JPS6181425A - 封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents
封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置Info
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- JPS6181425A JPS6181425A JP20150884A JP20150884A JPS6181425A JP S6181425 A JPS6181425 A JP S6181425A JP 20150884 A JP20150884 A JP 20150884A JP 20150884 A JP20150884 A JP 20150884A JP S6181425 A JPS6181425 A JP S6181425A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
本発明げ封止剤エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた
樹脂封止型半導体装置に関し、特に高信頼性の封止剤エ
ポキシ樹脂組成物およびそれを用いた高信頼性の樹脂封
止型半導体装置に関する。
樹脂封止型半導体装置に関し、特に高信頼性の封止剤エ
ポキシ樹脂組成物およびそれを用いた高信頼性の樹脂封
止型半導体装置に関する。
口発明の技術的背景とその問題点］
例えばＩＣ，Ｌ８Ｉ、）ランジスタ等の半導体素子の封
止技術としては、金属中セラミックス等を用いるハーメ
ティックシールが採用されている。
止技術としては、金属中セラミックス等を用いるハーメ
ティックシールが採用されている。
しかしながら、かかるハーメティック７−ルは部品点数
が多く、工程が煩雑等の経済的な問題があった。このた
め、最近では図面に示した如く半導体素子を熱硬化性樹
脂等からなる樹脂封止体で封止した樹脂封止型半導体装
置が主流になりつつある。即ち、図中の１は半導体素子
でる０、この半導体素子ｌはベッド２にマウントされて
いる。前記半導体素子１の電極部（パッド部）に複数の
ボンディングワイヤ３が接続され、これらワイヤ３の他
端はリードビン４に接続されている。そして、前記半導
体素子１．ペッド２．ワイヤ３及びり−ドピン４の一部
は樹脂封止体５で封止されている。
が多く、工程が煩雑等の経済的な問題があった。このた
め、最近では図面に示した如く半導体素子を熱硬化性樹
脂等からなる樹脂封止体で封止した樹脂封止型半導体装
置が主流になりつつある。即ち、図中の１は半導体素子
でる０、この半導体素子ｌはベッド２にマウントされて
いる。前記半導体素子１の電極部（パッド部）に複数の
ボンディングワイヤ３が接続され、これらワイヤ３の他
端はリードビン４に接続されている。そして、前記半導
体素子１．ペッド２．ワイヤ３及びり−ドピン４の一部
は樹脂封止体５で封止されている。
しかしながら、樹脂封止型半導体装置は以下に示す欠点
があった。即ち、半導体素子１とリードピン４を接続す
るボンディングワイヤ３は樹脂封止体５に埋め込まれて
おり、ボンディングワイヤ３は樹脂封止体５による機械
的ストレスを受ける。
があった。即ち、半導体素子１とリードピン４を接続す
るボンディングワイヤ３は樹脂封止体５に埋め込まれて
おり、ボンディングワイヤ３は樹脂封止体５による機械
的ストレスを受ける。
樹脂封止体５と埋め込まれている部品の熱膨張係数が異
なることから、樹脂封止型半導体装置を高温と低温に繰
り返して曝すと、熱膨張係数の差によるストレスに耐え
られなくなり、ボンディングワイヤ３が切断または接触
不良を起こしゃすい欠点があった。
なることから、樹脂封止型半導体装置を高温と低温に繰
り返して曝すと、熱膨張係数の差によるストレスに耐え
られなくなり、ボンディングワイヤ３が切断または接触
不良を起こしゃすい欠点があった。
［発明の目的コ
本発明の目的は、このような従来の封止用エポキシ樹脂
組成物およびそれを用いｆＣ樹脂封止型半導体装置の欠
点を改良することにあり、高信頼性の封止用エポキシ樹
脂組成物およびそれを用いた高信頼性の樹脂封止型半導
体装置を提供することにある。
組成物およびそれを用いｆＣ樹脂封止型半導体装置の欠
点を改良することにあり、高信頼性の封止用エポキシ樹
脂組成物およびそれを用いた高信頼性の樹脂封止型半導
体装置を提供することにある。
［発明の概費］
上記目的を達成するたぬに、本発明者らが鋭意研究を重
ねた結果、次に示す封止片エポキシ樹脂組成物およびそ
れを用いた樹脂封止型半導体装置が従来のものにくらべ
優れ比特性を有することを見出し念。
ねた結果、次に示す封止片エポキシ樹脂組成物およびそ
れを用いた樹脂封止型半導体装置が従来のものにくらべ
優れ比特性を有することを見出し念。
すなわち本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は、（、）
エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中に少くとも２個の７エノール性水酸基を
有する硬化剤また＃ｉ／および酸無水物硬化剤 並びに （ｃ） 含水無定形二酸化ケイ素 を含むことを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物であ
