発生回路２３と、
このクロック信号によりマイナループのアドレスをカウ
ントするマイナループカウンタ２４と、外部から指定す
るマイナループアドレスの書き込み読み出しアドレスＡ
Ｄとマイナループカウンタ２４の出力との一致を検出し
てトランスフアパルスを出力する一致回路２５と、一致
によりカウントを始めるメジヤループカウンタ２６と、
このメジヤループカウンタ２６からのループ情報を入力
し指示されるループが欠陥ループであると書き込み読み
出しタイミング回路２２に欠陥ループ情報を送出する欠
陥ループ記憶回路２７とから構成される。このように間
接周辺回路２０は、直接周辺回路１０の各回路と信号の
受授を行つて磁気バブルメモＩ月１を間接的に制御する
制御回路からなつている。欠陥ループ記憶回路２７には
あらかじめ磁気バブルメモリ１１の素子の欠陥ループの
情報が記憶されている。そして指定ループがこの欠陥ル
ープに該当するときは、欠陥ループ記憶回路２７からの
欠陥ループ情報により欠陥ループへの書き込み読み出し
動作がスキツプされる。したがつて欠陥ループは全く使
用されないことになる。書き込み読み出しタイミング回
路２２は、外部からデータレジスタ２１を経て入つてく
る書き込みデータと前記欠陥ループ情報を受け６１″書
き込み電流および６０″書き込み電流を発生するための
タイミングを発生したり、またセンスアンプ回路１４に
磁気バブルメモリ１１からの出力を読み出すためのスト
ローブパルスを発生したりする回路である。このように
磁気バブルメモリ１１が１個だけの小容量の記憶装置で
あれば、直接周辺回路１０と間接周辺回路２０は図のよ
うに同一基板にて構成される。しかしながら、記憶装置
が大容量になつた場合は、磁気バブルメモリ１１が複数
個必要となり、それにしたがつて直接周辺回路１０も複
数個必要となる。

このような場合には、間接周辺回路２０は装置の容量に
あまり関係せずほぼ一定量であるため、間接周辺回路２
０と磁気バブルメモリ１１を含む直接周辺回路１０とは
基板が分けられ、１枚の基板とこれに配線で接続された
複数の基板とになる。第２図は容量が大きくなり直接周
辺回路の基板を複数枚に分離した従来の磁気バブルメモ
リ装置の構成図である。

間接周辺回路２０にはそれぞれ欠陥ループを有する磁気
バブルメモリを装着した直接周辺回路１０ａ，１０ｂが
接続される。また間接周辺回路２０には、直接周辺回路
１０ａの磁気バブルメモリの欠陥ループが記憶された欠
陥ループ記憶回路２７ａと直接周辺回路１０ｂの磁気バ
ブルメモリの欠陥ループが記憶された欠陥ループ記憶回
路２７ｂが設けられている。そしてユニツト選択信号Ｓ
ａ，Ｓｂによつて、直接周辺回路１０ａを選択したとき
は欠陥ループ記憶回路２７ａを動作させ、直接周辺回路
１０ｂを選択したときは欠陥ループ記憶回路２７ｂを動
作させて、書き込み読み出し５タイミング回路２２によ
り欠陥ループへの書き込みあるいは欠陥ループからの読
み出しをそれぞれスキツプしている。この場合、直接周
辺回路１０ａと欠陥ループ記憶回路２７ａ、直接周辺回
路１０ｂと欠陥ループ記憶回路２７ｂとは正確に対応し
ておく必要があり交換は許されないＯこのため、このよ
うな従来の磁気バブルメモリ装置においては、直接周辺
回路が故障した場合、磁気バブルメモリの欠陥ループの
場所がそれぞれによつて異るためこの基板を他の良品の
基板と交換することができないという問題があつた。

