JPS6014435B2 - 記憶装置 - Google Patents
記憶装置Info
- Publication number
- JPS6014435B2 JPS6014435B2 JP5565779A JP5565779A JPS6014435B2 JP S6014435 B2 JPS6014435 B2 JP S6014435B2 JP 5565779 A JP5565779 A JP 5565779A JP 5565779 A JP5565779 A JP 5565779A JP S6014435 B2 JPS6014435 B2 JP S6014435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- memory
- data
- counter
- cpu
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F12/00—Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
- G06F12/02—Addressing or allocation; Relocation
- G06F12/06—Addressing a physical block of locations, e.g. base addressing, module addressing, memory dedication
- G06F12/0607—Interleaved addressing
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は記憶装置に関する。
マイクロコンピュータシステムでは配線及びICパッケ
ージのピンの数を少なくするため、データとアドレスを
時分割で同じバス上に出力する方式が用いられている。
ージのピンの数を少なくするため、データとアドレスを
時分割で同じバス上に出力する方式が用いられている。
データ処理装置(以下CPUと略す)と記憶装置(以下
メモリと略す)を同じレベルの半導体技術を用いて製作
すると、CPUの動作速度とメモリの動作速度は異なっ
たものとなる。CPUに比べメモリは大容量化を目指す
こともあり、同一面積内の能動素子の数が多い。それに
伴い、発熱の点からもCPU五こ比べてメモリの動作速
度は遅くする。従来、このように遅いメモリを使う場合
、色々な手段が講じられできた。
メモリと略す)を同じレベルの半導体技術を用いて製作
すると、CPUの動作速度とメモリの動作速度は異なっ
たものとなる。CPUに比べメモリは大容量化を目指す
こともあり、同一面積内の能動素子の数が多い。それに
伴い、発熱の点からもCPU五こ比べてメモリの動作速
度は遅くする。従来、このように遅いメモリを使う場合
、色々な手段が講じられできた。
たとえば、高速小容量のキャッシュメモリの構成を用い
たり、CPU側に工夫を加え、CPU内部を多相制御に
して、メモリアクセスの待ち時間には、CPU内部では
データ処理を行なったり、単純な待ち状態にしたりして
いた。しかしながら、キャッシュメモリの制御は複雑で
あり、CPU内部の多相制御も素子の動作速度の点から
も無駄がある。
たり、CPU側に工夫を加え、CPU内部を多相制御に
して、メモリアクセスの待ち時間には、CPU内部では
データ処理を行なったり、単純な待ち状態にしたりして
いた。しかしながら、キャッシュメモリの制御は複雑で
あり、CPU内部の多相制御も素子の動作速度の点から
も無駄がある。
この発明の目的は実効的なアクセス時間を早くすること
のできる記憶装置を提供することにある。
のできる記憶装置を提供することにある。
この発明の他の目的は、CPUとメモリ間のデータ及び
アドレスの一部あるいは全部を共有するシステムにおい
て、比較的低速なメモリを利用した場合にも高速アクセ
スが可能な記憶装置を提供することにある。
アドレスの一部あるいは全部を共有するシステムにおい
て、比較的低速なメモリを利用した場合にも高速アクセ
スが可能な記憶装置を提供することにある。
メモリにたくわえられる内容がプログラムである場合メ
モリの連続したアドレスの領域に記憶される。
モリの連続したアドレスの領域に記憶される。
そして、CPUからのアクセスもアドレスの順序に行な
われることが多い。ここで、メモリを複数のブロックに
分ける。例えば、2つのメモリブロックA,Bに分離し
た時で説明すると、Aのメモリブロックには分割前の偶
