JPS6010665A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6010665A
JPS6010665A JP58119609A JP11960983A JPS6010665A JP S6010665 A JPS6010665 A JP S6010665A JP 58119609 A JP58119609 A JP 58119609A JP 11960983 A JP11960983 A JP 11960983A JP S6010665 A JPS6010665 A JP S6010665A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fuse
current value
nicr
semiconductor device
programming current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58119609A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoshi Iwamori
岩森　清
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP58119609A priority Critical patent/JPS6010665A/ja
Publication of JPS6010665A publication Critical patent/JPS6010665A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
    • H10W20/49—Adaptable interconnections, e.g. fuses or antifuses
    • H10W20/493—Fuses, i.e. interconnections changeable from conductive to non-conductive

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  • Read Only Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体装置に係り、特に小さなチップ面積
においてヒユーズの切断電流値をモニタできるようにし
たヒユーズ型ＦＲＯＭに関するものである。
従−来、この種のヒユーズ型ＦＲＯＭとして第１図に示
すものがあった。この図において、１はヒＩＩ） ユーズとしてＮ　ｉ　Ｃｒヒユーズを用いたメモリを含
む動作回路部、２はアルミ配線からなる電極取出シ用バ
ンド、３はＮｉＣｒヒユーズのプログラミング電流値を
モニタするためのパターンであり、これらはウェハチッ
プ４上に形成されている。
ＮｉＣｒヒユーズ型ＦＲＯＭはメモリ部がＮｌＣｒヒユ
ーズで構成されており、書き込みはこのＮｉ　Ｃｒヒユ
ー　スに一定電流を流し、ＮｉＣｒヒユーズ’＆切断す
ることにより行っている。
メモリ部に用いられるＮｉＣｒヒユーズの特性としては
、次の２項目が必須条件である。
（１）一定の書き込み条件でプログラミングできるよ５
に、一定電流にてＮｉＣｒヒユーズか切断されること。
（２）使用中の動作電流によっては、Ｎ　ｉ　Ｃｒヒユ
ーズが切断されないこと。
これらの２点が各ウェハチップ４で満されているかどう
かチェックするために、第１図に示したモニタ用のパタ
ーン３が備えられている、従来のＮ　ｉ　Ｃｒヒユーズ
型ＦＲＯＭは以上のよう（２） に構成されているので、モニタ用のパターン３を入れる
ための面積がウェハチップ４上に必要となり、チップ面
積が大きくなるという欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、ウェハチップ上に形成するアル
ミ配線の電極取出し用パッド間にＮｉＣｒヒユーズを接
続することにより、小さなチップ面積でＮｉＣｒヒユー
ズの切断電流値をモニタできるようにした半導体装置ケ
提供することを目的としている。以下この発明の一実施
例な図面について説明する。
第２図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の平面図
である。この図において、５は前記電極取出し用パッド
２間にそれぞれ形成されたプログラミング電流値を検知
するＮｉＣｒヒユーズ、６は前記ＮｉＣｒヒユーズ５ビ
アルミ配線の電極取出し用パッド２にそれぞれ接続する
ためのアルミ配線である。
上記のように、この発明による半導体装置は、アルミ配
線の電極取出し用パッド２間にメモリ用のものと同等な
Ｎ　ｉ　Ｃｒヒユーズ５が形成されているので、このＮ
ｉＣｒヒユーズ５の切断電流を測定することにより、プ
ログラミング電流値を測定できる。
なお、電極取出し用パッド２間に形成されたＮ　ｉ　Ｃ
ｒヒユーズ５は、製品出荷前にすべて切断されるため、
電極取出し用パッド２間は電気的には絶縁状態であり、
動作時には悪影響を与えることはない。なお、ＮｉＣｒ
ヒユーズ５は一般には他のヒユーズであってもよい。
以上説明したように、この発明によれば、プログラミン
グ電流値を検知するヒユーズをアルミ配線の電極取出し
用バンドにそれぞれ形成したので、チップ面積が小さく
なるとともに、精度の高いデータが得られるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の半導体装置の平面図、第２図はこの発明
の一実施例を示す半導体装置の平面図である。 図中、１は動作回路部、２は電極取出し用パッド、４は
ウェハチップ、５はＮ　ｉ　Ｃｒヒユーズ、６はＮ　ｉ
　Ｃｒヒユーズを電極取出し用パッドに接続するアルミ
配線である。 代理人　大　岩増雄　（外２名） 第１図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハチップ上にヒユーズを備えたメモリを含む動作回
    路部と、所要数の電極取出し用バンドと、プログラミン
    グ電流値を検知するヒユーズとを備え、前記ヒユーズに
    一定電流を流してこれを切断し前記メモリにプログラム
    の書き込みを行うヒユーズ型ＦＲＯＭにおいて、前記各
    電極取出し用パッド間にそれぞれプログラミング電流値
    を検知するヒユーズを接続したこと”ｋ％徴とする半導
    体装置。
JP58119609A 1983-06-29 1983-06-29 半導体装置 Pending JPS6010665A (ja)

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JP58119609A JPS6010665A (ja) 1983-06-29 1983-06-29 半導体装置

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JPS6010665A true JPS6010665A (ja) 1985-01-19

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5788855A (en) * 1995-05-04 1998-08-04 Intel Corporation Method of producing circuit board
CN104112730A (zh) * 2013-06-09 2014-10-22 广东美的制冷设备有限公司 智能功率模块及其制造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5788855A (en) * 1995-05-04 1998-08-04 Intel Corporation Method of producing circuit board
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