JPS60127748A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPS60127748A JPS60127748A JP58235077A JP23507783A JPS60127748A JP S60127748 A JPS60127748 A JP S60127748A JP 58235077 A JP58235077 A JP 58235077A JP 23507783 A JP23507783 A JP 23507783A JP S60127748 A JPS60127748 A JP S60127748A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
- H10W74/473—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins containing a filler
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
本発明は、樹脂封止型半導体装置に関し、特に高信頼性
の樹脂封止型半導体装置に関する。
の樹脂封止型半導体装置に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
樹脂封止型半導体装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）、
大規模集積回路（ＬＳＩ）、）ランジス、り等の半導体
素子を、外部雰囲気や槓械的衝撃がら保睡するために、
熱硬化性樹脂等を用いて封止して成るものである。
大規模集積回路（ＬＳＩ）、）ランジス、り等の半導体
素子を、外部雰囲気や槓械的衝撃がら保睡するために、
熱硬化性樹脂等を用いて封止して成るものである。
半導体素子の封止技術として、従来は、金属やセラミッ
クス等を用いるハーメチック封止が採用されていたが、
最近で１ｄ１４４済的に有利であるという理由から樹脂
封止が玉流を占めている０しかし樹脂封止型半導体装置
は次に述べるような欠点があった。
クス等を用いるハーメチック封止が採用されていたが、
最近で１ｄ１４４済的に有利であるという理由から樹脂
封止が玉流を占めている０しかし樹脂封止型半導体装置
は次に述べるような欠点があった。
第１図はセラミックスを用いて封止した半導体装置の断
面図を示したものである。半導体素子１はリードビン２
と細いボンディングワイヤ３によって電気的に接続され
ているが、ボンディングワイヤ３は空間４内に存在し％
機械的なストレスを受けない。
面図を示したものである。半導体素子１はリードビン２
と細いボンディングワイヤ３によって電気的に接続され
ているが、ボンディングワイヤ３は空間４内に存在し％
機械的なストレスを受けない。
それに対し、樹脂封止型半導体装置においては、第２図
にその断面図を示したように、半導体素子８とリードピ
ン９を接続するボンディングワイヤ１０Ｖｉ封止＃Ｉｆ
脂ｌ】に埋め込オナしており、ボンティングワイヤ１０
け封止樹脂による機械的ストレスを受ける。封止樹脂と
埋め込せれている部品の熱膨張係数が異なることから、
樹脂封止！只半導体装置を高温と低温に繰り返して曝す
と、熱膨張係数の差によるストレスに耐えられなくなり
、ボンティングワイヤ１０が切断または接触不良を起こ
しやすい欠点があった。
にその断面図を示したように、半導体素子８とリードピ
ン９を接続するボンディングワイヤ１０Ｖｉ封止＃Ｉｆ
脂ｌ】に埋め込オナしており、ボンティングワイヤ１０
け封止樹脂による機械的ストレスを受ける。封止樹脂と
埋め込せれている部品の熱膨張係数が異なることから、
樹脂封止！只半導体装置を高温と低温に繰り返して曝す
と、熱膨張係数の差によるストレスに耐えられなくなり
、ボンティングワイヤ１０が切断または接触不良を起こ
しやすい欠点があった。
［発明の目的］
本発明の目的は、このような従来の樹脂封止型半導体装
置の欠点を改良することにあり、高信頼性の樹脂封止型
半導体装置を提供することにある。
置の欠点を改良することにあり、高信頼性の樹脂封止型
半導体装置を提供することにある。
［発明の概要〕
上記目的を達成するために１本発明者らが鋭意研究を重
ねた結果、次に示す樹脂封止型半導体装置が従来のもの
にくらべ、優れた特性を冶することを見出した。
ねた結果、次に示す樹脂封止型半導体装置が従来のもの
にくらべ、優れた特性を冶することを見出した。
即ち本発明は
半導体素子と該半導体素子な被栓するエポキシ樹脂封止
体とを具備して成る樹脂制止型半導体装置において。
体とを具備して成る樹脂制止型半導体装置において。
該エポキシ樹脂封止体が、
ａ）エポキシ樹脂
り １分子中に少くとも２個の７エノール性水酸基な不
するエポキシ樹脂硬化剤および／または酸無水物硬化剤 Ｃ）チタン酸塩繊維および／″Ｉｆ、たけチタン酸繊維 並びに ｄ）溶融シリカ粉末および／または結晶性シリカ粉末を
含むエポキシ樹脂組成物の硬化物であることを特徴とす
る樹脂制止型半導体装置である。
するエポキシ樹脂硬化剤および／または酸無水物硬化剤 Ｃ）チタン酸塩繊維および／″Ｉｆ、たけチタン酸繊維 並びに ｄ）溶融シリカ粉末および／または結晶性シリカ粉末を
