JPS60138414A - 測距装置 - Google Patents
測距装置Info
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- JPS60138414A JPS60138414A JP24597283A JP24597283A JPS60138414A JP S60138414 A JPS60138414 A JP S60138414A JP 24597283 A JP24597283 A JP 24597283A JP 24597283 A JP24597283 A JP 24597283A JP S60138414 A JPS60138414 A JP S60138414A
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
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- QHGVXILFMXYDRS-UHFFFAOYSA-N pyraclofos Chemical compound C1=C(OP(=O)(OCC)SCCC)C=NN1C1=CC=C(Cl)C=C1 QHGVXILFMXYDRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C3/00—Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
- G01C3/02—Details
- G01C3/06—Use of electric means to obtain final indication
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- Measurement Of Optical Distance (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、カメラ等に用いられる測距装置であって、発
光素子から発せられた光を測距対象に向けて投射し、そ
の反射光を隣接配置された二つの受光素子で受光する、
或はその反射光を共通電極及び一対の検出用電極を有す
る半導体装置検出素子で受光する三角測距方式の測距装
置の改良に関する。
光素子から発せられた光を測距対象に向けて投射し、そ
の反射光を隣接配置された二つの受光素子で受光する、
或はその反射光を共通電極及び一対の検出用電極を有す
る半導体装置検出素子で受光する三角測距方式の測距装
置の改良に関する。
同一出願人は、上述のような二つの受光素子を用いた測
距装置として、先に特願昭58−95947号を提案し
た。その従来例は、発光素子の発光々量を一定時間内に
おいて小光量から大光量へ単調増加させ、決められた一
方の受光素子回路系の出ηがある設定値に達した時点で
、他方の受光素子回路系の出力の状態を判別して測距出
力な得イ)ものである。
距装置として、先に特願昭58−95947号を提案し
た。その従来例は、発光素子の発光々量を一定時間内に
おいて小光量から大光量へ単調増加させ、決められた一
方の受光素子回路系の出ηがある設定値に達した時点で
、他方の受光素子回路系の出力の状態を判別して測距出
力な得イ)ものである。
また、半導体装置検出素子を用いた測距装置として、先
に特願昭58−187773号を提案した。
に特願昭58−187773号を提案した。
その従来例は1発光素子の発光々量を一定時間内におい
て小光量から大光量へ単調増加させ、半導した時点で、
共通電極と他方の検出用で極間回路系の出力の状態を判
別して測距出力を得るものである。
て小光量から大光量へ単調増加させ、半導した時点で、
共通電極と他方の検出用で極間回路系の出力の状態を判
別して測距出力を得るものである。
夫々の従来例は、いずれも決められた一方の受光素子回
路系の、或は共通電極と決められた一方の検出用電極間
回路系の出力がある設定値に達した時点で、測距出力を
得るものであって、判別を決定する側の出力AOが判別
される側の出力BOニ対して、A04BOの関係に置か
れていなければならない。即ち、AO<BOとなる条件
は使えないため、二つの受光素子或は半導体装置検出素
子上での被写体反射像(反射光)の使用有効範囲が狭い
もので゛あった。
路系の、或は共通電極と決められた一方の検出用電極間
回路系の出力がある設定値に達した時点で、測距出力を
得るものであって、判別を決定する側の出力AOが判別
される側の出力BOニ対して、A04BOの関係に置か
れていなければならない。即ち、AO<BOとなる条件
は使えないため、二つの受光素子或は半導体装置検出素
子上での被写体反射像(反射光)の使用有効範囲が狭い
もので゛あった。
そこで、本発明の目的は、上述の如き測距装置において
、いずれか一方の受光素子回路系の出力がある設定値に
達した時点で、他方の受光素子回路系の出力の状態を、
或は共通電極とい1゛れが一方の検出用電極間回路系の
出力がある設定値に達した時点で、共通電極と他方の検
出用電極間回路系の出力の状態を判別するようにして、
両出力の大きさに関係なく測距出力が得られ、見州」二
〇)ダイナミックレンジが広がり、また精度を低下させ
ずに被写体反射像の使用可能範囲を広げらh、る測距装
置を提供1−ろことである。
、いずれか一方の受光素子回路系の出力がある設定値に
達した時点で、他方の受光素子回路系の出力の状態を、
或は共通電極とい1゛れが一方の検出用電極間回路系の
