JPS6010645A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS6010645A
JPS6010645A JP58118519A JP11851983A JPS6010645A JP S6010645 A JPS6010645 A JP S6010645A JP 58118519 A JP58118519 A JP 58118519A JP 11851983 A JP11851983 A JP 11851983A JP S6010645 A JPS6010645 A JP S6010645A
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semiconductor device
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aluminum wiring
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桜井　寿春
Seiichi Hirata
誠一 平田
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  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は樹脂封止型半導体装置の改良に係り、特に大面
積の半導体ペレットの表面構造に関ｆるものである。
〔発明の技術的背景〕
樹脂封＋）、型半導体装置は、半導体ペレッ）Ｙリード
フレーム上にマウントし、ワイヤーポンディング７行な
った後、エポキシ樹脂等により封止して製造されるもの
である。
第１図（ａ）に従来＋７′Ｉ樹脂封旧型半導体装置の半
導体ペレットの平面図、同図（ｂ）にそのＡ−Ａ’断面
図ン示す。第１図において、例えばＰ型のシ１１コン基
板１の表面にはフィールド酸化膜２が形成されており、
このフィールドｆｉｌ化膜２によって囲まれた素子領域
（図示せず）には例えばＮチャンネル−ＭＯＳトランジ
スタが形成されろ。また、半導体ペレット周辺部におけ
ろフィールド酸化膜２上にはＣＶＤ酸化膜等の一間絶襟
膜３を介して素子領域より延在されたアルミ配線層４と
、このアルミ配線層４に接続するためのポンプイングツ
くット部５が形成されている。さらに全面にわ１こって
ノくツシベーション′膜６が堆積されており、ボンディ
ングバット部５に対応′ｆろパッシベーション膜６の部
分にはポンディングパッド用窓７が開孔されている。
〔背景技術の問題点〕
上述し１こ如き構造？有丁７）樹脂封止型半導体装置に
おいては、特に２５　Ｈ７１２以上の大面積ペレット？
使用した場合、環境あるいは周囲白息ｆ！ｉ、な温度変
化によってパッシベーション膜６のポンディングパッド
用窓７付近の段差部べ〕アルミ配線層４０段差部に封＋
ｈ樹脂による応力が加わってクラックが発生し易く、蒔
１湿性ケ損うという問題がある。
かかるクラックの発生は、特にベレットの四隅において
著しい。さらに、かかるクラックの発生とトモニパツシ
ペーション膜下のアルミ配線）・：ｉ４に変形が生じた
り、極端な場合にはＩ断線てろ等の問題があり、半導体
装置力性能？低下したり歩留り乞低下させろという問題
があった。
〔発明の目的〕
そこで、本発明はパッシベーション膜のクラックによる
耐湿性の劣化、アルミ配線層の断線等を防止しつる樹脂
封止型半導体装置乞提供ｆろことＹ目自勺とてるもので
ある。
〔発明の概要〕
上記目的乞達成でろために、本発明による樹脂封止型半
導体装置の主な特徴は、 樹脂封止される半導体表面の配線部分に当該配線部分に
加わる応力？吸収する凹凸部ケ形成した点にある。
〔発明の実施例〕
以下、本発明による樹脂封止型半導体装置の実施例ケ図
面に基づいて説明でろ。
知２図（、）に本発明による樹脂封止型半導体装置の半
導体ベレットの平面図、同図（ｂ）にそのＢ　−Ｂ’断
面図を示で。なお、第１図と重複する部分には同一の符
号７附してその説明は省略でる。　１第２図（本発明）
と第１図（従来）の半導体装［δの異なる点は、アルミ
配置１褒層４に１つまたはそ（３） れ以上の凹欠部８が適宜所定の間隔？置いて設けられて
いる点である。その他は同様にしてパッシベーション膜
６で覆われ、ポンディングパット用窓７が開孔されてい
る。な」６、凹欠部８乞設けろ成形状または開隔等は半
導体ベレットの面積や封止樹脂の厚さ等に応じて設計ｆ
べきである。
このように、アルミ配線層４に凹欠部８？設けて凹凸部
乞形成したことにより、封止樹脂の温度変化により生ず
る応力を分散−ｆろことができ、そのＦＦＮ　果パッシ
ベーション膜６にクラック力発生しにくくなり、アルミ
配線ｊ・Δ４の断線の発生ぞ防止−ｒることができろ。
以上の結果は、次θ）、Ｊ：’）な実験にエリ４（ｔ；