含むエポキシ樹脂組成物の硬化物であることを特徴とす
る樹脂制止型半導体装置である。
本発明において用いられるエポキシ樹脂は通常知られて
いるものであり、特に限定されない。例えばビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂なとグリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、線状
脂肪族エポキシ和ｇＨ′ｉｊ、刃旨環式エポキシ樹Ｂ’
４％複素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂な
ど一分子中にエポキシ基を２個以上有するエポキシ４帽
脂が挙げら１する。しかしてこれらエポキシ樹脂は１麺
もしくは２種以上の混合系で用いてもよい○本発明にお
いて用いられる更に好ましいエポキシ樹脂は、エポキシ
当量１７０〜３００のノボラック型エポキシ樹脂であっ
て、たとえはフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂などである。こｆ’Ｌら
エポキシ樹脂は塩素イオンの含有量が１０ｐｐｍ以下、
加水分解性塩素の含有軸が０．１ ＭＬ ｔｉｃ ％以
下のものが望ましい。その理由は１０ｐｐｍを超える塩
素イオンあるいは０．１重量％な超える加水分解性塩素
が含まれると、封止された半導体素子のアルミニウム電
極が腐食されやすくなるためである。
いるものであり、特に限定されない。例えばビスフェノ
ールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂なとグリ
シジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型
エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、線状
脂肪族エポキシ和ｇＨ′ｉｊ、刃旨環式エポキシ樹Ｂ’
４％複素環型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂な
ど一分子中にエポキシ基を２個以上有するエポキシ４帽
脂が挙げら１する。しかしてこれらエポキシ樹脂は１麺
もしくは２種以上の混合系で用いてもよい○本発明にお
いて用いられる更に好ましいエポキシ樹脂は、エポキシ
当量１７０〜３００のノボラック型エポキシ樹脂であっ
て、たとえはフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂などである。こｆ’Ｌら
エポキシ樹脂は塩素イオンの含有量が１０ｐｐｍ以下、
加水分解性塩素の含有軸が０．１ ＭＬ ｔｉｃ ％以
下のものが望ましい。その理由は１０ｐｐｍを超える塩
素イオンあるいは０．１重量％な超える加水分解性塩素
が含まれると、封止された半導体素子のアルミニウム電
極が腐食されやすくなるためである。
本発明において用いられる１分子中に２個以上のフェノ
ール性水酸基を有するエポキシ樹脂硬化剤とは、フェノ
ール樹脂、ポリオキシスチレン、および多価フェノール
化合物であって、具体的に例示すると、ンエノ一ルノボ
ラック樹脂、クレゾ−ルノボラツク樹脂、ｔｅｒｔ−ブ
チルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボ
ラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂；レゾー
ル型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレンなどのポ
リオキシスチレン；及びビスフェノールＡ等であり、更
にこれらの化合物のハロゲン化物等である。これらの中
でもノボラック型フェノール樹脂およびポリオキシスチ
レンが最も好ましい。またこれらの硬化剤は１糧もしく
は２種以上を適宜組み合わせた混合系で使用することが
できる。
ール性水酸基を有するエポキシ樹脂硬化剤とは、フェノ
ール樹脂、ポリオキシスチレン、および多価フェノール
化合物であって、具体的に例示すると、ンエノ一ルノボ
ラック樹脂、クレゾ−ルノボラツク樹脂、ｔｅｒｔ−ブ
チルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボ
ラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂；レゾー
ル型フェノール樹脂；ポリパラオキシスチレンなどのポ
リオキシスチレン；及びビスフェノールＡ等であり、更
にこれらの化合物のハロゲン化物等である。これらの中
でもノボラック型フェノール樹脂およびポリオキシスチ
レンが最も好ましい。またこれらの硬化剤は１糧もしく
は２種以上を適宜組み合わせた混合系で使用することが
できる。
本発明において用いられる酸無水物は、脂肪族、脂環族
または芳香族の無水カルボン酸もしくけこれらの置換無
水カルボン酸であればいかなるものでも使用可能である
。かかる酸無水物としては、例えば、無水マレイン酸、
無水コハク酸、無水７タル酸、無水テトラヒドロフタル
酸、無水へキサヒドロフタル酸、無水トリメリット酸、
無水ピロメリット酸、無水ナジック酸（３，６−エンド