る。
エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中に少くとも２個の７エノール性水酸基を
有する硬化剤また＃ｉ／および酸無水物硬化剤 並びに （ｃ） 含水無定形二酸化ケイ素 を含むことを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物であ
る。
また本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素子と該
半導体素子を封止する樹脂封止体とを具備した樹脂封止
型半導体装置において、該樹脂封止体が、 （−） エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中Ｃ；少くとも２個のフェノール性水酸基
を有する硬化剤または／および酸無水物硬化剤 並びに （ｃ） 含水無定形二酸化ケイ素 を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物であることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置である。
半導体素子を封止する樹脂封止体とを具備した樹脂封止
型半導体装置において、該樹脂封止体が、 （−） エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中Ｃ；少くとも２個のフェノール性水酸基
を有する硬化剤または／および酸無水物硬化剤 並びに （ｃ） 含水無定形二酸化ケイ素 を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物であることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置である。
上記エポキシ樹脂は通常知られているものであり、特に
限定されない。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
、フェノールノボラック型エポキシ樹脂などグリシジル
エーテル型エポキシ樹脂。
限定されない。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
、フェノールノボラック型エポキシ樹脂などグリシジル
エーテル型エポキシ樹脂。
グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン
型エボキ７樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポ
キシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ノ・ロゲン化エポキ
シ樹脂など一分子中にエポキシ基を２個以上有するエポ
キシ樹脂が挙げられる。しかしてこれらエポキシ樹脂は
１糧もしくは２種以上の混合系で用いてもよい。更に好
ましいエポキシ樹脂は、エポキシ当ｔ１７０〜３００の
ノボラック型エポキシ樹脂であって１次とえばフェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂などである。これらエポキシ樹脂は、塩素イオ
ンの含有量が１０９９ｍ以下、加水分解性塩素の含有量
が０．１重ｔ％以下のものが望ましい。その理由は１０
ｐｐｍを越える塩素イオンあるいは０．１重ｔチを越
える加水分解性塩素が含まれると、封止された半導体素
子のアルミニウム電極が腐蝕されやすくなるためである
。
型エボキ７樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポ
キシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ノ・ロゲン化エポキ
シ樹脂など一分子中にエポキシ基を２個以上有するエポ
キシ樹脂が挙げられる。しかしてこれらエポキシ樹脂は
１糧もしくは２種以上の混合系で用いてもよい。更に好
ましいエポキシ樹脂は、エポキシ当ｔ１７０〜３００の
ノボラック型エポキシ樹脂であって１次とえばフェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂などである。これらエポキシ樹脂は、塩素イオ
ンの含有量が１０９９ｍ以下、加水分解性塩素の含有量
が０．１重ｔ％以下のものが望ましい。その理由は１０
ｐｐｍを越える塩素イオンあるいは０．１重ｔチを越
える加水分解性塩素が含まれると、封止された半導体素
子のアルミニウム電極が腐蝕されやすくなるためである
。
上記一方の硬化剤である１分子中に２個以上のフェノー
ル性水酸基を有する硬化剤とは、フェノール樹脂、ポリ
オキシスチレン、および多価フェノール化合物であって
、具体的に例示すると、フェノールノボラック樹脂、ク
レゾールノボラックｍ脂ｓ ｔａｒｔ−ブチルフェノ
ールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂
などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノ
ール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシス
