JPS5967663A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5967663A JPS5967663A JP57177687A JP17768782A JPS5967663A JP S5967663 A JPS5967663 A JP S5967663A JP 57177687 A JP57177687 A JP 57177687A JP 17768782 A JP17768782 A JP 17768782A JP S5967663 A JPS5967663 A JP S5967663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- resin
- package
- semiconductor device
- pellet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
- H10W70/457—Materials of metallic layers on leadframes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレジンモールド型半導体装置に関し。
特に耐湿性の向上を図った半導体装置に関するものであ
る。
る。
一般にレジンモールド型の半導体装置は、リードフレー
ム上に半導体素子ペレットを固着しかつこれと電気的接
続を図った上でこれらをレジンにて封止し、パッケージ
を構成する。I 5になっている、このような半導体装
置では、通常リードフレームの材料に42アロイやコバ
ール等の金属を使用しているが、この材料はレジンとの
密着性(詔れ性)がそれ程良好ではなく、リードフレー
ムとレジンとの界面を通してパッケージ内に湿気が浸入
し易いものとなっている、このようにパッケージ内部に
湿気が浸入するとAk線やペレットの電極パッド等を腐
蝕し、半導体装置の信頼性を低下させる。
ム上に半導体素子ペレットを固着しかつこれと電気的接
続を図った上でこれらをレジンにて封止し、パッケージ
を構成する。I 5になっている、このような半導体装
置では、通常リードフレームの材料に42アロイやコバ
ール等の金属を使用しているが、この材料はレジンとの
密着性(詔れ性)がそれ程良好ではなく、リードフレー
ムとレジンとの界面を通してパッケージ内に湿気が浸入
し易いものとなっている、このようにパッケージ内部に
湿気が浸入するとAk線やペレットの電極パッド等を腐
蝕し、半導体装置の信頼性を低下させる。
したがって、本発明の目的は耐湿性を向上してその信頼
性を向上することができる半導体装置な提供することに
ある。
性を向上することができる半導体装置な提供することに
ある。
この目的を達成するために本発明はリードフレームのパ
スケージ周辺に相当する箇所にアルミニウム等の密着性
のよい金属層を形成するようにしたものである、 以下、本発明を図示の実施例により説明する。
スケージ周辺に相当する箇所にアルミニウム等の密着性
のよい金属層を形成するようにしたものである、 以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第1図および第2図はデュアルインライン型のレジンモ
ールド半導体装置で例示したものであり、図においてl
は4270イ等の金属材にて形成したリードフレームで
ある。このリードフレームlはタブ2.インナリード3
.アウタリード4等を一体に有し、タブ2上には半導体
素子ペレット5を公知のボンディング法によって固着し
、またこのペレット5の電極パッドと前記インナリード
3とを夫々ワイヤ6にて接続している、また、前記リー
ドフレーム11特にインナリード3は後工程においてレ
ジンモールド形成されるパンケージ7の外周辺に沿う箇
所の表面、裏面、更に好ましくは厚さ方向の側面にアル
ミニウム層8を形成している。このアルミニウム層8は
蒸着やクラッド等にてリードフレームlに一体に形成し
ている。また、アルミニウム以外にレジンとの密着性が
良好な他の金属を使用することもできる。その上で、前
記リードフレームlは公知のレジンモールド工程に付さ
れ、レジンのパッケージ7が形成されて前記ペレット5
.ワイヤ6、インナリード3等が封、市−される。
ールド半導体装置で例示したものであり、図においてl
は4270イ等の金属材にて形成したリードフレームで
ある。このリードフレームlはタブ2.インナリード3
.アウタリード4等を一体に有し、タブ2上には半導体
素子ペレット5を公知のボンディング法によって固着し
、またこのペレット5の電極パッドと前記インナリード
3とを夫々ワイヤ6にて接続している、また、前記リー
ドフレーム11特にインナリード3は後工程においてレ
ジンモールド形成されるパンケージ7の外周辺に沿う箇
所の表面、裏面、更に好ましくは厚さ方向の側面にアル
ミニウム層8を形成している。このアルミニウム層8は
蒸着やクラッド等にてリードフレームlに一体に形成し
ている。また、アルミニウム以外にレジンとの密着性が
良好な他の金属を使用することもできる。その上で、前
記リードフレームlは公知のレジンモールド工程に付さ
れ、レジンのパッケージ7が形成されて前記ペレット5
.ワイヤ6、インナリード3等が封、市−される。
以上の旧)iにによれば、リードフレームlはレジン7
との接触面にアルミニウム層8が介在されているので、
アルミニウムとレジンとの高い密着性によってリードフ
レームとレジンの密着性が向上し、両者の界面を通して
の湿気の浸入を防止する。
との接触面にアルミニウム層8が介在されているので、
アルミニウムとレジンとの高い密着性によってリードフ
レームとレジンの密着性が向上し、両者の界面を通して
の湿気の浸入を防止する。
アルミニウム層8はパッケージ70周辺に相対して形成
しているので湿気はパッケージ7周辺において浸入が防
止されることになり、パンケージ内部には全く浸入しな
い。これにより、パンケージ内に封止されたワイヤ6や
ペレット5の腐蝕が確実に防止され、耐水性の向上と共
に信頼性の向上を図ることができる、 なお、本実施例ではタブt11リリード9のパンケージ
周辺箇所にもアルミニウム層8を施しているが、特に必
要とされるものではない。
しているので湿気はパッケージ7周辺において浸入が防
止されることになり、パンケージ内部には全く浸入しな
い。これにより、パンケージ内に封止されたワイヤ6や
ペレット5の腐蝕が確実に防止され、耐水性の向上と共
に信頼性の向上を図ることができる、 なお、本実施例ではタブt11リリード9のパンケージ
周辺箇所にもアルミニウム層8を施しているが、特に必
要とされるものではない。
以上のように本発明の半導体装置は、パッケージの周辺
に相対するり一ドフレーム箇所にアルミニウムー等のレ
ジンと密着性の高い金属層を形成しているので、この金
属層とレジンとの密着性によってレジンとリードフレー