メチレ無水フタル酸３．６−テトラヒドロ無ホフタル酸
）、無水メチルナジック酸、３．３’、 ４．４’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、無水テトラブロ
ムフタル酸、無水クロレンデイック酸等があげられ、こ
れらから成る群より選ばれる１柚もしくは２種以上のも
のが用いられる。
または芳香族の無水カルボン酸もしくけこれらの置換無
水カルボン酸であればいかなるものでも使用可能である
。かかる酸無水物としては、例えば、無水マレイン酸、
無水コハク酸、無水７タル酸、無水テトラヒドロフタル
酸、無水へキサヒドロフタル酸、無水トリメリット酸、
無水ピロメリット酸、無水ナジック酸（３，６−エンド
メチレ無水フタル酸３．６−テトラヒドロ無ホフタル酸
）、無水メチルナジック酸、３．３’、 ４．４’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、無水テトラブロ
ムフタル酸、無水クロレンデイック酸等があげられ、こ
れらから成る群より選ばれる１柚もしくは２種以上のも
のが用いられる。
これらの硬化剤は、それぞれ単独で用いてもよいし、両
者を適宜に配合して用いてもよい。
者を適宜に配合して用いてもよい。
硬化剤の配合量は、フェノール性水酸基および／または
無水カルボキシル基の総数とエポキシ樹脂のエポキシ基
数の比が０．５〜１．５の範囲にあるように配合するこ
とが好ましい。その理由は上記範囲外では得られたエポ
キシ樹脂組成物の耐湿性が劣化しやすいためである。
無水カルボキシル基の総数とエポキシ樹脂のエポキシ基
数の比が０．５〜１．５の範囲にあるように配合するこ
とが好ましい。その理由は上記範囲外では得られたエポ
キシ樹脂組成物の耐湿性が劣化しやすいためである。
本発明において用いられるチタン酸塩細、維としては、
特にカリウム塩が有用である。チタン酸カリウム繊維は
一般式 ％式％ で示される化合物で現在までにｎ＝１．２，４゜６．８
のものがよく知られている。これらのうちで好ましいの
は化学的に安定なｎ＝６．８の繊維である。またチタン
酸カリウム繊維の水和物も同様に用いることができる。
特にカリウム塩が有用である。チタン酸カリウム繊維は
一般式 ％式％ で示される化合物で現在までにｎ＝１．２，４゜６．８
のものがよく知られている。これらのうちで好ましいの
は化学的に安定なｎ＝６．８の繊維である。またチタン
酸カリウム繊維の水和物も同様に用いることができる。
特に好ましいチタン酸カリウム繊維（Ｋ２Ｏ・（ｉＴｉ
ｏｚ）の形状は平均繊維長１０〜２０μｍ、Ｑ維径０．
２〜０．５μｍのものである。
ｏｚ）の形状は平均繊維長１０〜２０μｍ、Ｑ維径０．
２〜０．５μｍのものである。
チタン酸繊維としてはチタニア繊維（ＴｉＯ２繊維）、
チタニア水和物繊維（ＴｉＯ２・ｎＨ２，０繊維）があ
り、これらはたとえばチタン酸カリウム繊維を処理する
ことによってつくることができる０ チタン酸塩繊維、チタン酸繊維は、それぞれ単独で用い
てもよいし、両者を適宜に配合してもよい。
チタニア水和物繊維（ＴｉＯ２・ｎＨ２，０繊維）があ
り、これらはたとえばチタン酸カリウム繊維を処理する
ことによってつくることができる０ チタン酸塩繊維、チタン酸繊維は、それぞれ単独で用い
てもよいし、両者を適宜に配合してもよい。
これらの繊維の配合ｆｉｔは、エポキシ樹脂組成物の０
．１〜２ｏｔＭ％の範囲内に配合することが好ましい。
．１〜２ｏｔＭ％の範囲内に配合することが好ましい。
こｉｔらの繊維は、次に述べる無機質尤てん剤と同様、
シランカップリング剤や変性シリコーンオイルその他の
光面処理剤で処理することにより、エポキシ樹脂組成物
の特性を史に改善することができる。
シランカップリング剤や変性シリコーンオイルその他の
光面処理剤で処理することにより、エポキシ樹脂組成物
の特性を史に改善することができる。
本発明において無機質尤てん剤として浴融シリカ粉末お
よび／または結晶性シリカ粉末が用いられる。結晶性シ
リカ粉末は、石英、クリストバライト、珪石を粉砕して
粉末状にしたものであり、溶融シリカ粉末は、結晶性シ
リカを浴融して無定形にしたものの粉末である。溶融シ
リカや結晶性シリカは高純度である点と、低熱膨張性で
あるという点が好ましい。
よび／または結晶性シリカ粉末が用いられる。結晶性シ
リカ粉末は、石英、クリストバライト、珪石を粉砕して
粉末状にしたものであり、溶融シリカ粉末は、結晶性シ
リカを浴融して無定形にしたものの粉末である。溶融シ
リカや結晶性シリカは高純度である点と、低熱膨張性で
あるという点が好ましい。
その他の充てん剤、たとえはガラス繊維、メルク、アル
ミナ、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウ
ム、マグネシア等は、浴融シリカまたは結晶性シリカに
併用することによって用いることができる。
ミナ、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バリウ
ム、マグネシア等は、浴融シリカまたは結晶性シリカに
併用することによって用いることができる。
無機質充てん剤の配合量は、エポキシ樹脂および硬化剤
の総１ｍ−ｔｉの１．５〜４倍程度が良い。