また直接周辺回路の数が多くなると、これらの基板の装
着に際し各欠陥ループ記憶回路との対応を間違えないよ
う注意して組立作業を行なわなければならず、生産性が
悪くなるという欠点があつた。本発明はこれらの従来の
欠点を解消するためになされたもので、その目的とする
ところは、組立の作業性がよく、磁気バブルメモリを含
む回路が故障しても容易に交換可能で取扱いやすい磁気
バブルメモリ装置を提供することにある。この目的を達
成するために、本発明は欠陥ループを有する磁気バブル
メモリが装着された複数の直接周辺回路とこれら磁気バ
ブルメモリを制御するための制御回路などを含む別基板
の間接周辺回路とからなる磁気バブルメモリ装置におい
て、前記磁気バブルメモリが装着された基板にこれと対
応する欠陥ループ記憶回路をそれぞれ装着したものであ
る。

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。

第３図は本発明に係る磁気バブルメモリ装置の一実施例
の構成図である。

それぞれ磁気バブルメモリを装着した直接周辺回路３０
ａ，３０ｂは別個の基板に設けられ、これら直接周辺回
路３０ａ，３０ｂの基板にはその磁気バブルメモリの欠
陥ループに対応したＲＯＭからなる欠陥ループ記憶回路
３７ａ，３７ｂがそれぞれ装着される。なお、間接周辺
回路４０は欠陥ループ記憶回路がなくなつただけで他は
第１図と同様である。欠陥ループ記憶回路３７ａ，３７
ｂを動作させるのには、間接周辺回路４０のメジヤルー
プカウンタ４６からループ情報を送つて行なう。これに
より欠陥ループ記憶回路３７ａ，３７ｂから出る欠陥ル
ープ情報は書き込み読み出しタイミング回路４２に送達
され、さらにこの書き込み読み出しタイミング回路４２
によつて直接周辺回路３０ａ，３０ｂは制御される。な
お、複数の直接周辺回路３０ａ，３０ｂはユニツト選択
信号Ｓａ，Ｓｂによつて動作が選択される。欠陥ループ
記憶回路３７ａ，３７ｂはそれぞれこれに対応する磁気
バブルメモリと同一基板に装着されているので、基板を
どのような位置につけても欠陥ループの対応が常にとれ
ていることになる。したがつて記憶が大容量になつても
基板の取付位置に特に注意する必要もなく、また任意に
直接周辺回路の交換が可能となる。本実施例では、磁気
バブルメモリが直接周辺回路の基板上に装着されていた
が、直接周辺回路と別の基板に装着されている場合は、
この磁気バブルメモリが装着されている基板にこれと対
応する欠陥ループ記憶回路が装着されるのはいうまでも
ない。

また磁気バブルメモリが３個以上に増加しても勿論適応
できるし、多い程効果は出てくることになる。欠陥ルー
プ情報は、磁気バブルメモリをテストして欠陥ループを
確認したとき欠陥ループ記憶回路に書き込めば、後は読
み出すだけの動作でよいため本実施例ではＲＯＭを使用
したが他の記憶回路でも使用し得る。

以上のように本発明に係る磁気バブルメモリ装置による
と、磁気バブルメモリが装着された基板の交換力椙在で
故障時などに取扱いが便利であり、また組立が容易にな
り生産性が向上するなどの効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は一般的な磁気バブルメモリ装置のブカツク回路
図、第２図は従来の複数の直接周辺回路を有する磁気バ
ブルメモリ装置の構成図、第３図は本発明に係る磁気バ
ブルメモリ装置の一実施例の構成図である。 ３０ａ，３０ｂ・・・・・・直接周辺回路、３７ａ，３
７ｂ゜゜゜・・・欠陥ループ記憶回路、４０・・・・・
・間接周辺回路、４２・・・・・・書き込み読み出しタ
イミング回路、４６・・・・・・メジヤループカウンタ
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 欠陥ループを有する磁気バブルメモリおよびこの磁
   気バブルメモリのための直接周辺回路が実装された第１
   の基板と、前記磁気バブルメモリを制御するための制御
   回路などの間接周辺回路が実装された第２の基板の少な
   くとも２種の基板で構成される磁気バルブメモリ装置に
   おいて、前記欠陥ループを記憶する回路を第１の基板に
   装着し、複数の第１の基板間に互換性を持たせたことを
   特徴とする磁気バブルメモリ装置。 ２ 欠陥ループ記憶回路にＲＯＭを用いたことを特徴と
   する特許請求の範囲第１項の磁気バブルメモリ装置。