JPS6079211A - 測距装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、カメラ等に用いられる訓！１”１１装置であ
って、発光素子から発せられた光を／ｌ！ｌＩ　ｉｌｌ
　ｉ　４Ｊ象に向けて投則し、その反射光を共通電極及
び−・χ、１の検出用電極を有する半導体装置検出素了
・て受光する五角測ｌｌ′１１方式の測距装置の改良に
関する。

従来、」−述のような方式の測ｌｌ′１１装置としては
、特開昭５７−１７７１０７号公報等により提案されて
いる。

一般に、発光素子・より投射した光の測距対象からの反
則光を受光素ｒで受光して測ム゛１１する場合、その反
射光強度は、測距対象の反抱・１・４１＋　ｉｌ’ｌ　
ｌｉｔ：ｌド、５によって、千倍以七の差を牛しる。従
って、・”ｌ　＞’ｌ’；　”Ａ＋’子の出力を増幅す
る増幅回路は、６０　＋ｌ　１３以１゛のダイナミソク
レンンが必要となる１、 そのタイナミソクレンノを広くする力ｌ去としては、受
光素子出力の対数圧縮や増幅ト旧１“（１の１゛口・Ｊ
Ｊ刊７１）、調４腎か考えられるが、１ｉｉｒ　：＋”
ｉでは、・シ毘々１１Ｆか人きく受光素子間の出力差が
小さい１１”Ｊに、Ｓ／’Ｎか悪くなる欠点があり、ま
た後者ては、フ、（−１ハツク系が必要で、発振等の不
安定要素か増大する欠点があった。

そこで、本発明の目的は、−１−記従来例の欠点を伴わ
ず、部用な手段で、受光素ｒ−の出力を見用Ｉ。

零或は微少値から徐々に増大させて、比較回ｔ、ｌＪ、
ｊの判別し易いある設定値に達した１１１に測距状態を
判別さぜるようにした測距装置ｉ’Ｙを提供するもので
ある。

以下、図面に基づいて本発明の詳細な説明する。

先ず、第１図において、１はクロックパルス発生回路（
発振周波数ｆｏ＝］５ＫＨ，てあり、以下Ｏ８Ｃと記述
する）、２は時間形成回路（時間ｔ’−２５ｍ５）　、
３は７７ドゲート、４はトランジスタ、５はインバータ
、６はトランジスタ、７は定電流回路、８はコンデンサ
、９はバッファ回路、１０，１．１及び１２は定電流回
路を°構成するトランジスタ、１３は測距対象ヘスポッ
ト光を投射する発光素子としての赤外線発光クイオード
（以下ＩＲＤと記述する）である。

１４は半導体装置検出素子で、比較的大きな面を有する
半導体基板１５をもち、その≧１′−、導体フ１（板１
５の一方の面に該基板１５と異なる導電型の半導体層１
６が形成されている。そして、半導体層１６の−にには
抵抗層１７が形成されていると共に、該抵抗層１７の両
端に−・対の電極（検出用）１７ａ、１７１）が設けら
れ、また半導体基板１５には共通電極１８が設けられて
いる。

１９及び２０は夫々交流増幅回路、２１及び２２は夫々
帯域フィルター回路（中心１−：１波数［０＝１６ＫＨ
ｚであり、以下ＢＰＦと記述スル）、２３及び２４は夫
々検波回路、２５及び２６は夫夫平滑回路、２７及び２
８は夫々直流増幅回路、２９．３０及び３１は夫々コン
パレータ回路（以−ＦＣＭＰと記述する）、３２は定電
流回路、３３　。

３４及び３５は夫々ＣＭＰ２’Ｊの反転入力端」′（−
）及びＣＭＰ３０，３１の非反転入力端＋′（ｌ−）に
ノ、１．　Ｃｌｆｔ電圧Ｖｒ＋及びＶｒ２．　Ｖｒ：＋
を−Ｉｊえる分圧抵抗、：３６はアンドケ−１−１３７
及び３８は夫々１）タイプのフリップフロップ回路、３
９はＲＳタイプθ）フリップフロップ回路（なお、７９
７７７１７７７回路は、以下共通してＦＦと記述する。

）であり、夫々図示の如く接続されている。

次に、第１図の動作を第２図と共に説明する３゜操作の
開始によって、図示していない電／Ｉ！；λスイッヂが
閉成されると、回路の各部に給電か行われると共に、Ｆ
Ｆ　３７．　３８及び：３９はリセットか解除される。

そして、Ｏ５’ＣＩが動作して６２．５１＋ｓの１．’
、１期のクロックパルスが発生ずると共に、ｌｌ：’１
間形成回路２の出力がｔ　＝　２５　ｍ　ｓの時間だけ
「Ｉ−Ｉ　Ｊレヘルヘ反転する。