の総１ｍ−ｔｉの１．５〜４倍程度が良い。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物には、必セに応じて、
程々の添加物を加えることができる。その中でも特に硬
化促進剤は、硬化時間の灼縮と、硬化物の特性向上のた
めに有用である。本発明において一般に知られている硬
化促進剤を用いることができるが、高信頼性の樹脂封止
型半導体装置を得るためには、有機ホスフィン化合物を
用いることが望ましい。
程々の添加物を加えることができる。その中でも特に硬
化促進剤は、硬化時間の灼縮と、硬化物の特性向上のた
めに有用である。本発明において一般に知られている硬
化促進剤を用いることができるが、高信頼性の樹脂封止
型半導体装置を得るためには、有機ホスフィン化合物を
用いることが望ましい。
本発明において硬化促進剤として用いることが望ましい
有機ホスフィン化合物としては、式；において工＜１〜
Ｒ８がすべて有機基である第３ホスフィン化合物、Ｊｚ
８のみ水素である第２ボスフイン化合物、 Ｒ２，Ｒ８
がと４、に水素であるｐＡ１ホスフィン化合物がある。
有機ホスフィン化合物としては、式；において工＜１〜
Ｒ８がすべて有機基である第３ホスフィン化合物、Ｊｚ
８のみ水素である第２ボスフイン化合物、 Ｒ２，Ｒ８
がと４、に水素であるｐＡ１ホスフィン化合物がある。
具体的にはトリフェニルホスフィン、トリブチルホスフ
ィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチルジフェニ
ルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、ジフェニル
ホスフィノ、フェニルホスフィン、オクチルホスフィン
などである。またＲ１が有機ホスフィンを含む有機基で
あってもよい。たとえば１．２−ビス（ジフェニルホス
フィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン
などである。これらの中でもアリールホスフィン化合物
が好ましく、特にトリフェニルホスフィン、１，２−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニル
ホスフィノ）メタンなどが最も好ましい。またこれらの
有機ホスフィン化合物は１種もしくは２種以上の混合系
で用いてもよい。しかしてこの有機ホスフィン化合物の
組成比は一般に樹脂分（エポキシ樹脂と硬化剤）の０．
０１〜２０重量％の範囲内でよいが特に好ましい特性は
０．０１〜５重量％の範囲内で得られる。
ィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチルジフェニ
ルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、ジフェニル
ホスフィノ、フェニルホスフィン、オクチルホスフィン
などである。またＲ１が有機ホスフィンを含む有機基で
あってもよい。たとえば１．２−ビス（ジフェニルホス
フィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン
などである。これらの中でもアリールホスフィン化合物
が好ましく、特にトリフェニルホスフィン、１，２−ビ
ス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニル
ホスフィノ）メタンなどが最も好ましい。またこれらの
有機ホスフィン化合物は１種もしくは２種以上の混合系
で用いてもよい。しかしてこの有機ホスフィン化合物の
組成比は一般に樹脂分（エポキシ樹脂と硬化剤）の０．
０１〜２０重量％の範囲内でよいが特に好ましい特性は
０．０１〜５重量％の範囲内で得られる。
更に本発明に係るエポキシ樹脂組成物は必要に応じて、
例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の
金属塩、酸アミド類、エステル類もしくはパラフィン類
などの離型剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘ
キサブロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤、
カーポンプシックなどの着色剤、シランカップリング剤
などを適宜添加配合しても差しつかえない。
例えば天然ワックス類、合成ワックス類、直鎖脂肪酸の
金属塩、酸アミド類、エステル類もしくはパラフィン類
などの離型剤、塩素化パラフィン、ブロムトルエン、ヘ
キサブロムベンゼン、三酸化アンチモンなどの難燃剤、
カーポンプシックなどの着色剤、シランカップリング剤
などを適宜添加配合しても差しつかえない。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物を成形材料として調整
する場合の一般的な方法としては、所定の組成に選んだ
原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、さら
に熱ローＡ・による溶融混合処理、またはニーダ−など
による混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹脂
