JPS6318334B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6318334B2 JPS6318334B2 JP58119404A JP11940483A JPS6318334B2 JP S6318334 B2 JPS6318334 B2 JP S6318334B2 JP 58119404 A JP58119404 A JP 58119404A JP 11940483 A JP11940483 A JP 11940483A JP S6318334 B2 JPS6318334 B2 JP S6318334B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- large diameter
- diameter portion
- electrode
- diameter part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/20—Conductive package substrates serving as an interconnection, e.g. metal plates
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はDHD（double heat sink diode）型封
止ダイオード電極に関する。特に、リード線を一
定長に切断後、小径部と大径部を有する電極を釘
打ち加工または成形加工によつて組合せて得られ
るリードレスダイオード電極において、小径部と
大径部との釘打ち加工または成形加工の際に該大
径部の内側面に環状または点状に凸部を形成し、
ガラス封止後のガラスクラツクを防止し、さらに
偏心度（該小径部と該大径部の中心位置の偏心）
を改善したダイオード電極部品に関するものであ
る。
止ダイオード電極に関する。特に、リード線を一
定長に切断後、小径部と大径部を有する電極を釘
打ち加工または成形加工によつて組合せて得られ
るリードレスダイオード電極において、小径部と
大径部との釘打ち加工または成形加工の際に該大
径部の内側面に環状または点状に凸部を形成し、
ガラス封止後のガラスクラツクを防止し、さらに
偏心度（該小径部と該大径部の中心位置の偏心）
を改善したダイオード電極部品に関するものであ
る。
従来市販されているダイオード電極の殆んど
は、第１図に示すように両端部にリード線１を具
備した電極２間に半導体素子３を装着し、電極２
の周囲を封止ガラス４にて封止したDHD型ガラ
ス封止ダイオード電極である。この種の電極を有
する該ダイオードをプリント基板等に接着する際
には、プリント基板の装着孔に細長いリード線１
を挿入して用いる。
は、第１図に示すように両端部にリード線１を具
備した電極２間に半導体素子３を装着し、電極２
の周囲を封止ガラス４にて封止したDHD型ガラ
ス封止ダイオード電極である。この種の電極を有
する該ダイオードをプリント基板等に接着する際
には、プリント基板の装着孔に細長いリード線１
を挿入して用いる。
また、プリント基板への該ダイオードの装着を
容易にした第２図に示すようなリード線を有しな
いDHD型ガラス封止リードレスダイオードも考
案され、その需要が次第に急増しつつある。この
ようなリードレスダイオードの電極２には第３図
に示すようなジユメツト線が使用される。第３図
はジユメツト線の拡大断面図を示す。ジユメツト
線は心線５（例えば、Fe−Ni線）に銅層６を被
覆しこの表面に亜酸化銅（Cu2O）層７を施こし
て成る。
容易にした第２図に示すようなリード線を有しな
いDHD型ガラス封止リードレスダイオードも考
案され、その需要が次第に急増しつつある。この
ようなリードレスダイオードの電極２には第３図
に示すようなジユメツト線が使用される。第３図
はジユメツト線の拡大断面図を示す。ジユメツト
線は心線５（例えば、Fe−Ni線）に銅層６を被
覆しこの表面に亜酸化銅（Cu2O）層７を施こし
て成る。
すなわち、リードレスダイオードの電極２には
該ジユメツト線を一定長に切断し、釘打ち加工を
施こして第４図に示すような小径部８と大径部９
とからなる電極２を使用している。
該ジユメツト線を一定長に切断し、釘打ち加工を
施こして第４図に示すような小径部８と大径部９
とからなる電極２を使用している。
この電極２間の中央部に第２図に示すようにシ
リコン等の半導体素子３を装着し、電極２の周囲
を封止ガラス４で封止することによつて該ダイオ
ードを得ている。
リコン等の半導体素子３を装着し、電極２の周囲
を封止ガラス４で封止することによつて該ダイオ
ードを得ている。
しかしながら、この方式のガラス封止では、大
径部９の内側面と封止ガラス４の端面が第２図に
Ａで示すように直接接着し、釘打ち時の変形の際
に銅被覆層６と心線５の割合が小径部８の割合よ
り小さくなつたりするため、ガラスとの膨脹係数
に差が発生したり、心線５のFe−Ni合金が強加
工により膨脹係数が小さくなつたりするため、ガ
ラス封止後特に半田付時にガラスクラツクが発生
することが多く、これがリーク不良の原因とな
り、ダイオードの信頼性を著しく低下させる欠点