従って、その時間だけクロックパルスかアットゲート ４が導通遮断を繰返す。

・方、時間形成回路２の出力が２５　１１１　８の時間
「１１」レヘルへ反転している間、インバータ５の出力
がｒＬＪレヘルヘ反転し、トランジスタ６が遮断するの
て、コンデンサ８は定電流目Ｗ；１７により定電流充電
され、その定電流を１、コンデンサ８の容ＪｕをＣとす
ると、バッファ回路９の出力ｌｉｔ°，：了・ａ点の電
圧Ｖは、Ｖ＝　（１／’Ｃ）Ｉ　、ｔの関係式により、
■て示ず〃１区七昇する、７こ０パ１１１果、！・ラン
ンスタ１０に流れるコレクタ・エミッタ化’ｔｉｆｊ（
１１）が徐々に増加して打き、その電流（１１）に比例
してトランジスタ１２のコし，り・エミ，り電流（１２
）も増加して（ｊくことになる。

従って、トランジスタ４の導通，連断に対応して、トラ
ンジスタ１２のその電流（１２）が、＠て示す如く、間
欠的に増加して行き、Ｉ　ＲＤＩ　３はパルス点灼され
ると共に、その発光々１１１か小）ｊｌ　：ｉｉから大
兄すｉへ！１１調増加して（Ｊく。、このＩＲＤ１３の
点すｊによる投η・１）１−は、ｉｌｌｌｌ　１？ｌは
１象から反則して゛１′尋体光イ１“ノ１１°゛ｌ°検
出素１’　＋　４で゛は）’ｔ′。

される。

こ＼て、電極（検出用）１７ａとｌ　７　ＩＩ　（１）
間に反射光スボッ＋−Ｘが当ると、抵抗層１７を介しく
人躬点から電極１７２１へ電流１　ｌ　、　’ｌＮｉｌ
ｌ（　１　７　１）・＼電流Ｉ２か、また共通電極へ１
１＋．流Ｉ　）か人々流，ＩＩ、それらの間に次の関係
か成＼“ｌする，１１３？１１＋１２ そして、抵抗層１７の抵抗を・（、ｆにして」、居」（
、ｉ、反を口°０スボ，ｌ−Ｘの人則点と電極ドア；１
の間のｊ，ＩＥ１ζ１１を１　１，人則点と電極１７）
）の間のｉｌｌ　！　：朋を１２とすると、１１・１１
＝＝１７・ｌ　２プｊる門イ１か成立する〇 この条１′１にノ１（づき、Ｃ及び（点の・受光出力は
、０に示す如く、自然光によるｉ＋’＋流成分にΦ畳さ
Ａｔて発生ずる。

また、交ｔＡε増幅回路１９及び２０後の（１及び（１
゛点の出力は、○に示す如く、増幅されて現われる。

更に、ＢＰＦ２１及び２２後のｅ及びｅ′点の出力は、
その中心周波数ｆｏと０５ＣＩの発振１２１１波数［０
とを同じ値に設定しであるので、■に示す如く、０（７
）波形を増幅したように現われる。

更にまた、検波回路２３及び２４後のｆ及びＦ′点の出
力波形は、０に示す如くになり、平ｔ１′１回路２５及
び２６を経た直流増幅回路２７及び２８後のｇ及びｇ′
点の出力電圧Ｖｇ及びＶｇ′は、■に示す如く、所定値
から徐々に一１１昇する。

そして、第２図に示す如く、１ｌｌｌ距対象か近５ｊｌ
ｉ　Ｑ；１１位置に存在している場合には、（ａ　ｉ）
　、（ａ　２）に示す如く、反射光スポットｘが、半導
体装置検出素了−１４に対し大きく左側に片寄り１１＜
１２の状態になるので、ｇ点の出力電圧■ｇがｇ′点の
出力電圧■ｇ′よりも充分高いと共に、その出力電圧Ｖ
ｇか！１（準’ｆｌｉ圧■ｒ１に辻したＩｌ、／、ＣＭ
Ｐ２９の出力がｊ−ＨＪレベルへ反転して、先の時間り
の間［Ｊ　レベルの信号が与えられていたアントゲ−１
３６が開いてその出力が［（Ｊレベルへ反１Ｊｔｐする
。一方、その時点では、ｇ′点の出力電圧Ｖｇ′か基準
電圧Ｖｒａにも達していないので、ＣＭ　ｌ’　３　（
１及び３１の出力は共に［Ｈｊ　レベルのキ＼である１
、従って、アントゲート へレベｙ］二り信シ３をクロックとする＋ｒ　＋ｒ　ａ
　７及び３８は、共に１−Ｈ」　レベルの（Ｎ’　ｒｊ
を読み込め、夫夫の出力端子Ｑ１及びＱ２にｌ　）Ｉ　
Ｊ　レベルの信号を記憶し、またその立］−り信看をセ
ントパルスとするＦＦ３９は、出力端一ｒ−Ｑ′１がＩ
ＩＩ　Ｊ　レヘ／Ｌ’＼反転する。

