JPS6013729A - 液晶物質及び液晶組成物 - Google Patents
液晶物質及び液晶組成物Info
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規な液晶性物質及び該液晶性物質を含有する
液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活性を有するカイ
之ル液晶性物質及びそれらを含有するカイラル液晶組成
物に関する。
液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活性を有するカイ
之ル液晶性物質及びそれらを含有するカイラル液晶組成
物に関する。
現在、液晶表示素子としてはT N (Twistθd
NematIC) 壓R示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレクトロ
ルミネッセンス、プラズマディスプレイ等)と比較して
劣っており、この点く於ける改善は種々試みられている
Kも拘らず、大巾な改善の可能性はあまり残っていない
様である。
NematIC) 壓R示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレクトロ
ルミネッセンス、プラズマディスプレイ等)と比較して
劣っており、この点く於ける改善は種々試みられている
Kも拘らず、大巾な改善の可能性はあまり残っていない
様である。
そのためTN型表示素子に代わる別の原理による液晶表
示装置が種々試みられているが、その一つに強誘電性液
晶を利用する表示方式がある( N 、 A、 01a
rkら: Applied Phys、 1ett、
、 36 、899(1980) )。この方式は強誘
電性液晶のカイ2ルスメクチツクC相(以下SC*相と
略称する)或はカイ2ルスメクチツク■相(以下SH*
相と略称する)を利用するもので、それが室温付近にあ
るものが望ましい。本発明者らは、この表示方式に利用
されるに適した液晶物質の開発を主たる目的として、光
学活性基を含む液晶物質を種々探索して本発明に到達し
た。
示装置が種々試みられているが、その一つに強誘電性液
晶を利用する表示方式がある( N 、 A、 01a
rkら: Applied Phys、 1ett、
、 36 、899(1980) )。この方式は強誘
電性液晶のカイ2ルスメクチツクC相(以下SC*相と
略称する)或はカイ2ルスメクチツク■相(以下SH*
相と略称する)を利用するもので、それが室温付近にあ
るものが望ましい。本発明者らは、この表示方式に利用
されるに適した液晶物質の開発を主たる目的として、光
学活性基を含む液晶物質を種々探索して本発明に到達し
た。
(上表に於てRは炭素数1〜18の直鎖又は分岐アルキ
ル基を示し、Xは0(酸素原子)。
ル基を示し、Xは0(酸素原子)。
CO又はOH2を示し、nは0.1又は2である。又*
はそのCが光学活性炭素原子であることを示す) で表わされる化合物及びそれを含有する液晶組成物であ
る。
はそのCが光学活性炭素原子であることを示す) で表わされる化合物及びそれを含有する液晶組成物であ
る。
(1)式の化合物は、その多くのものはスメクチック相
を呈し又、その大部分のものが日A(スメクチックA相
)、SH相及びSC*相のすべて或* は少くともそのいずれか一つの相を程する。中でもSR
*相及びOC*相に8するものは強誘電性を利用する表
示方式に使用するに適しており。
を呈し又、その大部分のものが日A(スメクチックA相
)、SH相及びSC*相のすべて或* は少くともそのいずれか一つの相を程する。中でもSR
*相及びOC*相に8するものは強誘電性を利用する表
示方式に使用するに適しており。
他のSC*相、SR*相又はコレスリック相を程する化
合物と混合してそのBH*相、SC*相の温度範囲を拡
大するのに役立てることができる。又(1)式でスメク
チック相を呈さないものも、いわゆる液晶性化合物とし
て液晶性合物程ではないが同様の効果を期待できる。
合物と混合してそのBH*相、SC*相の温度範囲を拡
大するのに役立てることができる。又(1)式でスメク
チック相を呈さないものも、いわゆる液晶性化合物とし
て液晶性合物程ではないが同様の効果を期待できる。
表1K本発明の(I)式の化合物の具体例及びその液晶
相転移点を示す。
相転移点を示す。
表 1
上表に於いて0は結晶相を、S□及びs2は各々素性が
不明なスメクチック相を、工は等方性液体相(透明相)
を夫々表わし、各相の欄の・及び右側の数字は、その相
から右側の相への相転移温度を示し、−はその相を示さ
ないことを示す。又()はモノトロピック相転移温度で
あることを示す。
不明なスメクチック相を、工は等方性液体相(透明相)
を夫々表わし、各相の欄の・及び右側の数字は、その相
から右側の相への相転移温度を示し、−はその相を示さ
ないことを示す。又()はモノトロピック相転移温度で
あることを示す。
(1)式の化合物を使用して液晶組成物を構成する場合