がある。
径部９の内側面と封止ガラス４の端面が第２図に
Ａで示すように直接接着し、釘打ち時の変形の際
に銅被覆層６と心線５の割合が小径部８の割合よ
り小さくなつたりするため、ガラスとの膨脹係数
に差が発生したり、心線５のFe−Ni合金が強加
工により膨脹係数が小さくなつたりするため、ガ
ラス封止後特に半田付時にガラスクラツクが発生
することが多く、これがリーク不良の原因とな
り、ダイオードの信頼性を著しく低下させる欠点
がある。
これを改良したものとして、第５図に示すダイ
オード電極が知られている。すなわち、大径部９
と小径部８との他に中径部１０が形成され、この
中径部１０により封止ガラス４の端面が変形加工
をうけた大径部９に直接接触するのを防止し、封
止ガラス４と大径部９との膨脹係数の差により発
生するガラスクラツクを防止したものである。
オード電極が知られている。すなわち、大径部９
と小径部８との他に中径部１０が形成され、この
中径部１０により封止ガラス４の端面が変形加工
をうけた大径部９に直接接触するのを防止し、封
止ガラス４と大径部９との膨脹係数の差により発
生するガラスクラツクを防止したものである。
しかし、中径部１０を形成するには第６図に示
すよう金型１２の一部１３を研削加工する必要が
あり、釘打ち加工時、特に高速加工すると切断加
工されたジユメツト線１４が１３部分で傾くこと
がある。このため、釘打ち後に第７図に示すよう
に大径部９と小径部８の中心がずれ（第７図中ｌ
で示す）、ダイオード組立時に封止ガラス４が挿
入出来なかつたり、ダイオードが曲がつて形成さ
れる不都合がある。
すよう金型１２の一部１３を研削加工する必要が
あり、釘打ち加工時、特に高速加工すると切断加
工されたジユメツト線１４が１３部分で傾くこと
がある。このため、釘打ち後に第７図に示すよう
に大径部９と小径部８の中心がずれ（第７図中ｌ
で示す）、ダイオード組立時に封止ガラス４が挿
入出来なかつたり、ダイオードが曲がつて形成さ
れる不都合がある。
本発明はこれらの点を改良するもので、ガラス
クラツクを防止することができ、しかも大径部と
小径部との偏心度を著しく減少することができる
ダイオード電極部品を提供することを目的とす
る。
クラツクを防止することができ、しかも大径部と
小径部との偏心度を著しく減少することができる
ダイオード電極部品を提供することを目的とす
る。
本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第８図および第９図は本発明第一実施例の説明図
であり、第８図は金型の要部断面図を示し、第９
図は電極の斜視図を示す。
第８図および第９図は本発明第一実施例の説明図
であり、第８図は金型の要部断面図を示し、第９
図は電極の斜視図を示す。
釘打ち用ジユメツト線１４として0.5〜1.5mmφ
の素線を２〜３mm長さに切断したのち、環状凸部
形成用に一部１５を研削加工した金型１２に挿入
してパンチ１６で釘打ちを行うと第９図に示すよ
うな本発明の特徴とする環状凸部１７を有するダ
イオード電極が形成される。
の素線を２〜３mm長さに切断したのち、環状凸部
形成用に一部１５を研削加工した金型１２に挿入
してパンチ１６で釘打ちを行うと第９図に示すよ
うな本発明の特徴とする環状凸部１７を有するダ
イオード電極が形成される。
ここで、本発明によれば釘打ち加工時にジユメ
ツト線１４が金型１２の一部１５で傾くことがな
く大径部９と小径部８との中心がずれることがな
い。また、ダイオード組立時にも環状凸部１７に
より大径部９と封止ガラス４とが直接接触するの
が防止されガラスクラツクが防止される。さら
に、環状凸部１７の幅ｄは大径部９の長さＤより
小さくかつｄ＜Ｄ／２であることが良い。ｄ＞Ｄ／２と すると環状凸部１７の側面の影響が出てガラスク
ラツクを発生する場合があり好ましくない。
ツト線１４が金型１２の一部１５で傾くことがな
く大径部９と小径部８との中心がずれることがな
い。また、ダイオード組立時にも環状凸部１７に
より大径部９と封止ガラス４とが直接接触するの
が防止されガラスクラツクが防止される。さら
に、環状凸部１７の幅ｄは大径部９の長さＤより
小さくかつｄ＜Ｄ／２であることが良い。ｄ＞Ｄ／２と すると環状凸部１７の側面の影響が出てガラスク
ラツクを発生する場合があり好ましくない。
また、ｄ＝Ｄ／３とした時の大径部９と小径部８
との偏心ｌは偏心ｌが0.2mm以上となる率が従来
電極が0.5〜1.0％であるのに対して本発明電極で
は0.2％以下である。
電極が0.5〜1.0％であるのに対して本発明電極で
は0.2％以下である。
第１０図は本願発明の第二実施例を示す斜視図
であり、第一実施例と比較すると凸部１８を点状
（３点以上）に形成したところに特徴がある。
であり、第一実施例と比較すると凸部１８を点状
（３点以上）に形成したところに特徴がある。
以上説明したように本発明によれば、大径部と
小径部とを有するリードレスダイオード電極にお
いて、大径部の内側面に小径部と接しない凸部を
形成することとした。したがつて、大径部と封止
ガラスとの直接接触することが防止できガラスク
ラツクを防止することができ、しかも大径部と小
径部との偏心を著しく減少することができる。こ