認された。イなわち、従来（第１図）のペレツ）　（８
ｍＭ０）と本発明（第２図）のベレット（８πｍ’　）
　’ｃ：それぞれ下記第１表に示ｆ特性乞有′ｆろＡ、
Ｂ２種頌のエポキシ位杓１旨により封止して・４−２ビ
ン′のＤ　Ｉ　Ｐ　ｉｌｔ！ｆ月旨封止型半導体装置を
製造した。
以下余白 （４） 第１表 製造された半導体装置ケ 〔５°Ｃ（５分）−，１５０℃（３０Ｇ　）−２，５’
Ｃ（５分）→−５５℃（５分）］を１サイクルとｆろ温
度サイクルの試験７行ない、１００サイクル経過後にお
けるベレット　表面のノくツシベーション膜のクラック
の発生状況およびアルミ配線の変形を調べた。その結果
？下記の第２表に示ｆ。
第２表 パッシベーション膜　アルミ配線１ のクラックの発生　層の変形　。
例１　ボンディングバット部　無 （エポキシ樹脂Ａ）　のみ 例２　無　無 （エポキシ樹脂Ｂ） ２を卑仔１１１ 上記！ｆｉ２表から明らかなように、従来例１、鉢奏で
はパッシベーション膜にクラックが発生している。なお
、第２表の２００〜４００μｍ、１００〜２００μｍは
発生したクラックの先端とダイシングライン間の距離ケ
示している。また、従来例１ではアルミ配線層に変形？
生じている。これに対し、本発明の１１１１．２ではク
ラックの発生が抑制され、アルミ配線層の変形が防止さ
れている。
第３図は他の実施例Ｙ示で平面図で、凹欠部８′をアル
ミ配線層４の延在方向に連続して複数平行に設けた例で
ある。その他の□ｌ？’４成は同様なのでｇＢ２明は省
略ｆる。
〔発明の効果〕
以上の通り本発明によれば、配線部分に凹凸部を形成し
たことにより封止樹脂の熱変形による応力乞分散でるこ
とかで舘、その結果パッシベーションｌａｇのクラック
の発生を防止し、かつ配−ｊ、；＝ａ部分の変形を防止
で・きる。したがって、耐湿性の向上歩留りの向上ケ期
待できるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の、１σｊ脂封止型半導体のペレットの構
造７示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＡ−Ａ
’断面図、 第２図は本発明による樹脂封止型半導体のベレットの構
造ケ示でもので（ａ）は平面図、（ｂ）はそのＢ−Ｂ′
１新面図、 第３図は他の実施例を示す平面図である。 ■・・・シリコン基板 ２・・・フィールド酸化嘆 ３・・・層間絶縁層 ４・・・アルミ配線層 訃・・ボンディングバット部 ６・・・パッシベーション膜 ７・・・ポンディングパッド用窓 ８．８′・・・凹欠部 出願人代理人　猪　股　清　１ （７） 第１図 第２図 （８）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、樹脂封止されろ半導体表面の配線部分に当該配線部
    分に加わる応力乞吸収ｆろ凹凸部を形成（−たことを特
    徴とする樹脂封止型半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記凹
    凸部は配線部分乞複数並列的に互に分離して設けること
    により形成したこと？特徴とする樹脂封止型半導体装置
    。 ３、特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記凹
    凸部は配線部分に１つまたはそれ以上の数の四部７設け
    ろことにより形成したこと？特徴とでる樹脂封止型半導
    体装置。 ４特許請求の範囲第１項、第２項、第３項記載の装置に
    おいて、配線部分はアルミニウム配線層であることケ特
    徴とでろ樹脂封止型半導体装置。
JP58118519A 1983-06-30 1983-06-30 樹脂封止型半導体装置 Granted JPS6010645A (ja)

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JP58118519A JPS6010645A (ja) 1983-06-30 1983-06-30 樹脂封止型半導体装置
DE8484107525T DE3483498D1 (de) 1983-06-30 1984-06-29 Halbleiteranordnung des harzverkapselungstyps.
EP84107525A EP0130591B1 (en) 1983-06-30 1984-06-29 Semiconductor device of resin-seal type
US06/894,508 US4654692A (en) 1983-06-30 1986-08-06 Semiconductor device of resin-seal type

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