また、測Ｍ’ｌｉ＊；ｌ象が中「１！１ζ１１，位１べ
１に存在している場合には、第２図（＋）　］）　、（
＋１　２）に月くず如く、反射光スポットＸが、半導体
装置検出素Ｊ′１／Ｉに苅し左側にノ１寄って１１−、
１２の状態にあり、同様の動作で出力電圧■ｇ’がＶｒ
２（Ｖｒ３０間にＹするので、＋ｒ　Ｆ３　７の出力端
ｒＱ１は１月１ルヘルの信シＪを、他力Ｆ　Ｆ　：３８
の出力ＯＨ１、Ｈ’Ｑ２ｆ．Ｌ　ｌ　ｌ−　Ｊレベルの
信号を夫々記憶し、またＦ　Ｆ　３　９の出力端子Ｑ３
は［■］」レベルへ反転する。

更に、測ｒｔｌｉ＊Ｉ象が遠距離への境界位置に存イＩ
ｇしていた場合には、第２図（Ｃ　Ｉ）　、（Ｃ　２’
）において実線で示す如く、反則光スボッｌ−Ｘか半導
体装置検出素子１４に４Ｊ　Ｌはぼ中央に当って１１士
１２の状態にあるので、その出力型ＬｉＥＶｇ及び■ｇ
′はほぼ等しく、その判別時点ては、出力電圧■ｇ′が
基準電圧Ｖｒ２よりも高くなっているので、ＦＦ３７及
び３８の夫々の出力端子Ｑ１及びＱ２はｒＬＪレベルの
信号を記憶し、またＦＦ３９の出力）１＾；子Ｑ３はｒ
ｌ（Ｊ　レベルへ反転する。

更にまた、測距対象が極遠距１ζ１１位１１７１″に存
在していた場合には、（ＣＩ）、（Ｃ２）において鎖線
で示す如く、反射光スボッｌ−Ｘ′が、丁導体光位置検
出素ｒ１４に対し右側にｊ−１寄ってｌ　ｌ＞＋　２の
状態にあるか、極遠”ｌ：ｉ　ｉｉｊｌｌのため、出力
型１ｆ■ｇは先のＩｌ−１ｊ間（内には基環−電圧Ｖｒ
＋にａぜず（　ｉｔ！ＩＩ　ｂ’ｌ　ｉ　対象が反射率
の小さいものト場合も同様になることがある）、ＣＭＰ
２９の出力か［Ｉ−ｊレベルのままであり、その１１＋
ｉ間１が終ｒするとアットゲート３６がゲートを閉しる
ので、Ｆ　Ｆ　３　９はセントされず、出力端子Ｑ３が
ｒＬｌレベルのま５の状態に保持される。

なお、この時は、アットゲート 「■■」レベルへ反転することはないので、１・１・３
７及び３８は読み込み動ｆ＋を行わない、、即ち、第３
図の真理値の図表に示ず如く、ｌ’　Ｉ’３７及び３８
の出力端ｊ’−Ｑ＋及びＱ）の１１７号レーしル状態に
より近，中及び遠ｂ’，ｌ　！ｉ！ｉｌｌを判別するよ
・）に設定されているものであり、更に＝　ト’　１″
３！−）の出力端Ｊ”−Ｑ３かＩＩ，」レベルノ１１１
１′は、ＦＩ’　：３　７及び３８による判別にイ憂先
して遠ｆ，ＩＩ　’，．　Ｉ”１１を判別するように設
定されるものである。

また、第１図のＣＭＰ３０及び；３１・＼のノ，（、ｌ
（１電圧は、固定バイアスであり、出力型１１ｔＶｇ’
と出力’＋”、川■ｇとは絶ｉｌ値比較が行われている
，、第４図の実施例は、ＣＭＰ３　Ｄ及び；号１・＼の
〕Ｉ（べ１：電圧が、変動する出力電圧Ｖｇを分割する
形てりえられ、従って、出力電圧Ｖｇ’は、出力重用ハ
Ｉｇに７、］する割合のＩｌ１として比較か１Ｊわれる
。なお、分圧回路のｖｂは、例えは、ＩＲＩ）＋３を動
（１させていない時の半樽体光位１市検出累ｒ−１４０
）受光出力回路の通常の電圧レベルがハ・イアスされて
い６°　悲 また、第１図の回路動作では、ＣＭＰ２の出力の累積さ
れる動作遅れ時間により、その判別に精度を欠く場合が
起り得る。

これに対し、第４図の実施例の特徴は、記述の如く、割
合の量、即ち、出力電圧Ｖｇ’は出力電圧Ｖｇに対する
比で判別されるので、　ｆ’＋ｉｆ￥施例よりも精度の
向上か泪れるものである。