数アドレス内容をBのメモリブロックには奇数アドレス
の内容を順序よく集める。このようにすれば、Aブロッ
クのアクセスが行なわれると次にはBブロックのアクセ
スが起ることが予想できしかもそのアドレスも最後の1
ビットを無視すればAブロックのアクセスのアドレスと
同じ値であることもわかる。
われることが多い。ここで、メモリを複数のブロックに
分ける。例えば、2つのメモリブロックA,Bに分離し
た時で説明すると、Aのメモリブロックには分割前の偶
数アドレス内容をBのメモリブロックには奇数アドレス
の内容を順序よく集める。このようにすれば、Aブロッ
クのアクセスが行なわれると次にはBブロックのアクセ
スが起ることが予想できしかもそのアドレスも最後の1
ビットを無視すればAブロックのアクセスのアドレスと
同じ値であることもわかる。
この時メモリブロックにアドレス値を保持するレジスタ
と、次にアクセスされることを記憶する回路を付加すれ
ば、CPUからアドレスが送られた直後のアクセスでは
メモリのアクセスタイムTaだけ待つ必要があるが続け
てアクセスする時はサイクルタイムTCだけ少ないTa
一TCの時間だけ待てばよく、実効的にメモリのアクセ
スタイムが短くなったと考えることができる。さらに1
回目はアドレスをCPUからメモリに送らなければなら
ないが、連続したアドレスをアクセスする場合、メモリ
ブロックのアドレスレジスタをカウンタにしておけば、
2回目以降のアクセスにおいて、バス上にアドレスを送
出しなくてよくバスの使用効率が計られる。第1図にこ
の発明の一実施例を示す。
と、次にアクセスされることを記憶する回路を付加すれ
ば、CPUからアドレスが送られた直後のアクセスでは
メモリのアクセスタイムTaだけ待つ必要があるが続け
てアクセスする時はサイクルタイムTCだけ少ないTa
一TCの時間だけ待てばよく、実効的にメモリのアクセ
スタイムが短くなったと考えることができる。さらに1
回目はアドレスをCPUからメモリに送らなければなら
ないが、連続したアドレスをアクセスする場合、メモリ
ブロックのアドレスレジスタをカウンタにしておけば、
2回目以降のアクセスにおいて、バス上にアドレスを送
出しなくてよくバスの使用効率が計られる。第1図にこ
の発明の一実施例を示す。
同図はCPUIOOとメモリ200とをバス300によ
り結合したシステムを表わす。Jここでは、バス300
はデータ及びアドレスともに転送することができる。C
PUIOOはマイクロプログラムカウンタ(MPC)1
01を有し、MPCIOIの内容はバス300を介して
メモリ200へ供給することができる。メモリ200か
らバス300を介して送られたデータはバッファー02
に取り込まれる。また線103,104はメモリ200
を制御するための制御線である。メモリ200は複数(
ここでは2個)のメモリフロック210,220からな
り、それぞれ半導体メモリで構成されている。
り結合したシステムを表わす。Jここでは、バス300
はデータ及びアドレスともに転送することができる。C
PUIOOはマイクロプログラムカウンタ(MPC)1
01を有し、MPCIOIの内容はバス300を介して
メモリ200へ供給することができる。メモリ200か
らバス300を介して送られたデータはバッファー02
に取り込まれる。また線103,104はメモリ200
を制御するための制御線である。メモリ200は複数(
ここでは2個)のメモリフロック210,220からな
り、それぞれ半導体メモリで構成されている。
メモリブロック210は、同上基板上に形成された記憶
素子アレイ211、アドレスカウンタ212、アドレス
判定回路213を有する。メモリブロック220も同様
に構成されている。アドレスカウン夕212及び222
はプリセット可能なカゥンタであり、バス300上のア
ドレスを取り込んでセットされ得る。本システムにおい
て、CPUIOOからみたメモリ200のアドレスは、
メモリバンク210には隅アドレスが、メモリバンク2
201こは奇アドレスがそれぞれ割り当てられている。
素子アレイ211、アドレスカウンタ212、アドレス
判定回路213を有する。メモリブロック220も同様
に構成されている。アドレスカウン夕212及び222
はプリセット可能なカゥンタであり、バス300上のア
ドレスを取り込んでセットされ得る。本システムにおい
て、CPUIOOからみたメモリ200のアドレスは、
メモリバンク210には隅アドレスが、メモリバンク2
201こは奇アドレスがそれぞれ割り当てられている。