、(■)式の複数の化合物のみより構成することも可能
であり、又(1)式の化合物と他のスメクチック液晶と
混合してSC*相を呈する液晶組成物kl造することも
可能である。
、(■)式の複数の化合物のみより構成することも可能
であり、又(1)式の化合物と他のスメクチック液晶と
混合してSC*相を呈する液晶組成物kl造することも
可能である。
SC*相の光スイッチング効果ヲ我示素子として応用す
る場合TNN表示方圧くらべて3つのすぐれた特徴があ
る。第1の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間は
通常のTNfi示方式の素子と比較すると、応答速度は
1/l OO以下である。第2の特徴はメモリー効果が
あることであり、上記の高速応答性とあいまって、時分
割駆動が容易である。第3の特徴はTN表示方式で濃淡
の階調をとるKは、印加電圧を調節して行なうが、しき
い値電圧の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの難
問がある。しかしSC*相の光スイツチング効果を応用
する場合には極性の反転時間を調節することによシ、容
易に階調を得ることができ、グラフィック表示に非常に
適している。
る場合TNN表示方圧くらべて3つのすぐれた特徴があ
る。第1の特徴は非常に高速で応答し、その応答時間は
通常のTNfi示方式の素子と比較すると、応答速度は
1/l OO以下である。第2の特徴はメモリー効果が
あることであり、上記の高速応答性とあいまって、時分
割駆動が容易である。第3の特徴はTN表示方式で濃淡
の階調をとるKは、印加電圧を調節して行なうが、しき
い値電圧の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの難
問がある。しかしSC*相の光スイツチング効果を応用
する場合には極性の反転時間を調節することによシ、容
易に階調を得ることができ、グラフィック表示に非常に
適している。
光示方法としては、2つの方式が考えられ、1つの方法
は2枚の偏光子を使用する複層折型、他の1つの方法は
二色性色素を使用するゲストホスト型である。SC*相
は自発分極をもつため。
は2枚の偏光子を使用する複層折型、他の1つの方法は
二色性色素を使用するゲストホスト型である。SC*相
は自発分極をもつため。
印加電圧の極性?反転することによシ、らせん軸を回転
軸として分子が反転する。SC*相を有する液晶組成物
を液晶分子が電極面に平行にならぶように配向処理を施
した液晶表示セルに注入し、液晶分子のダイレクタ−と
一方の偏光面を平行になるように配置した2枚の偏光子
の間に該液晶セルをはさみ、電圧を印加して、極性を反
転することKより、明視野および暗視野(偏光子の対向
角度により決まる)が得られる。
軸として分子が反転する。SC*相を有する液晶組成物
を液晶分子が電極面に平行にならぶように配向処理を施
した液晶表示セルに注入し、液晶分子のダイレクタ−と
一方の偏光面を平行になるように配置した2枚の偏光子
の間に該液晶セルをはさみ、電圧を印加して、極性を反
転することKより、明視野および暗視野(偏光子の対向
角度により決まる)が得られる。
一方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電圧の
極性を反転することKより明視野及び着色視野(偏光板
の配置により決まる)を得ることができる。
極性を反転することKより明視野及び着色視野(偏光板
の配置により決まる)を得ることができる。
一般にスメクチック状態で成品分子をガラス壁面に平行
に配向させることは難かしく、数十キロガラス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆっくりと(1℃〜2℃/
hr)冷却することにより、液晶分子を配向させている
が、コレステリック相を有する液晶物質では磁場の代わ
りに50V〜100Vの直流電圧を印加しながら1℃/
minの冷却速度で冷却することKより、容易に均一に
配向したモノドメイン状態を得ることができる。
に配向させることは難かしく、数十キロガラス以上の磁
場中で等方性液体から非常にゆっくりと(1℃〜2℃/
hr)冷却することにより、液晶分子を配向させている
が、コレステリック相を有する液晶物質では磁場の代わ
りに50V〜100Vの直流電圧を印加しながら1℃/
minの冷却速度で冷却することKより、容易に均一に
配向したモノドメイン状態を得ることができる。
(1)式の化合物は、又、光学活性炭素原子を有するた
め、これをネマチック液晶に添加することによって捩れ
た構造を誘起する能力を有する。
め、これをネマチック液晶に添加することによって捩れ
た構造を誘起する能力を有する。
捩れた構造を有するネマチック液晶、即ちカイ2ルネマ
チツク液晶はTN型我示素子のhわゆるリバース会ドメ
イン(reverse domain Lま模様)を生
成することがなhので(1)式の化合物はリバース・ド
メイン生成の防止剤として使用できる。