チレン、ビスフェノールＡ等およびこれらの化合物のハ
ロゲン化物である。これらの中でもノボラック型フェノ
ール樹脂およびポリオキシスチレンが最も好ましい。ま
友これらの硬化剤は１種もしくは２種以上の混合系で使
用することができる。
ル性水酸基を有する硬化剤とは、フェノール樹脂、ポリ
オキシスチレン、および多価フェノール化合物であって
、具体的に例示すると、フェノールノボラック樹脂、ク
レゾールノボラックｍ脂ｓ ｔａｒｔ−ブチルフェノ
ールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂
などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノ
ール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシス
チレン、ビスフェノールＡ等およびこれらの化合物のハ
ロゲン化物である。これらの中でもノボラック型フェノ
ール樹脂およびポリオキシスチレンが最も好ましい。ま
友これらの硬化剤は１種もしくは２種以上の混合系で使
用することができる。
上記他方の硬化剤である酸無水物は、脂肪族、脂環族ま
たは芳香族の無水カルボン酸もしくは、これらの置換無
水カルボン酸であればいかなるものでも使用可能である
。かかる酸無水物としては、例えば、無水マレイン酸、
無水コハク酸、無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル
酸、無水ヘキサヒドロンタル酸、無水トリメリット酸、
無水ピロメリット酸、無水ナジック酸（３，６−ニンド
メチレンー１．２．３．６−テトラヒドロ無水フタル酸
）。
たは芳香族の無水カルボン酸もしくは、これらの置換無
水カルボン酸であればいかなるものでも使用可能である
。かかる酸無水物としては、例えば、無水マレイン酸、
無水コハク酸、無水フタル酸、無水テトラヒドロフタル
酸、無水ヘキサヒドロンタル酸、無水トリメリット酸、
無水ピロメリット酸、無水ナジック酸（３，６−ニンド
メチレンー１．２．３．６−テトラヒドロ無水フタル酸
）。
無水メチルナジック酸、３．３’、 ４．４’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸無水物、無水テトラブロム７
タル酸、無水クロレンデイツク酸等があげられ、これら
から成る群゛より選ばれる１種もしくは２種以上のもの
が用いられる。
フェノンテトラカルボン酸無水物、無水テトラブロム７
タル酸、無水クロレンデイツク酸等があげられ、これら
から成る群゛より選ばれる１種もしくは２種以上のもの
が用いられる。
上記各硬化剤は、それぞれ単独で用いてもよいし、両者
を適宜に配合して用いてもよい。硬化剤の配合量は、フ
ェノール性水酸基および／または無水カルボキシル基の
総数とエポキシ樹脂のエポキシ基数の比が０．５〜１．
５の範囲内にあるように配合することが望ましい。その
理由は上記範囲外では得られたエポキシ樹脂組成物の耐
湿性が劣化しやすいためである。
を適宜に配合して用いてもよい。硬化剤の配合量は、フ
ェノール性水酸基および／または無水カルボキシル基の
総数とエポキシ樹脂のエポキシ基数の比が０．５〜１．
５の範囲内にあるように配合することが望ましい。その
理由は上記範囲外では得られたエポキシ樹脂組成物の耐
湿性が劣化しやすいためである。
本発明において用いられる含水無定形二酸化ケイ素につ
いて説明する。二酸化ケイ素の製造法としては、気相中
で製造するいわゆる乾式法と、水中で製造するいわゆる
湿式法があるが、本発明の含水無定形二酸化ケイ素は湿
式法で製造されたものである。湿式法で製造された二酸
化ケイ素は乾式法で製造されたものと比べ、表面のシラ
ノール基の数が多く、また吸着水分量も多い。従って湿
式法で製造し几二酸化ケイ素を含水無定形二酸化ケイ素
と称している。吸着水分ｉ−は高温で熱処理することに
より、減少させることができる。
いて説明する。二酸化ケイ素の製造法としては、気相中
で製造するいわゆる乾式法と、水中で製造するいわゆる
湿式法があるが、本発明の含水無定形二酸化ケイ素は湿
式法で製造されたものである。湿式法で製造された二酸
化ケイ素は乾式法で製造されたものと比べ、表面のシラ
ノール基の数が多く、また吸着水分量も多い。従って湿
式法で製造し几二酸化ケイ素を含水無定形二酸化ケイ素
と称している。吸着水分ｉ−は高温で熱処理することに
より、減少させることができる。
吸着水分量ＦｉｌＯ重量％を超えないことが好ましいが
、より好ましくは３重量％を超えないことである。
、より好ましくは３重量％を超えないことである。
含水無定形二酸化ケイ素はエポキシ樹脂組成物に対し含
有量が０．１〜１０重ＪＩチの範囲内になるように配合
することが好ましい。
有量が０．１〜１０重ＪＩチの範囲内になるように配合
することが好ましい。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物には、必要に応じて、
無機質充てん剤、硬化促進剤等の種々の添加物を加える
ことができる。
無機質充てん剤、硬化促進剤等の種々の添加物を加える
ことができる。
無機光てん剤としては、溶融シリカ（結晶性シリカを溶
融したもの）、結晶性シリカ、ガラス繊維、タルク、ア