まず、CPUIOOはMPCIOIの内容すなわちアド
レスをバス30川こ出力する。これと同時にCPU10
0は線103を低レベルにする。線103はバス300
上の信号の種類を示しており、低レベルのときはアドレ
スを、高しべのときはデータを示す。メモリブロック2
10,22川ま線103が低レベルであるときには、バ
ス300上の信号(アドレス)を取り込む。いまアドレ
スがNビットからなるものとすると、上位(N−1)ビ
ットの内容がアドレスカウンタ212及び222にセッ
トされ、最下位ビット(はB)はアドレス判定回路21
3及び223へ供給される。各メモリブロックはアドレ
スカウンタ212及び222の内容に従って、それぞれ
記憶素子アレイからアドレスに対応するデータを読み出
す。しかしながら、これらのデータはアドレス判定回路
213及び223からの制御信号214及び224が供
給されない限り出力され得ない。アドレス判定回路21
3には山Bに加えて制御線104の信号及び線301を
介してメモリブロック220のアドレス判定回路223
の出力信号224とが供給されている。
レスをバス30川こ出力する。これと同時にCPU10
0は線103を低レベルにする。線103はバス300
上の信号の種類を示しており、低レベルのときはアドレ
スを、高しべのときはデータを示す。メモリブロック2
10,22川ま線103が低レベルであるときには、バ
ス300上の信号(アドレス)を取り込む。いまアドレ
スがNビットからなるものとすると、上位(N−1)ビ
ットの内容がアドレスカウンタ212及び222にセッ
トされ、最下位ビット(はB)はアドレス判定回路21
3及び223へ供給される。各メモリブロックはアドレ
スカウンタ212及び222の内容に従って、それぞれ
記憶素子アレイからアドレスに対応するデータを読み出
す。しかしながら、これらのデータはアドレス判定回路
213及び223からの制御信号214及び224が供
給されない限り出力され得ない。アドレス判定回路21
3には山Bに加えて制御線104の信号及び線301を
介してメモリブロック220のアドレス判定回路223
の出力信号224とが供給されている。
アドレス判定回路223にはBBに加えて制御線104
の信号及び線302を介してメモリブロック210のア
ドレス判定回路213の出力信号214とが供給されて
いる。アドレス判定回路213と223との違いは、隅
アドレス付けされたメモリブロック210のアドレス判
定回路213は、BBが“0”のときはィネープル状態
となるのに反し、アドレス判定回路223は偽Bが“1
”のときィネーブル状態となることにある。いまCPU
IOOから出力されたアドレスが偶アドレスであれば、
そのLSBは“0”であり、アドレス判定回路213が
ィネーブル状態となる。
の信号及び線302を介してメモリブロック210のア
ドレス判定回路213の出力信号214とが供給されて
いる。アドレス判定回路213と223との違いは、隅
アドレス付けされたメモリブロック210のアドレス判
定回路213は、BBが“0”のときはィネープル状態
となるのに反し、アドレス判定回路223は偽Bが“1
”のときィネーブル状態となることにある。いまCPU
IOOから出力されたアドレスが偶アドレスであれば、
そのLSBは“0”であり、アドレス判定回路213が
ィネーブル状態となる。
次にCPUIOO‘ま制御線103を高レベルにした後
、線104に読み出し信号を出力してデータアクセスを
行なう。ここで、CPUIOOは2つの読み出しのタイ
ミングシーケンスを用意してある。メモリ200にアド
レスを送出した直後のアクセス時のタィミンングAと連
続するアドレスをアクセスする時のタイミングBとがあ
る。いまCPUIOOはアドレスを送出した直後である
からタイミングAに従って、線104を低しべにする。
この線104の読み出し信号はィネーブル状態のアドレ
ス判定回路213に供給され、アドレス判定回路213
は出力信号214を発生する。この信号214によって
記憶素子アレイ211のデータはバス300に出力され
、CPUIOOのデータバッファ102に取り込まれる
。信号214は線302を介してアドレス判定回路22
3へ供給されてアドレス判定回路223をィネーブル状
態に変えるとともに、アドレスカウンタ212を1だけ
カウンタアツプさせる。
、線104に読み出し信号を出力してデータアクセスを
行なう。ここで、CPUIOOは2つの読み出しのタイ
ミングシーケンスを用意してある。メモリ200にアド