なお、］−述の測距出力の段数は増減可能であり、また
、ＦＦ３９により遠距離を判別した場合、併せて警報を
発するようにすることもできる。

上述の実施例は、測距出力を、裁準電圧（Ｖｒ２゜■ｒ
３）のレベル及び段数に応してデジタル的に？−ｊＪる
ものであるが、以下測距出力を更に細分割化して？ｑら
れる実施例について説明する。

先ず、第５図及び第６図によりその・番目のものを説明
する。なお、前実施例と同一の素子には同じ杓−号をイ
：１している。

第５図において、４１はコンノぐレータ回路、４２及び
４３はコンパレータ回路４１の）ｋ転入）Ｊ端子（−）
に１１１票電１丁■１をＪｊえる定電ｌＡｔ回路ツクび
（１（抗、４４はア刈・ゲート、４５はアリーＩ−！ク
スイノチ、４６はインバータ、４７はコンーΣ−ン−１
〕、／１８は電流増幅回路、４９はコンノぐし・−夕回
路（？ｊ本土；コンパレータ回路は、以Ｆｊい［０して
ＣＮ−１ｌ’）と１．己Ｊｕｌ’する。）、５０及び５
１はＣＭ　ｌ’　４　り　ｏ）、ＪＩ、；Ｉヅ１ｌｊ）
、ノ（自端子（−１−）に撮影レンスのｉｉＪ動範囲に
±５ける　−７１’　０）極限性１６から他方の極限位
置への移動にス１１．仁ミしＩこ変位電圧をＪｌｉえる
定電流回路及びＩＩニーＦツノ・１メータ、５２はＲ，
ｓタイプのフリ、ブフＩ’Ｊ　／）’　１ｌｌｌ　ｉ７
名（以下Ｆ　Ｆと記述する）、５丁３はア／１・り−１
・、５４はトランンスタ、５５は撮１；リレンス０）１
〜′：イ′１°１“Ｘｌ、Ｘ４゛Ａ（レンズ七ソトリン
グ）　ｏ）；’ｌ！動を停止１−さＩする’１ｉ−ｊ。

磁石である。

水に、第６り１において、５Ｇはし／スーｌコツトＩＪ
ングて、光軸を中心にして回動１′−１在ζこ配置ｔ”
ｊさＡし、１」、つバネ５７により右旋ヤ１．か勾えら
れ、そ０）イ、ｈ；［により撮影レンスを無限遠位置か
ら至近置部１位置方向へと変位移動させるものであり、
また、段部５６ａとラチェツト歯５６ｂとを形成してい
る。

５８はレンズ駆動のレリーズ用の電磁石で、鉄芯５８ａ
とコイル５８Ｌ１と永久磁石５８Ｃとにより構成されて
いる。５９は軸６０に枢着されている゛　と共にバネ６
１により左旋性が与えられているレリーズ用の鉄片レバ
ーであり、レンズセントリング５６の段部５５．ａに係
合し得るフック５９ａと電磁右廻の鉄芯５８ａに対向す
る鉄片５９１〕とを形成している。６２はピンで、鉄片
レバー５９の左旋量を制限している。６３は輔６４に枢
♀゛１されバネ６５により右旋性が与えられている口、
り川の鉄片レバーで、レンズセットリング５６のラチェ
ット歯５６１）に係合しく；するフック６３ａと、第５
図におけるものと同じものである電磁石５５に対向する
鉄片６３ｂとを形成している。

なお、第５図におけるポテンショメータ５１は、第６図
に示す如く、レンズセットリング５６に支持されたフラ
ン５１ａと、基板５１ｂ」―に形成された抵抗体５１ｃ
と導体５１（１とにより構成されている。

そこで、第５図及び第６図の動ｆ′１を第２図（シー１
内の電圧参照）と共に説明する。

−に連と同様に、第２図（ａ　１）、（Ｃ２）の状態で
は、ｇ点の出力電圧■ｇがｇ′点の出力重重Ｖｇ”より
も充分高いと共に、ｇ及びｇ′点の電位はその関係を保
ちながら−１，響する。

また、この段階ては、アントゲート トを閉じていてインバータ４６の出力かＩＩＩＪＬ。

ベルであるので、アナロクスイッチ４５か聞いており、
コンデンサ４７はｇ′点の出力電圧■ｇ′により充電さ
れて行く。

そして、ｇ点の出力電圧Ｖｇ力見１，　；１，Ｉｊ電圧
■１に達すると、ＣＭＰ４］は出力がｌ’　Ｉ’ｌ　ｊ
　し・＼ルヘ反転し、この結果、先の時間ｔの間１）Ｉ
」しｔ＼ルの信号が与えられているアット”ゲート／Ｉ
４は開いてその出力が［ＨＪレベルへ反転し、ＦＦ５２
をセットしてその出力Ｑを「１１」レベルに反転保持さ
せると共に、インバータ４６の出力を１−Ｌ」しへルヘ
反転させてアナログスイッチ４５を閉じさせる。従って
、コンデンサ４７には、ｇ点の出力電圧Ｖｇが裁準電圧
Ｖｒｉこ達した時のｇ′点の出力電圧Ｖｇ’（Ｖ＋）が
記憶される。またその電圧Ｖ１は、電流増幅回路４８て
増幅され、ＣＭＰ４９の反転入力端子（−）に与えられ
る。