ムとの間を通しての湿気の浸入な確実に防止することが
でき、内部の腐蝕を防止して耐水性および信頼性を向上
することができる。
に相対するり一ドフレーム箇所にアルミニウムー等のレ
ジンと密着性の高い金属層を形成しているので、この金
属層とレジンとの密着性によってレジンとリードフレー
ムとの間を通しての湿気の浸入な確実に防止することが
でき、内部の腐蝕を防止して耐水性および信頼性を向上
することができる。
また、本発明は金属層をパッケージ周辺部に設けている
のでリードフレーム全面に施す場合よりも金属材料の低
減化および低コスト化を図り、しかもペレットの固着や
ワイヤの接続も従来と同一の要領で行なうことができる
という利点もある。
のでリードフレーム全面に施す場合よりも金属材料の低
減化および低コスト化を図り、しかもペレットの固着や
ワイヤの接続も従来と同一の要領で行なうことができる
という利点もある。
第1図は本発明の半導体装置の平面断面図、第2図は第
1図のAAlfaに沿う縦断面図である、1・・・リー
ドフレーム、2・・・タブ、3・・・インナリード、4
・・・アウタリード、5・・・ペレット、6・・・ワイ
ヤ、7・・・パッケージ(レジン)、8 町今IA A
i(アルミニウム層)、9・・・タブffi’)リード
、゛ “、・−−ニー′ 第 1 図 第 2 図 ジニアリング株式会社 小平市上水本町1479番地 275−
1図のAAlfaに沿う縦断面図である、1・・・リー
ドフレーム、2・・・タブ、3・・・インナリード、4
・・・アウタリード、5・・・ペレット、6・・・ワイ
ヤ、7・・・パッケージ(レジン)、8 町今IA A
i(アルミニウム層)、9・・・タブffi’)リード
、゛ “、・−−ニー′ 第 1 図 第 2 図 ジニアリング株式会社 小平市上水本町1479番地 275−
Claims (1)
- 1、 リードフレームに半導体素子ベレットを実装した
上でこれをレジンにて封止してパンケージを形成してな
る半導体装置において、前記リードフレームのパッケー
ジ周辺に相当する箇所の表、裏面にアルミニウム等のレ
ジンと密着性のよい金属層を形成したことを特徴とする
半導体装置、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177687A JPS5967663A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57177687A JPS5967663A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5967663A true JPS5967663A (ja) | 1984-04-17 |
Family
ID=16035345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57177687A Pending JPS5967663A (ja) | 1982-10-12 | 1982-10-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5967663A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263557U (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-11 |
-
1982
- 1982-10-12 JP JP57177687A patent/JPS5967663A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263557U (ja) * | 1988-11-01 | 1990-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6249741B2 (ja) | ||
| JPH08264697A (ja) | 半導体リードフレーム構造およびその製造方法 | |
| JPS5917252A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5967663A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS637029B2 (ja) | ||
| JPS60150657A (ja) | レジンモ−ルド半導体装置 | |
| JPS6035552A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS634945B2 (ja) | ||
| JPS60119765A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびそれに用いるリ−ドフレ−ム | |
| JPH0567069B2 (ja) | ||
| JPH05166871A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003318346A (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS58166748A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03227539A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63308357A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPH0637123A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03169057A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6046058A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59107547A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH10163410A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6175554A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61128551A (ja) | 半導体装置用リ−ドフレ−ム | |
| JPS6181658A (ja) | プラスチツクパツケ−ジ形半導体装置 | |
| JPS60234352A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5827347A (ja) | 半導体装置 |