レスを送出した直後のアクセス時のタィミンングAと連
続するアドレスをアクセスする時のタイミングBとがあ
る。いまCPUIOOはアドレスを送出した直後である
からタイミングAに従って、線104を低しべにする。
この線104の読み出し信号はィネーブル状態のアドレ
ス判定回路213に供給され、アドレス判定回路213
は出力信号214を発生する。この信号214によって
記憶素子アレイ211のデータはバス300に出力され
、CPUIOOのデータバッファ102に取り込まれる
。信号214は線302を介してアドレス判定回路22
3へ供給されてアドレス判定回路223をィネーブル状
態に変えるとともに、アドレスカウンタ212を1だけ
カウンタアツプさせる。
なお、図示しないが信号214によってアドレス判定回
路213はィネーブル状態を解除する。CPUIOOは
、連続したアドレスのデータをメモリ200から読み出
したい場合、タイミングB‘こより再び線104に読み
出し信号を出力する。今度は、アドレス判定回路223
がィネープル状態であるから、アドレス判定回路223
が出力信号を発生し、メモリブロック220のデータが
バス300に出力される。また信号224はアドレスカ
ウンタ222を1だけカウンタアツプし、線302を介
してアドレス判定回路213をィネーブル状態に変える
とともにアドレス判定回路223はィネーブル状態を解
除する。以下同様に、CPUIO0がタイミングBで読
み出し信号を線104に出力する毎に、メモリブロック
210及び220は交互に動作し、連続アドレスのデー
タを順次バス300を介してCPUIOOへ送る。
路213はィネーブル状態を解除する。CPUIOOは
、連続したアドレスのデータをメモリ200から読み出
したい場合、タイミングB‘こより再び線104に読み
出し信号を出力する。今度は、アドレス判定回路223
がィネープル状態であるから、アドレス判定回路223
が出力信号を発生し、メモリブロック220のデータが
バス300に出力される。また信号224はアドレスカ
ウンタ222を1だけカウンタアツプし、線302を介
してアドレス判定回路213をィネーブル状態に変える
とともにアドレス判定回路223はィネーブル状態を解
除する。以下同様に、CPUIO0がタイミングBで読
み出し信号を線104に出力する毎に、メモリブロック
210及び220は交互に動作し、連続アドレスのデー
タを順次バス300を介してCPUIOOへ送る。
各メモリブロックが同一の半導体技術により形成された
ものとし、そのアクセスタイムをTaとすれば、メモリ
ブロックに初期アドレスが供給されてからデータを読み
出すにはTaだけ必要である。
ものとし、そのアクセスタイムをTaとすれば、メモリ
ブロックに初期アドレスが供給されてからデータを読み
出すにはTaだけ必要である。
タイミングAはこのメモリ固有の時間だけ必要である。
しかしながら、連続したアドレスのデータを読み出す場
合、各メモリブロックはそれぞれ有するアドレスカウン
タの内容によって既に記憶素子アレイから所定のデータ
を選択して読み出し得る状態となっているので、この場
合には記憶素子アレイの選択に要する時情耳TcをTa
から差し引いたTa−Tcの時間だけ読み出すことがで
きる。これがタイミングBによる実効的なアクセスタイ
ムとなる。したがって、この発明によれば、見かけ上の
アクセスタイムを大幅に短縮することができ、実質的に
メモリの高速化を達成することができる。
しかしながら、連続したアドレスのデータを読み出す場
合、各メモリブロックはそれぞれ有するアドレスカウン
タの内容によって既に記憶素子アレイから所定のデータ
を選択して読み出し得る状態となっているので、この場
合には記憶素子アレイの選択に要する時情耳TcをTa
から差し引いたTa−Tcの時間だけ読み出すことがで
きる。これがタイミングBによる実効的なアクセスタイ
ムとなる。したがって、この発明によれば、見かけ上の
アクセスタイムを大幅に短縮することができ、実質的に
メモリの高速化を達成することができる。
第2図にこの発明の他の実施例を示す。同図において、
第1図と同一部分には同一符号を符しその説明を省略す
る。第2図において、メモリ20川まCPUIOOに対
するコントロールメモリとして機能する。すなわち、メ
モリ200はCPUIOOの動作を規定するマイクロプ
ログラムを収容してなる。マイクロプログラムはメモリ
中に順序よく置かれることが多いが、そのプログラムの