なお、ＣＭＰ４９は、非反転入力端子（＋）に入力端子
を与えるポテンショメータ５１が初期状態では高電位側
に位置しているので、初期の出力状態は「■１」　レベ
ルに置かれている。

従って、アントゲート５３は、ケートを開いてトラノシ
スタ５４を導通させているのて、電磁石５５は励磁して
いて？、Ｙ　Ｊ、ｌレバル６３を成子１保持している。

そして、先の時間りの終Ｉ′後に、図示していない回路
動作により電磁石５８のコイル４２ｂが、永久磁石５８
Ｃの磁力をｒＪち消ず方向にパルス駆動されると、鉄片
レバー５９はハネ６１の張力により左旋し、フック５９
ａがレンスセ、ドリンク５６の段部５６ａから外れる。

その結果、該リノ撮影レンズを無限速位置がら至：ｉｆ
ｉ　ｆｉｌ　ｉ　ｉζ１１位置カ位置変向移動させると
共に、フラノ５１２１を、抵抗体５１ｃ上と導体５１ｄ
　Ｊ−とて摺動させて、ポテンショメータ５１を高電位
側がら低電位側・＼変位移動させる。

そして、ＣＭＰ４９の非反転入力ψｉ１＋ｉ　Ｊ’（−
１）の電位が反転入力端子（−）の電位まて低ドすると
、Ｃへ１１１９４９はその出力が［、ｌ　レベルへ反１
ｊＩ）、してアットケート タ５４が遮断して電磁石５５が消磁するので、鉄ｊ−ｉ
レバー６３がバネ６５の張力により右ｈｆＩニジ、７ツ
ク６３ａがラチェッＩ−　１′ＩＲ　５　６　１）の一
つに噛合して、レンスセットリング５６の右旋を停市さ
け゛て撮影レンスか所定位置に固定されるものである。

また、測ｈ＋ｉ対象がもう少し遠い位置に存Ｙ！シてい
る場合には、例えば第２図（ｂ　ｌ）　、（１）２）に
示す如くなり、」−述の記憶電圧Ｖ）に相当するものが
電圧Ｖ２に変化する。

更に、測距えｊ象か更に遠い位置に存在している場合に
は、例えは第２図（ＣＩ）、（Ｃ２）において実線で示
す如くなり（反射光スボッｌ−Ｘが半導体装置検出素子
６のほず中央に当った場合）、」−述の記憶電圧Ｖ」に
相当するものが電圧Ｖ３に変化する。

更にまた、ｌｊｌｌｌ距対象が極遠距離位置に存在して
いた場合には、第２図（Ｃｌ）、（Ｃ２）において鎖線
で示ず如（、反Ｑ，Ｉ光スポットｘ″が半導体装置検出
素子６に対し右側に片寄るが、極遠距離のため、出力電
圧Ｖｇは先の時間を内では基を電圧Ｖｒに達せず（測距
対象が反則率の小さいものの場合も同様になることがあ
る）、ＣＭＰ４＋の出力かｒＬＪレベルのまトてあり、
その時間トが終了して時間形成回路２の出力かＩ−Ｉ７
」レベル−＼復帰してしまうと、アンドゲート４４の出
力はロ■ルベルへ反転てきな（なる。従って、ＦＦ５２
は、セラ）・されず出力Ｑがｌｊ　レベルの状態に保持
されて、アンドゲート５３を閉じさぜたま〜にする。

この結果、電磁石５５は初期状態から励磁されておらず
、鉄片レバー６３を吸盾していないので、上述の動作と
同様に、レノスセノトリンク５（３か右旋して、ラヂエ
／１・歯５６１）の最初の由かフ，７り６３２に対向し
たＩＩ買↑失片し／・−（ｉ　、’（は的ぢに右旋し、
フック６３２１かラチェット山５（ｉ　ｌ）にｉｆｉ１
合し、レンスセｙｌ・リンク５Ｇの右旋を停−１１さけ
、撮影レンスを無限遠位置に固定させるものである，。

次に、第７図及び第８図により他の実施例に一ついて説
明する。なお、＋ｉｉｊ実施例と同一の素１′には同じ
符号をトｉ　している。

６６’．６７はＣＭＰ，ｆｉ８．６９及び７０は定電流
回路，抵抗及びポテンショメータ、７１。

７２及び７３はナントゲート ｒ−と、電流増幅回路４８の出力−（、圧を人力と（７
、ナンドヶ−１・７２．７３の状態を出力と４−る関係
てウィンド゛コンパレータ回路を構成している，、）７
４はアントケート インバータ、７７−、８０はトラノノスタ、８１はモー
タである。