出力がある設定値に達した時点で、共通電極と他方の検
出用電極間回路系の出力の状態を判別するようにして、
両出力の大きさに関係なく測距出力が得られ、見州」二
〇)ダイナミックレンジが広がり、また精度を低下させ
ずに被写体反射像の使用可能範囲を広げらh、る測距装
置を提供1−ろことである。
以下、図面に基づいて本発明の実施例苓・説明する。
先ず、第1図において、■はクロックパルス発生回路(
発振周波数fo ”’ 16 K Hzであり、以−ト
O8Cと記述する)、2は時間形成回路(時間t =2
5’m s )、3はアンドゲート、4はトランジスタ
、5はインバータ、6はトランジスタ、7は定電流回路
、8はコンデンサ、9はバッファ回路、10.11及び
12は定電流回路を構成するトランジスタ、13は測距
対象へスポット光を投射する発光素子としてσ)赤外線
発光ダイオード(以下IRDと記述する)、14及び1
5は夫々IRD13から投射され測距対象により反射さ
れた光を受光し得るように基線長方向に隣接して配置さ
れた受光素予きしてのシリコンホトダイオード(以下S
PDと記述する)、16及びI7は夫々交流増幅回路、
帯域フィルター回路(中心周波数f o= 1.6 K
、’Hz ) 、検波回路、平滑回路及び直流増幅回路
を縦続接続して構成した受光素子出力変換回路、18及
び19はコンパレータ回路、20及び21はコンパレー
タ回路18及び19の反転入力端子(→に基準電圧■r
を与える定電流回路及び抵抗、22はオアゲート、23
はアンドゲート、24及び25はDタイプのフリップフ
ロップ回路(以下FFと記述する)、26及び27はア
ントゲ−1・、28及び29はインバータ、30及び3
jはアナログスイッチ、32及び33はコンデンサ、3
4及び35はバッファ回路、36及び37はコンパレー
タ回路(なお、コンパレータ回路は、以下共通してCM
Pと記述する)、38及び39はCMP3’6の反転入
力端子(→に撮影レンズの鳴動範囲における一方の極限
(近距離)位置から他方の極限(遠距離)位置への移動
における前半(近〜中距離)の移動量に対応した変位電
圧を与える定電流回路及びポテンショメータ、40はト
ランジスタ、41及び42はCMP37の非反転入力端
子(ト)に前記レンズの後半(中〜遠距離)の移動量に
対応した変位電圧を力える定′亀流回路及びポテンショ
メータ、43はアントゲ−1・、/I4はオアゲー1−
145はアンドゲート、46はl・ラノジスタ、47は
撮影レンズの操作部利(レンズセットリング)の運動を
停市させる電磁石、48は撮影レンズの操作部材の有効
な作動最終時(時間制御或は作動量制御)に出力が「L
」レベルへ反転するように設定されでいる打切り制御回
路である。
発振周波数fo ”’ 16 K Hzであり、以−ト
O8Cと記述する)、2は時間形成回路(時間t =2
5’m s )、3はアンドゲート、4はトランジスタ
、5はインバータ、6はトランジスタ、7は定電流回路
、8はコンデンサ、9はバッファ回路、10.11及び
12は定電流回路を構成するトランジスタ、13は測距
対象へスポット光を投射する発光素子としてσ)赤外線
発光ダイオード(以下IRDと記述する)、14及び1
5は夫々IRD13から投射され測距対象により反射さ
れた光を受光し得るように基線長方向に隣接して配置さ
れた受光素予きしてのシリコンホトダイオード(以下S
PDと記述する)、16及びI7は夫々交流増幅回路、
帯域フィルター回路(中心周波数f o= 1.6 K
、’Hz ) 、検波回路、平滑回路及び直流増幅回路
を縦続接続して構成した受光素子出力変換回路、18及
び19はコンパレータ回路、20及び21はコンパレー
タ回路18及び19の反転入力端子(→に基準電圧■r
を与える定電流回路及び抵抗、22はオアゲート、23
はアンドゲート、24及び25はDタイプのフリップフ
ロップ回路(以下FFと記述する)、26及び27はア
ントゲ−1・、28及び29はインバータ、30及び3
jはアナログスイッチ、32及び33はコンデンサ、3
4及び35はバッファ回路、36及び37はコンパレー
タ回路(なお、コンパレータ回路は、以下共通してCM
Pと記述する)、38及び39はCMP3’6の反転入
力端子(→に撮影レンズの鳴動範囲における一方の極限
(近距離)位置から他方の極限(遠距離)位置への移動
における前半(近〜中距離)の移動量に対応した変位電
圧を与える定電流回路及びポテンショメータ、40はト
ランジスタ、41及び42はCMP37の非反転入力端
子(ト)に前記レンズの後半(中〜遠距離)の移動量に
対応した変位電圧を力える定′亀流回路及びポテンショ
メータ、43はアントゲ−1・、/I4はオアゲー1−
145はアンドゲート、46はl・ラノジスタ、47は
撮影レンズの操作部利(レンズセットリング)の運動を
停市させる電磁石、48は撮影レンズの操作部材の有効
な作動最終時(時間制御或は作動量制御)に出力が「L
」レベルへ反転するように設定されでいる打切り制御回
路である。
次に、第2図において、51はレンズセットリングで、
光軸を中心にして回動自在に配置され、且つパイ・52
により右旋性が与えらh、その右旋により撮影レンズを
至近距離位置から無限遠位置方向へと変位移動させるも
のであり、また、段部5 ]aとラチェツト歯51.
l)とを形成している。
光軸を中心にして回動自在に配置され、且つパイ・52
により右旋性が与えらh、その右旋により撮影レンズを
至近距離位置から無限遠位置方向へと変位移動させるも
のであり、また、段部5 ]aとラチェツト歯51.