チツク液晶はTN型我示素子のhわゆるリバース会ドメ
イン(reverse domain Lま模様)を生
成することがなhので(1)式の化合物はリバース・ド
メイン生成の防止剤として使用できる。
尚(1)式の化合物に対応するラセミ体も(1)式の光
学活性体とほぼ同じ相転移点を示す液晶でちる* がSHの代りIICBH相を、SC*相の代りにsO相
全示し、光学活性体であるCI)式の化合物に添加して
カイラルスメクチックピッチを調整するのに使用できる
。これらの2セミ体は原料にラセミ体を使用すれば後述
する光学活性体と同様な方法で製造される。
学活性体とほぼ同じ相転移点を示す液晶でちる* がSHの代りIICBH相を、SC*相の代りにsO相
全示し、光学活性体であるCI)式の化合物に添加して
カイラルスメクチックピッチを調整するのに使用できる
。これらの2セミ体は原料にラセミ体を使用すれば後述
する光学活性体と同様な方法で製造される。
次K (1)式の化合物の製造法について述べる。
まず(1)式でx =OO,n=1である化合物(以下
工aと略称する)は次の様な工程により製造する仁とが
できる。
工aと略称する)は次の様な工程により製造する仁とが
できる。
即ち、←)臭化2−メチルブチル((→−2−メチルー
1−ブタノールと臭化燐より製造)と金R・属マグネシ
ュウムからグリニヤール試薬を調製し、これに市販品で
ある4−アルキルオキシ−4’−シフ/ビyエニル(I
f) k作用させて目的の(工a)の化合物を得る。こ
の方法でR−メチルからR=ニオフタデシルでのもの、
即ち、4−メチルオキシ−4’ −((8) −3−メ
チルーベ/タノイル)ビフェニルilhら4−オクタデ
シルオキシ4’ −((S)−3−メy−ルーペンタノ
イル)ビフェニルまでの(工a)が合成される。
1−ブタノールと臭化燐より製造)と金R・属マグネシ
ュウムからグリニヤール試薬を調製し、これに市販品で
ある4−アルキルオキシ−4’−シフ/ビyエニル(I
f) k作用させて目的の(工a)の化合物を得る。こ
の方法でR−メチルからR=ニオフタデシルでのもの、
即ち、4−メチルオキシ−4’ −((8) −3−メ
チルーベ/タノイル)ビフェニルilhら4−オクタデ
シルオキシ4’ −((S)−3−メy−ルーペンタノ
イル)ビフェニルまでの(工a)が合成される。
(1)式でX=OO,n=oで;hる化合物(以下Ib
と略称する)及びX =OO,n=2である物質(以下
工Cと略記)は次の様な工程により製造することができ
る。
と略称する)及びX =OO,n=2である物質(以下
工Cと略記)は次の様な工程により製造することができ
る。
即ち、市販品であるP−ヒト關キシビフェニル(01)
’art溶媒中でアルキルプロミド、水酸化ナトリウム
と加熱してQV)を得、次いで(転)に2−メチル酪酸
クロリド((→−2−メチルー1−ブタノールを過マン
ガン酸カリで酸化して2−メチル酪酸とし、これに塩化
チオニル金作用することKより製造される)を溶媒中、
無水塩化アルミニウム存在下にフリーデル−クラフッ反
応させて(より)式の化合物を得る。この方法でR=メ
チルからR=ニオフタデシルでのもの即ち、4−メチル
オキシ−4’−((S)−2−メチル−ブタノイル)ビ
フェニルから4−オクタデシルオキシ−4〆一((Sン
−2−メチル−ブタノイル)ビフェニルまでの(より)
が合成される。
’art溶媒中でアルキルプロミド、水酸化ナトリウム
と加熱してQV)を得、次いで(転)に2−メチル酪酸
クロリド((→−2−メチルー1−ブタノールを過マン
ガン酸カリで酸化して2−メチル酪酸とし、これに塩化
チオニル金作用することKより製造される)を溶媒中、
無水塩化アルミニウム存在下にフリーデル−クラフッ反
応させて(より)式の化合物を得る。この方法でR=メ
チルからR=ニオフタデシルでのもの即ち、4−メチル
オキシ−4’−((S)−2−メチル−ブタノイル)ビ
フェニルから4−オクタデシルオキシ−4〆一((Sン
−2−メチル−ブタノイル)ビフェニルまでの(より)
が合成される。
又、(+)−4−メチル−ヘキサン酸(K、■ogle
rらHe1v、 Ohim、Acta、 43.2’i
’9(1960)の方法によって製造)を塩化チオニル
等で酸クロリドとし、(財)K溶媒中、無水塩化アルミ
ニウム存在下にフリーデルーク2フッ反応させて(IC
)式の化合物を得る。この方法でR=メチルからR=ニ
オフタデシルでのもの即ち、4−メチルオキシ−41−
((S)−4−メチル−ヘキサノイル)ビフェニルから
4−オクタデシルオキシ−4’−((S)−4−メチル
−へキサノイル)ビフェニルまでの(工C)が合成され
る。
rらHe1v、 Ohim、Acta、 43.2’i
’9(1960)の方法によって製造)を塩化チオニル
等で酸クロリドとし、(財)K溶媒中、無水塩化アルミ
ニウム存在下にフリーデルーク2フッ反応させて(IC
)式の化合物を得る。この方法でR=メチルからR=ニ
オフタデシルでのもの即ち、4−メチルオキシ−41−
((S)−4−メチル−ヘキサノイル)ビフェニルから
