JPS6010760A - ダイオ−ド電極部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＤＨＤ　（ｄｏｕｂｌｅ　ｈｅａｔ　５ｉｎｋ
　ｄｉｏｄｅ）型封止ダイオード電極に関する。特に、
リード線を一定長に切断後、小径部と大径部を有する電
極を釘打ち加工または成形加工によって組合せて得られ
るリート９レスダイオード８電極において１．Ｊ＼径部
と大径部との釘打ち加工または成形加工の際に該小径部
を傾斜状に加工成形しガラス封止後のガラスラックを防
止したダイオード電極部品に関するものである。

従来市販されているダイオード電極の殆んどは、第１図
に示すように両端部にリード線１を具備した電極２間に
半導体素子６を装着し、電極２の周囲を封止ガラス４に
て封止したＤＨＤ型ガ型ガラス封止ダイオード極電極る
。この種の電極を有する該ダイオードをプリント基板等
に装着する際には、プリント基板の装着孔に細長いリー
ト９線１を挿入して用いる。

また、プリント基板への該ダイオードの装着を容易にし
た第２図に示すようなり一ド線を有しないＤＨＤ型ガラ
ス封止り一ト８レスダイオードも考案され、その需要が
次第に急増しつつある。このようなリートゝレスダイオ
ード９の電極２には第３図に示すようなジュメット線が
使用される。第３図はジュメット線の拡大断面図を示す
。ジュメット線は心線５（例えば、Ｆｅ　−Ｎｉ線）に
銅層６を被覆しこの表面に亜酸化銅（Ｃｕ　２０　）層
７を施こして成る。

すなわち、リードレスダイオードゝの電極２には該ジュ
メット線を一定長に切断し、釘打ち加工を施こして第４
図に示すような小径部８と大径部９とからなる電極２を
使゛用している。

この電極２間の中央部に第２図に示すようにシリコン等
の半導体素子３を装着し、電極２の周囲を封止ガラス４
で封止することによって該ダイオードを得ている。

しかしながら、この方式のガラス封止では、大径部９の
内側面と封止ガラス４の端面が第２図にＡで示すように
直接接着し、釘打ち時の変形の際に銅被覆層６と心線５
の割合が小径部８の割合より小さくなったりするため、
ガラスとの膨張係数に差が発生したり、心線５のＦｅ−
Ｎｉ合金が強加工により膨張係数が小さくなったりする
ため、ガラス封止後特に半田付時にガラスクラックが発
生することが多く、これがリーク不良の原因となり、ダ
イオードの信頼性を大きく低下させる欠点がある。

本発明はこの点を改良するもので、封止ガラス端面が全
面変形加工を受けた大径部に直接接触することを防止し
、膨張係数の差により発生するガラスクラックを防止す
ることができるダイオードゝ電極部品を提供することを
目的とする。

本発明は、大径部と小径部とを有するリート８レスダイ
オードゝ電極において該小径部を傾斜部を形成したこと
を特徴とする。

本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。

第５図は本発明一実施例電極の拡大斜視図を示す。

第６図は第５図の電極を用いてダイオードを組立たとき
の要部断面図を示す。第６図は本発明の要部を明確にす
るため要部が誇張して描かれている。

すなわち、釘打ち用ジュメット線として０．５〜１．５
ｍｍφの素線な２〜３罷長さに切断したのち、釘打ち加
工において小径部８の周囲に本発明の特徴とする傾斜部
１１を形成し第５図に示す電極１３を得る。この電極１
３に封止ガラス４を挿入　］し、次に半導体素子６およ
び他方の電極１３′を上部より乗せ圧力を加えながら温
度が約６４０℃のバッチ炉あるいは連続炉を通してダイ
オ−１−９を形成する。

ここで、傾斜部１１の始端径ｄ２．終端径ｄ１および封
止ガラス４の内径Ｄ（第７図に示す。）の間は　ｄｌく
Ｄ＜ｄ２の関係を有するように形成される為、本電極１
３を用いれば大径部９の内側面と封止ガラス４の端面が
直接接触することはなくガラスクラックの発生が防止さ
れる。特に、傾斜部１１の始端径ｄ２　と終端径ｄ□　
との関係はｄ　１　＜　、Ｏｄ　２とすると加工時の変
形が大きくなり表面の亜酸化銅層７が脱落することがあ
りダイオードの信頼性が低下する。また、本発明による
電極１６を用いてダイオード８を組立てた場合には従来
の電極を用いて、ダイオードゝを組立てた場合に０．１
〜１０％の割合で発生していたガラスクラックがまった
く認められない。

以上説明したように本発明によれば、電極の小径部周囲
に傾斜部を形成することとしたので、ガラスクラックの
発生を防止することができる。また、プリント基板等へ
の装着も従来電極と同様に容易に行うことができる等の
効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のリード線付きＤＨＤ型ダイオード９の断
面図。 第２図は従来のり一トゝレスＤＨＤ型ダイオード８の断
面図。 第３図はジュメット線の拡大断面図。 第４図は第２図に示したダイオード９の電極の拡大斜視
図。 第５図は本発明一実施例電極の拡大斜視図。 第６図は第５図の電極を用いたダイオードの断面図。 第７図は封止ガラスの断面図。 ２・・・電極、６・・・半導体素子、４・・・封止ガラ
ス、８・・・小径部、９・・・大径部、１１・・・傾斜
部。 （外４名） 第１図 第３図 第５図 １．５ 第２図 第４図 第６図 第７図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）小径部と大径部を有する電極を釘打ち加工または
   成形加工によって組合せて得られるリート８レスダイオ
   ード電極において、 上記小径部の周囲に傾斜部が形成されたことを特徴とす
   るダイオード電極部品。
2. （２）上記傾斜部の始端径ｄ２と終端径ｄ１とがｄ□〉
   １ｉｌ）ｄ２ である特許請求の範囲第（１）項に記載のダイオード電
   極部品。