l)とを形成している。
成されている。54は軸55に枢着されていると共にバ
ネ56により左旋性が与えられて℃・るレリーズ用の鉄
片レバーであり、レンズセノl□ ’)ング51の段部
5 ]、 2に係合し得るフック54.lと電磁石53
の鉄芯53aに対向するへ片54bとを形成している。
ネ56により左旋性が与えられて℃・るレリーズ用の鉄
片レバーであり、レンズセノl□ ’)ング51の段部
5 ]、 2に係合し得るフック54.lと電磁石53
の鉄芯53aに対向するへ片54bとを形成している。
57はピンで、鉄片レバー54の左旋量を制限している
。58は軸59に枢着されバネ60により右旋性が与え
られているロック用の鉄片レバーで、レンズセントリン
グ51のラチェツト歯51bに係合し得るフック58a
と、第1図におけるものと同じものである電磁石47に
対向する鉄片68bとを形成しでいる。
。58は軸59に枢着されバネ60により右旋性が与え
られているロック用の鉄片レバーで、レンズセントリン
グ51のラチェツト歯51bに係合し得るフック58a
と、第1図におけるものと同じものである電磁石47に
対向する鉄片68bとを形成しでいる。
なお、第1図におけるポテンショメータ39は、第2図
に示す如く、レンズセットリング51に支持されたプラ
ノ39aと、基板:391) 、1−に)構成された抵
抗体39Cと導体39(Iとにより構成され、またポテ
ンショメータ4211:、レンズセットリング51に支
持されたプラン4.22と、基板42E)上に形成され
た抵抗体42Cと導体42dとにより構成されている。
に示す如く、レンズセットリング51に支持されたプラ
ノ39aと、基板:391) 、1−に)構成された抵
抗体39Cと導体39(Iとにより構成され、またポテ
ンショメータ4211:、レンズセットリング51に支
持されたプラン4.22と、基板42E)上に形成され
た抵抗体42Cと導体42dとにより構成されている。
そこで、第1図及び第2図の動作を第3図と共に説明す
る。
る。
操作の開始によって、図示していない電源スィッチが閉
成されると、回路の各部に給電が行われると共に、FF
24.25及びコンデンサ32.33はリセットが解除
される。なお、そσ)リセット回路は省略しである。
成されると、回路の各部に給電が行われると共に、FF
24.25及びコンデンサ32.33はリセットが解除
される。なお、そσ)リセット回路は省略しである。
そして、03CIが動作して、62.5713、のベル
へ反転する。
へ反転する。
従って、その時間だけクロックパルスかアンドゲート3
を通過し、それに対応してトランジスタ4が導通、遮断
を繰返1−0 一方、時間形成回路2の出力が25 m sの時間r
H−ルベルへ反転している間、イ7バータ5の出力が[
17ルベルへ反転し、トランジスタ6か遮断1−るので
、コンデンサ8は定電流回路7により定電流充電され、
その定電流を1、コンデンサ8の容量なCとすると、バ
ッファ回路9の出力端子3点の電圧Vは、V−(1/C
)l −tσ)関係式により、■で示す如く上昇する。
を通過し、それに対応してトランジスタ4が導通、遮断
を繰返1−0 一方、時間形成回路2の出力が25 m sの時間r
H−ルベルへ反転している間、イ7バータ5の出力が[
17ルベルへ反転し、トランジスタ6か遮断1−るので
、コンデンサ8は定電流回路7により定電流充電され、
その定電流を1、コンデンサ8の容量なCとすると、バ
ッファ回路9の出力端子3点の電圧Vは、V−(1/C
)l −tσ)関係式により、■で示す如く上昇する。
この結果、トランジスタ10に流れるコレクタ・エミッ
タ電流←1)が徐々に増加して行き、その電流(11)
に比例してトランジスタ12のコレクタ・エミッタ電流
(12)も増加して行くことになる。
タ電流←1)が徐々に増加して行き、その電流(11)
に比例してトランジスタ12のコレクタ・エミッタ電流
(12)も増加して行くことになる。
従って、トランジスタ4の導通、遮断に対応して、トラ
ンジスタ12のその電流(I2)が、@で示1−如く、
間欠的に増加して行き、IRD13はパルス点灯される
と共に、その発光々量が小光量から大光量へ単調増加し
て行く。
ンジスタ12のその電流(I2)が、@で示1−如く、
間欠的に増加して行き、IRD13はパルス点灯される
と共に、その発光々量が小光量から大光量へ単調増加し
て行く。
このIRD13の点灯による投射光は、測距対象から反
射してS P、l) l 4及び15で受光され、この
結果、C及びC′点の受光出力は、自然光による直流成
分に重畳されて発生1−る。
射してS P、l) l 4及び15で受光され、この
結果、C及びC′点の受光出力は、自然光による直流成
分に重畳されて発生1−る。
従って、夫々中間にその中心周波数(off−OS C
1の発振周波数fo と同じ値に設定した帯域フィルタ
ー回路を備え、また最終段に直流増幅回路を備徐々に上
昇する。
1の発振周波数fo と同じ値に設定した帯域フィルタ
ー回路を備え、また最終段に直流増幅回路を備徐々に上
昇する。
そして、第3図に示1−如(、測距対象が近距離位置に
存在しでいる場合にはLll)、(a2)に示す如く、