ルミナ、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バリ
ウム、マグネシア等、一般に知られているものを用いる
ことができるが、これらの中でも高純度である点と低熱
膨張性である点で溶融シリカや結晶性シリカが最も好ま
しい。
融したもの）、結晶性シリカ、ガラス繊維、タルク、ア
ルミナ、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸バリ
ウム、マグネシア等、一般に知られているものを用いる
ことができるが、これらの中でも高純度である点と低熱
膨張性である点で溶融シリカや結晶性シリカが最も好ま
しい。
他の無機質充てん剤を使用する場合には、溶融シリカや
結晶性シリカと併用することが好ましい。
結晶性シリカと併用することが好ましい。
無機質充てん剤の配合ｆは、エポキシ樹脂および硬化剤
の総重量の１．５〜４倍程度が良い。
の総重量の１．５〜４倍程度が良い。
硬化促進剤は、硬化時間の短縮と、硬化物の特性向上の
ために有用である。本発明において一般に知うしている
硬化促進剤を用いることができるが、高信頼性の封止用
エポキシ樹脂および樹脂封止型半導体装置を得るために
は、有機ホスフィン化合物を用いることが望ましい。
ために有用である。本発明において一般に知うしている
硬化促進剤を用いることができるが、高信頼性の封止用
エポキシ樹脂および樹脂封止型半導体装置を得るために
は、有機ホスフィン化合物を用いることが望ましい。
においてＲ１−Ｒｅがすべて有機基である第３ホスフィ
ン化合物ｓ Ｒ８のみ水素である第２ホスフィン化合物
％Ｒ１！＋Ｒ８がともに水素である第１ホスフィン化合
物がある。具体的にはトリフェニルホスフィン、トリブ
チルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチ
ルジフェニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、
ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン、オクチル
ホスフィンなどである。またＲ１が有機ホスフィンを含
む有機基であってもよい。たとえば１，２−ビス（シフ
エルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ
）メタンなどである。これらの中でもアリールホスフィ
ン化合物が好ましく、特にトリフェニルホスフィン、１
．２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジ
フェニルホスフィノ）メタンなどが最も好ましい。ま友
これらの有機ホスフィ／化合物は１種もしくは２種以上
の混合系で用いてもよい。しかしてこの有機ホスフィン
化合物の組成比は一般に樹脂分（エポキシ樹脂と硬化剤
）の０．０１〜２０重量−の範囲内でよいが特に好まし
い特性は０．０１〜５重量％の範囲内で得られる。
ン化合物ｓ Ｒ８のみ水素である第２ホスフィン化合物
％Ｒ１！＋Ｒ８がともに水素である第１ホスフィン化合
物がある。具体的にはトリフェニルホスフィン、トリブ
チルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、メチ
ルジフェニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィン、
ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン、オクチル
ホスフィンなどである。またＲ１が有機ホスフィンを含
む有機基であってもよい。たとえば１，２−ビス（シフ
エルホスフィノ）エタン、ビス（ジフェニルホスフィノ
）メタンなどである。これらの中でもアリールホスフィ
ン化合物が好ましく、特にトリフェニルホスフィン、１
．２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、ビス（ジ
フェニルホスフィノ）メタンなどが最も好ましい。ま友
これらの有機ホスフィ／化合物は１種もしくは２種以上
の混合系で用いてもよい。しかしてこの有機ホスフィン
化合物の組成比は一般に樹脂分（エポキシ樹脂と硬化剤
）の０．０１〜２０重量−の範囲内でよいが特に好まし
い特性は０．０１〜５重量％の範囲内で得られる。
本発明の対土用エポキシ樹脂組成物には、更に必要に応
じて、他の添加剤、例えば天然ワックス類１合成ワック
ス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類も
しくはパラフィン類などの離型剤、塩素化パラフィン、
ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化アンチ
モンなどの難燃剤、カーボンブラックなどの着色剤、シ
ランカップリング剤などを適宜添加配合しても差支えな
い。上述した対土用エポキシ樹脂組成物を成形材料とし
てｖ４製する場合の一般的な方法は、所定の組成比に選
んだ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、
さらに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ−な
