JPS60130143A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、半導体装置に関する。

（発明の技術的背景〕 近年、半導体装置は、高い集積度を得るために益々微細
化されている。而して、このような半導体装置を構成す
る配線層もこれに伴ってサブミクロンオーダーのものが
使用されている。配線層の線幅が、線高さに等しいか或
はこれよりも大きい場合は、配線層の内部応力よりも配
線層と半導体基板との密着力の方が大きい。このため、
配線層に支障を来たすこ−となく高歩留りで半導体装置
を製造する。

〔背景技術の問題点〕

しかしながら、配＃１箇の線幅が線高さの２分の１以下
になると、配線層の内部応力の方が半導体基板との密着
力よりも大きくなる。その結果、配線層の剥がれが発生
し、集積度の高い半導体装置を高い信頼性の下に得るこ
とができない。この問題は配線層の線幅が１μｍ以下の
場合に特に顕著に現われる。

〔発明の目的〕

本発明は、線幅の微細化された配線層の剥がれを防止し
て、集積度及び信頼性の向上を達成した半導体装置を提
供することをその目的とするものである。

〔発明の概要〕

本発明は、微細化された配線層を所定の間隔で分１１ｔ
Ｒ“るとともに、分離されたこれらの配線の相互を半導
体基板内に形成した不純物領域で電気的に接続するよう
したことにより、線幅の微細化された配線層の剥がれを
防止して、集積度及び信頼性の向上を達成した半導体装
置である。

ＣＢ明の実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。

第１図は、本発明の一実施例の要部を示す説明図、第２
図は、同実施例の要部の断面図である。

図中１は、半導体基板である。半導体基板１の所定領域
には所定導電型の拡散領域２が形成されている。拡散領
域２間の半導体基板１内には、高濃度の不純物領域３か
形成ぎれている。半導体基板１上には、線幅が１μｍ以
下でしかも線幅が線高さの２分１以下の配線層４が拡散
領域２に接続するように形成されている。配線層４は、
所定の部分て分離されている。分離された夫々の単位配
線層４ａ４ｂは、その端部を不純物領域３に接続して相
互に電気的に接続されている。

このように構成された半導体装置１Ｏによれば、配線層
４は、所定の部分で単位配線層４ａ４ｂに分離されてい
る。従って、線幅が１μｍ以下でしかも線高さの２分の
１以下であっても配線層４の内部応力を、配線層４と半
導体基板１との密着力よりも小さくすることができる。

その結果、配線層４の剥がれを防止して、集積度及び信
頼性を向上し、高い歩留りを得ることができる。

尚、分離された単位配線層４ａ４ｂの電気的接続は、第
３図に示す如く、単位配線層４ａ４ｂ上に絶縁層５を介
して形成したＭＯ等から成る接続電極６で行なうように
してもよい。

〔発明の効果〕

以上説明した如く、本発明に係る半導体装置によれば、
線幅の微細化された配線層の剥がれを防止して、集積度
及び信頼性の向上を達成できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の要部を示す平面図、第２
図は、同要部の断面図、第３図は、本発明の他の実施例
の断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・拡散領域、３・・・不純
物領域、４・・・配線層、４ａ、’４ｂ・・・単位配線
層、５・・・絶縁層、６・・・接続Ｎ極、１ｏ・・・半
導体装置。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１図 Ｏ 第２図 第３図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）線幅が１μｍ以下で、かつ、線幅が線高さの２分
   の１以下の所定のパターンからなる配線層を有゛する半
   導体装置において、配線層をその長手方向に添って所定
   間隔のところで分離すると共もに、分離された該配線層
   の相互を電気的に接続する接続手段を設（プたことを特
   徴とする半導体装置。
2. （２）接続手段は、半導体基板内に形成された不純物領
   域または、配線層上に絶縁層を介して形成された接続電
   極である特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。