JPS5967663A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS5967663A
JPS5967663A JP57177687A JP17768782A JPS5967663A JP S5967663 A JPS5967663 A JP S5967663A JP 57177687 A JP57177687 A JP 57177687A JP 17768782 A JP17768782 A JP 17768782A JP S5967663 A JPS5967663 A JP S5967663A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
resin
package
semiconductor device
pellet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57177687A
Other languages
English (en)
Inventor
Hajime Sato
佐藤 始
Kenichi Otsuka
大塚 憲一
Hiromichi Suzuki
博通 鈴木
Wahei Kitamura
北村 和平
Hiroshi Mikino
三木野 博
Ryosuke Kimoto
良輔 木本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57177687A priority Critical patent/JPS5967663A/ja
Publication of JPS5967663A publication Critical patent/JPS5967663A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/456Materials
    • H10W70/457Materials of metallic layers on leadframes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
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    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/5449Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はレジンモールド型半導体装置に関し。
特に耐湿性の向上を図った半導体装置に関するものであ
る。
一般にレジンモールド型の半導体装置は、リードフレー
ム上に半導体素子ペレットを固着しかつこれと電気的接
続を図った上でこれらをレジンにて封止し、パッケージ
を構成する。I 5になっている、このような半導体装
置では、通常リードフレームの材料に42アロイやコバ
ール等の金属を使用しているが、この材料はレジンとの
密着性(詔れ性)がそれ程良好ではなく、リードフレー
ムとレジンとの界面を通してパッケージ内に湿気が浸入
し易いものとなっている、このようにパッケージ内部に
湿気が浸入するとAk線やペレットの電極パッド等を腐
蝕し、半導体装置の信頼性を低下させる。
したがって、本発明の目的は耐湿性を向上してその信頼
性を向上することができる半導体装置な提供することに
ある。
この目的を達成するために本発明はリードフレームのパ
スケージ周辺に相当する箇所にアルミニウム等の密着性
のよい金属層を形成するようにしたものである、 以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第1図および第2図はデュアルインライン型のレジンモ
ールド半導体装置で例示したものであり、図においてl
は4270イ等の金属材にて形成したリードフレームで
ある。このリードフレームlはタブ2.インナリード3
.アウタリード4等を一体に有し、タブ2上には半導体
素子ペレット5を公知のボンディング法によって固着し
、またこのペレット5の電極パッドと前記インナリード
3とを夫々ワイヤ6にて接続している、また、前記リー
ドフレーム11特にインナリード3は後工程においてレ
ジンモールド形成されるパンケージ7の外周辺に沿う箇
所の表面、裏面、更に好ましくは厚さ方向の側面にアル
ミニウム層8を形成している。このアルミニウム層8は
蒸着やクラッド等にてリードフレームlに一体に形成し
ている。また、アルミニウム以外にレジンとの密着性が
良好な他の金属を使用することもできる。その上で、前
記リードフレームlは公知のレジンモールド工程に付さ
れ、レジンのパッケージ7が形成されて前記ペレット5
.ワイヤ6、インナリード3等が封、市−される。
以上の旧)iにによれば、リードフレームlはレジン7
との接触面にアルミニウム層8が介在されているので、
アルミニウムとレジンとの高い密着性によってリードフ
レームとレジンの密着性が向上し、両者の界面を通して
の湿気の浸入を防止する。
アルミニウム層8はパッケージ70周辺に相対して形成
しているので湿気はパッケージ7周辺において浸入が防
止されることになり、パンケージ内部には全く浸入しな
い。これにより、パンケージ内に封止されたワイヤ6や
ペレット5の腐蝕が確実に防止され、耐水性の向上と共
に信頼性の向上を図ることができる、 なお、本実施例ではタブt11リリード9のパンケージ
周辺箇所にもアルミニウム層8を施しているが、特に必
要とされるものではない。
以上のように本発明の半導体装置は、パッケージの周辺
に相対するり一ドフレーム箇所にアルミニウムー等のレ
ジンと密着性の高い金属層を形成しているので、この金
属層とレジンとの密着性によってレジンとリードフレー
ムとの間を通しての湿気の浸入な確実に防止することが
でき、内部の腐蝕を防止して耐水性および信頼性を向上
することができる。
また、本発明は金属層をパッケージ周辺部に設けている
のでリードフレーム全面に施す場合よりも金属材料の低
減化および低コスト化を図り、しかもペレットの固着や
ワイヤの接続も従来と同一の要領で行なうことができる
という利点もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体装置の平面断面図、第2図は第
1図のAAlfaに沿う縦断面図である、1・・・リー
ドフレーム、2・・・タブ、3・・・インナリード、4
・・・アウタリード、5・・・ペレット、6・・・ワイ
ヤ、7・・・パッケージ(レジン)、8 町今IA A
i(アルミニウム層)、9・・・タブffi’)リード
、゛ “、・−−ニー′ 第  1  図 第  2  図 ジニアリング株式会社 小平市上水本町1479番地 275−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、 リードフレームに半導体素子ベレットを実装した
    上でこれをレジンにて封止してパンケージを形成してな
    る半導体装置において、前記リードフレームのパッケー
    ジ周辺に相当する箇所の表、裏面にアルミニウム等のレ
    ジンと密着性のよい金属層を形成したことを特徴とする
    半導体装置、
JP57177687A 1982-10-12 1982-10-12 半導体装置 Pending JPS5967663A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57177687A JPS5967663A (ja) 1982-10-12 1982-10-12 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57177687A JPS5967663A (ja) 1982-10-12 1982-10-12 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5967663A true JPS5967663A (ja) 1984-04-17

Family

ID=16035345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57177687A Pending JPS5967663A (ja) 1982-10-12 1982-10-12 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5967663A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0263557U (ja) * 1988-11-01 1990-05-11

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0263557U (ja) * 1988-11-01 1990-05-11

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