4−オクタデシルオキシ−4’−((S)−4−メチル
−へキサノイル)ビフェニルまでの(工C)が合成され
る。
次に(1)式でX=OH2,n=1である化合物(以下
工dと略称する)は次の様な工程で製造するこ即ち、先
の化合物(工a)1にヒト2ジンヒトラードと水酸化カ
リウムを用いて、ウオルフーキシュナー還元反応を行え
ば(工d)が得られる。この方法でR=メチルからRx
オクタデクルまでのもの、即ち、4−メチルオキシ−4
’ −((8) −3−メチル−ペンチル)ビフェニル
から4−オクタデシルオキシ−4’−((8)−3−メ
チル−ペンチル)ビフェニルまでの(工d)式の化合物
が得られる。
工dと略称する)は次の様な工程で製造するこ即ち、先
の化合物(工a)1にヒト2ジンヒトラードと水酸化カ
リウムを用いて、ウオルフーキシュナー還元反応を行え
ば(工d)が得られる。この方法でR=メチルからRx
オクタデクルまでのもの、即ち、4−メチルオキシ−4
’ −((8) −3−メチル−ペンチル)ビフェニル
から4−オクタデシルオキシ−4’−((8)−3−メ
チル−ペンチル)ビフェニルまでの(工d)式の化合物
が得られる。
次K(1)式の化合物でX wCH2t n =2でち
る物質(以下工θと略称する)は次の様な工程で製造す
ることができる。
る物質(以下工θと略称する)は次の様な工程で製造す
ることができる。
即ち先の化合物(IC)を(工d)の場合と同様ヒドラ
ジンヒト2−トと水酸化カリウムを用いて、ウオル7−
キシュナー還元反応を行えば(工d)が得られる。この
方法でR=メチルからR=ニオフタデシルでのもの即ち
、4−メチルオキシ−4’−((Sン−4−メチル−ヘ
キシル)ビフェニルから4−オクタデシルオキシ−4’
−((8) −4−メチル−ヘキシル)ビフェニルt
fcl(工e)式の化合物が得られる。
ジンヒト2−トと水酸化カリウムを用いて、ウオル7−
キシュナー還元反応を行えば(工d)が得られる。この
方法でR=メチルからR=ニオフタデシルでのもの即ち
、4−メチルオキシ−4’−((Sン−4−メチル−ヘ
キシル)ビフェニルから4−オクタデシルオキシ−4’
−((8) −4−メチル−ヘキシル)ビフェニルt
fcl(工e)式の化合物が得られる。
次に(I)式の化合物でx=cH2,n−oである物質
(以下工fと略記)は次の様な工程により製造すること
ができる。
(以下工fと略記)は次の様な工程により製造すること
ができる。
即ち(→臭化2−メチルブチル((→−2−メチルー1
−ブタノールより臭化燐により製造)と金属マグネ入つ
ムからグリニヤール試薬t−調整シ、コれに公知物であ
る4−フェニルシクロへキサノン(V)を作用させて(
ロ)を得る。次IC(VDを溶媒中でクロ2ニルなどの
脱水素剤と共に加熱して(6)を得、それを溶媒中、無
水塩化アルミニウム、塩化アセチル等の存在下フリーデ
ルーク2フッ反応を行って(匍を得る。(匈にギ酸、過
酸化水素水を用いてバイヤービリガー反応を行なってエ
ステルとし、それを水、水酸化カリウムを用いて加水分
解L(DOTh得る。(財)をアルキルブロマイド、水
酸化ナトリウムと共に加熱して(工f)ヲ得る。この方
法でR=エステルらR=ニオフタデシルでのもの即ち、
4−メチルオキシ−4’ −((8) −2−メチル−
ブチル)ビフェニルから4−オクタデシルオキシ−4’
−((S) −2−メチル−ブチル)ビフェニルまで
の(工f)式の化(以下工1と略称)は次の様な工程に
より製造することができる。
−ブタノールより臭化燐により製造)と金属マグネ入つ
ムからグリニヤール試薬t−調整シ、コれに公知物であ
る4−フェニルシクロへキサノン(V)を作用させて(
ロ)を得る。次IC(VDを溶媒中でクロ2ニルなどの
脱水素剤と共に加熱して(6)を得、それを溶媒中、無
水塩化アルミニウム、塩化アセチル等の存在下フリーデ
ルーク2フッ反応を行って(匍を得る。(匈にギ酸、過
酸化水素水を用いてバイヤービリガー反応を行なってエ
ステルとし、それを水、水酸化カリウムを用いて加水分
解L(DOTh得る。(財)をアルキルブロマイド、水
酸化ナトリウムと共に加熱して(工f)ヲ得る。この方
法でR=エステルらR=ニオフタデシルでのもの即ち、
4−メチルオキシ−4’ −((8) −2−メチル−
ブチル)ビフェニルから4−オクタデシルオキシ−4’
−((S) −2−メチル−ブチル)ビフェニルまで
の(工f)式の化(以下工1と略称)は次の様な工程に
より製造することができる。
即ち、市販品であるP、?−ビフェノールを溶媒中、臭
化2−メチルブチルと水酸化カリウムを加熱して@ヲ得
、それ忙アルキルプロミド、水酸化カリウムを加熱して
目的物である(工f)を得る。この方法でR−メチルか
らR=ニオフタデシルでの化合物(工t)即ち、4−メ
チルオキシ−4/((日)−2−メチルブチルオキシ)
ビフェニルi)h ラ4−オクタデシルオキシ−4’
−((S)−2−メチルブチルオキシ)ビフェニルまで
のCXt)式の化合物が得られた。
化2−メチルブチルと水酸化カリウムを加熱して@ヲ得