成形材料を得ることができる。
する場合の一般的な方法としては、所定の組成に選んだ
原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、さら
に熱ローＡ・による溶融混合処理、またはニーダ−など
による混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹脂
成形材料を得ることができる。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記エポキシ樹脂組
成物乃至成形材料を用いて半導体装置を封止することに
より容易に製造することができる。
成物乃至成形材料を用いて半導体装置を封止することに
より容易に製造することができる。
封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファ成形
法があるが、インジェクション成形、圧縮成形、注型な
どによる封止も可能である。
法があるが、インジェクション成形、圧縮成形、注型な
どによる封止も可能である。
エポキシ樹脂組成物乃至成形材料は封止の際に加熱して
硬化させ、最終的にはこの組成物乃至成形材料の硬化物
によって封止さノした樹脂封止型半導体装置を得ること
ができる。硬化に際しては一１５０℃以上に加熱するこ
とが特に望ましい。
硬化させ、最終的にはこの組成物乃至成形材料の硬化物
によって封止さノした樹脂封止型半導体装置を得ること
ができる。硬化に際しては一１５０℃以上に加熱するこ
とが特に望ましい。
本発明でいう半導体装置とは集積回路、大規模集積回路
、トランジスタ、サイリスク、ダイオードなどであって
特に限定されるものではない。
、トランジスタ、サイリスク、ダイオードなどであって
特に限定されるものではない。
［発明の実施例コ
実施例１〜６
エポキシ当量２２０のクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量２９０の−ＡＸ
化エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、分子量
８００のフェノールノボラック樹脂硬化剤、無水テトラ
ヒドロフタル酸、チタン酸カリウム（Ｋｚｏ・５Ｔｉ０
ｚ）繊維、チタン酸カリウム水和物（Ｋｚｏ・５Ｔｉ０
２・、Ｒ２０）繊維、チタニア（Ｔｉ０２）繊維、ガラ
ス繊維、溶融シリカ粉末、トリフェニルホスフィン、２
−メチルイミダゾール、三酸化アンチモン、カルナバワ
ックス、カーボンブラック、シランカップリング剤（γ
−グリシドキシグロビルトリメトキシシラン）を第１表
に示す組成（重量部）に選び、各組成物をミキサーによ
る混合、加熱ロールによる混練を行うことによって、比
較例を含め１０種のトランスファ成形材料を調製した。
樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量２９０の−ＡＸ
化エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）、分子量
８００のフェノールノボラック樹脂硬化剤、無水テトラ
ヒドロフタル酸、チタン酸カリウム（Ｋｚｏ・５Ｔｉ０
ｚ）繊維、チタン酸カリウム水和物（Ｋｚｏ・５Ｔｉ０
２・、Ｒ２０）繊維、チタニア（Ｔｉ０２）繊維、ガラ
ス繊維、溶融シリカ粉末、トリフェニルホスフィン、２
−メチルイミダゾール、三酸化アンチモン、カルナバワ
ックス、カーボンブラック、シランカップリング剤（γ
−グリシドキシグロビルトリメトキシシラン）を第１表
に示す組成（重量部）に選び、各組成物をミキサーによ
る混合、加熱ロールによる混練を行うことによって、比
較例を含め１０種のトランスファ成形材料を調製した。
このようにして得た成形材料を用いてトランスファ成形
することにより、ＭＯ８型集積回路を樹脂封止した。封
止は高周波予熱器で９０℃に加熱した成形材料を１７５
℃で２分間モールドし、史仁１８０℃で４時間アフタキ
ュアすること仁より行った。
することにより、ＭＯ８型集積回路を樹脂封止した。封
止は高周波予熱器で９０℃に加熱した成形材料を１７５
℃で２分間モールドし、史仁１８０℃で４時間アフタキ
ュアすること仁より行った。
第１表
評価試験１
＋２００℃と一６５℃の２つの恒温槽を用意し、上記樹
脂封止型半導体装置各１００個を＋２００℃の恒温槽に
入れて３０分間放置した。その後取り出して常温中に５
分間放置し、次に一６５℃の恒温槽に３０分間放置した
。その後取り出して再び常温中に５分間放置した。以上
の操作を１ザイクルとし、連続的に熱サイクル試験を実
施した。熱サイクル試験の経過に従って随時サイクルを
中断し、樹脂封止型半導体装置の特性をテスターを用い
て測定し、不良の発生を調べた。その結果を第２表に示
した。
脂封止型半導体装置各１００個を＋２００℃の恒温槽に
入れて３０分間放置した。その後取り出して常温中に５
分間放置し、次に一６５℃の恒温槽に３０分間放置した
。その後取り出して再び常温中に５分間放置した。以上
の操作を１ザイクルとし、連続的に熱サイクル試験を実
施した。熱サイクル試験の経過に従って随時サイクルを
中断し、樹脂封止型半導体装置の特性をテスターを用い