ある種の命令の実行によっては、連続しない他の(アド
レス)領域のメモリの内容へ飛ぶことがある。例えばあ
る番地のメモリの内容をレジスタに読み込むようにな命
令である。この場合、マイクロプログラムカウンタ10
1の値とは位なる値をメモリ200のアドレスカウンタ
にセットすることは、この命令に連続したアドレスにあ
る命令を読み出すためにCPUIOOは再びアドレスを
メモリ200へ送らなければならず効率が悪い。
第1図と同一部分には同一符号を符しその説明を省略す
る。第2図において、メモリ20川まCPUIOOに対
するコントロールメモリとして機能する。すなわち、メ
モリ200はCPUIOOの動作を規定するマイクロプ
ログラムを収容してなる。マイクロプログラムはメモリ
中に順序よく置かれることが多いが、そのプログラムの
ある種の命令の実行によっては、連続しない他の(アド
レス)領域のメモリの内容へ飛ぶことがある。例えばあ
る番地のメモリの内容をレジスタに読み込むようにな命
令である。この場合、マイクロプログラムカウンタ10
1の値とは位なる値をメモリ200のアドレスカウンタ
にセットすることは、この命令に連続したアドレスにあ
る命令を読み出すためにCPUIOOは再びアドレスを
メモリ200へ送らなければならず効率が悪い。
このため、第2図においては、もう1つの制御線105
を設ける。また各メモリブロック210,220にはア
ドレスレジスタ215,225を持つ。CPUIO川ま
連してし、ないアドレス(以下単発アドレス)をバス3
00‘こ送出した場合、制御線105によってこのアド
レスが単発アドレスであることをメモリ200へ伝える
。メモリブロック210,220は、線105の状態を
みて、単発アドレスである場合にはアドレスレジスタ2
15,225にラツチする。そしてメモリ200からこ
の単発アドレスに対応するデ−夕が読み出された後は、
第1図と同様にして連続アドレスのデータを読み出すこ
とができる。以上のようにこの発明によれば、比較的低
速なメモリを用いても高速な読み出しを行なうことがで
きる。
を設ける。また各メモリブロック210,220にはア
ドレスレジスタ215,225を持つ。CPUIO川ま
連してし、ないアドレス(以下単発アドレス)をバス3
00‘こ送出した場合、制御線105によってこのアド
レスが単発アドレスであることをメモリ200へ伝える
。メモリブロック210,220は、線105の状態を
みて、単発アドレスである場合にはアドレスレジスタ2
15,225にラツチする。そしてメモリ200からこ
の単発アドレスに対応するデ−夕が読み出された後は、
第1図と同様にして連続アドレスのデータを読み出すこ
とができる。以上のようにこの発明によれば、比較的低
速なメモリを用いても高速な読み出しを行なうことがで
きる。
特にメモリ利用装置は、データアクセス毎にアドレスを
送出する必要がないので、ハードウェア的にも構成が簡
易化される。また、特に半導体メモリにおいては、アド
レス用の端子を設けないでデータ端子により初期アドレ
スを入力するようにすれば、ピン数も少なくてすみ、大
容量化されたメモリに好適である。本発明は上記実施例
に限定されるものでないことは言うまでもない。
送出する必要がないので、ハードウェア的にも構成が簡
易化される。また、特に半導体メモリにおいては、アド
レス用の端子を設けないでデータ端子により初期アドレ
スを入力するようにすれば、ピン数も少なくてすみ、大
容量化されたメモリに好適である。本発明は上記実施例
に限定されるものでないことは言うまでもない。
メモリブロックの個数は何ら本質的ではないが、メモリ
の周辺回路を簡素化する上では2n(n之1)に分割す
ることが望ましい。また第1図に示した実施例では、ア
ドレス判定回路213と223とでィネーブル状態とな
る条件が異なるので、メモリ製造上は2種のメモリを作
る必要がある。これを避けるには、(すなわち、メモリ
ブロック210と220とで同じアドレス判定回路を用
いる場合)、初期アドレスがメモリブロック220を指
している(奇アドレスのとき)場合に、タイミングAで
送出される読み出し信号を受けとるメモリブロックの順
序を予じめ定めておけばよい。これは制御線104,3
01,302の接続方法を定めることにより、決められ
る。一方、CPUIO0‘ま今送出したアドレスはBを
記憶しておき、第1図の場合メモリ200から送られる
最初のデー外ま取り込まず、2つ目のデータから取り込
むようにしてもよい(奇アドレスのとき)。