反射光スポットXが、5PD14に充分広くかNす、5
PD15に極く狭くか(るので、d点の出力電圧■dが
d′点の出力電圧Vd’よりも充分高いと共に、d及び
d′点の電位はその関係を保ちながら上昇する。
存在しでいる場合にはLll)、(a2)に示す如く、
反射光スポットXが、5PD14に充分広くかNす、5
PD15に極く狭くか(るので、d点の出力電圧■dが
d′点の出力電圧Vd’よりも充分高いと共に、d及び
d′点の電位はその関係を保ちながら上昇する。
その後、d点の出力電圧Vdが基準電圧V rに達する
と、CMPl 8は出力が「H」レベルへ反転する。そ
して、時間形成回路2の出力が「1]」レベルの状態に
おいて、オアゲート22及びアンドゲート23を介して
アンドゲート26の出力がrHJレベルへ反転するので
、FF24は、出力Qがr Hjレベルに、また出力6
が[L]レベルにラッチされる。
と、CMPl 8は出力が「H」レベルへ反転する。そ
して、時間形成回路2の出力が「1]」レベルの状態に
おいて、オアゲート22及びアンドゲート23を介して
アンドゲート26の出力がrHJレベルへ反転するので
、FF24は、出力Qがr Hjレベルに、また出力6
が[L]レベルにラッチされる。
従って、アナログスイッチ30が閉じるので、コンデン
サ32は、d点の出力電圧■dが基準電圧Vrに達した
時のd′点の出力電圧Vd’(V+)を記憶する。また
この電圧V、は、ノクノファ回路34で増幅され、CM
P36の非反転入力端子(イ)に与えられる。
サ32は、d点の出力電圧■dが基準電圧Vrに達した
時のd′点の出力電圧Vd’(V+)を記憶する。また
この電圧V、は、ノクノファ回路34で増幅され、CM
P36の非反転入力端子(イ)に与えられる。
なお、CMP36は、反転入力端子←)に入力端子を与
えるポテンショメータ39が初期状態では低電位側に位
置しているので、初期の出力状態は「H」レベルに置か
れている。
えるポテンショメータ39が初期状態では低電位側に位
置しているので、初期の出力状態は「H」レベルに置か
れている。
従って、アンドゲート45は、ゲー、1−を開いてトラ
ンジスタ46を導通させているので、電磁石47は励磁
していて鉄片レバー58を吸着保持している。
ンジスタ46を導通させているので、電磁石47は励磁
していて鉄片レバー58を吸着保持している。
そして、先の時間tの終了後に、図示していない回路動
作により電磁石53のコイル531〕が、永久磁石53
Cの磁力を打ち消す方向に・くルス駆動されると、鉄片
レバー54はバネ56の張力により左旋し、フック54
aがレンズセットリング51の段部51aから外れる。
作により電磁石53のコイル531〕が、永久磁石53
Cの磁力を打ち消す方向に・くルス駆動されると、鉄片
レバー54はバネ56の張力により左旋し、フック54
aがレンズセットリング51の段部51aから外れる。
その結果、該り/グラ1はバネ52の張力により右旋を
開始して、撮影レンズを至近距離位置から無限遠位置方
向へ変位移動させると共に、ブラシ39aを、抵抗体3
9C上と導体3’ 9 d上とで摺動させて、ポテンシ
ョメータ39を低電位側から高電位側へ変位移動させる
。
開始して、撮影レンズを至近距離位置から無限遠位置方
向へ変位移動させると共に、ブラシ39aを、抵抗体3
9C上と導体3’ 9 d上とで摺動させて、ポテンシ
ョメータ39を低電位側から高電位側へ変位移動させる
。
そして、CMP36の反転入力端子(@の電位か非反転
入力端子(1)の電位まで上昇すると、CMP36は、
その出力がrLJレベルへ反転してアンドゲート45を
閉じさせる。その結果、トランジスタ46が遮断して電
磁石47が消磁1−るσ)で、鉄片レバー58がバネ6
0の張力により右旋し、フック58aがラチェツト歯5
1bの一つに噛合して、レンズセットリング51の右旋
を停、+1−させて撮影レンズが所定位置に固定される
ものである。
入力端子(1)の電位まで上昇すると、CMP36は、
その出力がrLJレベルへ反転してアンドゲート45を
閉じさせる。その結果、トランジスタ46が遮断して電
磁石47が消磁1−るσ)で、鉄片レバー58がバネ6
0の張力により右旋し、フック58aがラチェツト歯5
1bの一つに噛合して、レンズセットリング51の右旋
を停、+1−させて撮影レンズが所定位置に固定される
ものである。
また、測距対象が遠距離位置に存在しでいる場合には(
CI)、(C2)に示す如く、反射光スポットXが、5
PD15に充分広くか匁り、SPDl4に極く狭くか〜
るので、d′点の出力型11EVd’がd点の出力電圧
Vdよりも充分高いと共に、d′及びd点の電位はその
関係を保ちながら」二昇1−る。
CI)、(C2)に示す如く、反射光スポットXが、5
PD15に充分広くか匁り、SPDl4に極く狭くか〜
るので、d′点の出力型11EVd’がd点の出力電圧
Vdよりも充分高いと共に、d′及びd点の電位はその
関係を保ちながら」二昇1−る。
その後、d′点の出力電圧Vd’が基準電圧Vrに達す
ると、CMPl 9は出力がrHJレベルへ反転才ろ。
ると、CMPl 9は出力がrHJレベルへ反転才ろ。
そして、時間形成回路2の出力が1月1」レベルの状態
において、オアゲート22及びアンドゲート23を介し