、それ忙アルキルプロミド、水酸化カリウムを加熱して
目的物である(工f)を得る。この方法でR−メチルか
らR=ニオフタデシルでの化合物(工t)即ち、4−メ
チルオキシ−4/((日)−2−メチルブチルオキシ)
ビフェニルi)h ラ4−オクタデシルオキシ−4’
−((S)−2−メチルブチルオキシ)ビフェニルまで
のCXt)式の化合物が得られた。
以下実施例により本発明の化合物及び液晶組成物につき
更に詳細に!5!明する。
更に詳細に!5!明する。
実施例1
〔4−オクチルオキシ−4’−((8)−3−メチル−
ペンタノイル)ビフェニル((1)式に於いて! =
00. nwl 、即ち(工a)式でR=08E、のも
の)の製造〕 三つロフラスコに、乾燥窒素雰囲気下、削り状マグネム
ウム12.4f(0,510モル)と乾燥エーテル50
−を入れ撹拌したところへ、(→臭化2−メチルブチル
((→−2−メチルー1−ブタノールと臭化燐から製造
)t−乾燥エーテル1jlK溶解した溶液を、系の温度
ft25℃以下になる様に保ちながら滴下した。滴下終
了後、室温で30分放置後、市販品の4−オクチルオキ
’/−4’シフ/ビア!二#(I[)129 f (0
,42モル)を乾燥エーテル11に溶解した溶液t。
ペンタノイル)ビフェニル((1)式に於いて! =
00. nwl 、即ち(工a)式でR=08E、のも
の)の製造〕 三つロフラスコに、乾燥窒素雰囲気下、削り状マグネム
ウム12.4f(0,510モル)と乾燥エーテル50
−を入れ撹拌したところへ、(→臭化2−メチルブチル
((→−2−メチルー1−ブタノールと臭化燐から製造
)t−乾燥エーテル1jlK溶解した溶液を、系の温度
ft25℃以下になる様に保ちながら滴下した。滴下終
了後、室温で30分放置後、市販品の4−オクチルオキ
’/−4’シフ/ビア!二#(I[)129 f (0
,42モル)を乾燥エーテル11に溶解した溶液t。
系の温度が10℃以下になる様に保ちながら滴下し、滴
下終了後、4時間還流し冷却した。
下終了後、4時間還流し冷却した。
600−の水の中に反応液を注ぎ込み更に1稀硫酸(I
NN硫酸40十+水80)を加えた。トルエン500s
dt−加え分液漏斗に移し、洗液が中性になるまで水洗
した。溶媒t−g去してから残留物を減圧蒸留し、bp
245〜255℃/4罪H1の留分を集め、更にア七ト
ン30−から再結晶して目的である4−オクチルオキシ
−4′−((s)−3−メチル−ペンタノイル)ビフェ
ニル(工a)24.6ft−得た。このものはスメクチ
ックSC*相及びSA相を示すスメクチック液晶であり
、その相転移点は表IK示す通りである。
NN硫酸40十+水80)を加えた。トルエン500s
dt−加え分液漏斗に移し、洗液が中性になるまで水洗
した。溶媒t−g去してから残留物を減圧蒸留し、bp
245〜255℃/4罪H1の留分を集め、更にア七ト
ン30−から再結晶して目的である4−オクチルオキシ
−4′−((s)−3−メチル−ペンタノイル)ビフェ
ニル(工a)24.6ft−得た。このものはスメクチ
ックSC*相及びSA相を示すスメクチック液晶であり
、その相転移点は表IK示す通りである。
又この化合物の元素分析値は、次の如く計算値とよく一
致した。
致した。
実測値 計算値 (C26H360□として)0 82
.0% 82.05’% H9,5% 9.54% 実施例2 〔4−オクチルオキシ−4’−((S) −3−メチル
−ペンチル)ビフェニル((1)式に於いてX=OH2
、n−1即ち(工d)式でR千〇、H□7のもの)の製
造〕 500m三つロフラスコに実施例1で得た4−オクチル
オキシ−4’−((S) −3−メチル−ペンタノイル
)ビフェニル24.6 f (0,065モル)と80
%ヒドラジンヒトラード50Mt、 ジエチレングリコ
ール85mを入れ加熱撹拌し、120℃で1時間を保っ
たのち冷却し、50℃に保ちながら、水酸化カリウム8
.8f(0,157モ/I/)を水5−に溶解した溶液
を一挙に加えた。系の温度が200 DKなる様に留去
し、200℃で4時間反応したのち冷却した。次いで水
200sdとトルエン50m(il−加え分液漏斗に移
し有機層を洗液が中性になるまで水洗した。溶媒を留去
し減圧蒸留して沸点210〜213℃/ 3 W 11
yの留分を集めエチルアルコール20−と酢酸エテル
5−から再結晶して目的である4−オクチルオキシ−4
’−((S) −3−メチル−ペンチル)ビフェニル(
工d) l 3.5 tk得た。このものはSC*相及
び■*相を示すスメクチック液晶でありその相転移点は
ilK示す通りである。
.0% 82.05’% H9,5% 9.54% 実施例2 〔4−オクチルオキシ−4’−((S) −3−メチル
−ペンチル)ビフェニル((1)式に於いてX=OH2
、n−1即ち(工d)式でR千〇、H□7のもの)の製
造〕 500m三つロフラスコに実施例1で得た4−オクチル
オキシ−4’−((S) −3−メチル−ペンタノイル
)ビフェニル24.6 f (0,065モル)と80