の周辺回路を簡素化する上では2n(n之1)に分割す
ることが望ましい。また第1図に示した実施例では、ア
ドレス判定回路213と223とでィネーブル状態とな
る条件が異なるので、メモリ製造上は2種のメモリを作
る必要がある。これを避けるには、(すなわち、メモリ
ブロック210と220とで同じアドレス判定回路を用
いる場合)、初期アドレスがメモリブロック220を指
している(奇アドレスのとき)場合に、タイミングAで
送出される読み出し信号を受けとるメモリブロックの順
序を予じめ定めておけばよい。これは制御線104,3
01,302の接続方法を定めることにより、決められ
る。一方、CPUIO0‘ま今送出したアドレスはBを
記憶しておき、第1図の場合メモリ200から送られる
最初のデー外ま取り込まず、2つ目のデータから取り込
むようにしてもよい(奇アドレスのとき)。
第1図はこの発明の一実施例を示す図、第2図はこの発
明の他の実施例を示す図である。 1 0 0・・・・・・CPU、2 0 0…・・・メ
モリ、2 10,220……メモリブロック、212,
222……アドレスカウンタ、213,223……アド
レス判定回路、300・・・・・・バス。 第1図 第2図
明の他の実施例を示す図である。 1 0 0・・・・・・CPU、2 0 0…・・・メ
モリ、2 10,220……メモリブロック、212,
222……アドレスカウンタ、213,223……アド
レス判定回路、300・・・・・・バス。 第1図 第2図
Claims (1)
- 1 記憶素子アレイと、このアレイ中の所望の記憶素子
を選択するための選択回路とを備えたメモリブロツクを
同一基板上に集積化してなり、かつこのメモリブロツク
のアドレス端子とデータ端子が兼用され、前記選択回路
は前記記憶素子アレイ中の記憶素子を指示するアドレス
を記憶するカウンタと、データアクセスに応答してて前
記カウンタを歩進させる手段と、前記データアクセスに
応答して次段のメモリブロツクに読出し信号を供給する
手段とを備えたことを特徴とする記憶装値。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5565779A JPS6014435B2 (ja) | 1979-05-09 | 1979-05-09 | 記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5565779A JPS6014435B2 (ja) | 1979-05-09 | 1979-05-09 | 記憶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55150178A JPS55150178A (en) | 1980-11-21 |
| JPS6014435B2 true JPS6014435B2 (ja) | 1985-04-13 |
Family
ID=13004902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5565779A Expired JPS6014435B2 (ja) | 1979-05-09 | 1979-05-09 | 記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6014435B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242383A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 記憶装置 |
| FR2748595B1 (fr) * | 1996-05-10 | 1998-07-10 | Sgs Thomson Microelectronics | Memoire a acces parallele |
| KR100609621B1 (ko) | 2005-07-19 | 2006-08-08 | 삼성전자주식회사 | 메모리 블락별로 레이턴시 제어가 가능한 동기식 반도체메모리 장치 |
-
1979
- 1979-05-09 JP JP5565779A patent/JPS6014435B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55150178A (en) | 1980-11-21 |
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