のため、ダイオードの信頼性を著しく向上するこ
とができる等の優れた効果を有する。
小径部とを有するリードレスダイオード電極にお
いて、大径部の内側面に小径部と接しない凸部を
形成することとした。したがつて、大径部と封止
ガラスとの直接接触することが防止できガラスク
ラツクを防止することができ、しかも大径部と小
径部との偏心を著しく減少することができる。こ
のため、ダイオードの信頼性を著しく向上するこ
とができる等の優れた効果を有する。
第１図は従来のリード線付きDHD型ダイオー
ドの断面図。第２図は従来のリードレスDHD型
ダイオードの断面図。第３図はジユメツト線の拡
大断面図。第４図は第２図に示したダイオードの
電極の拡大斜視図。第５図は従来の改良型の電極
の拡大斜視図。第６図は第５図の電極を得るため
の金型の要部断面図。第７図は偏心状態を示す断
面図。第８図は本発明第一実施例の金型の要部断
面図。第９図は本発明第一実施例の斜視図。第１
０図は本発明第二実施例の斜視図。 ２……電極、３……半導体素子、４……封止ガ
ラス、８……小径部、９……大径部、１７……環
状凸部、１８……点状の凸部。
ドの断面図。第２図は従来のリードレスDHD型
ダイオードの断面図。第３図はジユメツト線の拡
大断面図。第４図は第２図に示したダイオードの
電極の拡大斜視図。第５図は従来の改良型の電極
の拡大斜視図。第６図は第５図の電極を得るため
の金型の要部断面図。第７図は偏心状態を示す断
面図。第８図は本発明第一実施例の金型の要部断
面図。第９図は本発明第一実施例の斜視図。第１
０図は本発明第二実施例の斜視図。 ２……電極、３……半導体素子、４……封止ガ
ラス、８……小径部、９……大径部、１７……環
状凸部、１８……点状の凸部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 小径部と大径部を有する電極を釘打ち加工ま
たは成形加工によつて組合わせて得られるリード
レスダイオード電極において、 上記大径部内側面の上記小径部と接しない位置
に凸部が形成された ことを特徴とするダイオード電極部品。 ２ 上記凸部の幅(d)と上記大径部の長さ(D)とが ｄ＜Ｄ／２ である特許請求の範囲第１項に記載のダイオード
電極部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119404A JPS6010761A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | ダイオ−ド電極部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58119404A JPS6010761A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | ダイオ−ド電極部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6010761A JPS6010761A (ja) | 1985-01-19 |
| JPS6318334B2 true JPS6318334B2 (ja) | 1988-04-18 |
Family
ID=14760640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58119404A Granted JPS6010761A (ja) | 1983-06-30 | 1983-06-30 | ダイオ−ド電極部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6010761A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182040U (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-13 | ||
| JPS62188791A (ja) * | 1986-02-15 | 1987-08-18 | Nishimura Watanabe Chiyuushiyutsu Kenkyusho:Kk | Ｎｉ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｃｕ，Ｍｎ及びＣｒの電解採取方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5883154U (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-06 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | 電子部品 |
-
1983
- 1983-06-30 JP JP58119404A patent/JPS6010761A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6010761A (ja) | 1985-01-19 |
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