てアンドゲート27の出力がrHJレベルへ反転するの
で、FF25は、出力Qが「H」レベルに、また出力G
が「L」レベルにラッチされる。
において、オアゲート22及びアンドゲート23を介し
てアンドゲート27の出力がrHJレベルへ反転するの
で、FF25は、出力Qが「H」レベルに、また出力G
が「L」レベルにラッチされる。
従って、アナログスイッチ29が閉じるので、コンデン
サ33は、d′点の出力電圧Vd′が基準電圧■rに達
した時のd点の出力電圧Vd(v3)を記憶する。また
この電圧V3は、バッファ回路35で増幅され、CMP
370反転入力端子(→に与えられる。
サ33は、d′点の出力電圧Vd′が基準電圧■rに達
した時のd点の出力電圧Vd(v3)を記憶する。また
この電圧V3は、バッファ回路35で増幅され、CMP
370反転入力端子(→に与えられる。
なお、CMP37は、非反転入力端子(イ)に入力端子
を与えるポテンショメータ42が初期状態では高電位側
に位置しているので、初期の出力状態は「H」レベルに
置かれている。
を与えるポテンショメータ42が初期状態では高電位側
に位置しているので、初期の出力状態は「H」レベルに
置かれている。
従って、アンドゲート45は、ゲートを開い゛Cトラン
ジスタ46を導通させているので、電磁石47は励磁し
ていて鉄片レバー58を吸着保持している。
ジスタ46を導通させているので、電磁石47は励磁し
ていて鉄片レバー58を吸着保持している。
一方、FF25の出力Qが「H」レベルへ反転すること
により、トランジスタ4oが導通して、ポテンショメー
タ39をグランド側で短絡するので、トランジスタ40
のVBEを無視すれば、 先のブラシ39aの移動によ
っても、ポテンショメータ39の出力は低電位のま〜で
ある。
により、トランジスタ4oが導通して、ポテンショメー
タ39をグランド側で短絡するので、トランジスタ40
のVBEを無視すれば、 先のブラシ39aの移動によ
っても、ポテンショメータ39の出力は低電位のま〜で
ある。
そして、先の撮影レンズの駆動機構の作動において、中
間位置からブラシ42aが抵抗体42C上にも摺動し始
めて、ポテンショメータ42を高電位側から低電位側へ
変位移動させる。
間位置からブラシ42aが抵抗体42C上にも摺動し始
めて、ポテンショメータ42を高電位側から低電位側へ
変位移動させる。
そして、CMP37の非反転入力端子0→の電位が反転
入力端子(ハ)の電位まで低下すると、上述と同様の動
作で、撮影レンズが所定位置に固定されるものである。
入力端子(ハ)の電位まで低下すると、上述と同様の動
作で、撮影レンズが所定位置に固定されるものである。
更に、測距対象が中距離位置に存在している場合には、
例えば(bl)、(b2)に示す如く、反射光スポット
Xが5PD14及び15にはg等分にか−り、その僅か
な差に応じていずれか一方の出力電圧が記憶され、それ
に応じて撮影レンズが固定されるものである。
例えば(bl)、(b2)に示す如く、反射光スポット
Xが5PD14及び15にはg等分にか−り、その僅か
な差に応じていずれか一方の出力電圧が記憶され、それ
に応じて撮影レンズが固定されるものである。
更にまた、測距対象が極遠距離位置に存在し、受光出力
が小さく、先の時間を内に出力電圧Vd’が基準電圧v
rに達しなt・場合(測距対象が反射率の小さいもの〜
場合も同様になることがある)は、その時間tの終了時
点で、FF24及び25の出力σが共に未だrHJレベ
ルであると共に、インバータ5の出力が「H」レベルへ
反転するので、アンドゲート43の出力は「H」レベル
に保持される。この結果、オアゲート44の出力もrH
Jレベルに保持され、従って、アンドゲート45は、そ
の出力がポテンショメータ39及び42の動作に無関係
にrHJレベルに保持される。
が小さく、先の時間を内に出力電圧Vd’が基準電圧v
rに達しなt・場合(測距対象が反射率の小さいもの〜
場合も同様になることがある)は、その時間tの終了時
点で、FF24及び25の出力σが共に未だrHJレベ
ルであると共に、インバータ5の出力が「H」レベルへ
反転するので、アンドゲート43の出力は「H」レベル
に保持される。この結果、オアゲート44の出力もrH
Jレベルに保持され、従って、アンドゲート45は、そ
の出力がポテンショメータ39及び42の動作に無関係
にrHJレベルに保持される。
そして、撮影レンズの駆動機構の有効な作動最終時に打
切り制御回路48の出力が「L」レベルへ反転して、ア
ンドゲート45がゲートを閉じることにより、撮影レン
ズが無限遠位置に固定されるものである。
切り制御回路48の出力が「L」レベルへ反転して、ア
ンドゲート45がゲートを閉じることにより、撮影レン
ズが無限遠位置に固定されるものである。
次に、第4図により他の実施例について説明する。なお
、前実施例と同一の素子には同じ符号を付している。
、前実施例と同一の素子には同じ符号を付している。
61はオアゲート、62及び63は例えば夫々3ビツト
のA/Dコンバータ回路、64〜72は夫々アンドゲー
ト、73は例えば3ビツトを二組備え内部的に4ビット
変換1−るマグニチーードコンパレータ回路、74はモ