どによる混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹
脂成形材料を得ることができる。
じて、他の添加剤、例えば天然ワックス類１合成ワック
ス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エステル類も
しくはパラフィン類などの離型剤、塩素化パラフィン、
ブロムトルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化アンチ
モンなどの難燃剤、カーボンブラックなどの着色剤、シ
ランカップリング剤などを適宜添加配合しても差支えな
い。上述した対土用エポキシ樹脂組成物を成形材料とし
てｖ４製する場合の一般的な方法は、所定の組成比に選
んだ原料組成分を例えばミキサーによって充分混合後、
さらに熱ロールによる溶融混合処理、またはニーダ−な
どによる混合処理を加えることにより容易にエポキシ樹
脂成形材料を得ることができる。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記封止用エポキシ
樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することにエリ容
易に製造することができる。封止の最も一般的な方法と
しては低圧トランスファ成形法があるが、インジェクシ
ョン成形、圧縮成形。
樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することにエリ容
易に製造することができる。封止の最も一般的な方法と
しては低圧トランスファ成形法があるが、インジェクシ
ョン成形、圧縮成形。
注型などによる封止も可能である。エポキシ樹脂組成物
は封止の際に加熱して硬化させ、最終的にはこの組成物
の硬化物によって封止された樹脂封止型半導体装置を得
ることができる。硬化に際しては１５０℃以上に加熱す
ることが特に望ましい。
は封止の際に加熱して硬化させ、最終的にはこの組成物
の硬化物によって封止された樹脂封止型半導体装置を得
ることができる。硬化に際しては１５０℃以上に加熱す
ることが特に望ましい。
［発明の実施例コ
実施例１〜６
エポキシ当量２２０のクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量２９０の臭素化
エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）１分子量８
００のフェノールノボラック有脂硬化剤、無水テトラヒ
ドロフタル酸硬化剤、湿式法による含水無定形二酸化ケ
イ素、乾式法による無定形二酸化ケイ素、溶融シリカ粉
末、トリフェニルホスフィン硬化促進剤、三酸化アンチ
モン、カルナバワックス、カーボンブラック、シランカ
ップリング剤（ｒ−グリシドキシプロビルトリメトキシ
シラン）を第１表に示す組成（重量部）に選び、各組成
物をミキサーによる混合、加熱ロールによる混練を行う
ことによって、比較例を含め１０種のトランスファ成形
材料をＵ！４ｆＢシた。
樹脂（エポキシ樹脂Ａ）、エポキシ当量２９０の臭素化
エポキシノボラック樹脂（エポキシ樹脂Ｂ）１分子量８
００のフェノールノボラック有脂硬化剤、無水テトラヒ
ドロフタル酸硬化剤、湿式法による含水無定形二酸化ケ
イ素、乾式法による無定形二酸化ケイ素、溶融シリカ粉
末、トリフェニルホスフィン硬化促進剤、三酸化アンチ
モン、カルナバワックス、カーボンブラック、シランカ
ップリング剤（ｒ−グリシドキシプロビルトリメトキシ
シラン）を第１表に示す組成（重量部）に選び、各組成
物をミキサーによる混合、加熱ロールによる混練を行う
ことによって、比較例を含め１０種のトランスファ成形
材料をＵ！４ｆＢシた。
このようにして得た成形材料を用いてトランスファ成形
することにより、ＭＯａ型集型口積回路脂封止した。封
止は高周波予熱器で９０℃に加熱した成形材料を１７０
℃で２分間モールドし、更に１８０℃で４時間アフタキ
ュアすることにより行つｆｃ。
することにより、ＭＯａ型集型口積回路脂封止した。封
止は高周波予熱器で９０℃に加熱した成形材料を１７０
℃で２分間モールドし、更に１８０℃で４時間アフタキ
ュアすることにより行つｆｃ。
尚比較例１ｆ′ｉ流動性が悪くトランスファ成形できな
かつｆｃａ 以下余白 第１表 上記樹脂封止型半導体装置各１００個について次の試験
を行らた０ ４２００℃と一６５℃の２つの恒温槽を用
意し、上記樹脂封止型半導体装置を＋２０σＣの恒温槽
に入れて３０分間放置した。その後取り出して常温中に
５分間放置し、次に一６５℃の恒温槽に３０分間放置し
た。その後取り出して再び常温中に５分間放置した。以
上の操作を１サイクルとし。
かつｆｃａ 以下余白 第１表 上記樹脂封止型半導体装置各１００個について次の試験
を行らた０ ４２００℃と一６５℃の２つの恒温槽を用
意し、上記樹脂封止型半導体装置を＋２０σＣの恒温槽
に入れて３０分間放置した。その後取り出して常温中に
５分間放置し、次に一６５℃の恒温槽に３０分間放置し
た。その後取り出して再び常温中に５分間放置した。以
上の操作を１サイクルとし。
連続的に熱サイクル試験を実施し友。熱サイクル試験の
経過に従って随時サイクルを中断し、樹脂封止型半導体
装置の特性をテスターを用いて測定し、不良の発生を調