８２はし／スセットリンクで、光軸を中・Ｌ・ＩｃＬて
回動自在に配置され、部分ギヤ８２ａを形成している。

８３はピニオンで、第７図のものと同しものであるモー
タ８１の回転軸に固着されている。

８４は中間ギヤて、ビニオン８３とレンズセットリング
８２の部分ギヤ８２ａとに噛合している。

なお、第７図におけるボテンンヨメーク７０は、第８図
に示す如く、レンズセットリング８２に支持されたブラ
シ７０ａと、基板７０ｔ）」−に形成された抵抗体７０
Ｃと導体７０（１とにより構成されている。

］二連の如く、電流増幅回路４８の出力電圧は、極遠距
離等は別にして、測距対象が近、中、遠と遠（になるに
従って高くなるように設定されている。

そして、ウィンドコンパレータ回路である関係から、電
流増幅回路４８の出力電圧（Ｖｘ’）が、ＣＭＰ６６の
非反転入力端子（＋）の電圧（Ｖｙ）よりも高ければ、
ＣＭＰ６６の出力は「Ｌ」レベルて、ＣＭＰ６７の出力
は［ＨＪレベルであるから、ナントゲート７１の出力が
［ｆ（Ｊレベルとなって、ナンドゲ−１・７２の出力か
１月１−１　レベルて、−ノー、・トゲート５８の出力
かＩＩ、］し・＼ルとなる。

一方、出力電圧Ｖｘか、ＣＭ＋″（）７の反転入力端子
（−）の電圧（ＶＺ）よりも低くけＡ１は、（二ＭＰ６
６の出力はｒｌ−Ｉｌｂヘルて、（：Ｍ２Ｏ３の出力は
１−Ｌ」　レベルであるから、その後の出力状！虎は前
述とは逆の関係になる。

記述のいずれの場合も、モータ駆動回路の両人力に差か
生しているので、夫々の力面に幻１，１′１、しＣモー
タ８１が回転し、！−７スセノトリンク８２を駆動する
。

また、出力重用：■Ｘか、ｖｙン■ｘ７″′ＶＺの関係
に置かれた場合には、ＣＭ　Ｐ　（う（ｉ及び（ｉ　７
の出力は共に「■（」レベルとなってナツトケート７の
出力がｒＬ，１　レベルとなるので、ナノ１ゲ−　１・
７２及び７３の出力はＪｌに１■１ルー・ルとなり、こ
の１１）はモータ駆動回路の両人力か同′１１Ｌ位であ
るから、モータ８１は回転しない。

即チ、モータ８１の回転により１５１メ動されるし／ズ
セットリノク８２の運動に連動してボデノノヨメータ７
０が操作されることにより、その時の出力電圧ＶＸに対
して電圧ｖｙとＶｚを変化させ、Ｖｙ）Ｖｘ）Ｖｚの関
係位置を検出させて、撮影レンズを所定位置に固定させ
るものである。

更に、旧述の如く、ＦＦ５２がセットされず、出力０　
カｒＬ　Ｊレベルのま〜の時は、アントゲート７４の出
力か「Ｌ」レベルで、オアケート７５の出力が「■（」
　レベルに保持され、出力電圧Ｖｘが高い時と同しであ
るから、撮影レンズは極遠距離位置側へ駆動される。

なお、この１１−冒ま、Ｖ　ｙ　’，’＞Ｖ　Ｘ　＞Ｖ
　Ｚの状態を検出する動作は無関係となって、モータ８
１には撮影レンズを極遠Ｍｌ惰１１側へ駆動する電流か
流れ続けることになるので、リミッタ−を設けておくこ
とが好ましい。

次に、第９図により他の実施例について説明する。なお
、前実施例と同一の累ｒ−には同し杓けを付している。

８６は例えば４ヒノ）のＡ／Ｄコ／バータ回路、８７〜
９０はアントゲート、９１は例えば４ヒツトのマクニヂ
ュー！・コノパレータ回路、！ｌ　２　１ｉ−ｘ−夕駆
動回路、９３はその回転によりしノス±。

Ｉ・リングを駆動するモータ、９　／Ｉは士−　タ５）
；３の回転量をテノクル化する例えは４ヒ，ｌ・の工，
・−３ーダである。

電流増幅回路４８の出力電圧の一ｊ’ーノー１：＋り：
１冒−［、Δ／Ｄコンバータ回ｆ？３　８　（ｉで四つ
の出力１ν：Ｉ′１：　’１′により１　ｒＬｊ，　Ｉ
Ｊ，　ＩＮ−Ｊ，　Ｉｌ．ｌから１１１１。

ｒＴ−ＩＪ，を川ＴＪ，ｌ−ＨＪまての１０（２階のデ
／タル−量の一つに杓−Ｊ化され、その１０段階は、例
λは、極遠「口Ｐ１１１位置から至，’ｒｉｊｒ旧！ｉ
ｐ位１１・′旨Ｌ　ＴＪＪｌ　（ｉ　’／）割している
。