ータ駆動回路、75はその回転によりレンズセットリン
グ(5])r、r駆動するモータ、76はモータ750
回転量をデジタル化する例えば4ビットのエンコーダで
ある。
のA/Dコンバータ回路、64〜72は夫々アンドゲー
ト、73は例えば3ビツトを二組備え内部的に4ビット
変換1−るマグニチーードコンパレータ回路、74はモ
ータ駆動回路、75はその回転によりレンズセットリン
グ(5])r、r駆動するモータ、76はモータ750
回転量をデジタル化する例えば4ビットのエンコーダで
ある。
バッファ回路34及び35の出力電圧のアナログ量は、
夫々A/Dコンバータ回路62及び6:3の三つの出力
端子により各々rHJ、rl−1」。
夫々A/Dコンバータ回路62及び6:3の三つの出力
端子により各々rHJ、rl−1」。
rHJからrLJ、rLJ、rLJまでの8段階のデジ
タル量の一つに符号化される。
タル量の一つに符号化される。
そして、A/Dコンバータ回路62の出力は、アンドゲ
ート64〜66を通して、また、A/Dコンバータ回路
6−3の出力は、アンドゲート67〜72を通して夫々
マグニチーートコンパレータ回路73に人力され、4ビ
ツト、即ち16段階のデジタル量の一つに符号化され、
その16段階は、例えば、撮影距離の至近距離位置から
俊速距離位置までを16分割している。
ート64〜66を通して、また、A/Dコンバータ回路
6−3の出力は、アンドゲート67〜72を通して夫々
マグニチーートコンパレータ回路73に人力され、4ビ
ツト、即ち16段階のデジタル量の一つに符号化され、
その16段階は、例えば、撮影距離の至近距離位置から
俊速距離位置までを16分割している。
即ち、前述と同様に、FF24が反転してランチ動作を
行った時は、出力QがrLJレベルへ反ベルへ反転する
ことにより、マグニチュードコンハレータ回路73はA
/Dコンバータ回路62の出力を優先して取扱う。なお
、F’F25はラッチ動作を行わないので、出力Qがr
HJレベルのままである。また、FF25が反転してラ
ンチ動作を行った時には、逆に、FF24の出力Qが1
−L−ルベルのままであることで、マグニチュードコン
ハレータ回路73はA/Dコンバータ回路63の出力を
優先して取扱う。更に、時間tの終了前にいずれのラン
チ動作も行われない場合には、その終了時点でオアゲー
ト61の出力がrLJレベルへ反転し、A/Dコンバー
タ回路63側の出力が総て「L」レベルとなり、FF2
4の出力Qが「L」レベルのままで、A/Dコンバータ
回路63側の出力が優先されることがら、遠距離側の一
番遠い状態と同じになる。
行った時は、出力QがrLJレベルへ反ベルへ反転する
ことにより、マグニチュードコンハレータ回路73はA
/Dコンバータ回路62の出力を優先して取扱う。なお
、F’F25はラッチ動作を行わないので、出力Qがr
HJレベルのままである。また、FF25が反転してラ
ンチ動作を行った時には、逆に、FF24の出力Qが1
−L−ルベルのままであることで、マグニチュードコン
ハレータ回路73はA/Dコンバータ回路63の出力を
優先して取扱う。更に、時間tの終了前にいずれのラン
チ動作も行われない場合には、その終了時点でオアゲー
ト61の出力がrLJレベルへ反転し、A/Dコンバー
タ回路63側の出力が総て「L」レベルとなり、FF2
4の出力Qが「L」レベルのままで、A/Dコンバータ
回路63側の出力が優先されることがら、遠距離側の一
番遠い状態と同じになる。
これを前提にモータ駆動回路74によりモータ75が回
転させられると、レンズ七ノドリングが駆動される。そ
の結果、撮影レンズは至近距離位置から無限遠位置方向
へ変位移動させられる。そして、モータ75の回転量を
デジタル量に変換するエンコーダ76の出力がマグニチ
ーードコンパレータ回路73の入力と一致した時にモー
タ75が停+hLで、撮影レンズが所定位置に固定され
るものである。
転させられると、レンズ七ノドリングが駆動される。そ
の結果、撮影レンズは至近距離位置から無限遠位置方向
へ変位移動させられる。そして、モータ75の回転量を
デジタル量に変換するエンコーダ76の出力がマグニチ
ーードコンパレータ回路73の入力と一致した時にモー
タ75が停+hLで、撮影レンズが所定位置に固定され
るものである。
第5図は、受光素子として、半導体装置検出素子を用い
る実施例である。
る実施例である。
第5図(a)において、81は半導体装置検出素子で、
比較的大きな面を有する半導体基板82をもち、その半
導体基板82の一方の面に該基板2と異なる導電型の半
導体層83が形成されている。そして、半導体層83の
上には抵抗層84が形成されていると共に、該抵抗層8
40両端に一対の電極(検出用)84a、84bが設け
られ、また半導体基板82には共通電極85が設けられ
ている。
比較的大きな面を有する半導体基板82をもち、その半
導体基板82の一方の面に該基板2と異なる導電型の半
導体層83が形成されている。そして、半導体層83の
上には抵抗層84が形成されていると共に、該抵抗層8
40両端に一対の電極(検出用)84a、84bが設け
られ、また半導体基板82には共通電極85が設けられ
ている。
こ匁で、第4図(b)に示す如く、電極(検出用)84