%ヒドラジンヒトラード50Mt、 ジエチレングリコ
ール85mを入れ加熱撹拌し、120℃で1時間を保っ
たのち冷却し、50℃に保ちながら、水酸化カリウム8
.8f(0,157モ/I/)を水5−に溶解した溶液
を一挙に加えた。系の温度が200 DKなる様に留去
し、200℃で4時間反応したのち冷却した。次いで水
200sdとトルエン50m(il−加え分液漏斗に移
し有機層を洗液が中性になるまで水洗した。溶媒を留去
し減圧蒸留して沸点210〜213℃/ 3 W 11
yの留分を集めエチルアルコール20−と酢酸エテル
5−から再結晶して目的である4−オクチルオキシ−4
’−((S) −3−メチル−ペンチル)ビフェニル(
工d) l 3.5 tk得た。このものはSC*相及
び■*相を示すスメクチック液晶でありその相転移点は
ilK示す通りである。
又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一
致した。
致した。
実測値 計算値 (C26H360として)0 85.
2チ 85.19’% H10,4% 10.45チ 実施例3 〔4−オクチルオキシ−4/−((El) −2メチル
オキシ〕ビフエニル((I)式に於いてX=O,n=+
1、即ち(工1)式で只=08H17のもの)の製造〕
(1)4−ヒドロキシ−4’ −((S) −2メチル
ブチルオキシ)ビフェニルの製造 500f04,4’−ジヒドロキシビフェニル、7.5
/のエチルアルコール、302rの水酸化カリウムの
混合物を還流下に加熱撹拌し、(ト)臭化2−メチルブ
チル(+−1−2−メチルブタノールより臭化燐により
製造)5301を滴下し4時間反応させた。エタノール
を留去し2ノの水を加えてい過し不溶物金集めた。
2チ 85.19’% H10,4% 10.45チ 実施例3 〔4−オクチルオキシ−4/−((El) −2メチル
オキシ〕ビフエニル((I)式に於いてX=O,n=+
1、即ち(工1)式で只=08H17のもの)の製造〕
(1)4−ヒドロキシ−4’ −((S) −2メチル
ブチルオキシ)ビフェニルの製造 500f04,4’−ジヒドロキシビフェニル、7.5
/のエチルアルコール、302rの水酸化カリウムの
混合物を還流下に加熱撹拌し、(ト)臭化2−メチルブ
チル(+−1−2−メチルブタノールより臭化燐により
製造)5301を滴下し4時間反応させた。エタノール
を留去し2ノの水を加えてい過し不溶物金集めた。
この不溶物にトルエンを加え、トルエンに可溶物を溶解
し除去した。(この可溶物はエチルアルコール再結晶す
ると融点80.5℃のリンペン状結晶となり、4.4′
−ジ((S) −2メチルブチルオキシ)ビフェニルで
あること力I確認された。)不溶部分を311−塩酸と
カロ熱撹拌してのち冷し固形物を集めこれをトルエン、
次いでエチルアルコールより再結晶して融点137.5
℃の4−ヒドロキシ−4’ −((81−2メチルブチ
ルオキシ)ビフェニル@125ft得た。
し除去した。(この可溶物はエチルアルコール再結晶す
ると融点80.5℃のリンペン状結晶となり、4.4′
−ジ((S) −2メチルブチルオキシ)ビフェニルで
あること力I確認された。)不溶部分を311−塩酸と
カロ熱撹拌してのち冷し固形物を集めこれをトルエン、
次いでエチルアルコールより再結晶して融点137.5
℃の4−ヒドロキシ−4’ −((81−2メチルブチ
ルオキシ)ビフェニル@125ft得た。
(ii) (i)で得られた4−ヒドロキシ−+′−(
(S) −2メチルブチルオキシ)ビフェニル2t(0
,008モル)に、エチルアルコール5−1水酸化ナト
リウム4.6 t (0,01モル)、水0.5mk加
え50℃に加熱撹拌されたところへ臭化オクチル1.(
l t (0,01モル)を−挙に加え、4時間還流し
た。冷却し水10mとトルエン30+dt加え分液漏斗
に移し有機層を、5 N −HOjl水、次いで2N−
11aOH水で洗浄したのち、水洗し洗液が中性になる
まで洗浄した。溶媒を留去し残留物をエチルアルコール
より再結晶して目的である4−オクチルオキシ−4’
−((S) −2−メチルブチルオキシ)ビア x =
# (Iy) f 0.8 F得た。このもの#′i
s□相及びSH*相を示すスメクチック液晶であり、そ
の相転移点は表IK示す通りである。
(S) −2メチルブチルオキシ)ビフェニル2t(0
,008モル)に、エチルアルコール5−1水酸化ナト
リウム4.6 t (0,01モル)、水0.5mk加
え50℃に加熱撹拌されたところへ臭化オクチル1.(
l t (0,01モル)を−挙に加え、4時間還流し
た。冷却し水10mとトルエン30+dt加え分液漏斗
に移し有機層を、5 N −HOjl水、次いで2N−
11aOH水で洗浄したのち、水洗し洗液が中性になる
まで洗浄した。溶媒を留去し残留物をエチルアルコール
より再結晶して目的である4−オクチルオキシ−4’
−((S) −2−メチルブチルオキシ)ビア x =
# (Iy) f 0.8 F得た。このもの#′i
s□相及びSH*相を示すスメクチック液晶であり、そ