従って、△，／Ｉ〕コノハータ回路８（うの出力は、ア
ノトゲ−Ｉ・８７〜１〕０を通してー、・グー、１−１
−　１コ／パレ一タ回路９１に人力される，、ぞして、
■ーータｊ財動回路９２によりモータ９′３か回転さ１
すられることによってレンズセットリングかｉＪｌ動さ
ｎする。その結果、撮影レンズは無限速位置からう・Ｊ
バ距離位置方向−、変位移動させられる。そして、モー
タ９３の回転量をデンタルｉｎ−に変換する工／コ−タ
９４の出力が該コンパレータ回路９１の人力と一致した
時にモータ９３か停止１−シて、撮影レンズか所定位置
に固定されるものである。

また、１〕述の如（、ＦＦ５２がセットされず、出力Ｑ
がｔ−Ｌｊ　レベルのま＼の時は、アンドゲート８７〜
９０の出力が共に１１．Ｊ　レベルに保持されて、−１
１述の極遠゛距割状態と同じであるので、撮影レンズは
無限遠位置で固定される。

なお、夫々の実施例において、Ｆ　Ｆ　５２かセットさ
れず、遠距離状態を設定する場合は、併Ｕ″て贅報を発
するようにすることもてきる。

以」ユの如く、本発明は、受光素子出力の４１数圧縮や
増幅回路の自動利冑−調整を行うことなく、イＬ光累−
ｒの発光々量を小党毘から入光岸へ申請増加さぜる簡Ｊ
１１な構成により安定した動作で測距状態を判別するこ
とができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示した回路図、第２図は受
光素子に刻する反射光スポットの状態と出力電圧の関係
を示した説明図、第３図は測１１．ＨＩＨ力の一例を示
した真理イｌｌ′Ｊの図表、第４図、第５図。 第７図及び第９図は夫々本発明の他の実１ｊ（ｉ例を２
ｊ（した部分回路図、第６図及び第８図は太々：Ａ５５
図及び第７図にえｊ応した撮影レンズの駆動（シ（１１
１′１の例を示した説明１ツ１である。 １　・　り１−１ツク・（ルスイｒ〕ノ１回に’ｈ２　
−・　１１１間形成回ｈ′２゜ ９　バフフッ回路 １３　・　赤外線光）’１１．タイオート１４・・　・
　士、尋体）１（−イｉ’７置検出素１′１７ａ　、Ｉ
、　７１）　電極（検１１団１）Ｉ８・・　・　−共通
型４１；）ξ １９及び２〇　−交流増幅回路 ２１及び２２　・・　帯域フィルター回路２３及び２４
　・・　検波回「１１ ２５及び２６　士Ｓ”＋１１：ｌ　ｂ’：’ｉ２７及び
２８・　・　曲流増幅回路 ４８　・　−・・・電流増幅回（１１６５１及び７０　
・−・　ポテンショメータ５５　・・・　・　・・　・
　・・　・　電磁イｊ５６及び８２　・　・し／スセノ
トリング８］及び９３　・・　モータ ８６・・−・・　・・・・　Ａ／Ｄコンバー　’／　回
１ｆｆ９１・　・・・　・マグニチュードコンノ１°レ
ーク回路 ９２・・・・・・・、・・・モータ駆動回路９４　・・
・・・　・・　・エンコータＸ及びＸ゛・・　・・　・
・・・反射光スポント勃′Ｊ′１出願人 株式会社　コ　バ　ル 箪２冊 （ｔｘ５ｍｓ） 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）発光素子から発ぜられた光をδ！１ｊＩｌｌｉ　
   ’ｔ：ｊ象に向けて投射し、その反射光を共通電極及び
   一対の検出用電極を有する半導体装置検出素了て受光す
   る三角測距方式の７１ｉｌｌ　ｉ？ｆｊ装置において、
   前記発光素子の発光々量を一定時間内において小光量か
   ら入光」１１へ単調増加させ、ｒｉｉ＋記半導体装置検
   出素ｊ′にツ６ける共通電極と−・力の検出用電極間の
   出力かある設定値に達した１ｌｌｌ点て、共通電極と他
   方の検出用電極間の出力の状態を判別するようにしたこ
   とを特徴とする測Ｗ１−！装置。 （２）発光素子から発ぜられた光を測ばいＺ１象に向け
   て投射し、その反則光を共通電極及び−惰・］の検検出
   電電を有する半導体装置検出素子で受光する三角４１１
   ｊ距方式の測距装置において、１１；ｆ記発光素ｒ−の
   へ単調増加させ、前記半導体光イ装置１“１°検出素ｊ
   ′における共通電極と一方の検出用電極間の出力かある
   設定値に達した時の、共通電極と他力の検出用′市極間
   の出力を、該共通型４４と　・方の検出用電極間の出力
   に対する所定の割合のｆｊ、ｉ、と比較して判別するよ