aと84bの間に反射光スボン) X’が当ると、抵抗
層84を介して入射点から電極84aへ電流11+電極
84bへ電流I2が、また共通電極85へ電流I3 が
夫々流れ、それらの間に次の関係が成立する。
aと84bの間に反射光スボン) X’が当ると、抵抗
層84を介して入射点から電極84aへ電流11+電極
84bへ電流I2が、また共通電極85へ電流I3 が
夫々流れ、それらの間に次の関係が成立する。
I3= It 4−12
そして、抵抗層84の抵抗を一様にしておけば、反射光
スポットx′の入射点と電極84aの間の距離を11.
入射点と電極84bの間の距離を12とすると、l+1
+=I2・I2なる関係が成立する。
スポットx′の入射点と電極84aの間の距離を11.
入射点と電極84bの間の距離を12とすると、l+1
+=I2・I2なる関係が成立する。
この条件に基づき、C及びC′点の受光出力を、前述と
同様に取扱えば、撮影レンズを適正に固定することがで
きるものである。
同様に取扱えば、撮影レンズを適正に固定することがで
きるものである。
以上の如く、本発明の測距装置によると、受光素子の出
力を増幅する増幅回路の見掛上のダイナミックレンジが
広がり、精度を低下させずに被写体反射像の使用可能範
囲を広げることができるものである。
力を増幅する増幅回路の見掛上のダイナミックレンジが
広がり、精度を低下させずに被写体反射像の使用可能範
囲を広げることができるものである。
第1図は本発明の一実施例を示した回路図、第2図は第
1図に対応した撮影レンズの駆動機構の一例を示した説
明図、第3図は受光素子に対する反射光スポットの状態
と出力電圧の関係を示した説明図、第4図は本発明の他
の実施例を示した部分回路図、第5図は本発明の更に他
の実施例で、(a)は部分回路図、(b)は半導体装置
検出素子に対する反射光スポットの状態を示した説明図
である。 1 クロックパルス発生回路 2 時間形成回路 13 赤外線発光ダイオード 14及び15 シリコンホトダイオード16及びエフ
受光素子出力変換回路 39及び42 ポテンショメータ 47 電磁石 48 打切り制御回路 51 レンズセットリング 62及び63 A/Dコンバータ回路 73 マグニチュードコンパレー タ回路 74 モータ駆動回路 75 モータ 76 エンコーダ 81 半導体装置検出素子 X及びX′ 反射光スポット 特許出願人 株式会社 コ パ ル 第2図 第3図 Car) <22) (bl) (bl) (Cυ (c2) (を冨25ms) 手続補正書(自発) 昭和59年2月L51」 1 事件の表示 昭和58年特許願第245972号 2、発明の名称 特許出願人 〒174東京都板橋区志村2の16の20電話(965
)1111 (122) 株式会社コパル 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 (1)明細書第22頁第2行目に「増幅する増幅回路」
とある記載を、「処理する回路系」と訂正する。 以上
1図に対応した撮影レンズの駆動機構の一例を示した説
明図、第3図は受光素子に対する反射光スポットの状態
と出力電圧の関係を示した説明図、第4図は本発明の他
の実施例を示した部分回路図、第5図は本発明の更に他
の実施例で、(a)は部分回路図、(b)は半導体装置
検出素子に対する反射光スポットの状態を示した説明図
である。 1 クロックパルス発生回路 2 時間形成回路 13 赤外線発光ダイオード 14及び15 シリコンホトダイオード16及びエフ
受光素子出力変換回路 39及び42 ポテンショメータ 47 電磁石 48 打切り制御回路 51 レンズセットリング 62及び63 A/Dコンバータ回路 73 マグニチュードコンパレー タ回路 74 モータ駆動回路 75 モータ 76 エンコーダ 81 半導体装置検出素子 X及びX′ 反射光スポット 特許出願人 株式会社 コ パ ル 第2図 第3図 Car) <22) (bl) (bl) (Cυ (c2) (を冨25ms) 手続補正書(自発) 昭和59年2月L51」 1 事件の表示 昭和58年特許願第245972号 2、発明の名称 特許出願人 〒174東京都板橋区志村2の16の20電話(965
)1111 (122) 株式会社コパル 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 (1)明細書第22頁第2行目に「増幅する増幅回路」
とある記載を、「処理する回路系」と訂正する。 以上
Claims (4)
- (1)発光素子から発せられた光を測距対象に向けて投
射し、その反射光を隣接配置された二つの受光素子で受
光する三角測距方式の測距装置において、前記発光素子
の発光々量を一定時間内において小光量から大光量へ単
調増加させ、前記いずれか一方の受光素子回路系の出力
がある設定値に達した時点で、他方の受光素子回路系の
出力σ)状態を電圧値として記憶してコンパレータ回路
の一方の入力端子に与え、その後、撮影レンズを可動範
囲の一方の極限位置から他方の極限位置へ向けて駆動す
ると共に、該駆動4作に連動して前記コンパレータ回路
の他方の入力端子の電位を一方の極限値から他方の極限
値へ向けて掃引し、前記両入力端子の電位が一致した時