て測定し、不良の発生を調べた。その結果を第２表に示
した。
不良内容はボンディングワイヤの断線または接触不良で
あった。
あった。
以下余白
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） 半導体素子と該半導体素子を被αするエポキシ
樹脂封止体とを具備して成る樹脂封止型半導体装置にお
いて、 該エポキシ樹脂封止体が、 （ａ）エポキシ樹脂、 （ｂ）１分子中に少くとも２個のフェノール性水酸基を
有するエポキシ樹脂硬化剤および／または酸無水物硬化
剤、 （Ｃ）チタン酸塩繊維および／またはチタン酸繊維、並
びに （ｄ）溶融シリカ粉末および／または結晶性シリカ粉末 を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物であることを特徴と
する樹脂制止警手導体装置 （２）該エポキシ樹脂が、エポキシ当量１７０〜３００
のノボラック型エポキシ４☆（脂である特許請求の範囲
第１項記載の樹脂封止型半導体装置 （１３＋ 該エポキシ樹脂硬化剤がノボラック型フェノ
−を樹脂である特許請求の範囲第１埴記載の樹脂封止型
半導体装置 （４） 該チタン酸塩繊維がチタン酸カリウム繊維であ
る特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置 （５） 該チタン酸カリウム繊維が六チタン酸カリウム
繊維（Ｋ２Ｔｉ６Ｏ１３）である特許請求の範囲第４項
記載の樹脂封止型半導体装置 （６）該エポキシ樹脂組成物が有機ホスフィン化合物を
含む特許請求の範囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235077A JPS60127748A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235077A JPS60127748A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127748A true JPS60127748A (ja) | 1985-07-08 |
Family
ID=16980717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58235077A Pending JPS60127748A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127748A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60190418A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6357630A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-12 | New Japan Chem Co Ltd | エポキシ樹脂硬化剤組成物 |
| JPS63179920A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH0881543A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-03-26 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
| CN116922835A (zh) * | 2023-07-17 | 2023-10-24 | 江苏龙山管件有限公司 | 一种抗开裂连接弯头及其加工工艺 |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP58235077A patent/JPS60127748A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60190418A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6357630A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-12 | New Japan Chem Co Ltd | エポキシ樹脂硬化剤組成物 |
| JPS63179920A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-07-23 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH0881543A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-03-26 | Toshiba Chem Corp | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 |
| CN116922835A (zh) * | 2023-07-17 | 2023-10-24 | 江苏龙山管件有限公司 | 一种抗开裂连接弯头及其加工工艺 |
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