の相転移点は表IK示す通りである。
又この化合物の元素分析値は次の如く計算値とよく一致
した。
した。
実測値 計算値 (0□5H360□として)0 81
.4− 81.45% H9,8チ 9.85% 実施例4〜11 実施例1.2又は3と同様にして他のアルキル基金布す
る(工a)、(工d)及び(工1)式の化合物を合成し
、その相転移点を実施例1〜3の結果と共に聚IK示す
。
.4− 81.45% H9,8チ 9.85% 実施例4〜11 実施例1.2又は3と同様にして他のアルキル基金布す
る(工a)、(工d)及び(工1)式の化合物を合成し
、その相転移点を実施例1〜3の結果と共に聚IK示す
。
実施例12(使用例1)
4−エチル−4I−シアノビフェニル
・ 20重量−
4−ペンチルー4′−シアノビフェニル40重蓋チ
4−オクチルオキシ−41−シアノピフェニル25劃0
4−ペンチル−4′−シアノターフェニル15重itチ
からなるネマチック液晶組成物を配向処理としてポリビ
ニルアルコール(pvA)を塗布し、その表面をラビン
グして平行配向処理を施した透明電極からなるセル(電
極間隔10μm)K注入してTN型表示セルとし、これ
′Jkm光顕微鏡下で観察したところ、リバースドメイ
ンを生じているのが観察された。
ニルアルコール(pvA)を塗布し、その表面をラビン
グして平行配向処理を施した透明電極からなるセル(電
極間隔10μm)K注入してTN型表示セルとし、これ
′Jkm光顕微鏡下で観察したところ、リバースドメイ
ンを生じているのが観察された。
上記ネマチック液晶組成物に本願の<1)弐X=0、n
−1でRm O6H□3なる化合物(実施例4)t1重
量%添加したこのを使用して同様にTl+セルとして観
察したところリバースドメインは解消され、均一なネマ
チック相が観察された。
−1でRm O6H□3なる化合物(実施例4)t1重
量%添加したこのを使用して同様にTl+セルとして観
察したところリバースドメインは解消され、均一なネマ
チック相が観察された。
実施例13(使用例2)
本願の実施例3,5.6の化合物各々10重量%及び実
施例2,10の化合物各々0重量tチ及び実施例11の
化合物30重i%からなる混合物* は64℃までBH相を、66℃までSC*相を、それ以
上の温度でSA相2示し70℃で等方性液体となる。
施例2,10の化合物各々0重量tチ及び実施例11の
化合物30重i%からなる混合物* は64℃までBH相を、66℃までSC*相を、それ以
上の温度でSA相2示し70℃で等方性液体となる。
この混合物を配向処理としてPVA’(塗布し、表面を
2ピングして平行配向処理を施した透明電極を備えたセ
ルに注入し、50vの直流電圧を印カルながら等方性液
体領域よりSC*相になるまで徐冷したところ均一なモ
ノドメインセルが得られた。この液晶セルを直交ニコル
状態に配置した2枚の偏光子の間にはさみ15Vの低周
波数(0,5Hz)の交流全印加したところ、明瞭なス
イッチング動作が観察され、非常にコントラストも良く
、応答速度が速い(2msθC)液晶表示素子が得られ
た。尚、この液晶組成物の自発分極の値Paは2nO/
cdであった。
2ピングして平行配向処理を施した透明電極を備えたセ
ルに注入し、50vの直流電圧を印カルながら等方性液
体領域よりSC*相になるまで徐冷したところ均一なモ
ノドメインセルが得られた。この液晶セルを直交ニコル
状態に配置した2枚の偏光子の間にはさみ15Vの低周
波数(0,5Hz)の交流全印加したところ、明瞭なス
イッチング動作が観察され、非常にコントラストも良く
、応答速度が速い(2msθC)液晶表示素子が得られ
た。尚、この液晶組成物の自発分極の値Paは2nO/
cdであった。
実施例14(使用例5)
実施例5,6の化合物各々10重量%及び実施例1,2
,10.11の化合物各々20重量%からなる混合物は
57℃までSH*相を、60℃までSC*相を示し、そ
れ以上の温度でSA相を示し67℃で等方性液体となる
。
,10.11の化合物各々20重量%からなる混合物は
57℃までSH*相を、60℃までSC*相を示し、そ
れ以上の温度でSA相を示し67℃で等方性液体となる
。
この混合物にアントラキノン系色素のD−16(BDH
社製品)を3重量%添加していわゆるゲスト・ホスト型
にしたものを使用例2と同様なセルに注入し、1枚の偏
光子を偏光面が分子軸に垂直になるように配置し、0.
5Hz、15Vの低周波数の交流を印加したところ、明
瞭なスイッチング動作が観察され、非常にコントラスト
が良く、応答速度が速い(2msec)カラー液晶表示
素子が得られた。
社製品)を3重量%添加していわゆるゲスト・ホスト型
にしたものを使用例2と同様なセルに注入し、1枚の偏
光子を偏光面が分子軸に垂直になるように配置し、0.
5Hz、15Vの低周波数の交流を印加したところ、明
瞭なスイッチング動作が観察され、非常にコントラスト
が良く、応答速度が速い(2msec)カラー液晶表示
素子が得られた。
尚、この液晶組成物の自発分極の値Psは3nvであり
た。