、前記撮影レンズの駆動を停止Pさせるようにしたこと
を特徴とする測距装置。 - (2)発光素子から発せられた光を測距対象に向けて投
射し、その反射光を隣接配置された二つの受光素子で受
光する三角測距方式の測距装置においで、前記発光素子
の発光々量を一定時間内において小光量から大光量へ単
調増加させ、前記いずれか一方の受光素子回路系の出力
がある設定値に達した時点で、他方の受光素子回路系の
出力の状態の電圧値をデジタル値に変換して記憶し、そ
の後、撮影レンズを可動範囲の一方の極限位置から他方
の極限位置へ向けて駆動すると共に、該駆動の歩進量を
エンコーダによりデジタル量に変換し、該デジタル量が
前記記憶デジタル値と一致した時、前記撮影レンズの駆
動を停止トさせるようにしたことを特徴とする測距装置
。 - (3)発光素子から発せられた光を測距対象に向けて投
射し、その反射光を共通電極及び一対の検出用電極を有
する半導体装置検出素子で受光する三角測距方式の測距
装置において、前記発光素子の発光々量を一定時間内に
おいて小光量から大光量へ単調増加させ、前記半導体装
置検出素子における共通電極といずれか一方の検出用電
極間回路系の出力がある設定値に達した時点で、共通電
極と他方の検出用電極間回路系の出力の状態を電圧値と
して記憶してコンパレータ回路の一方の入力端子に力え
、その後、撮影レンズな可動範囲の一方の極限位置から
他方の極限位置へ向けて駆動すると共に、該駆動4作に
連動して前記コンパレータ回路の他方の入力端子の電位
を一方の極限値から他方の極限値へ向けて掃引し、前記
両入力端子の電位が一致した時、前記撮影レンズの駆動
を停止トさせるようにしたことを特徴とする測距装置。 - (4)発光素子から発せられた光を測距対象に向けて投
射し2、その反射光を共通電極及び一対の検出用電極を
有する半導体装置検出素子で受光1−る三角測距方式の
測距装置において、前記発光素子の発光々量を一定時間
内において小光量から大光量へ単調増加させ、前記半導
体装置検出素子における共通電極といずれか一方の検出
用電極間回路系の出力がある設定値に達した時点で、共
通電極と他方の検出用電極間回路系の出力の状態の電圧
値をデジタル値に変換して記憶し、その後、撮影レンズ
を可動範囲の一方の極限位置から他方の極限位置へ向け
て駆動すると共に、該駆動の歩進量をエンコーダにより
デジタル量に変換し2、該デジタル量が前記記憶デジタ
ル値と一致した時、前記撮影レンズの駆動を停止F、さ
せるようにしたことを特徴とする測距装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24597283A JPS60138414A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 測距装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24597283A JPS60138414A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 測距装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138414A true JPS60138414A (ja) | 1985-07-23 |
Family
ID=17141570
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24597283A Pending JPS60138414A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | 測距装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60138414A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59221608A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-13 | Copal Co Ltd | 測距装置 |
| JPS6079211A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-07 | Copal Co Ltd | 測距装置 |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP24597283A patent/JPS60138414A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59221608A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-13 | Copal Co Ltd | 測距装置 |
| JPS6079211A (ja) * | 1983-10-07 | 1985-05-07 | Copal Co Ltd | 測距装置 |
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