べた。その結果を第２表に示した。
経過に従って随時サイクルを中断し、樹脂封止型半導体
装置の特性をテスターを用いて測定し、不良の発生を調
べた。その結果を第２表に示した。
第２表
［発明の効果］
上記本発明の目的、概要の記載および実施例題；おいて
明らかなように、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は
性能が優れており、これを用Ｉ／１て封止することによ
り、高信頼性の樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る０
明らかなように、本発明の封止用エポキシ樹脂組成物は
性能が優れており、これを用Ｉ／１て封止することによ
り、高信頼性の樹脂封止型半導体装置を得ることができ
る０
図面は、樹脂封止型半導体装置の断面図である。
１・・・半導体素子 ２・・・ベッド３・・・ボン
ディングワイヤ ４・・・リート°ビン５・・・樹脂封
止体
ディングワイヤ ４・・・リート°ビン５・・・樹脂封
止体
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中に少くとも２個のフェノール性水酸基を
有する硬化剤または／および酸 無水物硬化剤 並びに （ｃ）含水無定形二酸化ケイ素 を含むことを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物 ２、該エポキシ樹脂が、エポキシ当量１７０〜３００の
ノボラック型エポキシ樹脂である特許請求の範囲第１項
記載の封止用エポキシ樹脂組成物 ３、該硬化剤が、ノボラック型フェノール樹脂である特
許請求の範囲第１項記載の封止用エポキシ樹脂組成物 ４、該エポキシ樹脂組成物中の含水無定形二酸化ケイ素
の含有量が０．１〜１０重量％の範囲内にある特許請求
の範囲第１項記載の封止用エポキシ樹脂組成物 ５、該エポキシ樹脂組成物が、硬化促進剤として有機ホ
スフィン化合物を含む特許請求の範囲第１項記載の封止
用エポキシ樹脂組成物 ６、該エポキシ樹脂組成物が、無機質充てん剤として、
溶融シリカおよび／または結晶性シリカを含む特許請求
の範囲第１項記載の封止用エポキシ樹脂組成物 ７、半導体素子と該半導体素子を封止する樹脂封止体と
を具備した樹脂封止型半導体装置において、該樹脂封止
体が、 （ａ）エポキシ樹脂 （ｂ）１分子中に少くとも２個のフェノール性水酸基を
有する硬化剤または／および酸無水 物硬化剤 並びに （ｃ）含水無定形二酸化ケイ素 を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物であることを特徴と
する半導体装置 ８、該エポキシ樹脂が、エポキシ当量１７０〜３００の
ノボラック型エポキシ樹脂である特許請求の範囲第７項
記載の半導体装置 ９、該硬化剤が、ノボラック型フェノール樹脂である特
許請求の範囲第７項記載の半導体装置 １０、該エポキシ樹脂組成物中の含水無定形二酸化ケイ
素の含有量が０．１〜１０重量％の範囲内にある特許請
求の範囲第７項記載の半導体装置 １１、該エポキシ樹脂組成物が、硬化促進剤として有機
ホスフィン化合物を含む特許請求の範囲第７項記載の半
導体装置 １２、該エポキシ樹脂組成物が、無機質充てん剤として
、溶融シリカおよび／または結晶性シリカを含む特許請
求の範囲第７項記載の半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20150884A JPS6181425A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20150884A JPS6181425A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6181425A true JPS6181425A (ja) | 1986-04-25 |
Family
ID=16442208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20150884A Pending JPS6181425A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6181425A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012241151A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Nitto Denko Corp | 電子部品封止用樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP20150884A patent/JPS6181425A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012241151A (ja) * | 2011-05-23 | 2012-12-10 | Nitto Denko Corp | 電子部品封止用樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置 |
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