た。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (上式に於てRは炭素数1〜18の直鎖又は分岐アルキ
ル基を示し、XはO(#素原子)。 oo又はOH2を示し、nは0,1又#i2でらる。又
*はそのCが光学活性炭素原子であることを示す) で衣わされる化合物。 (上式に於てRは炭素数1〜18の直鎖又は分岐アルキ
ル基を示し、Xはo(rR累原子)、CO又は0H2f
(示し、nは0,1,1<は2である。 又*はそのCが光学活性炭素原子であることを示す) で我わされる化合物を少くとも1種含有することを特徴
とするカイラルネマチック液晶組成物。 (3)複数の(1)式の化合物からなる特許請求の範囲
第2項記載の液晶組成物。 (上式に於てRは炭素数1〜18の直鎖又は分岐アルキ
ル基を示し、Xは0(酸素原子)CO又はOH2を示し
、nは0.1又は2である。 又*はそのCが光学活性炭素原子であることを示す) で表わされる化合物を少くとも1種含有するヵインkX
IIf’)JIO相(8o*相)ヲ呈スる液晶組成物を
使用して構成された光スイツチング素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12176983A JPS6013729A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 液晶物質及び液晶組成物 |
| US06/613,974 US4614609A (en) | 1983-06-14 | 1984-05-24 | Liquid crystalline biphenyl derivatives and mixtures thereof |
| DE8484303748T DE3461827D1 (en) | 1983-06-14 | 1984-06-04 | Liquid crystalline biphenyl derivatives and mixtures thereof |
| EP84303748A EP0131373B1 (en) | 1983-06-14 | 1984-06-04 | Liquid crystalline biphenyl derivatives and mixtures thereof |
| US06/853,851 US4676925A (en) | 1983-06-14 | 1986-04-21 | Liquid crystalline biphenyl derivatives and mixtures thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12176983A JPS6013729A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 液晶物質及び液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013729A true JPS6013729A (ja) | 1985-01-24 |
| JPS6366300B2 JPS6366300B2 (ja) | 1988-12-20 |
Family
ID=14819426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12176983A Granted JPS6013729A (ja) | 1983-06-14 | 1983-07-05 | 液晶物質及び液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013729A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5397504A (en) * | 1987-05-29 | 1995-03-14 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Biphenyl compound |
-
1983
- 1983-07-05 JP JP12176983A patent/JPS6013729A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JOURNAL INST CHEMICAL=1982 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5397504A (en) * | 1987-05-29 | 1995-03-14 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Biphenyl compound |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6366300B2 (ja) | 1988-12-20 |
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