   うにしたことを牛冒牧とする１ｌｉｌｌ　ｊｌ”ｌ　１
   装置、。 （３）共通電極と他方の検出用電極間の出力を両数のレ
   ベルと比較することを腸−徴とする！１１，１′１請７
   １（の１（・（も間第−項または第一項記載の測距装置
   ３゜（４）一定時間内に共通電極と　・ノＪの検出用電
   極間の出力がある設定値に遅しない時は、１ｌｌｌ　ｆ
   ｉｌ　’出力を西部１■１として判別するようにしたこ
   とを４′１徴とする１゛１１許請求の範囲第　１１’＋
   または第°項記載の測ｇ４１）装置ｉ！ｉ　。 （５）発光素ｒ−から発ぜられた光を訓１１°ＩＩχ・
   ｊ象に向けて投ＨＬ、その反４−１光を共通電極及び　
   対の検出用電極を有する崖導体光位置検出素ｒて・ψ光
   する角測距方式の測距装置において、前記発光素ｆ′の
   売先々量を一定時間内において小党ｈ）から火光皐へ一
   １１柚ｆ！ｒｌ増加させ、前記半導体装置検出素１′−
   における共通電極と一方の検出用電極間の出力がある設
   定値に達した時点て、共通電極と他方の検出用電極間の
   出力の状態を電圧値として記憶してコンパレータ回路の
   一方の入力端子に与え、その後、撮影レンスを可動範囲
   の一方の極限位ｉｉ５から他方の極限位置へ向けて駆動
   すると共に、該＋’ｊＡ動々作に連動して前記コンパレ
   ータ回路の他方の入力端子の電位を一方の極限値から他
   方の極限値−１向けて掃引し、前記両入力端子の電位が
   一致した時、前記撮影レンスのル１ス動を停止させるよ
   うにしたことを特徴とする測距装置。 （６）発光素子から発ぜられた光を測距文・１象に向け
   て投射し、その反則光を共通電極及び−・対の検出用電
   極を有する半導体装置検出素ｒで受光する一タ。 角訓距力式の測距装置において、前記発光素子の発光々
   邪−を一１定Ｉ１１間内において小光量から大光量へｆ
   ｉｌ調増加させ、ｆｉｉｆ記半導体光位１１を検出素Ｊ
   ′における共通電極と一方の検出用電極間の出力かある
   設定値に達した時点て、共通電極と他方の検出用電極間
   の出力の状態を電圧値とじて記憶して・クインドコンパ
   レータ回路の一力の入力端Ｊ′にｌｊえ、また、撮影レ
   ノスの可動範囲中の位置に利応じた電位を前記ウィンド
   コンパし一夕回路の地力の入力端子に与え、該コンパレ
   ータ回路の出力端ｊ′間に接続されその人力重用の不平
   ｔ’／＋ｉの方向にχ・１応して回：ｌｌｊ：するザー
   ホモータにより１１１ｆ記撮影し・ノス４駆動し、ｉ’
   ＋ｉｆ記両人力電１臼わ電位かある幅を１゛［つ（す〒
   定のしきい値内で一致した時、１ｊ；１記−リ゛−ポ℃
   −夕の回１１リーを停止さ−Ｕ−て、前記撮影レンス０
   八１に動を停止１．させるようにしたことを’ｌ’、）
   ’　ｉ：孜と１−るｉｌｌ１月１′１１杏い′］゛９、
   （７）発光素子から発ぜられた光を測！１’１１χ・１
   象に向けて投を１し、その反４Ｊ）’Ｌを共通電極及び
   　χ・ｊの検出用電極を有する２１゛導体光位置検出素
   ｒて受光する角ｒｌ！：Ｉ距方式の測距装置１′日こ」
   ６いて、前記発光素Ｊ′の発光々量を一定ＩＢ、間内に
   おいて小児：１１から入光：ｌトへ甲調増加さぜ、前記
   半導体装置検出素」′−における共通電極と一方の検出
   用電極間のｌｌｊかある設定値に達した１１−１点て、
   共通１ｙ極と他力の検出用電極間の出力の状態の電圧値
   をテンクル稙に肢摸して記憶し、その後、撮影レノスを
   可動ｒ１・ｉＬ囲の一力の極限位置から他方の極限位置
   へ向けて駆動すると共に、該駆動の歩進量をエンコータ
   によりデジタル量に変換し、該デンタル量が前記記憶テ
   ンタル値と一致した時、前記撮影レンズの駆動を停止さ
   せるようにしたことを特徴とする測ｉ１′１′！装置。 （８）一定時間内に共通電極と一方の検出用電極間の増
   幅された出力がある設定値に達しない時は、撮影レンス
   が優先して遠距離側の極限位置で停止されるようにした
   ことを特徴とする特許請求の範囲第五項乃至第七項記載
   の測距装置。